EP1277098B1 - Generateur de courant et generateur de tension - Google Patents

Generateur de courant et generateur de tension Download PDF

Info

Publication number
EP1277098B1
EP1277098B1 EP01929286.1A EP01929286A EP1277098B1 EP 1277098 B1 EP1277098 B1 EP 1277098B1 EP 01929286 A EP01929286 A EP 01929286A EP 1277098 B1 EP1277098 B1 EP 1277098B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
current
generating device
transistor
current generating
flow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP01929286.1A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
EP1277098A1 (fr
Inventor
Michael Verbeck
Thomas Piorek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Verbeck Michael
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Verbeck Michael
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Verbeck Michael, Infineon Technologies AG filed Critical Verbeck Michael
Publication of EP1277098A1 publication Critical patent/EP1277098A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of EP1277098B1 publication Critical patent/EP1277098B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Claims (6)

  1. Dispositif de génération de courant, par le biais duquel un courant prédéfini peut être contraint dans un dispositif raccordé à celui-ci dans un état électrique transitoire,
    le dispositif de génération de courant étant conçu pour, en réaction à un événement prédéfini signalé au dispositif de génération de courant par un signal de commande (PWD\), contraindre temporairement un courant dans le dispositif raccordé au dispositif de génération de courant, lequel est supérieur au courant contraint dans le dispositif par le dispositif de génération de courant dans l'état électrique transitoire, et
    le dispositif de génération de courant
    - contenant un générateur de courant (IG) qui génère un courant donné (IBias0),
    - contenant un transistor (T0) qui est connecté au générateur de courant (IG) de telle sorte qu'il est traversé par le courant (IBias0) généré par le générateur de courant, et
    - contenant un ou plusieurs transistors supplémentaires (T1-Tn) qui sont traversés par des courants (IBias1-IBiasn) non générés par le générateur de courant, le transistor (T0) étant traversé par le courant généré par le générateur de courant et les transistors supplémentaires (T1-Tn) étant connectés en miroirs de courant, et les courants (IBias1-IBiasn) par lesquels sont traversés les transistors supplémentaires (T1-Tn) étant les courants qui sont contraints dans les dispositifs raccordés au dispositif de génération de courant.
  2. Dispositif de génération de courant selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'événement prédéfini signalé par le signal de commande (PWD\) comprend le basculement du dispositif raccordé au dispositif de génération de courant d'un mode de fonctionnement avec économie d'énergie en un mode de fonctionnement normal.
  3. Dispositif de génération de courant selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dispositif raccordé au dispositif de génération de courant comprend un ou plusieurs amplificateurs de mesure destiné(s) à lire les données enregistrées dans un dispositif de mémorisation.
  4. Dispositif de génération de courant selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que celui-ci est constitué de telle sorte que le transistor (T0) qui est traversé par le courant (IBias0) généré par le générateur de courant (IG), lorsque l'événement prédéfini se produit, est en plus traversé par un courant (Idyn) qui n'est pas généré par le générateur de courant, la circulation du courant (Idyn) supplémentaire étant provoquée par un passage à l'état passant d'un dispositif de commutation (Tdyn) commandé par le signal de commande (PWD\), lequel est branché en série avec le transistor (T0) qui est traversé par le courant généré par le générateur de courant (IG) ainsi que par le courant supplémentaire, et dont l'actionnement provoque l'ouverture et la fermeture d'un circuit électrique qui contient le transistor (T0) et le dispositif de commutation (Tdyn).
  5. Dispositif de génération de courant selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dispositif de commutation (Tdyn) est un transistor.
  6. Dispositif de génération de courant selon la revendication 4, caractérisé en ce que le signal de commande (PWD\) qui commande le dispositif de commutation (Tdyn) est appliqué au dispositif de commutation par le biais d'un filtre passe-haut (C, R) ou d'un filtre passe-bas.
EP01929286.1A 2000-03-28 2001-03-27 Generateur de courant et generateur de tension Expired - Lifetime EP1277098B1 (fr)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10015276A DE10015276A1 (de) 2000-03-28 2000-03-28 Stromerzeugungseinrichtung und Spannungserzeugungseinrichtung
DE10015276 2000-03-28
PCT/DE2001/001237 WO2001073519A1 (fr) 2000-03-28 2001-03-27 Generateur de courant et generateur de tension

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP1277098A1 EP1277098A1 (fr) 2003-01-22
EP1277098B1 true EP1277098B1 (fr) 2016-03-23

Family

ID=7636620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP01929286.1A Expired - Lifetime EP1277098B1 (fr) 2000-03-28 2001-03-27 Generateur de courant et generateur de tension

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6667609B2 (fr)
EP (1) EP1277098B1 (fr)
DE (1) DE10015276A1 (fr)
WO (1) WO2001073519A1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004030161B4 (de) * 2004-06-22 2007-10-11 I F M Electronic Gmbh Schlatungsanordnung zum wahlweisen Generieren eines analogen Stromausgangswertes oder eines analogen Spannungsausgangswertes

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1217736B (it) * 1988-05-26 1990-03-30 Sgs Thomson Microeletronics Sp Circuito elettronico di spegnimento ritardato autoalimentato con controllo a bassissima tensione
DE4034371C1 (fr) * 1990-10-29 1991-10-31 Eurosil Electronic Gmbh, 8057 Eching, De
US5336986A (en) * 1992-02-07 1994-08-09 Crosspoint Solutions, Inc. Voltage regulator for field programmable gate arrays
US5264784A (en) * 1992-06-29 1993-11-23 Motorola, Inc. Current mirror with enable
FR2724025B1 (fr) * 1994-08-31 1997-01-03 Sgs Thomson Microelectronics Circuit integre avec fonction de demarrage rapide de sources de tension ou courant de reference
US5598095A (en) * 1995-03-08 1997-01-28 Alliance Semiconductor Corporation Switchable current source for digital-to-analog converter (DAC)
US5751182A (en) * 1996-08-28 1998-05-12 Texas Instruments Incorporated Rapid start-up circuit for voltage reference and method of operation
JPH10143263A (ja) * 1996-11-13 1998-05-29 Toshiba Corp 自己バイアス式定電流回路の起動回路、これを用いた定電流回路並びに演算増幅器
JP3532721B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-31 株式会社東芝 定電圧発生回路
US5754477A (en) * 1997-01-29 1998-05-19 Micron Technology, Inc. Differential flash memory cell and method for programming
JP2002042467A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 電圧降圧回路およびそれを備える半導体集積回路装置
US6404252B1 (en) * 2000-07-31 2002-06-11 National Semiconductor Corporation No standby current consuming start up circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP1277098A1 (fr) 2003-01-22
US20030076081A1 (en) 2003-04-24
WO2001073519A1 (fr) 2001-10-04
US6667609B2 (en) 2003-12-23
DE10015276A1 (de) 2001-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3710865C2 (fr)
DE4211644C2 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer konstanten Spannung
DE102006014276B4 (de) Elektromagnetventil und Elektromagnetventil-Antriebsschaltung
DE60315396T2 (de) Schaltung und Verfahren zum Erzeugen einer internen Betriebsspannung
DE10110273C2 (de) Spannungsgenerator mit Standby-Betriebsart
DE102005030547A1 (de) Speicherbauelement und Betriebsverfahren
DE4037206A1 (de) Quellspannungssteuerschaltkreis
DE60218367T2 (de) Rauschunterdrückung beim Schalten der Stromversorgung in einer Audioverstärkerschaltung
DE4201516C2 (de) Schaltungsanordnung zum Bewirken eines Streßtests bei einer Halbleiterspeichervorrichtung
DE19521730C2 (de) Halbleitervorrichtung mit Programmierspannungserzeugung
DE69910852T2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung rauscharmer Stromstösse
DE60224991T2 (de) Anordnung und system zum erreichen von schnellem schalten von analogen spannungen an einer grossen kapazitiven ladung
DE4410819C2 (de) Schaltungsanordnung für den Betrieb eines Relais
DE1960598A1 (de) MOS-Schnellesespeicher
EP1277098B1 (fr) Generateur de courant et generateur de tension
EP1649587B1 (fr) Ensemble circuit de regulation de tension et procede permettant de faire fonctionner ledit circuit
DE10064123A1 (de) Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements
DE10102129B4 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer Referenzspannung
EP1078460A1 (fr) Procede et dispositif pour commuter un transistor a effet de champ
EP0852056B1 (fr) Cellule de memoire ram statique
DE4237589C2 (de) Spannungspumpschaltung
DE19808525A1 (de) Integrierte Schaltung
EP3741020B1 (fr) Circuit électrique pour alimenter un consommateur à partir de différentes sources de tension
DE10164359A1 (de) Versorgungsspannungspegeldetektor
DE3932083C1 (en) Control circuitry for FET operating as switch in load circuit - provides voltage source dependent on control voltage of FET raising working point of controlled path by offset voltage

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20020828

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

AX Request for extension of the european patent

Free format text: AL;LT;LV;MK;RO;SI

RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): AT BE CH DE FR IT LI

17Q First examination report despatched

Effective date: 20050314

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: VERBECK, MICHAEL

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20151012

RBV Designated contracting states (corrected)

Designated state(s): DE FR IT

GRAS Grant fee paid

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR3

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): DE FR IT

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 50116539

Country of ref document: DE

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNERS: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE; VERBECK, MICHAEL, 81827 MUENCHEN, DE

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R096

Ref document number: 50116539

Country of ref document: DE

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R081

Ref document number: 50116539

Country of ref document: DE

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNERS: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE; VERBECK, MICHAEL, 81827 MUENCHEN, DE

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF FAILURE TO SUBMIT A TRANSLATION OF THE DESCRIPTION OR TO PAY THE FEE WITHIN THE PRESCRIBED TIME-LIMIT

Effective date: 20160323

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R097

Ref document number: 50116539

Country of ref document: DE

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

Effective date: 20170116

26N No opposition filed

Effective date: 20170102

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20160523

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20200519

Year of fee payment: 20

REG Reference to a national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R071

Ref document number: 50116539

Country of ref document: DE