EP1181400B1 - Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers - Google Patents

Elektrochemische ätzanlage und verfahren zur ätzung eines ätzkörpers Download PDF

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EP1181400B1
EP1181400B1 EP00922440A EP00922440A EP1181400B1 EP 1181400 B1 EP1181400 B1 EP 1181400B1 EP 00922440 A EP00922440 A EP 00922440A EP 00922440 A EP00922440 A EP 00922440A EP 1181400 B1 EP1181400 B1 EP 1181400B1
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
electrode
chamber
etching
electrolyte
cell according
Prior art date
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Expired - Lifetime
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EP00922440A
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English (en)
French (fr)
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EP1181400A1 (de
Inventor
Hans Artman
Wilhelm Frey
Franz Laermer
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Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
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Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
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Publication of EP1181400B1 publication Critical patent/EP1181400B1/de
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S204/00—Chemistry: electrical and wave energy
    • Y10S204/12—Electrochemical machining

Definitions

  • the invention relates to an electrochemical etching system, in particular a CMOS-compatible etching system for etching silicon wafers, and their use according to the preamble of the independent claims.
  • An electrochemical etching system for etching an etching body is basically known to a person skilled in the art.
  • US Pat. No. 4,220,508 describes an electrochemical etching cell for etching aluminum or aluminum alloys, wherein a plate made of this material is immersed in an electrobath.
  • a cathode and an anode are further provided, which consist of aluminum, stainless steel or another metal.
  • an etching of an etching body which consists at least superficially of silicon, is not discussed in this document.
  • WO 94/21845 presents an electrochemical etching cell for etching a silicon wafer.
  • the anode and the cathode made of graphite plates.
  • Electrochemical etching systems for example for the production of porous silicon or for the surface porosification of silicon, usually consist of a 2-chamber system, between which a silicon wafer to be etched is clamped as a partition and wherein the two chambers are electrically coupled or connected only by the wafer , Furthermore, electrodes for supplying current are usually mounted in both chambers, which are usually made of platinum.
  • Such an etching system is for example described in detail and in its essential details already by Fujiyama et al. in US 5,458,755.
  • CMOS complementary metal-oxide semiconductor
  • JP-06275598 A the problem of contamination of the electrolyte and thus of the wafer material to be etched is treated by the material of the dissolving electrodes. It is proposed to attach a bar of silicon wafer directly in front of the dissolving electrode. Since this barrier is conductive and contacts the electrode directly, it acts as an electrode itself. In this document, this measure is not proposed for both electrodes.
  • the electrochemical etching system according to the invention for etching an etching body and its use with the characterizing features of the independent claims has the advantage over the prior art that it completely avoids contamination of the etching body, which at least superficially consists of silicon. This is especially true in the production of porous silicon from a silicon wafer. Thus, by this etching of the Etch body is not impaired in particular in its electrical or electronic or catalytic properties.
  • the advantage is achieved by having not only the surface of the positive metal electrode in contact with the electrolyte, but also the negative electrode in contact with the electrolyte made of a CMOS-compatible material, i. H.
  • the first electrode material and the second electrode material of the first and second electrodes is a CMOS-compatible material and in particular no element selected from the group of platinum, gold, iridium, rhodium, palladium, silver or copper.
  • the etching system according to the invention is particularly suitable for the production of porous silicon on a silicon wafer, wherein for example by the use of silicon electrodes contamination of the wafer with non-silicon substances such as platinum or palladium is prevented.
  • CMOS-compatible material Under a CMOS-compatible material is understood in accordance with the general usage in semiconductor technology, a material that does not adversely affect the electrical properties of a circuit generated therewith.
  • a material which contaminates the etching body is understood to mean, in particular, a CMOS poison or a material which forms deep impurities in the etching body during its incorporation, ie impurities whose energy levels lie in the middle of the gap between conduction band and valence band of the material to be etched and thus providing a high transition matrix element for the recombination of Cause electrons and holes in the etch body ("recombination germ").
  • electrode materials for the first or second electrode are compounds from the group of at least weakly conductive compounds of the elements silicon, carbon, nitrogen, oxygen, titanium, aluminum, boron, antimony, tungsten, cobalt, tellurium, germanium, molybdenum, gallium, arsenic and selenium, in particular SiC, SiN, TiN, TiC, MoSi 2 or GaAs, in question, as well as pure electrode materials of the elements silicon, titanium, tungsten and molybdenum.
  • the concrete selection of the respective electrode material is advantageously carried out in each case taking into account the material of the etching body and the electrolyte used.
  • first electrode and / or the second electrode and / or the etching body are advantageously flat, in particular in the form of wafers, wherein the electrodes for use as sacrificial electrodes are very advantageously also substantially thicker than the actual etching body, so that they are optionally treated , can be freed from contamination and reused. This advantageously achieves an extension of the replacement cycles of the electrodes.
  • the electrochemical etching cell is advantageously constructed such that a first chamber and a second chamber are provided, each of which at least partially filled with an electrolyte and which are spatially separated from one another via a separating device. It stands each of the both chambers, each having an electrode in electrical connection via an electrolyte, wherein the etching body is at least partially the separation device and very advantageous at the same time also the only, at least weakly conductive electrical connection between the two chambers and connected as the cathode or anode electrodes.
  • a further very advantageous embodiment of the invention provides that the electrochemical etching cell in addition to the already mentioned two chambers has a further third chamber or a further third chamber and a further fourth chamber, each filled at least partially with an electrolyte and each have a further Separating device of the first chamber and second chamber are spatially separated.
  • the electrolyte in the third or fourth chamber is very advantageously in electrical connection only with the second or first electrode, which in turn at least partially serves as a separating device between the third and fourth chambers and respectively the first and second chambers.
  • the particular areal trained first and / or the second electrode in each case only with its surface facing the etching body with the contact with the etching body in contact electrolyte, so that a mixing of the electrolyte in the third or fourth chamber is avoided with the electrolyte in the first and second chamber.
  • the electrolyte of the first or second chamber facing away from the first and / or second electrode for easier electrical contacting of the electrodes at least partially be superficially provided with a metallization or a doping or, for example, in the case of the construction of the electrode of several layers, made of a metal.
  • an additional bath electrode immersed in an electrolyte located there in particular a platinum or palladium electrode, can be provided in the third and fourth chambers for easy electrical contacting of the first and second electrodes via the respective electrolyte.
  • the electrolytes in the individual chambers of the etching system according to the invention may advantageously also be different from each other, wherein the first and second chambers, in which the actual etching of the etchant takes place, advantageously with hydrofluoric acid or a mixture of hydrofluoric acid and ethanol, and the third and fourth Chamber are filled, for example, with dilute sulfuric acid as a contact electrolyte.
  • the individual chambers are also very advantageous separately filled with electrolyte and can be emptied separately, so that at any time a problem-free replacement of a contaminated electrolyte in each chamber is possible.
  • a simple replacement of a consumed or contaminated first or second electrode serving as a sacrificial electrode is thereby made possible without any problems at any time.
  • the first and / or second electrode is advantageously contacted electrically via the electrolyte filled in the third or fourth chamber with a bath electrode located there, and thus with an external electrode Power supply connected, which impresses the etching system during operation, a current.
  • the first and / or the second electrode also makes it possible, in a very advantageous manner, to examine in a simple manner the suitability of different electrode materials, such as graphite, for etching an etching body and to optimize the electrode materials for the respective material of the etching body.
  • a tunnel made of nonconductive material, in particular polypropylene, can furthermore advantageously be provided in a manner known per se.
  • FIG. 1 shows a first electrochemical etching system
  • FIG. 2 shows an alternative embodiment of the etching system
  • FIG. 3 shows a third embodiment of the etching system.
  • FIG. 1 shows as the first exemplary embodiment an electrochemical etching cell 1 according to the invention with four chambers, a first chamber 19, a second chamber 19 ', a third chamber 17 and a fourth chamber 18, which are each filled at least partially with an electrolyte.
  • the first and second chambers 19, 19 ' is for the actual etching of an etching body 15, for example, with a mixture of hydrofluoric acid and ethanol, while the third and fourth chambers 17, 18 are filled, for example, with dilute sulfuric acid as a contact electrolyte.
  • the four chambers 17, 18, 19, 19 'thus define four electrolyte regions associated with the chambers 17, 18, 19, 19', a first electrolyte region 29, a second electro-lyte region 29 ', a third electrolyte region 27 and a fourth electrolyte region 28, one another spatially separated by separating devices, but at the same time allow an electrical connection of the chambers 17, 18, 19, 19 '.
  • the first chamber 19 is spatially separated from the second chamber 19 'via a first separator 31, the first chamber 19 from the third chamber 17 via a second separator 32 and the second chamber 19' from the fourth chamber 18 via a third separator 33 spatially separated, so that no exchange of electrolyte between the chambers 17, 18, 19, 19 'occurs.
  • the first separator 31 is formed in a conventional manner by a ⁇ tzSystemhalterung 11 made of Teflon or polypropylene, in the partially fitted or used the ⁇ tzSystem 15, so that this superficially on the one hand with the electrolyte in the first chamber 19 and the other with the electrolyte in the second chamber 19 'is in contact.
  • the etching body 15 is in the illustrated example a known per se, planar silicon wafer.
  • the second separation device 32 and the third separation device 33 are each formed by an electrode holder 10 made of Teflon, in each of which a second electrode 13 'and a first electrode 13 is inserted, so that these surface at least partially on the one hand with the Electrolytes of the third and first chamber 17, 19 'and on the other hand with the electrolyte of the second and fourth chamber 19', 18 are in contact.
  • a metallic contact electrode for contacting the first and second electrodes 13, 13 'is in the third and fourth chamber 17, 18 each have a platinum electrode or a palladium electrode as a bath electrode 34, 34' is provided, each immersed in the electrolytes located there.
  • the bath electrodes 34, 34 ' are further connected to a voltage source, not shown, which impresses an electric current in a manner known per se to the etching cell 1.
  • the first electrode 13 or its side facing the etching body 15 is connected as an anode and the second electrode 13 'or its side facing the etching body 15 is connected as a cathode.
  • the first electrode 13 and the second electrode 13 'in the illustrated example consist of a planar silicon wafer or a silicon wafer, which is preferably substantially thicker than the silicon wafer used as the etching body 15.
  • the electrodes 13, 13 'with respect to the electrode material used in each case are preferably selected such that they consist of silicon at least superficially as the surfaces of the etching body 15. This ensures that the material of the first electrode 13 and the material of the second electrode 13 ', the etching body 15 is not contaminated during operation of the etching cell 1 and thus impaired after the etching in its electrical or catalytic properties.
  • the etching cell 1 now flows an external Tootician fondter current through the Badelektroden 34, 34 ', the Electrolytes, the first and second electrodes 13, 13 'and the etching body 15, wherein this is etched at least superficially in a Wegank Society 14'.
  • the first and second electrodes 13, 13' at least superficially etched in an etching region 14, ie they serve as sacrificial electrodes in the etching process of the etching body 15. Due to their significantly greater thickness However, they are not etched through the etching body 15, but merely attacked on the surface, etched off or removed or, for example, porosified. In the case of wear, for example after the etching of a plurality of etching bodies 15, they can therefore be exchanged, reprocessed or, if necessary, regularly cleaned of adhering contaminations.
  • porous silicon is formed, while at the same time on the anodic side of the first electrode 13 facing the etching body also an at least slight etching in a corresponding Elektrodensley Society 14 occurs, ie in the concrete example, a superficial formation of porous silicon.
  • this also applies to the side of the second electrode 13 'facing away from the etching body 15, which assumes the role of the anode in the third chamber 17.
  • the metallic bath electrode 34 anodically connected in the fourth chamber 18 also dissolves slightly, but only the side of the first electrode 13 facing away from the etching body 15 is contaminated with platinum, for example. Due to the spatial separation of the individual chambers 17, 18, 19, 19 'between which only an electrical connection via However, the electrodes 13, 13 'and the etching body 15 is between which but no electrolyte exchange is possible, however, this contamination remains away from the etching body 15. It can thus be removed in a preparation of the electrodes 13, 13 'from the corresponding side again.
  • Dissolution of silicon from one of the electrodes 13, 13 'in the electrolyte in the first or second chamber 19, 19' occurring during the etching, for example, is not critical for the etching body 15, since it consists of the same material and thus is not contaminated.
  • the electrodes 13, 13 ' are preferably connected via seals with the electrode holders 10 and screwed via closable window 16 in side walls of the etching system 1 with this.
  • a per se known quick release is provided for a simple replacement of the etching body 15.
  • FIG. 2 illustrates a second exemplary embodiment of an etching cell according to the invention.
  • This etching cell is essentially analogous to the etching cell 1 according to FIG. 1 in essential points, but has another embodiment of the contacting of the electrodes 13, 13 '.
  • the third chamber 17 and the fourth chamber 18, the bath electrodes 34, 34 'and the electrolytes located in these chambers 17, 18 can be dispensed with.
  • the first electrode 13 and the second electrode 13 ' are each provided with a metallization 20 known per se on the side facing away from the etching body 15.
  • the electrodes 13, 13 ' may also be provided on this side with a very high doping, so that a good electrical conductivity is ensured.
  • the electrodes 13, 13 ' can also consist of a layered body which has a metal layer on its side remote from the etching body 15 or consists of a metal.
  • Further embodiments of the electrical contacting of the electrodes 13, 13 ' provide that they are provided in a conventional manner on the side facing away from the etching body 15 with pin, network or surface contacts or, depending on the electrode material, particularly simple that the electrodes 13, 13 'in the first and second chambers 19, 19' partially immersed directly in the electrolyte and are electrically contacted directly at a non-immersed location. They thus serve as sacrificial electrodes instead of the known from the prior art platinum electrodes.
  • FIG. 3 a third exemplary embodiment of the etching system according to the invention explained with the aid of FIG. 3, in which, in contrast to FIG. 1, additionally only a tunnel 30 of a non-conductive material, such as polypropylene, known per se is provided.
  • This tunnel 30 is connected on both sides with the ⁇ tzSystemung 11 and surrounds an example circular wafer as the etching body 15 concentric.
  • the tunnel 30 causes a homogenization of the flow lines in the etching system 1 and thus an excellent thickness homogeneity of the etching of Etching body 15, in particular in the etching of silicon to porous silicon.

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Description

  • Die Erfindung betrifft eine elektrochemische Ätzanlage, insbesondere eine CMOS-kompatible Ätzanlage zur Ätzung von Siliziumwafern, sowie ihre Verwendung nach der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
    • Stand der Technik
  • Eine elektrochemische Ätzanlage zur Ätzung eines Ätzkörpers ist einem Fachmann grundsätzlich bekannt. So wird in der US-4,220,508 ist eine elektrochemische Ätzzelle zur Ätzung von Aluminium oder Aluminiumlegierungen beschrieben, wobei eine Platte aus diesem Material in ein Elektrobad eingetaucht wird. In diesem Elektrobad sind weiter eine Kathode und eine Anode vorgesehen, die aus Aluminium, Edelstrahl oder einem anderen Metall bestehen. Jedoch wird eine Ätzung eines Ätzkörpers, der zumindest oberflächlich aus Silizium besteht, in dieser Schrift nicht diskutiert.
  • Hingegen wird in WO 94/21845 eine elektrochemische Ätzzelle zur Ätzung eines Siliziumwafers vorgestellt. Dabei bestehen die Anode und die Kathode aus Graphitplatten. In der Schrift wird das mögliche Problem einer durch die Elektroden in den geätzten Siliziumwafer eingetragenen Kontamination weder erwähnt noch darauf eingegangen.
  • Elektrochemische Ätzanlagen, beispielsweise zur Herstellung von porösem Silizium oder zur oberflächlichen Porösifizierung von Silizium, bestehen üblicherweise aus einem 2-Kammersystem, zwischen denen ein zu ätzender Siliziumwafer als Trennwand eingespannt wird und wobei die beiden Kammern elektrisch nur durch den Wafer miteinander gekoppelt bzw. verbunden sind. Weiterhin sind in beiden Kammern üblicherweise Elektroden zur Stromzuführung angebracht, die in der Regel aus Platin bestehen. Eine derartige Ätzanlage ist beispielsweise ausführlich und in ihren wesentlichen Details bereits von Fujiyama et al. in US 5,458,755 beschrieben.
  • Bei bekannten Ätzanlagen tritt jedoch stets das Problem auf, daß zumindest die anodisch geschaltete Elektrode beim Betrieb zumindest geringfügig angegriffen und aufgelöst wird, so daß durch das aufgelöste Elektrodenmaterial zunächst der Elektrolyt und darüber der zu ätzende Wafer im Laufe des Ätzverfahrens kontaminiert wird. Eine derartige Kontamination, beispielsweise von Platin in einer Siliziumfertigung, ist vielfach jedoch nicht akzeptabel und beeinträchtigt den geätzten Wafer oder den Ätzkörper in seinen elektrischen oder katalytischen Eigenschaften erheblich.
  • So ist insbesondere ein Siliziumwafer, auf bzw. in dem über ein elektrochemisches Ätzverfahren eine Schicht aus porösem Silizium erzeugt wurde und der dabei mit Platin kontaminiert wurde, für eine Verwendung in einer CMOS-Fertigung (CMOS = Complementary- Metal-Oxide-Semiconductor) ungeeignet.
  • Lösungsvorschläge für dieses Problem, die auf einer einseitigen Metallisierung der Waferrückseite und der Verwendung einer lediglich einseitigen Ätzvorrichtung beruhen, wobei die Rückseite des zu ätzenden Wafers den Metallkontakt bildet und lediglich die Vorderseite mit dem Ätzmedium bzw. dem Elektrolyten und darüber mit einer Platinelektrode in Verbindung steht, sind infolge der dabei aufzubringenden und erforderlichen Rückseitenmetallisierung und der notwendigen Folgeschritte bei der Bearbeitung des Wafers (Oxidation, Schichtabscheidungen usw.), denen diese Metallisierung dann im Wege steht, ungeeignet.
  • Auch in JP-06275598 A wird die Problematik der Kontamination des Elektrolyten und damit des zu ätzenden Wafermaterials durch das Material der sich auflösenden Elektroden behandelt. Es wird vorgeschlagen, eine Barierre aus einem Siliziumwafer direkt vor der sich auflösenden Elektrode zu befestigen. Da diese Barriere leitfähig ist und die Elektrode direkt kontaktiert, wirkt sie selbst als eine Elektrode. In dieser Schrift wird diese Maßnahme nicht für beide Elektroden vorgeschlagen.
    • Vorteile der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße elektrochemische Ätzanlage zur Ätzung eines Ätzkörpers und ihre Verwendung mit den kennzeichnenden Merkmalen der unabhängigen Ansprüche hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, daß damit eine Kontamination des Ätzkörpers vollständig vermieden wird, wobei dieser zumindest oberflächlich aus Silizium besteht. Dies gilt insbesondere bei der Herstellung von porösem Silizium aus einem Siliziumwafer. Damit wird durch diese Ätzung der Ätzkörper insbesondere in seinen elektrischen bzw. elektronischen oder katalytischen Eigenschaften nicht beeinträchtigt.
  • Der Vorteil wird dadurch erzielt, daß nicht nur die mit dem Elektrolyten in Kontakt stehende Oberfläche der positiven Metallelektrode, sondern auch die mit dem Elektrolyten in Kontakt stehende negative Elektrode aus einem CMOS-kompatiblen Material ausgeführt wird, d. h. das erste Elektrodenmaterial und das zweite Elektrodenmaterial der ersten bzw. zweiten Elektrode ist ein CMOS-kompatibles Material und insbesondere kein Element, ausgewählt aus der Gruppe Platin, Gold, Iridium, Rhodium, Palladium, Silber oder Kupfer. Damit ist die erfindungsgemäße Ätzanlage besonders zur Herstellung von porösem Silizium auf einem Siliziumwafer geeignet, wobei beispielsweise durch die Verwendung von Siliziumelektroden eine Kontamination des Wafers mit siliziumfremden Substanzen wie beispielsweise Platin oder Palladium verhindert wird.
  • Unter einem CMOS-kompatiblen Material wird dabei entsprechend dem allgemeinen Sprachgebrauch in der Halbleitertechnik ein Material verstanden, das die elektrischen Eigenschaften einer damit erzeugten Schaltung nicht negativ beeinträchtigt.
  • Entsprechend ist unter einem den Ätzkörper kontaminierenden Material insbesondere ein CMOS-Gift zu verstehen oder ein Material, das bei seiner Einlagerung tiefe Störstellen in dem Ätzkörper bildet d.h. Störstellen, deren Energieniveaus die in der Mitte des Gaps zwischen Leitungsband und Valenzband des zu ätzenden Materials liegen und die damit ein hohes Übergangsmatrixelement für die Rekombination von Elektronen und Löchern in dem Ätzkörper hervorrufen ("Rekombinationskeim").
  • Als Elektrodenmaterialien für die erste bzw. zweite Elektrode kommen Verbindungen aus der Gruppe der zumindest schwach leitfähigen Verbindungen der Elemente Silizium, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff, Titan, Aluminium, Bor, Antimon, Wolfram, Cobalt, Tellur, Germanium, Molybdän, Gallium, Arsen und Selen, insbesondere SiC, SiN, TiN, TiC, MoSi2 oder GaAs, in Frage, sowie reine Elektrodenmaterialien aus den Elementen Silizium, Titan, Wolfram und Molybdän.
  • Die konkrete Auswahl des jeweiligen Elektrodenmaterials erfolgt vorteilhaft jeweils unter Berücksichtigung des Materials des Ätzkörpers und der verwendeten Elektrolyten.
  • Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
  • Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode und/oder der Ätzkörper sind daneben vorteilhaft flächig, insbesondere in Form von Wafern, ausgebildet, wobei die Elektroden zur Verwendung als Opferelektroden sehr vorteilhaft überdies wesentlich dicker als der eigentliche Ätzkörper sind, so daß sie gegebenenfalls aufbereitet, von Kontaminationen befreit und wiederverwendet werden können. Damit wird vorteilhaft eine Verlängerung der Austauschzyklen der Elektroden erreicht.
  • Die elektrochemische Ätzzelle ist vorteilhaft derart aufgebaut, daß eine erste Kammer und eine zweite Kammer vorgesehen sind, die jeweils zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt und die über eine Trennvorrichtung räumlich voneinander getrennt sind. Dabei steht jede der beiden Kammern mit jeweils einer Elektrode elektrisch leitend über einen Elektrolyten in Verbindung, wobei der Ätzkörper zumindest bereichsweise die Trennvorrichtung und sehr vorteilhaft gleichzeitig auch die einzige, zumindest schwach leitende elektrische Verbindung zwischen den beiden Kammern und den als Kathode bzw. Anode geschalteten Elektroden ist.
  • Eine weitere sehr vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die elektrochemische Ätzzelle neben den bereits erwähnten beiden Kammern über eine weitere dritte Kammer oder eine weitere dritte Kammer und eine weitere vierte Kammer verfügt, die jeweils zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt und jeweils über eine weitere Trennvorrichtung von der ersten Kammer bzw. zweiten Kammer räumlich getrennt sind. Dabei steht der Elektrolyt in der dritten bzw. vierten Kammer sehr vorteilhaft lediglich mit der zweiten bzw. ersten Elektrode elektrisch leitend in Verbindung, die wiederum gleichzeitig zumindest bereichsweise als Trennvorrichtung zwischen der dritten bzw. vierten Kammer und jeweils der ersten bzw. zweiten Kammer dient.
  • In diesem Zusammenhang ist es besonders vorteilhaft, wenn die insbesondere flächig ausgebildete erste und/oder die zweite Elektrode jeweils nur mit ihrer dem Ätzkörper zugewandten Oberfläche mit dem mit dem Ätzkörper in Kontakt stehenden Elektrolyten in Kontakt sind, so daß eine Vermischung des Elektrolyten in der dritten bzw. vierten Kammer mit dem Elektrolyten in der ersten bzw. zweiten Kammer vermieden wird. Somit kann die dem Elektrolyten der ersten oder zweiten Kammer abgewandte Seite der ersten und/oder zweiten Elektrode zur einfacheren elektrischen Kontaktierung der Elektroden zumindest bereichsweise oberflächlich mit einer Metallisierung oder einer Dotierung versehen sein oder, beispielsweise im Fall des Aufbaus der Elektrode aus mehreren Schichten, aus einem Metall bestehen.
  • Weiterhin kann in der dritten bzw. vierten Kammer jeweils eine zusätzliche, in einen dort befindlichen Elektrolyten eintauchende Badelektrode, insbesondere eine Platin- oder Palladiumelektrode, zur einfachen elektrischen Kontaktierung der ersten bzw. zweiten Elektrode über den jeweiligen Elektrolyten vorgesehen sein.
  • Im übrigen können die Elektrolyte in den einzelnen Kammern der erfindungsgemäßen Ätzanlage vorteilhaft auch voneinander verschieden sein, wobei die erste und zweite Kammer, in denen die eigentlich Ätzung des Ätzkörpers stattfindet, vorteilhaft mit Flußsäure oder einem Gemisch aus Flußsäure und Ethanol, und die dritte und vierte Kammer beispielsweise mit verdünnter Schwefelsäure als Kontaktelektrolyt befüllt sind.
  • Die einzelnen Kammern sind weiterhin sehr vorteilhaft separat mit Elektrolyt befüllbar und separat entleerbar, so daß jederzeit ein problemloser Austausch beispielsweise eines kontaminierten Elektrolyten in jeder Kammer möglich ist. Damit wird zudem jederzeit ein einfacher Austausch einer als Opferelektrode dienenden verbrauchten oder kontaminierten ersten bzw. zweiten Elektrode problemlos und schnell ermöglicht.
  • Die erste und/oder zweite Elektrode wird im übrigen vorteilhaft elektrisch über den in der dritten bzw. vierten Kammer eingefüllten Elektrolyten mit einer dort befindlichen Badelektrode kontaktiert und somit mit einer externen Spannungsversorgung verbunden, die der Ätzanlage bei Betrieb einen Strom einprägt.
  • Die problemlose Austauschbarkeit der Opferelektroden d.h. der ersten und/oder der zweiten Elektrode erlaubt es daneben sehr vorteilhaft, in einfacher Weise die Eignung unterschiedlicher Elektrodenmaterialien, wie beispielsweise Graphit, bei der Ätzung eines Ätzkörpers zu untersuchen und die Elektrodenmaterialien dabei auf das jeweilige Material des Ätzkörpers hin zu optimieren.
  • Zur Homogenisierung der Ätzung des Ätzkörpers in der erfindungsgemäßen Ätzanlage kann weiter vorteilhaft in an sich bekannter Weise ein Tunnel aus nichtleitendem Material, insbesondere Polypropylen, vorgesehen sein.
    • Zeichnungen
  • Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Figur 1 zeigt eine erste elektrochemische Ätzanlage, Figur 2 eine alternative Ausführungsform der Ätzanlage und Figur 3 eine dritte Ausführungsform der Ätzanlage.
    • Ausführungsbeispiele
  • Die Figur 1 zeigt als erstes Ausführungsbeispiel eine erfindungsgemäße elektrochemische Ätzzelle 1 mit vier Kammern, einer ersten Kammer 19, einer zweiten Kammer 19', einer dritten Kammer 17 und einer vierten Kammer 18, die jeweils zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt sind. Die erste und zweite Kammer 19, 19' ist dabei für die eigentliche Ätzung eines Ätzkörpers 15 beispielsweise mit einem Gemisch aus Flußsäure und Ethanol befüllt, während die dritte und vierte Kammer 17, 18 beispielsweise mit verdünnter Schwefelsäure als Kontaktelektrolyt befüllt sind. Die vier Kammern 17, 18, 19, 19' definieren somit vier den Kammern 17, 18, 19, 19' zugeordnete Elektrolytbereiche, eine ersten Elektrolytbereich 29, einen zweiten Elektroyltbereich 29', einen dritten Elektrolytbereich 27 und einen vierten Elektrolytbereich 28, die voneinander räumlich über Trennvorrichtungen getrennt sind, die jedoch gleichzeitig eine elektrische Verbindung der Kammern 17, 18, 19, 19' ermöglichen.
  • Im einzelnen wird die erste Kammer 19 von der zweiten Kammer 19' über eine erste Trennvorrichtung 31 räumlich getrennt, die erste Kammer 19 von der dritten Kammer 17 über eine zweite Trennvorrichtung 32 und die zweite Kammer 19' von der vierten Kammer 18 über eine dritte Trennvorrichtung 33 räumlich getrennt, so daß kein Austausch von Elektrolyt zwischen den Kammern 17, 18, 19, 19' auftritt.
  • Die erste Trennvorrichtung 31 wird dabei in an sich bekannter Weise durch eine Ätzkörperhalterung 11 aus Teflon oder Polypropylen gebildet, in der bereichsweise der Ätzkörper 15 eingepaßt oder eingesetzt ist, so daß dieser oberflächlich einerseits mit dem Elektrolyten in der ersten Kammer 19 und andererseits mit dem Elektrolyten in der zweiten Kammer 19' in Kontakt ist. Der Ätzkörper 15 ist im erläuterten Beispiel ein an sich bekannter, flächiger Siliziumwafer. Die zweite Trennvorrichtung 32 und die dritte Trennvorrichtung 33 wird jeweils von einer Elektrodenhalterung 10 aus Teflon gebildet, in die bereichsweise jeweils eine zweite Elektrode 13' bzw. eine erste Elektrode 13 eingesetzt ist, so daß diese oberflächlich zumindest bereichsweise einerseits mit dem Elektrolyten der dritten bzw. ersten Kammer 17, 19' und andererseits mit dem Elektrolyten der zweiten bzw. vierten Kammer 19', 18 in Kontakt sind.
  • Als metallische Kontaktelektrode zur Kontaktierung der ersten bzw. zweiten Elektrode 13, 13' ist in der dritten bzw. vierten Kammer 17, 18 jeweils eine Platinelektrode oder eine Palladiumelektrode als Badelektrode 34, 34' vorgesehen, die jeweils in den dort befindlichen Elektrolyten eintaucht. Die Badelektroden 34, 34' sind weiter mit einer nicht dargestellten Spannungsquelle verbunden, die in an sich bekannter Weise der Ätzzelle 1 einen elektrischen Strom einprägt. Dabei ist im erläuterten Beispiel bezüglich des Ätzkörpers 15 die erste Elektrode 13 bzw. deren dem Ätzkörper 15 zugewandte Seite als Anode und die zweite Elektrode 13' bzw. deren dem Ätzkörper 15 zugewandte Seite als Kathode geschaltet.
  • Die erste Elektrode 13 und die zweite Elektrode 13' bestehen im erläuterten Beispiel aus einem flächigen Siliziumwafer oder einer Siliziumscheibe, der bevorzugt wesentlich dicker als der als Ätzkörper 15 eingesetzt Siliziumwafer ist. Allgemein werden die Elektroden 13, 13' hinsichtlich des jeweils verwendeten Elektrodenmaterials bevorzugt derart ausgewählt, daß sie zumindest oberflächlich wie die Oberflächen des Ätzkörpers 15 aus Silizium bestehen. Damit wird gewährleistet, daß das Material der ersten Elektrode 13 und das Material der zweiten Elektrode 13' den Ätzkörper 15 beim Betrieb der Ätzzelle 1 nicht kontaminiert und damit diesen nach der Ätzung in seinen elektrischen oder katalytischen Eigenschaften beeinträchtigt.
  • Bei Betrieb der Ätzzelle 1 fließt nun ein äußerer eingepägter Strom über die Badelektroden 34, 34', die Elektrolyten, die erste und zweite Elektrode 13, 13' und den Ätzkörper 15, wobei dieser zumindest oberflächlich in einem Körperätzbereich 14' geätzt wird. Gleichzeitig werden jedoch, je nach Wahl des Elektrodenmaterials der Elektroden 13, 13', auch die erste und zweite Elektrode 13, 13' zumindest oberflächlich in einem Ätzbereich 14 geätzt d.h. sie dienen als Opferelektroden beim Ätzprozeß des Ätzkörpers 15. Aufgrund ihrer deutlich größeren Dicke gegenüber dem Ätzkörper 15 werden sie dabei jedoch nicht durchgeätzt, sondern lediglich oberflächlich angegriffen, abgeätzt bzw. abgetragen oder beispielsweise porösifiziert. Im Falle einer Abnutzung, beispielsweise nach der Ätzung mehrerer Ätzkörper 15, können sie daher ausgetauscht, wieder aufbereitet oder bei Bedarf regelmäßig von anhaftenden Kontaminationen gereinigt werden.
  • Im Detail entsteht im erläuterten Beispiel bei der Ätzung eines Siliziumwafers an dessen anodischer Seite, d.h. im Fall der angegebenen Polung im Körperätzbereich 14', poröses Silizium, während gleichzeitig auf der anodischen, dem Ätzkörper zugewandten Seite der ersten Elektrode 13 ebenfalls eine zumindest geringfügige Ätzung in einem entsprechenden Elektrodenätzbereich 14 auftritt, d.h. im konkreten Beispiel eine oberflächliche Ausbildung von porösem Silizium. Dies gilt im übrigen auch für die dem Ätzkörper 15 abgewandte Seite der zweiten Elektrode 13', die in der dritten Kammer 17 die Rolle der Anode übernimmt. Gleichzeitig löst sich beim Betrieb der Ätzzelle 1 auch die in der vierten Kammer 18 anodisch geschaltete metallische Badelektrode 34 geringfügig auf, wobei jedoch lediglich die dem Ätzkörper 15 abgewandte Seite der ersten Elektrode 13 beispielsweise mit Platin kontaminiert wird. Aufgrund der räumlichen Trennung der einzelnen Kammern 17, 18, 19, 19' zwischen denen lediglich eine elektrische Verbindung über die Elektroden 13, 13' und den Ätzkörper 15 besteht, zwischen denen aber kein Elektrolytaustauch möglich ist, bleibt diese Kontamination jedoch von dem Ätzkörper 15 fern. Sie kann damit bei einer Aufbereitung der Elektroden 13, 13' von der entsprechenden Seite wieder entfernt werden.
  • Ein beispielsweise während der Ätzung auftretendes Lösen von Silizium von einer der Elektroden 13, 13' in dem Elektrolyten in der ersten oder zweiten Kammer 19, 19' ist für den Ätzkörper 15 unkritisch, da dieser aus dem gleichen Material besteht und somit nicht kontaminiert wird.
  • Zum leichten Austausch der Elektroden 13, 13' werden diese im übrigen bevorzugt über Dichtungen mit den Elektrodenhalterungen 10 verbunden und über verschließbare Fenster 16 in Seitenwänden der Ätzanlage 1 mit dieser verschraubt. Für einen einfachen Austausch des Ätzkörpers 15 ist weiter ein an sich bekannter Schnellverschluß vorgesehen.
  • Zum leichten Austausch der verwendeten Elektrolyte und der Elektroden 13, 13'sind zudem die Kammern 17, 18, 19, 19' bzw. die zugehörigen Elektrolytbereiche 27, 28, 29, 29' über entsprechende, an sich bekannte Vorrichtungen jeweils separat befüllbar und entleerbar.
  • Die Figur 2 erläutert ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Ätzzelle. Diese Ätzzelle ist in wesentlichen Punkten völlig analog zu der Ätzzelle 1 gemäß Figur 1, weist jedoch eine andere Ausführungsform der Kontaktierung der Elektroden 13, 13' auf. In diesem Beispiel kann auf die dritte Kammer 17 und die vierte Kammer 18, die Badelektroden 34, 34' und die in diesen Kammern 17, 18 befindlichen Elektrolyten verzichtet werden. Stattdessen werden die erste Elektrode 13 und die zweite Elektrode 13' jeweils auf der dem Ätzkörper 15 abgewandten Seite mit einer an sich bekannten Metallisierung 20 versehen.
  • Alternativ können die Elektroden 13, 13' jedoch auch auf dieser Seite mit einer sehr hohen Dotierung versehen sein, so daß eine gute elektrische Leitfähigkeit gewährleistet ist. Schließlich können die Elektroden 13, 13' auch aus einem Schichtkörper bestehen, der auf seiner dem Ätzkörper 15 abgewandten Seite eine Metallschicht aufweist oder aus einem Metall besteht. Weitere Ausführungsformen der elektrischen Kontaktierung der Elektroden 13, 13' sehen vor, daß diese in an sich bekannter Weise auf der dem Ätzkörper 15 abgewandten Seite mit Stift-, Netz- oder Flächenkontakten versehen sind oder, je nach Elektrodenmaterial, besonders einfach, daß die Elektroden 13, 13' in der ersten bzw. zweiten Kammer 19, 19' teilweise direkt in den Elektrolyten eingetaucht und an einer nicht eingetauchten Stelle elektrisch direkt kontaktiert werden. Sie dienen damit als Opferelektroden anstelle der aus dem Stand der Technik bekannten Platinelektroden.
  • Abschließend sei noch auf ein mit Hilfe der Figur 3 erläutertes drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Ätzanlage verwiesen, bei der im Unterschied zu Figur 1 zusätzlich lediglich ein an sich bekannter Tunnel 30 aus nichtleitendem Material, wie Polypropylen, vorgesehen ist. Dieser Tunnel 30 ist beidseitig mit der Ätzkörperhalterung 11 verbunden und umgibt einen beispielsweise kreisförmigen Wafer als Ätzkörper 15 konzentrisch. Der Tunnel 30 bewirkt eine Homogenisierung der Stromlinien in der Ätzanlage 1 und damit eine ausgezeichnete Dickenhomogenität der Ätzung des Ätzkörpers 15, insbesondere bei der Ätzung von Silizium zu porösem Silizium.
  • Auf weitere, an sich dem Fachmann bekannte Details der vorstehenden Ausführungsbeispiele, die ausführlich beispielsweise bereits in US 5,458,755 beschreiben sind, wird verzichtet.
    • Bezugszeichenliste
    • 1
    Ätzzelle
    10
    Elektrodenhalterung
    11
    Ätzkörperhalterung
    12
    Metallelektrode
    13
    erste Elektrode
    13'
    zweite Elektrode
    14
    Elektrodenätzbereich
    14'
    Körperätzbereich
    15
    Ätzkörper
    16
    Fenster
    17
    dritte Kammer
    18
    vierte Kammer
    19
    erste Kammer
    19'
    zweite Kammer
    20
    Metallisierung
    27
    dritter Elektrolytbereich
    28
    vierter Elektrolytbereich
    29
    erster Elektrolytbereich
    29'
    zweiter Elektrolytbereich
    30
    Tunnel
    31
    erste Trennvorrichtung
    32
    zweite Trennvorrichtung
    33
    dritte Trennvorrichtung
    34
    Badelektrode
    34'
    Badelektrode

Claims (18)

  1. Elektrochemische Ätzzelle zur Ätzung eines Ätzkörpers (15), der zumindest oberflächlich aus Silizium besteht, mit mindestens einer Kammer, die zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt ist, und die mit einer ersten Elektrode (13), die zumindest oberflächlich ein erstes Elektrodenmaterial aufweist, und mit einer zweiten Elektrode (13'), die zumindest oberflächlich ein zweites Elektrodenmaterial aufweist, versehen ist, wobei eine der Elektroden (13, 13') als Kathode und eine der Elektroden (13, 13') als Anode geschaltet ist, und wobei der Ätzkörper (15) zumindest bereichsweise mit dem Elektrolyten in Kontakt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Elektrodenmaterial und das zweite Elektrodenmaterial ein Material ausgewählt aus der Gruppe der zumindest schwach leitfähigen Verbindungen der Elemente Silizium, Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff, Titan, Aluminium, Bor, Antimon, Wolfram, Cobalt, Tellur, Germanium, Molybdän, Gallium, Arsen und Selen, insbesondere SiC, SiN, TiN, TiC, MoSi2 oder GaAs, oder der Elemente Silizium, Titan, Wolfram oder Molybdän ist.
  2. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Ätzkörper (15) ein Siliziumwafer ist.
  3. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) und/oder die zweite Elektrode (13') und/oder der Ätzkörper (15) flächig ausgebildet ist.
  4. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) und/oder die zweite Elektrode (13') jeweils lediglich mit ihrer dem Ätzkörper (15) zugewandten Oberfläche zumindest bereichsweise mit dem mit dem Ätzkörper in Kontakt stehenden Elektrolyten in Kontakt sind.
  5. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine erste Kammer (19) und eine zweite Kammer (19') vorgesehen ist, die jeweils zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt und die über eine erste Trennvorrichtung (31) räumlich voneinander getrennt sind, wobei die erste Kammer (19) mit der zweiten Elektrode (13') und die zweite Kammer (19') mit der ersten Elektrode (13) elektrisch leitend in Verbindung steht und der Ätzkörper (15) zumindest bereichsweise die erste Trennvorrichtung (31) bildet.
  6. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine dritte Kammer (17) vorgesehen ist, die zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt ist und die über eine zweite Trennvorrichtung (32) von der ersten Kammer (19) räumlich getrennt ist, wobei die dritte Kammer (17) mit der zweiten Elektrode (13') elektrisch leitend in Verbindung steht und die zweite Elektrode (13') zumindest bereichsweise die zweite Trennvorrichtung (32) bildet.
  7. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine vierte Kammer (18) vorgesehen ist, die zumindest teilweise mit einem Elektrolyten befüllt ist und die über eine dritte Trennvorrichtung (33) von der zweiten Kammer (19') räumlich getrennt ist, wobei die vierte Kammer (18) mit der ersten Elektrode (13) elektrisch leitend in Verbindung steht und die erste Elektrode (13) zumindest bereichsweise die dritte Trennvorrichtung (33) bildet.
  8. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kammer (19) und die zweite Kammer (19') lediglich über den Ätzkörper (15) elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  9. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kammer (19) und die dritte Kammer (17) lediglich über die zweite Elektrode (13') und/oder die zweite Kammer (19') und die vierte Kammer (18) lediglich über die erste Elektrode (13) elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  10. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) flächig ausgebildet ist und lediglich einseitig mit dem Elektrolyten der zweiten Kammer (19') elektrisch leitend in Verbindung steht und/oder daß die zweite Elektrode (13') flächig ausgebildet ist und lediglich einseitig mit dem Elektrolyten der ersten Kammer (19) elektrisch leitend in Verbindung steht.
  11. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) flächig ausgebildet ist und mit einer Seite mit dem Elektrolyten der zweiten Kammer (19') sowie mit der anderen Seite mit dem Elektrolyten der vierten Kammer (18) elektrisch leitend in Verbindung steht und/oder daß die zweite Elektrode (13') flächig ausgebildet ist und mit einer Seite mit dem Elektrolyten der ersten Kammer (19) sowie mit der anderen Seite mit dem Elektrolyten der dritten Kammer (17) elektrisch leitend in Verbindung steht.
  12. Elektrochemische Ätzzelle nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Elektrolyten der ersten oder zweiten Kammer (19, 19') abgewandte Seite der ersten Elektrode (13) und/oder der zweiten Elektrode (13') zumindest bereichsweise oberflächlich mit einer Metallisierung (20) oder einer hohen Dotierung versehen ist oder aus einem Metall besteht.
  13. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (13) über den Elektrolyten in der dritten Kammer (17) mit einer Badelektrode (34), insbesondere einer Platinelektrode, und/oder die zweite Elektrode (13') über den Elektrolyten in der vierten Kammer (18) mit einer Badelektrode (34'), insbesondere einer Platinelektrode, verbunden ist.
  14. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden (13, 13') erheblich dicker als der Ätzkörper (15) sind.
  15. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kammern (17, 18, 19, 19') mit unterschiedlichen Elektrolyten befüllt sind, wobei die erste und zweite Kammer (19, 19') insbesondere mit Flußsäure oder einem Gemisch aus Flußsäure und Ethanol befüllt ist, und die dritte und vierte Kammer (17, 18) insbesondere mit verdünnter Schwefelsäure befüllt ist.
  16. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Homogenisierung der Ätzung des Ätzkörpers (15) ein Tunnel (30) aus nichtleitendem Material, insbesondere Polypropylen, vorgesehen ist, wobei der Tunnel beidseitig mit einer Ätzkörperhalterung (11) verbunden ist und den Ätzkörper (15) konzentrisch umgibt.
  17. Elektrochemische Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kammern (17, 18, 19, 19') separat befüllbar und entleerbar sind.
  18. Verwendung der Ätzzelle nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche zur Ätzung von Siliziumwafern in einer CMOS-kompatiblen Fertigungslinie.
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