DK153223B - Fremgangsmaade og apparat til fremstilling af siliciumstave med ensartet tvaersnit - Google Patents
Fremgangsmaade og apparat til fremstilling af siliciumstave med ensartet tvaersnit Download PDFInfo
- Publication number
- DK153223B DK153223B DK092178AA DK92178A DK153223B DK 153223 B DK153223 B DK 153223B DK 092178A A DK092178A A DK 092178AA DK 92178 A DK92178 A DK 92178A DK 153223 B DK153223 B DK 153223B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- silicon
- bodies
- rods
- pyrolysis
- ultra
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 21
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
- i -
DK 153223 B
Den foreliggende opfindelse angår en fremgangsmåde til fremstilling af siliciumstave med ensartet tværsnit og af den i krav l's indledning angivne art samt et apparat til brug ved udøvelse af denne fremgangsmåde.
5 Det er kendt at fremstille halvledende, ultrarene siliciumstave ved pyrolyse eller reduktion med hydrogen af en luftformig siliciumforbindelse såsom eksempelvis monosilan, siliciumtetraklorid eller triklorsilan på et stavformet rødglødende bærelegeme af silicium eller metal 10 med højt smeltepunkt og god elektronisk ledningsevne, såsom eksempelvis tantal. Kendte fremgangsmåder og apparater er bl.a. beskrevet i US-PS 3.099.534, 3.011.877 og 3.147.141, ifølge hvilke den luftformige siliciumforbindelse indføres fra bunden henholdsvis toppen af pyrolyse-15 beholderen. Dette medfører, at de ved pyrolysen frembragte stave får størst diameter ved bunden henholdsvis toppen af beholderen, og denne tendens forstærkes med den ved stadig afsætning af silicium voksende diameter. Det samme er tilfældet, når den siliciumholdige forbindelse tilføres 20 gennem flere, langs bærelegemerne fordelte tilførselsmundinger (DE-AS 12 92 640).
Inden de frembragte stave benyttes til suspensionseller flydezonefusion, sikres det, at de har ensartet diameter eller tilnærmelsesvis perfekt cirkulær cylinderform, 25 ved at overskydende materiale skrabes af.
Formålet med opfindelsen er at anvise en fremgangsmåde til fremstilling af ultrarene siliciumstave ved pyrolyse af monosilan på en sådan måde, at stavene får ensartede tværsnit.
30 Dette opnås ifølge opfindelsen ved den i krav 1 anvi ste fremgangsmåde henholdsvis ved hjælp af det i krav 2 anviste apparat.
Ifølge opfindelsen regulerer man altså den forholdsmæssige andel af indført monosilan i forskellige niveauer 35 i beholderen. I hvert niveau drager man naturligvis om sorg for, at de pågældende tilførselsmundinger afgiver ensartede monosilanmængder. Efterhånden som stavdiameteren forøges, fordi der afsættes silicium ved pyrolysen,
DK 153223B
- 2 - øges denne forholdsmæssige andel med voksende niveau i beholderen. Herved kan opnås, at de frembragte stave får samme diameter over hele stavlængden.
Opfindelsen skal i det følgende beskrives nærmere i 5 forbindelse med tegningen, hvor fig. 1 viser et lodret snit gennem et apparat til brug ved udøvelse af fremgangsmåden ifølge opfindelsen, fig. 2 et snit langs linien II-II i fig. 1, og 10 fig. 3 skematisk placeringen i apparatet af tilførselsmundinger.
Det på tegningen viste apparat omfatter en beholder 3 og en bund 4. Beholdervæggen er hul, således at den kan køles ved hjælp af et gennem en tilgangsstuds 11 og en af-15 gangsstuds 12 strømmende kølemedium. Foroven er beholderen 3 forsynet med en afgangsstuds 7 for udslipning af luftarter, der frembringes ved termisk dekomposition i beholderens indre. Endvidere er beholdervæggen forsynet med vinduer 21, gennem hvilke den proces, der finder sted i 20 beholderens indre, kan følges.
Også bunden 4 er udformet med hulrum, således at et kølemedium tilledes gennem bunden via en tilgangs- og en afgangsstuds 13 henholdsvis 14.
Fire kobberelektroder 8 er ved hjælp af termiske iso-25 latorer 9 fastgjort stående over bunden 4 symmetrisk om dennes centrum. Hver elektrode 8 er via en terminal 10 forbundet til en ikke vist spændingskilde, og den nederste del af elektroden gennemstrømmes af et kølemedium via et tilgangs- og et afgangsrør 18 henholdsvis 19. Via en tantal-30 skive 20 er hver elektrode 8 øverst i forbindelse med en lodret stav 1 af ultrarent silicium.
Siliciumstavene 1 er to og to ved deres øverste ende indbyrdes forbundet ved hjælp af en ultraren siliciumstav 2. Stavene 1 er endvidere to og to indbyrdes adskilt af 35 en termisk isolator 5 med i det væsentlige korsformet tværsnit. Isolatoren 5 er anbragt centralt i beholderen og har et indre hulrum, der gennemstrømmes af et kølemedium
DK 153223B
- 3 - via indgangs- og afgangsrør 15 henholdsvis 16. I den termiske isolator 5 findes også et føderør 17 for monosilan.
I tre niveauer udgår fra føderøret 17 fire afgreningsrør, hvis udmundinger 6 er beliggende i isolatorens 5 fire yder-5 punkter i det pågældende niveau.
Gennem bunden 4 er endvidere ført et rør 22, gennem hvilket en forvarmende hed luftstrøm kan ledes ind i beholderen.
Som det fremgår af fig. 3, er føderøret 17 afgrenet i 10 et øvre, et mellemste og et nedre niveau. For hvert niveau findes en strømningsregulator C. Med disse regulatorer kan monosilantilstrømningen i hvert niveau og den forholdsmæssige andel af monosilan, der tilføres i det øvre niveau forøges med siliciumstavenes, ved siliciumafsætningen vok-15 sende diameter. Ved hjælp af en strømningsdeler S i hvert niveau sikres det, at tilførselsmundingerne 6 i det pågældende niveau afgiver ensartede monosilanmængder. Afvigelser skal foretrukket være mindre end nogle få procent.
Opfindelsen skal i det følgende belyses nærmere ved 20 et eksempel.
I et apparat som det i fig. 1 og 2 viste blev bærelegemerne opvarmet til en temperatur på 8-900°C og mængden af tilført monosilan således indstillet, at afsætningshastigheden for ultrarent silicium på bærelegemerne var 25 4-8 |im. Omstående tabel viser resultater opnået under for skellige forudsætninger:
DK 153223B
- 4 -
Tabel
Prøve Stav- Fordeling af monosilan- Fordeling af stavdia-nr. dia- tilførslen mellem meter meter øvre mellem- neder- øverst midtpå nederst (mm) ste ste på frembragt stav niveau 5 (1) 50 1 00 1,10 1,05 1,00 (2) 50 0 0 1 1,00 1,20 1,30 (3) 100 1 0 0 1,30 1,10 1,00 (4) 50 1 11 1,00 1,03 1,07 (5) 100 1 1 1 1,00 1,08 1,20 10 (6) 30 1,03 1 0,97 1,00 1,00 1,00 (7) 50 1,1 1 0,9 1,02 1,00 1,01 (8) 70 1,2 1 0,8 1,02 1,00 1,02 I tabellen er prøverne nr. 1-3 fremstillet ved sædvanlig metode med tilførsel af monosilan alene foroven eller ^ forneden i beholderen. Prøverne nr. 4 og 5 er fremstillet ved tilførsel af lige store monosilanmængder i de tre niveauer, medens prøverne nr. 6-9 er fremstillet ved fremgangsmåden ifølge den foreliggende opfindelse.
Det fremgår tydeligt af tabellen, at man ved opfindel- 20 sen opnar fremstilling af siliciumstave, hvis diametervariation i stavenes længde er ganske små. Stavene kan umiddelbart benyttes i en zonesmelteproces.
Det kan yderligere bemærkes, at der ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen ikke forekommer amorfe siliciumfor-25 ureninger som følge af homogene reaktioner i gasfasen.
I det følgende skal anvendelsen af det beskrevne apparat forklares.
Når de ultrarene siliciumstave 1, der skal tjene som 30 bærelegemer, er anbragt på kobberelektroderne 8 eller rettere på tantalskiverne 20 og foroven indbyrdes forbundet ved hjælp af de tværgående stave 2, anbringes beholderen 3 over bunden 4, og afgangsstudsen 7 forbindes til en ventil i et ikke vist udsugningsaggregat, som kan evakuere behol-35 deren. Herefter udsuges luften i beholderen, til der er opnået et forudbestemt undertryk i beholderen. Derefter
DK 153223B
- 5 - lukkes udsugningsaggregatets ventil, og en hed luftstrøm indblæses i beholderen gennem røret 22, således at siliciumstavene 1 opvarmes. Når et positivt tryk er opbygget i beholderen 3, åbnes ventilen igen, og stavene 1 opvarmes, 5 til den forudbestemte temperatur nås. Samtidig er kølemedium ledet gennem beholdervæggen, bunden og den termiske isolator.
Når siliciumstavene 1 af luftstrømmen er bragt op på den forudbestemte temperatur, påtrykkes de via kobberelek-10 troderne 8 en elektrisk strøm, således at stavenes 1 temperatur ved modstandsopvarmning bringes op over 800°C. Herefter afbrydes den hede luftstrøm, og monosilan indføres gennem røret 17. Den indførte monosilans strømningshastighed styres ved hjælp af passende regulatorer, og det påses, 15 at ensartede mængder strømmer ud gennem de fire udmundinger 6 i hvert niveau. Den i beholderen indførte monosilan udsættes for pyrolyse på de rødglødende, ultrarene siliciumstave 1, hvorved der på disse stave afsættes ultrarent silicium.
20 På grund af den termiske isolators 5 udformning vil de ultrarene siliciumstave 1 ikke, selv om deres diameter efterhånden vokser med afsætningen af yderligere materiale, blive udsat for strålevarme fra en eller flere af de øvrige stave 1, og stavene påvirkes derfor ikke af de homogene 25 reaktioner i gasfasen. Den voksende diameter af stavene forbliver derfor ensartet i alle snit gennem stavene.
Da endvidere den homogene reaktion i gassen kan styres, kan man opnå forøget produktivitet og udbytte med højere kvalitet.
30 I det følgende skal opfindelsen belyses nærmere ve'd nogle eksempler.
Eksempel 1
Fire bærelegemer i form af ultrarene siliciumstave, hver med en diameter på 5 mm og en længde på 1200 mm blev 35 placeret lodret og adskilt fra hinanden og en fælles symmetriakse i en pyrolysebeholder. De øverste ender af bærelegemerne blev to og to forbundet indbyrdes ved hjælp af ultrarene siliciumstave med en diameter på 5 mm og en - 6 -
DK 153223 B
længde på 300 mm. Forbindelsesstavene havde en resistans på 50 SI cm. En termisk isolator som den på tegningen viste blev placeret mellem bærelegemerne. Efter forvarmning ved hjælp af en varm luftstrøm fastholdes bærelegemerne på 5 en temperatur på omkring 850°C, og monosilan ledes ind i beholderen gennem de øvre, mellemste og nedre udmundinger 6. Monosilanen udsættes for pyrolyse på de rødglødende bærelegemer, og hastigheden, hvormed silicium afsættes på legemerne, fastlægges til 4-8 pm/min, som ved hidtil 10 kendte processer af denne art, til diameteren af hver siliciumstav når 60 mm. Den tid, der medgår, til stavdiameteren når 60 mm, kan nedsættes omkring 10% i forhold til kendte fremgangsmåder.
De således fremstillede polykrystallinske silicium-15 stave .udsættes for en suspensionszonefusionsproces, og monokrystallisationen af disse stave blev forbedret med omkring 30%.
Eksempel 2 Når ultrarene siliciumstave, hver med en diameter på 20 60 mm, fremstilles ved en pyrolysetemperatur på omkring 900°C og en afsætningshastighed på omkring 25% mere end anført i eksempel 1, kan den til pyrolysen forbrugte tid afkortes med omkring 23%. Monokrystallisationen foregår i det væsentlige som anført i eksempel 1.
25 Eksempel 3
Ved fremstilling under de i eksempel 1 anførte betingelser af ultrarene siliciumstave med en diameter på 100 mm kan den til pyrolysen medgåede tid nedsættes omkring 25%. Der sker ikke, som ved kendte fremgangsmåder, nogen 30 forurening med pulverformet silicium dannet ved homogen reaktion i gasfasen.
Eksempel 4
Ultrarent silicium blev fremstillet i stave med en diameter på 60 mm, idet tolv bærelegemer blev udsat sam-35 tidig for pyrolyse. Bærelegemerne var opdelt i fire grupper af en termisk isolator. En af grupperne - omfattende tre bærelegemer - var anbragt i separate rum i pyrolyse-
DK 153223B
- 7 - beholderen. Det viste sig, at pyrolysetiden ved anvendelse af en termisk isolator kunne nedsættes omkring 6%, medens produktudbyttet øges omkring 4%.
Ifølge opfindelsen anbringes altså en kølet termisk 5 isolator mellem de rødglødende bærelegemer, således at intet bærelegeme udsættes for strålevarme fra et andet bærelegeme. Den termiske isolator kan fremstilles af samme materiale som den beholder, hvori pyrolysen finder sted, og køles på samme måde som denne ved hjælp af vand eller 10 et andet kølemedium, hvis temperatur kan reguleres. Den termiske isolator skal hensigtsmæssigt have en ftilstrækkelig højde til, at størstedelen af siliciumbærdlegemerne afskærmes indbyrdes og foretrukket placeres således, at pyrolysebeholderen opdeles i ensartede rum. Hvor beholde-15 ren indeholder et større antal bærelegemer, kan det være tilstrækkeligt, at grupper af bærelegemer er indbyrdes termisk isoleret, altså uden at hvert legeme er adskilt fra alle de øvrige.
Tilførslen af monosilan bør ske ensartet i flere ni-20 veauer i beholderen.
Ved opfindelsen kan den homogene reaktion, der sædvanligvis følger pyrolyse på rødglødende siliciumstave af monosilan, hindres eller hæmmes. Derfor kan diameteren af de voksende ultrarene siliciumstave blive ensartet, og 25 mængden af afsat silicium pr. tidsenhed forøges.. Da mængden af pulverformet silicium, der kunne iblandes stavene,, reduceres væsentligt,, bliver de fremstillede stave af højere kvalitet.
Claims (2)
1. Fremgangsmåde til fremstilling af siliciumstave med ensartet tværsnit og hvor en siliciumholdig forbindelse udsættes for pyrolyse på et antal stavformede bærelegemer af ultrarent silicium, idet bærelegemerne påtryk-5 kes en elektrisk strøm for opvarmning af legemerne til en temperatur, hvor de er rødglødende, hvorved der på legemerne afsættes ultrarent silicium, hvorved man indfører monosilan i en bærelegemerne omgivende pyrolysebeholder gennem tilførselsmundinger i flere niveauer, kende-10 tegnet ved, at man termisk afskærmer bærelegemerne indbyrdes, og at man forøger den forholdsmæssige andel af tilført monosilan gennem de øvre tilførselsmundinger, efterhånden som stavdiameteren vokser ved siliciumafsætningen.
2. Apparat til brug ved udøvelse af fremgangsmåden ifølge krav 1 og bestående i det væsentlige af en pyrolysebeholder, i denne beholder anbragte stavformede bærelegemer af ultrarent silicium og et føderør for den siliciumholdige forbindelse, hvorhos føderøret har tilførselsmundinger i 20 flere niveauer regnet i bærelegemernes længderetning, kendetegnet ved, at tilførselsmundingerne (6) er placeret i tre niveauer, nemlig et øvre, et mellemste og et nedre, at der i pyrolysebeholderen (3) er placeret en termisk isolator (5), som afskærmer bærelegemerne (1) indbyr-25 des, at føderøret (17) strækker sig ind i et hulrum i isolatorens (5) indre, at tilførselsmundingerne (6) er udformet i endeflader på varmeisolerende plader, som udgør isolatoren (5), og at der i tilførselsrøret (17) er indbygget strømningsregulatoier (C)og strømningsdelere (S).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221277A JPS53108029A (en) | 1977-03-03 | 1977-03-03 | Method of making high purity silicon having uniform shape |
| JP2221277 | 1977-03-03 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK92178A DK92178A (da) | 1978-09-04 |
| DK153223B true DK153223B (da) | 1988-06-27 |
| DK153223C DK153223C (da) | 1988-11-07 |
Family
ID=12076485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK092178A DK153223C (da) | 1977-03-03 | 1978-03-01 | Fremgangsmaade og apparat til fremstilling af siliciumstave med ensartet tvaersnit |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4147814A (da) |
| JP (1) | JPS53108029A (da) |
| CA (1) | CA1098011A (da) |
| DE (1) | DE2808461C2 (da) |
| DK (1) | DK153223C (da) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4259278A (en) * | 1979-07-09 | 1981-03-31 | Ultra Carbon Corporation | Method of reshaping warped graphite enclosures and the like |
| US4309241A (en) * | 1980-07-28 | 1982-01-05 | Monsanto Company | Gas curtain continuous chemical vapor deposition production of semiconductor bodies |
| US4464222A (en) * | 1980-07-28 | 1984-08-07 | Monsanto Company | Process for increasing silicon thermal decomposition deposition rates from silicon halide-hydrogen reaction gases |
| US4559219A (en) * | 1984-04-02 | 1985-12-17 | General Electric Company | Reducing powder formation in the production of high-purity silicon |
| FR2572312B1 (fr) * | 1984-10-30 | 1989-01-20 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de fabrication de barreaux de silicium ultra-pur |
| US4724160A (en) * | 1986-07-28 | 1988-02-09 | Dow Corning Corporation | Process for the production of semiconductor materials |
| US4826668A (en) * | 1987-06-11 | 1989-05-02 | Union Carbide Corporation | Process for the production of ultra high purity polycrystalline silicon |
| US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
| IT1246772B (it) * | 1989-12-26 | 1994-11-26 | Advanced Silicon Materials Inc | ''mandrino di grafite avente uno strato esterno di rivestimento __impermeabile all'idrogeno'' |
| US5382419A (en) * | 1992-09-28 | 1995-01-17 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
| US5478396A (en) * | 1992-09-28 | 1995-12-26 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
| US5894887A (en) * | 1995-11-30 | 1999-04-20 | Applied Materials, Inc. | Ceramic dome temperature control using heat pipe structure and method |
| DE19608885B4 (de) * | 1996-03-07 | 2006-11-16 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Aufheizen von Trägerkörpern |
| US6544333B2 (en) | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
| US6221155B1 (en) | 1997-12-15 | 2001-04-24 | Advanced Silicon Materials, Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
| US6623801B2 (en) | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
| US6503563B1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-01-07 | Komatsu Ltd. | Method of producing polycrystalline silicon for semiconductors from saline gas |
| CN100423856C (zh) * | 2003-08-20 | 2008-10-08 | 中国第一汽车集团公司 | 一种提高内花键尼龙润滑涂层粘结强度的方法 |
| CN100387362C (zh) * | 2006-06-28 | 2008-05-14 | 蔡国华 | 用聚醚醚酮粉末喷涂金属制品表面的方法 |
| JP5119856B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-01-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置 |
| US8961689B2 (en) * | 2008-03-26 | 2015-02-24 | Gtat Corporation | Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor |
| CA2721192A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
| KR101552501B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2015-09-14 | 헴로크세미컨덕터코포레이션 | 재료를 증착하기 위한 제조 장치와 이에 사용하기 위한 전극 |
| KR101639577B1 (ko) * | 2008-04-14 | 2016-07-14 | 헴로크세미컨덕터코포레이션 | 재료를 증착하기 위한 제조 장치와 이에 사용하기 위한 전극 |
| CN101476153B (zh) * | 2008-12-25 | 2011-12-07 | 青岛科技大学 | 多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉 |
| DE102009003368B3 (de) * | 2009-01-22 | 2010-03-25 | G+R Polysilicon Gmbh | Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess |
| JP5651104B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-07 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
| JP5477145B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2014-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン反応炉 |
| US8507051B2 (en) * | 2009-07-15 | 2013-08-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon producing method |
| US20110229638A1 (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Gt Solar Incorporated | System and method for polycrystalline silicon deposition |
| US10494714B2 (en) | 2011-01-03 | 2019-12-03 | Oci Company Ltd. | Chuck for chemical vapor deposition systems and related methods therefor |
| DE102011080866A1 (de) | 2011-08-12 | 2013-02-14 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Stabes aus Silicium |
| DE102013204730A1 (de) * | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
| JP6345108B2 (ja) | 2014-12-25 | 2018-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の加工方法、多結晶シリコン棒の結晶評価方法、および、ｆｚ単結晶シリコンの製造方法 |
| DE102015209008A1 (de) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Verfahren und Anlage zur Zersetzung von Monosilan |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1292640B (de) * | 1959-09-23 | 1969-04-17 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Abscheiden von hochreinem Silicium aus einem hochreinen, eine Siliciumverbindung enthaltenden Reaktionsgas |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3011877A (en) * | 1956-06-25 | 1961-12-05 | Siemens Ag | Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes |
| DE1061593B (de) * | 1956-06-25 | 1959-07-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
| NL251143A (da) * | 1959-05-04 | |||
| NL256255A (da) * | 1959-11-02 | |||
| US3941906A (en) * | 1973-03-01 | 1976-03-02 | Theodore Bostroem | Hot dip metallizing process |
-
1977
- 1977-03-03 JP JP2221277A patent/JPS53108029A/ja active Granted
-
1978
- 1978-02-28 DE DE2808461A patent/DE2808461C2/de not_active Expired
- 1978-03-01 DK DK092178A patent/DK153223C/da not_active IP Right Cessation
- 1978-03-02 CA CA298,321A patent/CA1098011A/en not_active Expired
- 1978-03-02 US US05/882,819 patent/US4147814A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1292640B (de) * | 1959-09-23 | 1969-04-17 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Abscheiden von hochreinem Silicium aus einem hochreinen, eine Siliciumverbindung enthaltenden Reaktionsgas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2808461C2 (de) | 1982-05-06 |
| JPS5645851B2 (da) | 1981-10-29 |
| DK153223C (da) | 1988-11-07 |
| US4147814A (en) | 1979-04-03 |
| DK92178A (da) | 1978-09-04 |
| DE2808461A1 (de) | 1978-09-07 |
| CA1098011A (en) | 1981-03-24 |
| JPS53108029A (en) | 1978-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK153223B (da) | Fremgangsmaade og apparat til fremstilling af siliciumstave med ensartet tvaersnit | |
| DK154028B (da) | Apparat til fremstilling af siliciumstave | |
| KR930011998B1 (ko) | 실란을 열분해시켜 직경이 균일하게 큰 다결정질 로드를 제조하는 반응기 시스템 및 방법 | |
| US3146123A (en) | Method for producing pure silicon | |
| US3200009A (en) | Method of producing hyperpure silicon | |
| US20130295401A1 (en) | Polycrystalline silicon producing method, apparatus for producing polycrystalline silicon, and polycrystalline silicon | |
| NL8001059A (nl) | Werkwijze voor de afscheiding van zuiver halfgeleider- materiaal, in het bijzonder silicium en mondstuk ter uitvoering van de werkwijze. | |
| WO1999031013A1 (en) | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production | |
| US6503563B1 (en) | Method of producing polycrystalline silicon for semiconductors from saline gas | |
| US4265859A (en) | Apparatus for producing semiconductor grade silicon and replenishing the melt of a crystal growth system | |
| EP0180397B1 (en) | Method and apparatus for the production of polycrystalline silicon | |
| CN111705304B (zh) | 一种连续均匀镀膜热丝化学气相沉积设备及方法 | |
| GB1566949A (en) | Manufacture of supported silicon sheets | |
| JPS6156162B2 (da) | ||
| WO2012101969A1 (ja) | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPS6156163B2 (da) | ||
| US3658680A (en) | Apparatus for forming silicon carbide filaments | |
| JPS6374909A (ja) | 大直径多結晶シリコン棒の製造方法 | |
| US3523816A (en) | Method for producing pure silicon | |
| US3635683A (en) | Method of crystal growth by vapor deposition | |
| CN114007980B (zh) | 多晶硅的制造方法 | |
| US3069244A (en) | Production of silicon | |
| US3340848A (en) | Apparatus for producing purs semiconductor material | |
| JP2710433B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| TWI880937B (zh) | 多晶矽之製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PUP | Patent expired |