DK154028B - Apparat til fremstilling af siliciumstave - Google Patents
Apparat til fremstilling af siliciumstave Download PDFInfo
- Publication number
- DK154028B DK154028B DK092078AA DK92078A DK154028B DK 154028 B DK154028 B DK 154028B DK 092078A A DK092078A A DK 092078AA DK 92078 A DK92078 A DK 92078A DK 154028 B DK154028 B DK 154028B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- rods
- silicon
- container
- ultra
- monosilane
- Prior art date
Links
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 19
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- -1 for example Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N silicon-30 atom Chemical compound [30Si] XUIMIQQOPSSXEZ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
DK 154028B
- i -
Den foreliggende opfindelse angår et apparat til fremstilling af ultrarene siliciumstave ved pyrolyse af monosilan på stavformede bærelegemer og af den i kravets indledning angivne art.
5 Det er kendt at fremstille halvledende, ultrarene siliciumstave ved pyrolyse eller reduktion med hydrogen af en luftformig siliciumforbindelse såsom eksempelvis monosilan, siliciumtetraklorid eller triklorsilan på et stavformet rødglødende bærelegeme af silicium eller metal med 10 højt smeltepunkt og god elektronisk ledningsevne, såsom eksempelvis tantal. De kendte fremgangsmåder og apparater er bl.a. beskrevet i US patentskrifterne nr. 3.099.534, 3.011.877, 3.053.638 og 3.147.141.
Når den anvendte siliciumforbindelse er monosilan 15 (SiH^), medfører pyrolysen imidlertid en dekompositions reaktion, som ikke forekommer ved pyrolyse af halogenforbindelser (SiCl^, SiHCl^)·
Den mest udtalte forskel er hastigheden af homogene reaktioner i gas- eller dampfase. Monosilan dekomponeres 20 termisk ved enten homogene eller heterogene reaktioner i gasfase, og den reaktion, der kræves ved fremstilling af siliciumstave er hovedsagelig den heterogene, som finder sted på den rødglødende siliciumstav. Jo højere monosilanens tæthed og temperatur er i gasfasen, desto højere 25 er hastigheden af de homogene og heterogene reaktioner. Reaktionshastighedens afhængighed af temperaturforholdene er størst for den homogene reaktion. Det er erkendt, at dette fænomen fremmes med voksende diameter af de ultrarene siliciumstave, der fremstilles således, at vækstha-30 stigheden for silicium på de modstående flader af den rødglødende siliciumstav vokser med dennes diameter. Som følge heraf vil stavdiameteren blive stadig mere uensartet.
Med forøget stavdiameter vokser også temperaturen i gasfasen og dermed udskillelsen af pulverformet silicium 35 på pyrolysebeholderens indervægge. Dette pulverformede silicium frembringes ved den homogene reaktion i gasfasen og kan i visse tilfælde blande sig med det ultrarene silicium, således at stavenes kvalitet forringes.
DK 154028B
- 2 -
Inden de frembragte stave benyttes til suspensionseller flydezonefusion, sikres det, at de har ensartet diameter eller tilnærmelsesvis perfekt cirkulær cylinderform, ved at overskydende materiale skrabes af.
5 Formålet med opfindelsen er at anvise et apparat til fremstilling af ultrarene siliciumstave ved pyrolyse af monosilan på en sådan måde, at stavene selv ved store diametre er cirkulær-cylinderformede.
Dette opnås ifølge opfindelsen ved det i kravet an-10 viste apparat.
Opfindelsen skal i det følgende beskrives nærmere i forbindelse med tegningen, hvor fig. 1 viser et lodret snit gennem et apparat ifølge opfindelsen, og 15 fig. 2 et snit langs linien II-II i fig. 1.
Det på tegningen viste apparat omfatter en beholder 3 og en bund 4. Beholdervæggen er hul, således at den kan køles ved hjælp af et gennem en tilgangsstuds 11 og en afgangsstuds 12 strømmende kølemedium. Foroven er be-20 holderen 3 forsynet med en afgangsstuds 7 for udslipning af luftarter, der frembringes ved termisk dekomposition i beholderens indre. Endvidere er beholdervæggen forsynet med vinduer 21, gennem hvilke den proces, der finder sted i beholderens indre,kan følges.
25 Også bunden 4 er udformet med hulrum, således at et kølemedium tilledes gennem bunden via en tilgangs- og en afgangsstuds 13 henholdsvis 14.
Fire kobberelektroder 8 er ved hjælp af termiske isolatorer 9 fastgjort stående over bunden 4 symmetrisk om 30 dennes centrum. Hver elektrode 8 er via en terminal 10 forbundet til en ikke vist spændingskilde, og den nederste del af elektroden gennemstrømmes af et kølemedium via et tilgangs- og et afgangsrør 18 henholdsvis 19. Via en tantalskive 20 er hver elektrode 8 øverst i forbindelse med 35 en lodret stav 1 af ultrarent silicium.
Siliciumstavene 1 er to og to ved deres øverste ende indbyrdes forbundet ved hjælp af en ultraren siliciumstav 2. Stavene 1 er endvidere to og to indbyrdes adskilt af - 3 -
DK 154028 B
en termisk isolator 5 med i det væsentlige korsformet tværsnit. Isolatoren 5 er anbragt centralt i beholderen og har et indre hulrum, der gennemstrømmes af et kølemedium via indgangs- og afgangsrør 15 henholdsvis 16. I 5 den termiske isolator 5 findes også et føderør 17 for monosilan. I tre niveauer udgår fra føderøret 17 fire afgreningsrør, hvis udmundinger 6 er beliggende i isolatorens 5 fire yderpunkter i det pågældende niveau.
Gennem bunden 4 er endvidere ført et rør 22, gennem 10 hvilket en forvarmende hed luftstrøm kan ledes ind i be holderen.
I det følgende skal anvendelsen af det beskrevne apparat forklares.
Når de ultrarene siliciumstave 1, der skal tjene som 15 bærelegemer, er anbragt på kobberelektroderne 8 eller ret tere på tantalskiverne 20 og foroven indbyrdes forbundet ved hjælp af de tværgående stave 2, anbringes beholderen 3 over bunden 4, og afgangsstudsen 7 forbindes til en ventil i et ikke vist udsugningsaggregat, som kan evakuere 20 beholderen. Herefter udsuges luften i beholderen, til der er opnået et forudbestemt undertryk i beholderen.
Derefter lukkes udsugningsaggregatets ventil, og en hed luftstrøm indblæses i beholderen gennem røret 22, således at siliciumstavene 1 opvarmes. Når et positivt tryk er 25 opbygget i beholderen 3, åbnes ventilen igen, og stavene 1 opvarmes, til den forudbestemte temperatur nås. Samtidig er kølemedium ledet gennem beholdervæggen, bunden og den termiske isolator.
Når siliciumstavene 1 af luftstrømmen er bragt op på 30 den forudbestemte temperatur, påtrykkes de via kobberelek- troderne 8 en elektrisk strøm, således at stavenes 1 temperatur ved modstandsopvarmning bringes op over 800°C.
Herefter afbrydes den hede luftstrøm, og monosilan indføres gennem røret 17. Den indførte monosilans strømnings-35 hastighed styres ved hjælp af passende regulatorer, og det påses, at ensartede mængder strømmer ud gennem de fire udmundinger 6 i hvert niveau. Den i beholderen indførte monosilan udsættes for pyrolyse på de rødglødende, ultra- - 4 -
DK 154028 B
rene siliciumstave 1, hvorved der på disse stave afsættes ultrarent silicium.
På grund af den termiske isolators 5 udformning vil de ultrarene siliciumstave 1 ikke, selv om deres diameter 5 efterhånden vokser med afsætningen af yderligere materiale, blive udsat for strålevarme fra en eller flere af de øvrige stave 1, og stavene påvirkes derfor ikke af de homogene reaktioneri gasfasen. Den voksende diameter af stavene forbliver derfor ensartet i alle snit gennem stavene.
10 Da endvidere den homogene reaktion i gassen kan sty res, kan man opnå forøget produktivitet og udbytte med højere kvalitet.
I det følgende skal opfindelsen belyses nærmere ved nogle eksempler.
15 Eksempel 1
Fire bærelegemer i form af ultrarene siliciumstave, hver med en diameter på 5 mm og en længde på 1200 mm, blev placeret lodret og adskilt fra hinanden og en fælles symmetriakse i en pyrolysebeholder. De øverste ender af 20 bærelegemerne blev to og to forbundet indbyrdes ved hjælp af ultrarene siliciumstave med en diameter på 5 mm og en længde på 300 mm. Forbindelsesstavene havde en resistans på 5CL/Lcm. En termisk isolator som den på tegningen viste blev placeret mellem bærelegemerne. Efter forvarm-25 ning ved hjælp af en varm luftstrøm· fastholdes bærelege merne på en temperatur på omkring 850°C, og monosilan ledes ind i beholderen gennem de øvre, mellemste og nedre udmundinger 6. Monosilanen udsættes for pyrolyse på de rødglødende bærelegemer, og hastigheden, hvormed silicium 30 afsættes på legemerne, fastlægges til 4-8 m/min., som ved hidtil kendte processer af denne art, til diameteren af hver siliciumstav når 60 mm. Den tid, der medgår, til stavdiameteren når 60 mm, kan nedsættes omkring 10% i forhold til kendte fremgangsmåder.
35 De således fremstillede polykrystallinske silicium stave udsættes for en suspensionszonefusionsproces, og monokrystallisationen af disse stave blev forbedret med omkring 30%.
DK 154028B
- 5 -
Eksempel 2 Når ultrarene siliciumstave, hver med en diameter på 60 mm, fremstilles ved en pyrolysetemperatur på omkring 900°C og en afsætningshastighed på omkring 25% mere end 5 anført i eksempel 1, kan den til pyrolysen forbrugte tid afkortes med omkring 23%. Monokrystallisationen foregår i det væsentlige som anført i eksempel 1.
Eksempel 3
Ved fremstilling under de i eksempel 1 anførte betin-10 gelser af ultrarene siliciumstave med en diameter på 100 mm kan den til pyrolysen medgåede tid nedsættes omkring 25%. Der sker ikke, som ved den kendte fremgangsmåde, nogen forurening med pulverformet silicium dannet ved homogen reaktion i gasfasen.
15 Eksempel 4
Ultrarent silicium blev fremstillet i stave med en diameter på 60 mm, idet tolv bærelegemer blev udsat samtidigt for pyrolyse. Bærelegemerne var opdelt i fire grupper af en termisk isolator. En af grupperne - omfat-20 tende tre bærelegemer - var anbragt i separate rum i py- rolysebeholderen. Det viste sig,· at pyrolysetiden ved anvendelse af en termisk isolator kunne nedsættes omkring 6%, medens produktudbyttet øges omkring 4%.
Ifølge opfindelsen anbringes altså en kølet termisk 25 isolator mellem de rødglødende bærelegemer, således at in tet bærelegeme udsættes for strålevarme fra et andet bærelegeme. Den termiske isolator kan fremstilles af samme materiale som den beholder, hvori pyrolysen finder sted, og køles på samme måde som denne ved hjælp af vand eller 30 et andet kølemedium, hvis temperatur kan reguleres. Den termiske isolator skal hensigtsmæssigt have en tilstrækkelig højde til, at størstedelen af siliciumbærelegemerne afskærmes indbyrdes og foretrukket placeres således, at pyrolysebeholderen opdeles i ensartede rum. Hvor beholde-35 ren indeholder et større antal bærelegemer, kan det være tilstrækkeligt, at grupper af bærelegemer er indbyrdes
DK 154028 B
- 6 - termisk isoleret, altså uden at hvert legeme er adskilt fra alle de øvrige.
Tilførslen af monosilan bør ske ensartet i flere niveauer i beholderen.
5 Ved opfindelsen kan den homogene reaktion, der sædvan ligvis følger pyrolyse på rødglødende siliciumstave af monosilan, hindres eller hæmmes. Derfor kan diameteren af de voksende ultrarene siliciumstave blive ensartet, og mængden af afsat silicium pr. tidsenhed forøges. Da mæng-10 den af pulverformet silicium, der kunne iblandes stavene, reduceres væsentligt, bliver de fremstillede stave af højere kvalitet.
Claims (1)
- OK 154028B -1.- Apparat til fremstilling af ultrarene siliciumstave ved pyrolyse af monosilan på stavformede bærelegemer af ultrarent silicium og opvarmet til en temperatur, hvor de er rødglødende, hvilket apparat omfatter elektroder (8), 5 der bærer flere sådanne bærelegemer (1) inde i en pyro- lysebeholder (3), hvilke elektroder (8) tjener til at lede en elektrisk strøm direkte gennem bærelegemerne (1) for at opvarme disse, og hvilke elektroder (8) er fastgjort til beholderens (3) bund (4), kendetegnet 10 ved, at der på midten af bunden (4) er anbragt en radial tværsnitsform udvisende varmeisolator (5), som adskiller bærelegemerne (1) indbyrdes med ens afstande, hvorved udmundinger (6) for tilførsel af monosilanen er udformet i endekanterne af varmeisolatorens (5) varmeisolerende pla-15 der.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147377A JPS53106626A (en) | 1977-03-02 | 1977-03-02 | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
| JP2147377 | 1977-03-02 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK92078A DK92078A (da) | 1978-09-03 |
| DK154028B true DK154028B (da) | 1988-10-03 |
| DK154028C DK154028C (da) | 1989-02-13 |
Family
ID=12055935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK092078A DK154028C (da) | 1977-03-02 | 1978-03-01 | Apparat til fremstilling af siliciumstave |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4150168A (da) |
| JP (1) | JPS53106626A (da) |
| CA (1) | CA1083728A (da) |
| DE (1) | DE2808462C2 (da) |
| DK (1) | DK154028C (da) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2912661C2 (de) * | 1979-03-30 | 1982-06-24 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Abscheidung von reinem Halbleitermaterial und Düse zur Durchführung des Verfahrens |
| US4681652A (en) * | 1980-06-05 | 1987-07-21 | Rogers Leo C | Manufacture of polycrystalline silicon |
| US4559219A (en) * | 1984-04-02 | 1985-12-17 | General Electric Company | Reducing powder formation in the production of high-purity silicon |
| FR2572312B1 (fr) * | 1984-10-30 | 1989-01-20 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de fabrication de barreaux de silicium ultra-pur |
| US4724160A (en) * | 1986-07-28 | 1988-02-09 | Dow Corning Corporation | Process for the production of semiconductor materials |
| US4826668A (en) * | 1987-06-11 | 1989-05-02 | Union Carbide Corporation | Process for the production of ultra high purity polycrystalline silicon |
| US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
| US5118485A (en) * | 1988-03-25 | 1992-06-02 | Hemlock Semiconductor Corporation | Recovery of lower-boiling silanes in a cvd process |
| US4921026A (en) * | 1988-06-01 | 1990-05-01 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Polycrystalline silicon capable of yielding long lifetime single crystalline silicon |
| US5177399A (en) * | 1988-06-27 | 1993-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Color cathode ray tube apparatus |
| US5206559A (en) * | 1989-08-04 | 1993-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cathode ray tube which improves deflection aberration |
| US5225245A (en) * | 1989-12-01 | 1993-07-06 | Kawasaki Steel Corporation | Chemical vapor deposition method for forming thin film |
| WO1992000245A1 (en) * | 1990-06-27 | 1992-01-09 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of producing polycrystalline silicon rods for semiconductors and thermal decomposition furnace therefor |
| US5478396A (en) * | 1992-09-28 | 1995-12-26 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
| US5382419A (en) * | 1992-09-28 | 1995-01-17 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
| US6544333B2 (en) * | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
| WO1999031013A1 (en) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
| US5904981A (en) * | 1998-05-27 | 1999-05-18 | Tokuyama Corporation | Polycrystal silicon rod having an improved morphyology |
| US6468886B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Midwest Research Institute | Purification and deposition of silicon by an iodide disproportionation reaction |
| RU2155158C1 (ru) * | 1999-10-07 | 2000-08-27 | Институт химии высокочистых веществ РАН | Способ получения моноизотопного кремния si28 |
| KR100411180B1 (ko) | 2001-01-03 | 2003-12-18 | 한국화학연구원 | 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치 |
| US7033561B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-04-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of polycrystalline silicon |
| US6623801B2 (en) | 2001-07-30 | 2003-09-23 | Komatsu Ltd. | Method of producing high-purity polycrystalline silicon |
| US6503563B1 (en) | 2001-10-09 | 2003-01-07 | Komatsu Ltd. | Method of producing polycrystalline silicon for semiconductors from saline gas |
| US7732012B2 (en) * | 2004-06-22 | 2010-06-08 | Shin-Etsu Film Co., Ltd | Method for manufacturing polycrystalline silicon, and polycrystalline silicon for solar cells manufactured by the method |
| JP5509578B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2014-06-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造装置及び製造方法 |
| WO2009120859A1 (en) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Gt Solar, Inc. | Gold-coated polysilicon reactor system and method |
| EP2271788A2 (en) * | 2008-03-26 | 2011-01-12 | GT Solar Incorporated | Systems and methods for distributing gas in a chemical vapor deposition reactor |
| JP5481886B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2014-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造装置 |
| CA2721095A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
| WO2009128886A1 (en) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
| AU2009236678B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-27 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material on an electrode for use therein |
| RU2011102451A (ru) | 2008-06-23 | 2012-07-27 | ДжиТи СОЛАР ИНКОРПОРЕЙТЕД (US) | Точки соединения держателя и перемычки для трубчатых нитей накала в реакторе для химического осаждения из газовой фазы |
| JP5444860B2 (ja) * | 2008-06-24 | 2014-03-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン製造装置 |
| US8399072B2 (en) * | 2009-04-24 | 2013-03-19 | Savi Research, Inc. | Process for improved chemcial vapor deposition of polysilicon |
| US8540818B2 (en) * | 2009-04-28 | 2013-09-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon reactor |
| CA2768171A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | A method of inhibiting formation of deposits in a manufacturing system |
| KR101115697B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2012-03-06 | 웅진폴리실리콘주식회사 | 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기 |
| KR101033162B1 (ko) | 2010-01-14 | 2011-05-11 | (주)세미머티리얼즈 | 폴리실리콘 증착장치 |
| US20110206842A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Vithal Revankar | CVD-Siemens Reactor Process Hydrogen Recycle System |
| JP5637013B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-12-10 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
| CN102190304B (zh) * | 2010-03-08 | 2015-04-15 | 三菱综合材料株式会社 | 三氯硅烷制造装置 |
| CN102190305B (zh) * | 2010-03-15 | 2014-10-29 | 三菱综合材料株式会社 | 三氯硅烷制造装置 |
| US10494714B2 (en) * | 2011-01-03 | 2019-12-03 | Oci Company Ltd. | Chuck for chemical vapor deposition systems and related methods therefor |
| UA107875C2 (uk) | 2011-03-30 | 2015-02-25 | Viktor Grigorjevich Kolesnik | СПОСІБ ВІДНОВЛЕННЯ КРЕМНІЮ І ТИТАНУ ШЛЯХОМ ГЕНЕРАЦІЇ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ВЗАЄМОДІЙ ЧАСТОК SiO2, FeTiO3 ТА МАГНІТНИХ ХВИЛЬ |
| JP5874469B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及び成膜装置 |
| US8871153B2 (en) | 2012-05-25 | 2014-10-28 | Rokstar Technologies Llc | Mechanically fluidized silicon deposition systems and methods |
| DE102013204730A1 (de) * | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
| US11015244B2 (en) | 2013-12-30 | 2021-05-25 | Advanced Material Solutions, Llc | Radiation shielding for a CVD reactor |
| US10450649B2 (en) | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
| US10208381B2 (en) | 2014-12-23 | 2019-02-19 | Rec Silicon Inc | Apparatus and method for managing a temperature profile using reflective energy in a thermal decomposition reactor |
| DE102015209008A1 (de) * | 2015-05-15 | 2016-11-17 | Schmid Silicon Technology Gmbh | Verfahren und Anlage zur Zersetzung von Monosilan |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3011877A (en) * | 1956-06-25 | 1961-12-05 | Siemens Ag | Production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes |
| DE1061593B (de) * | 1956-06-25 | 1959-07-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
| NL238464A (da) * | 1958-05-29 | |||
| NL251143A (da) * | 1959-05-04 | |||
| NL256255A (da) * | 1959-11-02 |
-
1977
- 1977-03-02 JP JP2147377A patent/JPS53106626A/ja active Granted
-
1978
- 1978-02-28 DE DE2808462A patent/DE2808462C2/de not_active Expired
- 1978-03-01 CA CA298,012A patent/CA1083728A/en not_active Expired
- 1978-03-01 DK DK092078A patent/DK154028C/da not_active IP Right Cessation
- 1978-03-02 US US05/882,817 patent/US4150168A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK154028C (da) | 1989-02-13 |
| JPS53106626A (en) | 1978-09-16 |
| DE2808462A1 (de) | 1978-09-07 |
| DE2808462C2 (de) | 1982-04-29 |
| CA1083728A (en) | 1980-08-12 |
| JPS5645850B2 (da) | 1981-10-29 |
| DK92078A (da) | 1978-09-03 |
| US4150168A (en) | 1979-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK154028B (da) | Apparat til fremstilling af siliciumstave | |
| DK153223B (da) | Fremgangsmaade og apparat til fremstilling af siliciumstave med ensartet tvaersnit | |
| KR930011998B1 (ko) | 실란을 열분해시켜 직경이 균일하게 큰 다결정질 로드를 제조하는 반응기 시스템 및 방법 | |
| EP1257684B1 (en) | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon | |
| KR101708058B1 (ko) | 다결정 실리콘의 제조 방법, 다결정 실리콘의 제조 장치, 및 다결정 실리콘 | |
| US6365225B1 (en) | Cold wall reactor and method for chemical vapor deposition of bulk polysilicon | |
| US20130276700A1 (en) | Apparatus for producing polycrystalline silicon | |
| US9150420B2 (en) | Conical graphite electrode with raised edge | |
| US4715317A (en) | Method for producing of polycrystalline silicon and apparatus thereof | |
| NO813770L (no) | Hoeytrykks plasmaavsetning av silisium. | |
| CN116377567B (zh) | 一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法 | |
| KR20140125354A (ko) | 다결정 실리콘 봉의 제조 방법 | |
| CN116240624A (zh) | 等离子辅助晶体生长装置和方法 | |
| WO2012101969A1 (ja) | 多結晶シリコン製造用反応炉および多結晶シリコンの製造方法 | |
| JPS6156162B2 (da) | ||
| JPH06172093A (ja) | 半導体級多結晶シリコン製造反応炉 | |
| CN212895082U (zh) | 一种大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚 | |
| JP2016510305A (ja) | 多結晶シリコンの堆積法 | |
| US3342161A (en) | Apparatus for pyrolytic production of semiconductor material | |
| US3069244A (en) | Production of silicon | |
| CN220116722U (zh) | 一种连续直拉单晶设备 | |
| CN118390156A (zh) | 一种用于碳化硅单晶的生长装置 | |
| WO2012150153A1 (de) | Verfahren zur herstellung von silicium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PUP | Patent expired |