RU2011102451A - Точки соединения держателя и перемычки для трубчатых нитей накала в реакторе для химического осаждения из газовой фазы - Google Patents
Точки соединения держателя и перемычки для трубчатых нитей накала в реакторе для химического осаждения из газовой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011102451A RU2011102451A RU2011102451/02A RU2011102451A RU2011102451A RU 2011102451 A RU2011102451 A RU 2011102451A RU 2011102451/02 A RU2011102451/02 A RU 2011102451/02A RU 2011102451 A RU2011102451 A RU 2011102451A RU 2011102451 A RU2011102451 A RU 2011102451A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- holder
- tubular
- tubular filament
- seed element
- filament
- Prior art date
Links
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 title 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims 3
- 239000012768 molten material Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49885—Assembling or joining with coating before or during assembling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Реакторная система для химического осаждения из газовой фазы, содержащая: ! по меньшей мере, одну трубчатую нить накала, имеющую первый и второй концы, причем трубчатая нить накала выполнена с возможностью пропускания электрического тока; ! затравочный элемент, прикрепленный к первому концу трубчатой нити накала; и ! держатель, соединенный с, по меньшей мере, затравочным элементом, причем держатель выполнен с выступом, который соответствует пазу в затравочном элементе, так что держатель является электрически соединенным с трубчатой нитью накала. ! 2. Система по п.1, в которой выступ расположен приблизительно в центре держателя. ! 3. Система по п.1, в которой затравочный элемент является отсоединяемым от держателя. ! 4. Система по п.1, в которой затравочный элемент прикрепляют к держателю после формования трубчатой нити накала. ! 5. Система по п.1, в которой затравочный элемент изготовлен из графита. ! 6. Система по п.1, в которой, по меньшей мере, одна трубчатая нить накала содержит первую и вторую трубчатые нити накала, причем каждая соединена с соответствующим затравочным элементом и держателем. ! 7. Реакторная система для химического осаждения из газовой фазы, содержащая: ! первую трубчатую нить накала, имеющую первый и второй концы, причем первая трубчатая нить накала выполнена с возможностью пропускания электрического тока, второй конец электрически присоединен к, по меньшей мере, одному электроду; ! вторую трубчатую нить накала, имеющую первый и второй концы, причем вторая трубчатая нить накала выполнена с возможностью пропускания электрического тока; и ! перемычку для соединения первой и второй трубчатых ните�
Claims (25)
1. Реакторная система для химического осаждения из газовой фазы, содержащая:
по меньшей мере, одну трубчатую нить накала, имеющую первый и второй концы, причем трубчатая нить накала выполнена с возможностью пропускания электрического тока;
затравочный элемент, прикрепленный к первому концу трубчатой нити накала; и
держатель, соединенный с, по меньшей мере, затравочным элементом, причем держатель выполнен с выступом, который соответствует пазу в затравочном элементе, так что держатель является электрически соединенным с трубчатой нитью накала.
2. Система по п.1, в которой выступ расположен приблизительно в центре держателя.
3. Система по п.1, в которой затравочный элемент является отсоединяемым от держателя.
4. Система по п.1, в которой затравочный элемент прикрепляют к держателю после формования трубчатой нити накала.
5. Система по п.1, в которой затравочный элемент изготовлен из графита.
6. Система по п.1, в которой, по меньшей мере, одна трубчатая нить накала содержит первую и вторую трубчатые нити накала, причем каждая соединена с соответствующим затравочным элементом и держателем.
7. Реакторная система для химического осаждения из газовой фазы, содержащая:
первую трубчатую нить накала, имеющую первый и второй концы, причем первая трубчатая нить накала выполнена с возможностью пропускания электрического тока, второй конец электрически присоединен к, по меньшей мере, одному электроду;
вторую трубчатую нить накала, имеющую первый и второй концы, причем вторая трубчатая нить накала выполнена с возможностью пропускания электрического тока; и
перемычку для соединения первой и второй трубчатых нитей накала.
8. Система по п.7, в которой перемычка содержит множество углублений, причем каждое из углублений предназначено для вхождения в контакт с одним из первых концов первой и второй трубчатых нитей накала.
9. Система по п.8, в которой каждое углубление имеет, по меньшей мере, одно вентиляционное отверстие для образования вентиляционного канала.
10. Система по п.7, в которой перемычка выполнена с возможностью полного перекрытия периферийной окружности первых концов первой и второй трубчатых нитей накала.
11. Система по п.7, в которой перемычка содержит канавки для вхождения в контакт с, по меньшей мере, частью одного из первых концов первой и второй трубчатых нитей накала.
12. Система по п.11, в которой перемычка сконфигурирована так, чтобы не полностью перекрывать периферийную окружность первых концов первой и второй трубчатых нитей накала.
13. Система по п.7, в которой перемычка содержит множество канавок для вхождения в контакт с первой и второй трубчатыми нитями накала.
14. Система по п.7, в которой перемычка изготовлена из кремния.
15. Реакторная система для химического осаждения из газовой фазы, содержащая:
по меньшей мере, одну трубчатую нить накала, имеющую первый конец и второй конец, причем первый конец соединен с перемычкой;
перемычка имеет контактную часть для механического вхождения в контакт с, по меньшей мере, одной трубчатой нитью накала и
контактная часть имеет, по меньшей мере, одно углубление для вхождения в контакт с первым концом трубчатой нити накала.
16. Система по п.15, в которой, по меньшей мере, одно углубление дополнительно содержит, по меньшей мере, одно вентиляционное отверстие.
17. Система по п.15, в которой контактная часть выполнена с возможностью полного перекрытия периферийной окружности первого конца.
18. Система по п.15, в которой контактная часть сконфигурирована так, чтобы не перекрывать полностью периферийную окружность первого конца.
19. Система по п.15, в которой перемычка изготовлена из кремния.
20. Способ формирования трубчатой нити накала на держателе в реакторе для химического осаждения из газовой фазы, содержащий стадии, на которых:
обеспечивают затравочный элемент, соединенный с возможностью отсоединения с держателем;
погружают, по меньшей мере, часть держателя в расплав кремния и
извлекают держатель из расплава кремния таким образом, что трубчатая нить накала формируется непосредственно на держателе.
21. Способ по п.20, в котором затравочный элемент является затравочным элементом многократного использования, соединенным с возможностью отсоединения с держателем.
22. Способ по п.20, в котором расплав кремния содержится в тигле.
23. Способ по п.22, дополнительно содержащий стадию, на которой
регулируют длину трубчатой нити накала на основе количества расплавленного материала, содержащегося в тигле.
24. Способ по п.20, дополнительно содержащий стадию, на которой отделяют затравочный элемент многократного использования от держателя.
25. Способ формирования трубчатой нити накала на держателе в реакторе для химического осаждения в газовой фазе, содержащий стадии, на которых:
обеспечивают затравочный элемент, соединенный с держателем;
погружают, по меньшей мере, часть держателя в расплав кремния;
извлекают держатель из расплава кремния так, что трубчатая нить накала формируется на затравочном элементе; и
соединяют трубчатую нить накала с держателем.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7482408P | 2008-06-23 | 2008-06-23 | |
| US61/074,824 | 2008-06-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011102451A true RU2011102451A (ru) | 2012-07-27 |
Family
ID=41017067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011102451/02A RU2011102451A (ru) | 2008-06-23 | 2009-06-23 | Точки соединения держателя и перемычки для трубчатых нитей накала в реакторе для химического осаждения из газовой фазы |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110203101A1 (ru) |
| EP (1) | EP2321446B1 (ru) |
| JP (1) | JP5636365B2 (ru) |
| KR (1) | KR101543010B1 (ru) |
| CN (1) | CN102084028B (ru) |
| ES (1) | ES2636966T3 (ru) |
| MY (1) | MY157446A (ru) |
| RU (1) | RU2011102451A (ru) |
| TW (1) | TWI458854B (ru) |
| WO (1) | WO2010008477A2 (ru) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10494714B2 (en) | 2011-01-03 | 2019-12-03 | Oci Company Ltd. | Chuck for chemical vapor deposition systems and related methods therefor |
| US9102035B2 (en) * | 2012-03-12 | 2015-08-11 | MEMC Electronics Materials S.p.A. | Method for machining seed rods for use in a chemical vapor deposition polysilicon reactor |
| DE102013215093A1 (de) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | Wacker Chemie Ag | Trägerkörper für die Abscheidung von polykristallinem Silicium |
| KR101590607B1 (ko) * | 2013-11-20 | 2016-02-01 | 한화케미칼 주식회사 | 폴리실리콘 제조 장치 |
| TW201531440A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-08-16 | Hemlock Semiconductor Corp | 用於耦合至設置在反應器內之電極上之插座以生長多晶矽的載體 |
| DE102014200058A1 (de) * | 2014-01-07 | 2015-07-09 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung zum Aufnehmen und Transport eines Siliciumstabs sowie Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| US10450649B2 (en) * | 2014-01-29 | 2019-10-22 | Gtat Corporation | Reactor filament assembly with enhanced misalignment tolerance |
| US9254470B1 (en) * | 2014-10-10 | 2016-02-09 | Rec Silicon Inc | Segmented liner and transition support ring for use in a fluidized bed reactor |
| EP3377671A4 (en) * | 2015-11-16 | 2019-07-03 | GTAT Corporation | METHOD AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
| US20180086044A1 (en) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | Oci Company Ltd. | Apparatus and method for separating polysilicon-carbon chuck |
| US20180308661A1 (en) * | 2017-04-24 | 2018-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode filaments |
| KR101901356B1 (ko) | 2018-03-23 | 2018-09-28 | 그린스펙(주) | 열 필라멘트 화학기상증착 장치의 열 필라멘트 텐션 유지 장치 |
| US20220380935A1 (en) * | 2019-06-17 | 2022-12-01 | Tokuyama Corporation | Protective structure for silicon rod and method for manufacturing silicon rod |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2805565A (en) * | 1954-03-29 | 1957-09-10 | Racek Alfred | Pyrophoric lighter |
| US2805556A (en) * | 1955-11-22 | 1957-09-10 | Wang Wensan | Pocket liquid cooling device |
| US3635757A (en) * | 1965-07-29 | 1972-01-18 | Monsanto Co | Epitaxial deposition method |
| US3647530A (en) * | 1969-11-13 | 1972-03-07 | Texas Instruments Inc | Production of semiconductor material |
| DE2050076C3 (de) * | 1970-10-12 | 1980-06-26 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Herstellen von Rohren aus Halbleitermaterial |
| DE2541215C3 (de) * | 1975-09-16 | 1978-08-03 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung von Siliciumhohlkörpern |
| JPS53106626A (en) | 1977-03-02 | 1978-09-16 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity rod silicon and appratus therefor |
| US4173944A (en) * | 1977-05-20 | 1979-11-13 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh | Silverplated vapor deposition chamber |
| EP0045191A1 (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-03 | Monsanto Company | Process and apparatus for the production of semiconductor bodies |
| US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
| JPH0729874B2 (ja) * | 1989-11-04 | 1995-04-05 | コマツ電子金属株式会社 | 多結晶シリコン製造装置の芯線間接続用ブリッジ |
| KR950013069B1 (ko) * | 1989-12-26 | 1995-10-24 | 어드밴스드 실리콘 머티어리얼즈 인코포레이티드 | 수소 침투 방지용 외부 코팅층을 갖는 흑연 척 및 탄소가 거의 없는 다결정 실리콘 제조 방법 |
| DE69208303D1 (de) * | 1991-08-29 | 1996-03-28 | Ucar Carbon Tech | Mit glasigem Kohlenstoff überzogene Graphit-Spannvorrichtung zum Gebrauch bei der Erzeugung von polykristallinem Silizium |
| US6284312B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-09-04 | Gt Equipment Technologies Inc | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
| DE10101040A1 (de) * | 2001-01-11 | 2002-07-25 | Wacker Chemie Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes |
| US6676916B2 (en) * | 2001-11-30 | 2004-01-13 | Advanced Silicon Materials Llc | Method for inducing controlled cleavage of polycrystalline silicon rod |
| US9683286B2 (en) * | 2006-04-28 | 2017-06-20 | Gtat Corporation | Increased polysilicon deposition in a CVD reactor |
| EP2265883A1 (en) * | 2008-04-14 | 2010-12-29 | Hemlock Semiconductor Corporation | Manufacturing apparatus for depositing a material and an electrode for use therein |
| DE102010003064A1 (de) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Graphitelektrode |
-
2009
- 2009-06-23 TW TW098120960A patent/TWI458854B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-06-23 JP JP2011516299A patent/JP5636365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-23 ES ES09788829.1T patent/ES2636966T3/es active Active
- 2009-06-23 KR KR1020117001569A patent/KR101543010B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-23 EP EP09788829.1A patent/EP2321446B1/en not_active Not-in-force
- 2009-06-23 RU RU2011102451/02A patent/RU2011102451A/ru not_active Application Discontinuation
- 2009-06-23 WO PCT/US2009/003763 patent/WO2010008477A2/en active Application Filing
- 2009-06-23 CN CN200980123874.3A patent/CN102084028B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-23 US US13/000,455 patent/US20110203101A1/en not_active Abandoned
- 2009-06-23 MY MYPI2010006141A patent/MY157446A/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2321446A2 (en) | 2011-05-18 |
| CN102084028A (zh) | 2011-06-01 |
| JP5636365B2 (ja) | 2014-12-03 |
| WO2010008477A3 (en) | 2010-06-03 |
| EP2321446B1 (en) | 2017-05-10 |
| TW201009111A (en) | 2010-03-01 |
| US20110203101A1 (en) | 2011-08-25 |
| TWI458854B (zh) | 2014-11-01 |
| JP2011525472A (ja) | 2011-09-22 |
| CN102084028B (zh) | 2014-04-16 |
| KR20110081934A (ko) | 2011-07-15 |
| ES2636966T3 (es) | 2017-10-10 |
| WO2010008477A2 (en) | 2010-01-21 |
| KR101543010B1 (ko) | 2015-08-07 |
| MY157446A (en) | 2016-06-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011102451A (ru) | Точки соединения держателя и перемычки для трубчатых нитей накала в реакторе для химического осаждения из газовой фазы | |
| JP5049398B2 (ja) | 黒鉛電極 | |
| JP5643286B2 (ja) | 細シリコンロッド用接触型クランプ装置 | |
| CN101538042A (zh) | 多结晶硅反应炉 | |
| MX2007004510A (es) | Proceso para elaborar un producto similar a monofilamento. | |
| CN102428028B (zh) | 用于硅生长棒的容纳锥形件 | |
| US20130224401A1 (en) | Silicon seed rod assembly of polycrystalline silicon, method of forming the same, polycrystalline silicon producing apparatus, and method of producing polycrystalline silicon | |
| US20120222619A1 (en) | Carbon electrode and apparatus for manufacturing polycrystalline silicon rod | |
| CN108950242B (zh) | 一种高纯锌的制备装置 | |
| US9701541B2 (en) | Methods and systems for stabilizing filaments in a chemical vapor deposition reactor | |
| TW201404934A (zh) | 用於沉積物質之製造設備及使用於其中之托座 | |
| JP2014101256A (ja) | 多結晶シリコン棒の製造装置および製造方法 | |
| CN209759043U (zh) | 多晶还原炉生产用高纯石墨夹头 | |
| KR101654148B1 (ko) | 폴리실리콘 제조용 화학 기상 증착 반응기 | |
| JP5012386B2 (ja) | 多結晶シリコンロッドの製造方法 | |
| CN111560650A (zh) | 多晶硅制造装置以及多晶硅 | |
| CN219616983U (zh) | 便于夹持的焊条 | |
| CN104576299A (zh) | 一种卤素灯制造工艺 | |
| JP7263172B2 (ja) | 多結晶シリコン製造装置 | |
| CN102336407A (zh) | 一种可重复利用石墨夹头 | |
| CN206269076U (zh) | 一种用于汽车尾卡扣式防松动的精密疝气灯座 | |
| WO2013002254A1 (ja) | シード保持部材、多結晶シリコン製造装置、及びシード保持部材の製造方法 | |
| JP2004026527A (ja) | 単結晶引き上げ用シードチャック | |
| US997413A (en) | Electric incandescent lamp. | |
| JP2022100262A (ja) | 溶融紡糸装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20120625 |