JP5643286B2 - 細シリコンロッド用接触型クランプ装置 - Google Patents
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Description
本発明の他の実施例において、接触要素は下端部で、細シリコンロッドと圧力ばめで接触している。
ここで使用される用語である、「上部(頂部)」、「下部(底部)」、「右」及び「左」は、図面での表現に対応させたものであり、好ましい位置・方向を示しているが、これらの用語により本発明が限定されるものではない。
図1は、第1の実施例によるロッドホルダー1の平面図である。ロッドホルダー1は例えばグラファイトからなり、矩形の断面積を有する細シリコンロッド2を挿入した状態で示されている。図2及び図3はそれぞれ図1に示すロッドホルダー1の側面図を示しており、図2は、細シリコンロッド2が挿入されていないときのロッドホルダーを示し、図3は、細シリコンロッド2を挿入したときのロッドホルダーを示している。図4は、図1に示すロッドホルダーのIV−IV線断面図であり、簡略化して細シリコンロッドを省略している。
ロッドホルダー、ロッドホルダーに受け入れられた細シリコンロッド、および細シリコンロッド2の対応する自由端において対応する導電性の連結部とを介して電気回路を形成するように、ロッドホルダーは対をなして配置されている。既述したように、細シリコンロッド2を析出温度まで加熱するために、電気供給と連動して、この電気回路により細シリコンロッド2の抵抗加熱が可能となる。
基部要素7は基本的に円柱状であり、その上面はクランプ要素8を置けるように通常平らな上になっている。
5.2, 5.3は、直角を挟む一辺が基部要素7の上面に平行となり、他の一辺が垂直となるように配置されている。接触要素5.1,5.2,5.3は、半径方向に面の中心方向に向けられ、各要素の間に支持スペースを形成するように位置している。接触要素5.1,5.2,5.3は、互いに120°の等しい角度で配置され、基部の上面に対して垂直な接触要素の一辺の各々が、支持スペースの内側に位置するように配置されている。接触要素5.1,5.2,5.3の斜辺の各々は、外方に向いて傾斜を形成しており、この傾斜は基部要素7のテーパー部の傾斜と同じである。3個の接触要素5.1,5.2,5.3はこのようにコーン状の外形輪郭を形成している。三角形状の自由上端部は、ここでも、図5に示されるように、尖頭部が切り取られている。
接触要素5.1,5.2,5.3は、互いに接近するような動きが可能であり、少なくとも挿入される前に、連結要素によって互いに接続されている別体の要素である。
ロッドホルダー1は、2ピース型として設計することができ、図示されているように基部要素7とクランプ要素8とから構成されるか、または単一形として設計することも可能である。
その結果、実質的な大電流を流すことができ、細シリコンロッド2,3のより高い温度を達成し、急速な加熱を促進することができる。さらに、グラファイトが直径が小さいので、すなわち、形成された接触面が狭いので、材料は高温になり、グラファイトとシリコン間のより強固な機械的弾性的な結合が起こる。
これは、加熱プロセスの開始時に既にロッドホルダー1と細シリコンロッド2,3との接触面が高温度であるために可能となり、導入されたシラン蒸気または気体がより高温領域に蒸着し、それが細シリコンロッド2,3の自己回復につながるという結果になる。これは安定性の向上という結果をもたらす。
Claims (17)
- シリコン蒸着反応器内で、細シリコンロッドを組み込みシリコンロッドと電気的に接触させる接触型クランプ装置であり、細シリコンロッドの一端部を支えるロッドホルダー(1;6;16)を備える接触型クランプ装置において、
前記ロッドホルダー(1;6;16)は、細いシリコンロッド(2;3;13)を支える支持スペース(30)の周りに配置された少なくとも3個の接触要素(4;5;25)を備え、各接触要素は、電気的機械的に細シリコンロッド(2;3;13)と接触するように支持スペース方向に面する接触面(28)を形成し、隣り合った接触要素(4;5;25)の前記接触面(28)は間隔をおいて位置していることを特徴とする接触型クランプ装置。 - 接触面(28)は、ロッドホルダー(1;6;16)の縦軸(A)に平行に伸びていることを特徴とする請求項1記載の接触型クランプ装置。
- 接触面(28)はストライプ状であることを特徴とする請求項1または2記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(4;5;25)は互いに移動可能であり、支持スペース(30)側に移動可能であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(4;5;25)の接触面(28)は、所定の面積にわたって細シリコンロッドと接触するように、細シリコンロッド(2;3;13)の形状に一致していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の接触型クランプ装置。
- ロッドホルダー(1;6;16)は、少なくとも1つの基部要素(7;17)と接触要素(4;5;25)を有する少なくとも1つのクランプ要素(8;18)とからなる少なくとも2つの要素を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の接触型クランプ装置。
- 基部要素(17)は、円錐状にテーパーしたテーパー状の受け台(20)からなり、クランプ要素(18)は受け台に対応したテーパー状の外形を有していることを特徴とする請求項6記載の接触型クランプ装置。
- 基部要素(17)の受け台(20)のテーパーとクランプ要素(18)のテーパー状外形は、クランプ要素(18)が受け台(20)側に移動すると接触要素(25)が相寄るように移動し、支持スペース(30)を狭くするような寸法であることを特徴とする請求項7記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(5;25)は、接触要素の接触面(28)に対して垂直に移動することを特徴とする請求項4または8記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(4;5;25)は、支持スペース(30)のまわりに等間隔で配置されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(25)は、少なくとも使用前に連結要素(26)によって互いに接続された別体の要素であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素間の連結要素(26)は、各接触要素(25)間で相対的に移動できるように、柔軟性を備えており、及び/または所定の切断点を有していることを特徴とする請求項11記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(25)及び連結要素(26)は、一体的に形成されることを特徴とする請求項11または12記載の接触型クランプ装置。
- 基部要素(7)に固定されるクランプリング(9)を備え、接触要素(5)を受ける受け台はクランプリング(9)と基部要素(7)との間に形成され、受け台はクランプリング(9)を基部要素(7)に取り付けたときに、接触要素(5)が互いに移動し支持スペース側に移動することができるような寸法に形成されていることを特徴とする請求項5または13記載の接触型クランプ装置。
- クランプリング(9)は、螺合により基部要素(7)に取り付けられるか、またはクィック−リリース機構により基部要素(7)に締め付けられていることを特徴とする請求項14記載の接触型クランプ装置。
- クランプリング(9)は、接触要素(5)のテーパー状外形に一致するテーパー状の内壁を備えた開口部(10)を有していることを特徴とする請求項14または15記載の接触型クランプ装置。
- 接触要素(4;5;25)は、ロッドホルダー(1;6;16)に受け入れられた細シリコンロッド(2;3;13)と接触面(28)を介して、ぴったりと嵌合及び/または圧力ばめされて接触していることを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の接触型クランプ装置。
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| CN116005126A (zh) * | 2022-12-19 | 2023-04-25 | 金源康(惠州)实业有限公司 | 一种高效率的旋转式连续pvd镀膜装置及使用方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3647530A (en) * | 1969-11-13 | 1972-03-07 | Texas Instruments Inc | Production of semiconductor material |
| DE2652218A1 (de) * | 1976-11-16 | 1978-05-24 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur herstellung von substratgebundenem, grossflaechigem silicium |
| EP0529593B1 (en) * | 1991-08-29 | 1996-02-14 | Ucar Carbon Technology Corporation | A glass carbon coated graphite chuck for use in producing polycrystalline silicon |
| JP2617258B2 (ja) * | 1991-11-28 | 1997-06-04 | 信越半導体株式会社 | シリコン多結晶棒自重締付保持具 |
| JP4812938B2 (ja) * | 1997-12-15 | 2011-11-09 | レック シリコン インコーポレイテッド | 多結晶シリコン棒製造用化学的蒸気析着方式 |
| JP3819252B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2006-09-06 | 住友チタニウム株式会社 | シード保持電極 |
| JP4031782B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2008-01-09 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | 多結晶シリコン製造方法およびシード保持電極 |
| KR100768147B1 (ko) | 2006-05-11 | 2007-10-18 | 한국화학연구원 | 혼합된 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법과그 제조장치 |
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| US8840723B2 (en) * | 2009-03-10 | 2014-09-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon |
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