DK143477B - Elektrisk modstand samt modstandsmateriale og fremgangsmaade til fremstilling af samme - Google Patents
Elektrisk modstand samt modstandsmateriale og fremgangsmaade til fremstilling af samme Download PDFInfo
- Publication number
- DK143477B DK143477B DK122076AA DK122076A DK143477B DK 143477 B DK143477 B DK 143477B DK 122076A A DK122076A A DK 122076AA DK 122076 A DK122076 A DK 122076A DK 143477 B DK143477 B DK 143477B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- resistance
- conductive material
- mixture
- oxide
- tin oxide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
i 143477
Opfindelsen angår en elektrisk modstand omfattende et keramisk substrat med et lag modstandsmateriale på overfladen hvor modstandsmaterialet indeholder partikler af et elektrisk ledende materiale.
5 Der kendes en elektrisk modstand med et glasagtigt emaljemodstandsmateriale, hvor emaljemodstandsmaterialet indeholder en blanding af en glasfritte og findelte partikler af et elektrisk ledende materiale. Det glasagtige emaljemodstandsmateriale er påført på overfladen af et substrat af et 10 elektrisk isolerende materiale og derefter opvarmet til glasfrittens smeltepunkt. Efter afkøling er der dannet en glashinde, i hvilken de elektrisk ledende partikler er fordelt.
Da elektriske modstande skal kunne dække et stort modstands-15 område, er det ønskeligt at have glasagtige emaljemodstandsmaterialer med tilsvarende egenskaber. Det er imidlertid vanskeligt at fremstille glasagtige emaljemodstandsmpdstands-materialer med stor specifik modstand, og som desuden har en lav temperaturkoefficient. Modstandsmaterialer, der på 20 samme tid har en høj specifik modstand og en lav temperaturkoefficient, kan i almindelighed kun fremstilles ved hjælp af partikler af ædle metaller, hvorfor modstandene bliver tilsvarende dyrere.
Formålet med opfindelsen er derfor at anvise, hvorledes en 25 modstand med en forholdsvis stor specifik modstandsværdi og en forholdsvis lav temperaturkoefficient, bliver billigere i fremstilling. Dette formål opnås ifølge opfindelsen ved at det elektrisk ledende materiale omfatter en blanding af tinoxid og tantaloxid eller en blanding af tinoxid, tan= 30 taloxid og produkter fra en varmebehandling af tinoxid og tantaloxid indlejret i og fuldstændigt fordelt i en glasfritte.
Modstandsmaterialet kan med fordel indeholde glasfritte i 143477 2 en mængde på 30-70 volumen%, fortrinsvis 40-60 volumen%.
Det elektrisk ledende materiale kan med fordel indeholde 0,5-50 vægt% tantaloxid.
I en foretrukken udførelsesform udgøres det elektrisk le-5 dende materiale af en blanding af tinoxid og tantaloxid.
Glasfritten kan med fordel udgøres af borsilikatglas eventuelt et jordalkaliborsilikatglas.
Opfindelsen angår også et glasagtigt emalje-modstandsmateriale til fremstilling af en elektrisk modstand, og som om-10 fatter en blanding af en glasfritte og partikler af et elektrisk ledende materiale indeholdende metaloxider. Mod-.. standsmaterialet er ejendommeligt ved, at det elektrisk ledende materiale omfatter en blanding af tinoxid og tantal= oxid eller en blanding af tinoxid og tantaloxid og produk= 15 ter fra en varmebehandling af blandingen af tinoxid og tan= taloxid. Ved hjælp af et sådant modstandsmateriale er det muligt at fremstille en modstand med en stor specifik mod= standsværdi og en forholdsvis lav temperaturkoefficient.
Krav 9-14 angår særligt hensigtsmæssige sammensætninger af 20 modstandsmaterialet.
Endelig er der ifølge opfindelsen anvist en fremgangsmåde til fremstilling af en elektrisk modstand ifølge opfindelsen. Fremgangsmåden er ejendommelig ved, at man sammenblander en glasfritte med fine partikler af et elektrisk 25 ledende materiale omfattende en blanding af tinoxid og tan= taloxid eller en blanding af tinoxid, tantaloxid og produk= ter fremkommet ved en varmebehandling af en blanding inde= holdende tinoxid og tantaloxid, påfører denne blanding på overfladen af et substrat og brænder det dækkede substrat 30 til glasfrittens smeltepunkt i en i hovedsagen inaktiv at= mosfære. Derved opnås en særlig hensigtsmæssig fremgangs= måde til fremstilling af modstanden.
3 143477
Krav 16-20 angår særlig hensigtsmæssige udførelsesformer for fremgangsmåden.
Opfindelsen skal nærmere forklares i det følgende under henvisning til tegningen, hvor 5 fig. 1 viser en del af en modstand ifølge opfindelsen, set i snit, og fig. 2 en kurve til sammenligning af temperaturkoefficienten for modstanden ifølge opfindelsen med en kendt modstand.
Det glasagtige emaljemodstandsmateriale ifølge opfindelsen 10 udgøres af en blanding af en glasfritte og findelte partikler af ledende materiale. Det ledende materiale udgøres f.eks. af en blanding af tinoxid (Sn02) og tantaloxid (Ta20g). Glasfritten er til stede i en mængde på 30-70 volumen%, fortrinsvis i en mængde på 40-60 volumen%. Af 15 det ledende materiale udgør tantaloxidet 0,5-50 vægt%.
Glasfritten kan være en sådan, som anvendes til fremstilling af glasagtige emaljemodstandssammensætninger, og som har et smeltepunkt, der liggere lavere end det ledende materiales smeltepunkt. Som glasfritte kan der med fordel 20 anvendes en borsilikatfritte, såsom en barium- eller cal= cium-borsilikatfritte. Under fremstillingen sammensmeltes bestanddelenes oxider, hvorefter den smeltede blanding hældes ned i vand til dannelse af fritten. Ingredienserne kan være af enhver sammensætning, der passer til de ønske-25 de oxider under de sædvanlige betingelser for fritteproduktion. Boroxid fremkommer f.eks. af borsyre, medens siliciumdioxid fremkommer af flint, bariumoxid fremkommer bariumcarbonat osv. Råfritten bliver fortrinsvis malet i en kuglemølle med vand til reduktion af partikelstørrelsen 4 143477 af fritten og til dannelse af fritter af i hovedsagen samme størrelse.
Modstandsmaterialet ifølge opfindelsen fremstilles ved at blande glasfritten, tinoxidpartiklerne og tantaloxidpartik-5 lerne i passende mængder. Blandingen foregår fortrinsvis ved kugleformaling af ingredienserne i vand eller i et organisk medium, såsom butylcarbitolacetat eller i en blanding af butylcarbitolacetat og toluen. Blandingen bibringes en viskositet, der gør det muligt at overføre modstandsmaterialet 10 til et substrat ved enten at tilføre eller fjerne blandingens flydende medium. I forbindelse med en skabelon fordampes væsken,og blandingen blandes med et bindemiddel.
Ved en anden fremstillingsmetode, ved hvilken der er en bedre kontrol med den specifikke modstand især for lave mod-15 standsværdiers vedkommende, sammenblandes tinoxidet og tan= taloxidet først i det rette forhold. Dette kan f.eks. foretages ved en kugleformaling af blandingen i forbindelse med et opløsningsmiddel, såsom butylcarbitolacetat. Opløsningsmidlet fordampes. Det tilbageværende pulver varmebehandles 2Q derefter i en ikke-oxiderende atmosfære. Produkterne fra denne varmebehandling blandes med glasfritten til dannelse af modstandsmaterialet. Disse produkter har vist sig at være Sn02, Ta20^♦ Pulveret kan varmebehandles på følgende måder: 25 Varmebehandling 1.
En skål indeholdende det ledende materiale (blandingen af tantaloxid og tinoxid) anbringes i en rørovn. En gas (95% N2 og 5% H2) indføres i ovnen, således at den strømmer hen over skålen. Ovnen opvarmes til 525°C og holdes ved denne 30 temperatur over en kortere periode (op til 10 minutter).
Ovnen slukkes og afkøles sammen med skålen til stuetemperatur. Gas atmo s faaren bibeholdes, indtil skålen med det ledende materiale er fjernet fra ovnen.
5 143477
Varmebehandling 2.
En skål indeholdende det ledende materiale anbringes på en kontinuert ovns bælte. Skålen brændes over en periode på en time ved en maksimumtemperatur på 1000°C i en nitrogenatmos-5 fære.
Varmebehandling 3.
Identisk med varmebehandling 1 bortset fra, at en nitrogenatmosfære anvendes i ovnen, og ovnen opvarmes til 1100°C og holdes ved denne temperatur i 4 timer. Det varmebehandlede 10 pulver formales derefter i en kuglemølle til reduktion af partikelstørrelsen til mindre end 1 y.
Det varmebehandlede pulver blandes derefter med den afmålte mængde glasfritte som ovenfor beskrevet.
Modstanden ifølge opfindelsen fremstilles ved, at modstands-15 materialet påføres på overfladen af et substrat. Påføringen sker med en ensartet tykkelse. Substratet, der blot skal være af et materiale, som kan modstå modstandsmaterialets brændingstemperatur, er fortrinsvis af et keramisk materiale, såsom glas, porcelæn, steatit, bariumtitanat, aluminium 20 eller lignende. Modstandsmaterialet kan overføres til substratet ved påstrygning, dypning, sprøjtning eller skabelonmaling. Det af modstandsmateriale dækkede substrat brændes derefter i en ovn ved en temperatur, ved hvilken glasfritten smelter. Modstandsmaterialet brændes fortrinsvis 25 i en inaktiv atmosfære, såsom argon, helium eller nitrogen. Brændingstemperaturen afhænger af glasfrittens smeltepunkt.
Når substratet og modstandsmaterialet er afkølet, hærder den glasagtige emalje således, at modstandsmaterialet bindes til substratet.
30 Den resulterende modstand 10, der er vist i fig. 1, omfatter et keramisk substrat 12, hvorpå der er anbragt og brændt 143477 6 et lag modstandsmateriale 14. Modstandsmaterialelaget omfatter glasset 16, der indeholder de findelte partikler 18 af ledende materiale. Materialepartiklerne 18 er indlejret i og fordelt i glasset 16.
5 De efterfølgende eksempler tjener til illustration.
Eksempel 1
Et ledende materiale bestående af tinoxid og tantaloxid, hvor tantaloxidet udgør 15 vægt%, fremstilles ved at blande oxiderne. Oxiderne varmebehandles derefter som beskrevet 10 under varmebehandling 1. Adskillige charger af modstandsmateriale blev fremstillet ved at blande det ledende materiale med forskellige mængder af en glasfritte bestående af 40% BaO, 20% B^, 25% Si02, 10% Sn02, 3% A1203 og 2%
Ta2Oj-. Egenskaberne af det ledende materiale og glasfritten 15 i hver charge er vist i tabel I. Hver af blandingerne blev formalet i en kuglemølle med butylcarbitolacetat for at opnå en grundig blanding. Butylcarbitolacetaten inddampes, og blandingen blandes med et befugtningsmiddel for frembringelse af modstandssammensætningen.
20 Der blev fremstillet modstande ud fra hver af modstandssammensætningerne. Fremstillingen skete ved skabelonmaling på keramiske plader. Pladerne med modstandsmaterialet blev tørret ved 150°C i 15 minutter og derefter anbragt i en ovn ved 400°C i en time for at fjerne skabelonen. Modstandene 25 blev derefter over en periode på 30 minutter brændt i en tunnelovn ved temperaturer, der er vist i tabel I. De specifikke modstande og dertil hørende temperaturkoefficienter er vist i tabel I.
7 143477
TABEL I
Ledende Brændings- Specifik Modstandens terr\r
Glasfritte materiale temperatur modstand peratuzkoeffi- (volumen%) (volumen%) (°C) ohm pr. cient (ppn/°C) _kvadrat_ 30 70 1000 10 K 132 50 50 1000 12 K 33 65 35 1000 213 K -868 70 30 850 840 K -907
Eksempel 2
Et ledende materiale fremstilles på samme måde som i eksempel 1 bortset fra, at 0,5 vægt% af tantaloxidet blandes med tinoxid. Pulveret, der udgør det ledende materiale, blandes med en glasfritte med en sammensætning på 42% BaO, 20% 5 ®2^3 ^8% SiC^, idet mængden af det ledende materiale ud gør 50 volumen%. Blandingen anvendtes til fremstilling af et modstandsmateriale som beskrevet i eksempel 1. Modstandsmaterialet blev anvendt til fremstilling af en modstand som beskrevet i eksempel 1, idet modstanden blev brændt ved 10 1100°C. Den resulterende modstand opnåede en specifik flade modstand på 2 Kji/kvadrat og en temperaturkoefficient på -6 ppm/°C.
Eksempel 3
Et ledende materiale fremstilles ved anvendelse af varme-15 behandling 2 på en blanding af 5 vægt% tantaloxid og 95 vægt% tinoxid. Modstandsmaterialet blev fremstillet på samme måde som i eksempel 1, idet pulveret blev blandet med en glasfritte med en sammensætning som i eksempel 2, hvor det ledende materiale udgjorde 45 volumen%,og glasfritten 20 udgjorde 55 volumen%. Modstandene blev fremstillet ved skabelonmaling af modstandsmaterialet på keramiske plader. De tørrede plader blev tørret ved 150°C i 15 minutter. De keramiske plader blev derefter over en periode på 1/2 time ført gennem en tunnelovn med en nitrogenatmosfære og en 143477 8 maksimumtemperatur på 350°C. De dækkede keramiske plader blev derefter brændt i en tunnelovn med en nitrogenatmosfære i en periode på 30 minutter. En af de keramiske plader blev brændt ved en maksimumtemperatur på 900°C, medens en 5 anden blev brændt ved 1000°C. Den modstand, der var brændt ved 900°C, fik en lav specifik flademodstand på 115 k Jl/kva-drat og en temperaturkoefficient på -99 ppm/°C. Den modstand, der var brændt ved 1000°C, fik derimod en specifik plademodstand på 77 kJZ/kvadrat og en temperaturkoefficient 10 på nul.
Eksempel 4
Et ledende materiale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 3 når bortses fra, at tantaloxidet nu kun udgjorde 15 vægt%. Et modstandsmateriale og en modstand blev deref-15 ter fremstillet på samme måde som beskrevet i eksempel 3.
De resulterende modstande blev brændt ved 900°C og havde en gennemsnitlig specifik flademodstand på 230 k«/L/kvadrat og en temperaturkoefficient på -97 ppm/°C. De resulterende modstande, der blev brændt ved lOOOoc, havde en gennemsnit-20 lig specifik flademodstand på 220 kjl/kvadrat og en temperaturkoefficient på -100 ppm/°C.
Eksempel 5
Et ledende materiale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 3 når bortses fra, at tantaloxidindholdet udgjorde 25 50 vægt%. Et modstandsmateriale, som for 50 volumen%'s ved kommende udgjordes af ledende materiale, og som de resterende 50 volumen%'s vedkommende udgjordes af glasfritten, fremstilledes på basis af dette ledende materiale. En modstand blev fremstillet af modstandsmaterialet som beskrevet 30 i eksempel 3 bortset fra, at modstanden blev brændt ved 950°C. Den resulterende modstand opnåede en specifik flademos tand på 3 Mjl/kvadrat og en temperaturkoefficient på -57Q ppm/°C.
9 143477
Eksempel 6
Et ledende materiale blev fremstillet ved en sammenblanding af 15 vægt! tantaloxid og 85 vægt% tinoxid. Det ledende materiale blev uden varmebehandling bearbejdet til modstands-5 materiale ved at blande 50 volumen% af det ledende materiale med 50 volumen% glasfritte af den i eksempel 3 angivne sammensætning. Til blandingen tilførtes et befugtningsmiddel, og blandingen blev skabelonmalet på keramiske plader til dannelse af modstande. Modstandene hlev tørret ved 150°C i 15 10 minutter og derefter ført gennem en tunnelovn med en maksimumtemperatur på 350°C. En iriodstand brændt i en tunnelovn med en nitrogenatmosfære og en maksimumtemperatur på 1100°C over en periode på 1/2 time opnåede en specifik flademodstand på 19 kJl/kvadrat og en temperaturkoefficient på 15 88 ppm/°C.
Eksempel 7
Et ledende materiale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 1. Et modstandsmateriale blev på basis af dette ledende materiale fremstillet på samme måde som i eksempel 20 6. Modstandsmaterialet blev anvendt til fremstilling af modstande på den i eksempel 6 beskrevne måde når bortset fra, at brændetemperaturen var 1000°C. De resulterende modstande opnåede en gennemsnitlig specifik flademodstand på 37 kJl/kvadrat og en temperaturkoefficient på 46 ppm/°C.
25 Eksempel 8
Et ledende materiale blev fremstillet ved at sammenblande 15 vægt! tantaloxid og 85 vægt% tinoxid og underkaste blandingen varmebehandling 3. Det ledende materiale blev formalet i en kuglemølle til reduktion af partikelstørrelsen.
30 Pulveret af det ledende materiale blev bearbejdet til modstandsmateriale på samme måde som i eksempel 6, men med 45 volumen! ledende materiale og 55 volumen! glasfritte.
143477 ίο
Modstandsmaterialet blev anvendt til fremstilling af modstande på samme måde i eksempel 6 når bortses fra, at modstandene blev brændt ved en temperatur på 1000°C. En typisk modstand havde en specifik flademodstand på 93 kjl/kvadrat 5 og en temperaturkoefficient på -337 ppm/°C.
Eksempel 9
Et ledende materiale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 1. Modstandsmaterialet blev fremstillet ved en sammenblanding af 50 volumen% af det ledende materiale og 10 50 volumen% af en glasfritte bestående af 44% SiC^, 30% ^2°3r 14% a12°3' MgO °9 2% Ca0· Til blandingen blev tilført et befugtningsmiddel. Modstandsmaterialet blev anvendt til fremstilling af modstande som beskrevet i eksempel 1, idet brændingen skete ved en maksimumtemperatur på 15 1150°C. En typisk modstand havde en specifik flademodstand på 5 M«Jl/kvadrat og en temperaturkoefficient på -465 ppm/°C.
Af ovenstående eksempler fremgår det, at indvirkningen på de elektriske karakteristika varierer med sammensætningen af modstandsmaterialet og den metode, hvorefter dette ma-20 teriale er fremstillet. Eksempel 1 illustrerer virkningen af at variere forholdet imellem ledende materiale og glasfritte. Eksempel 2, 3, 4 og 5 illustrerer virkningen af at variere forholdet imellem tantaloxid og tinoxid i det nævnte ledende materiale. Eksempel 4, 6, 7 og 8 illustrerer 25 varmebehandlingens indvirkning. Eksempel 1, 7 og 9 illustrerer indvirkningen af glasfrittens sammensætning. Af disse eksempler ses det, at modstandsmaterialet ifølge opfindelsen kan give modstande med en stor specifik modstand og en forholdsvis lille temperaturkoefficient.
30 Kurve B i fig. 2 viser temperaturkoefficienter for modstandsmaterialer med forskellige specifikke modstande. Kurve A i samme figur viser temperaturkoefficienter for forskellige glasagtige emalje-modstandsmaterialer, i hvilke det ledende
Claims (18)
1. Elektrisk modstand omfattende et keramisk substrat (12) med et lag modstandsmateriale (14) på overfladen, hvor modstandsmaterialet indeholder partikler (18) af et elektrisk 20 ledende materiale, kendetegnet ved, at det elektrisk ledende materiale omfatter (a) en blanding af tin= oxid og tantaloxid eller (b) en blanding af tinoxid, tan= taloxid og produkter fra en varmebehandling af tinoxid og tantaloxid indlejret i og fuldstændigt fordelt i en 25 glasfritte (16).
2. Modstand ifølge krav 1, kendetegnet ved, at modstandsmaterialet indeholder glasfritte i en mængde på 30-70 volumen!, fortrinsvis 40-60 volumen!.
3. Modstand ifølge krav 2, kendetegnet ved, at 30 det elektrisk ledende materiale indeholder 0,5-50 vægt! tantaloxid. 143477
4. Modstand ifølge krav 1,kendetegnet ved, at det elektrisk ledende materiale udgøres af en blanding af tinoxid og tantaloxid.
5. Modstand ifølge krav 1, kendetegnet ved, at 5 det elektrisk ledende materiale indeholder produkter fra en varmebehandling af en blanding af tinoxid og tantaloxid.
6. Modstand ifølge krav 3, kendetegnet ved, at glasfritten udgøres af borsilikatglas.
7. Modstand ifølge krav 6, kendete g· net ved, at 10 borsilikatglasset er et jordalkaliborsilikatglas.
8. Glasagtigt emalje-modstandsmateriale til fremstilling af en elektrisk modstand ifølge krav 1, og som omfatter en blanding af en glasfritte (16) og partikler (18) af et elektrisk ledende materiale indeholdende metaloxider, kende- 15 tegnet ved, at det elektrisk ledende materiale omfatter (a) en blanding af tinoxid og tantaloxid eller (b) en blanding af tinoxid og tantaloxid og produkter fra en varmebehandling af blandingen af tinoxid og tantaloxid.
9. Emalje-modstandsmateriale ifølge krav 8, kendete g-20 net ved, at det indeholder glasfritre i en mængde på 30-7Q volumens, fortrinsvis 40-60 volumens.
10. Emalje-modstandsmateriale ifølge krav 9, kendetegnet ved, at det elektrisk ledende materiale indeholder 0,5-50 vægt% tantaloxid.
11. Emalje-modstandsmateriale ifølge krav 10, kende tegnet ved, at det elektrisk ledende materiale indeholder en blanding af tinoxid og tantaloxid.
12. Emalje-modstandsmateriale ifølge krav 10, kende- 143477 tegnet ved, at det elektrisk ledende materiale indeholder produkter fra en varmebehandling af blandingen af tinoxid og tantaloxid.
13. Emalje-modstandsmateriale ifølge krav 10, kende-5 tegnet ved, at glasfritten udgøres af borsilikatglas.
14. Emalje-modstandsmateriale ifølge krav 13, kendetegnet ved, at borsilikatglasset er et jordalkali= borsilikatglas.
15. Fremgangsmåde til fremstilling af en elektrisk modstand 10 ifølge krav 1, kendetegnet ved, at man sammenblander en glasfritte (16) med fine partikler (18) af et elektrisk ledende materiale omfattende (a) en blanding af tinoxid og tantaloxid eller (b) en blanding af tinoxid, tantaloxid og produkter fremkommet ved en varmebehandling 15 af en blanding indeholdende tinoxid og tantaloxid, påfører denne blanding på overfladen af et substrat (12) og brænder det dækkede substrat til glasfrittens smeltepunkt i en i hovedsagen inaktiv atmosfære.
16. Fremgangsmåde ifølge krav 15, kendetegnet 20 ved, at tinoxidet og tantaloxidet sammenblandes, derefter varmebehandles og bearbejdes til fine partikler af et ledende materiale, inden dette ledende materiale blandes med glasfritten (16).
17. Fremgangsmåde ifølge krav 16, kendetegnet 25 ved, at det ledende materiale varmebehandles ved ca. 525°C i en gasatmosfære i op til 10 minutter og derefter afkøles under bibeholdelse af gasatmosfæren.
18. Fremgangsmåde ifølge krav 16, kendetegnet ved, at det ledende materiale varmebehandles i en ovn med 30 en maksimumtemperatur på 1000°C i ca. 1 time, idet varmebehandlingen sker i en nitrogenatmosfære.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/560,785 US4065743A (en) | 1975-03-21 | 1975-03-21 | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US56078575 | 1975-03-21 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK122076A DK122076A (da) | 1976-09-22 |
| DK143477B true DK143477B (da) | 1981-08-24 |
| DK143477C DK143477C (da) | 1981-12-21 |
Family
ID=24239363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK122076A DK143477C (da) | 1975-03-21 | 1976-03-19 | Elektrisk modstand samt modstandsmateriale og fremgangsmaade til fremstilling af samme |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4065743A (da) |
| JP (2) | JPS5931201B2 (da) |
| AU (1) | AU498091B2 (da) |
| CA (1) | CA1063796A (da) |
| DE (1) | DE2609356A1 (da) |
| DK (1) | DK143477C (da) |
| FR (1) | FR2304998A1 (da) |
| GB (1) | GB1511601A (da) |
| IT (1) | IT1125242B (da) |
| NL (1) | NL184267C (da) |
| SE (1) | SE409922B (da) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4065743A (en) * | 1975-03-21 | 1977-12-27 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| JPS5366561A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thick film varistor composition |
| US4101707A (en) * | 1977-04-04 | 1978-07-18 | Rockwell International Corporation | Homogeneous multilayer dielectric mirror and method of making same |
| US4215020A (en) * | 1978-04-03 | 1980-07-29 | Trw Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4340508A (en) * | 1979-01-29 | 1982-07-20 | Trw Inc. | Resistance material, resistor and method of making the same |
| US4293838A (en) * | 1979-01-29 | 1981-10-06 | Trw, Inc. | Resistance material, resistor and method of making the same |
| US4380750A (en) * | 1981-07-06 | 1983-04-19 | Rca Corporation | Indium oxide resistor inks |
| US4379195A (en) * | 1981-07-06 | 1983-04-05 | Rca Corporation | Low value resistor inks |
| FR2512262B1 (fr) * | 1981-08-28 | 1986-04-25 | Trw Inc | Materiau emaille a resistance, resistance electrique et leur procede de fabrication |
| DE3134584A1 (de) * | 1981-09-01 | 1983-03-10 | TRW Inc., Los Angeles, Calif. | Widerstandsmaterial, elektrischer widerstand und verfahren zu dessen herstellung |
| US4707346A (en) * | 1982-06-01 | 1987-11-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
| US4548741A (en) * | 1982-06-01 | 1985-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
| JPS58219703A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-21 | イ−・アイ・デユ・ポン・ドウ・ヌム−ル・アンド・カンパニ− | 酸化錫を含む導電相の製造方法 |
| US4613539A (en) * | 1982-06-01 | 1986-09-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for doping tin oxide |
| US4452844A (en) * | 1983-01-21 | 1984-06-05 | Rca Corporation | Low value resistor inks |
| US4467009A (en) * | 1983-01-21 | 1984-08-21 | Rca Corporation | Indium oxide resistor inks |
| US4537703A (en) * | 1983-12-19 | 1985-08-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass compositions |
| US4536329A (en) * | 1983-12-19 | 1985-08-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Borosilicate glass compositions |
| US4548742A (en) * | 1983-12-19 | 1985-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions |
| US4536328A (en) * | 1984-05-30 | 1985-08-20 | Heraeus Cermalloy, Inc. | Electrical resistance compositions and methods of making the same |
| JPS61189604A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | 松下電器産業株式会社 | サ−ジ吸収器 |
| US4655965A (en) * | 1985-02-25 | 1987-04-07 | Cts Corporation | Base metal resistive paints |
| US4651126A (en) * | 1985-05-02 | 1987-03-17 | Shailendra Kumar | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| JPS61256506A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | 工業技術院長 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
| US4720418A (en) * | 1985-07-01 | 1988-01-19 | Cts Corporation | Pre-reacted resistor paint, and resistors made therefrom |
| US4711803A (en) * | 1985-07-01 | 1987-12-08 | Cts Corporation | Megohm resistor paint and resistors made therefrom |
| US5043302A (en) * | 1988-03-25 | 1991-08-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Glassy binder system for ceramic substrates, thick films and the like |
| JPH07109808B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1995-11-22 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性複合粉末の製造方法及びその粉末を用いた抵抗組成物 |
| JP2802770B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-09-24 | 昭栄化学工業株式会社 | 抵抗組成物 |
| US5463367A (en) * | 1993-10-14 | 1995-10-31 | Delco Electronics Corp. | Method for forming thick film resistors and compositions therefor |
| GB9321481D0 (en) * | 1993-10-18 | 1993-12-08 | Alcan Int Ltd | Tin oxide |
| US5569412A (en) * | 1994-08-18 | 1996-10-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tin oxide based conductive powders and coatings |
| US20050062585A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-03-24 | Tdk Corporation | Resistor and electronic device |
| US20060162381A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Ohmite Holdings, Llc | Method of manufacturing tin oxide-based ceramic resistors & resistors obtained thereby |
| FR3087775B1 (fr) | 2018-10-24 | 2022-12-02 | Arkema France | Poudres de copolyamide a basse temperature de fusion |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2564706A (en) * | 1946-05-02 | 1951-08-21 | Corning Glass Works | Coated resistance |
| US2564708A (en) * | 1947-09-03 | 1951-08-21 | Corning Glass Works | Heat screen |
| US2564707A (en) * | 1947-09-03 | 1951-08-21 | Corning Glass Works | Electrically conducting coatings on glass and other ceramic bodies |
| US2564709A (en) * | 1950-11-24 | 1951-08-21 | Corning Glass Works | Electrically conducting coating on glass and other ceramic bodies |
| FR1142646A (fr) * | 1956-02-11 | 1957-09-20 | Cedel | Nouvelles résistances électriques et leurs procédés de réalisation |
| GB857400A (en) | 1958-10-27 | 1960-12-29 | Welwyn Electric Ltd | Improvements in or relating to electrical resistors |
| GB982600A (en) | 1962-10-04 | 1965-02-10 | British Ceramic Res Ass | Improvements in and relating to glazes for ceramic articles |
| GB1031651A (en) | 1964-01-31 | 1966-06-02 | Welwyn Electric Ltd | Improvements in the manufacture of oxide mixes |
| JPS529314B2 (da) * | 1972-09-22 | 1977-03-15 | ||
| US3914514A (en) * | 1973-08-16 | 1975-10-21 | Trw Inc | Termination for resistor and method of making the same |
| US4065743A (en) * | 1975-03-21 | 1977-12-27 | Trw, Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
-
1975
- 1975-03-21 US US05/560,785 patent/US4065743A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-03-06 DE DE19762609356 patent/DE2609356A1/de not_active Ceased
- 1976-03-09 GB GB9280/76A patent/GB1511601A/en not_active Expired
- 1976-03-18 IT IT83609/76A patent/IT1125242B/it active
- 1976-03-18 AU AU12127/76A patent/AU498091B2/en not_active Expired
- 1976-03-19 FR FR7607943A patent/FR2304998A1/fr active Granted
- 1976-03-19 SE SE7603472A patent/SE409922B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-03-19 CA CA248,266A patent/CA1063796A/en not_active Expired
- 1976-03-19 DK DK122076A patent/DK143477C/da not_active IP Right Cessation
- 1976-03-22 JP JP51031146A patent/JPS5931201B2/ja not_active Expired
- 1976-03-22 NL NLAANVRAGE7602996,A patent/NL184267C/xx not_active IP Right Cessation
-
1983
- 1983-07-29 JP JP58139319A patent/JPS5946007A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE409922B (sv) | 1979-09-10 |
| SE7603472L (sv) | 1976-09-22 |
| US4065743A (en) | 1977-12-27 |
| IT1125242B (it) | 1986-05-14 |
| DK143477C (da) | 1981-12-21 |
| NL7602996A (nl) | 1976-09-23 |
| AU1212776A (en) | 1977-09-22 |
| CA1063796A (en) | 1979-10-09 |
| GB1511601A (en) | 1978-05-24 |
| FR2304998A1 (fr) | 1976-10-15 |
| JPS5931201B2 (ja) | 1984-07-31 |
| AU498091B2 (en) | 1979-02-08 |
| JPS5946007A (ja) | 1984-03-15 |
| FR2304998B1 (da) | 1981-11-20 |
| JPS6314841B2 (da) | 1988-04-01 |
| JPS51125898A (en) | 1976-11-02 |
| DE2609356A1 (de) | 1976-10-07 |
| NL184267B (nl) | 1989-01-02 |
| NL184267C (nl) | 1989-06-01 |
| DK122076A (da) | 1976-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DK143477B (da) | Elektrisk modstand samt modstandsmateriale og fremgangsmaade til fremstilling af samme | |
| DK161279B (da) | Elektrisk modstand | |
| JPS58151345A (ja) | 低誘電率ガラス組成物 | |
| JP3800256B2 (ja) | 絶縁用ガラス組成物 | |
| US4168344A (en) | Vitreous enamel material for electrical resistors and method of making such resistors | |
| US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| US4322477A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| NO117185B (da) | ||
| US4378409A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| EP0012002B1 (en) | Glaze resistor compositions | |
| JP3424700B2 (ja) | 絶縁用ガラス組成物 | |
| DK143820B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af en elektrisk modstand | |
| JPS644321B2 (da) | ||
| US4146677A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPS6326522B2 (da) | ||
| US4137519A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPH0225241B2 (da) | ||
| JPS6312326B2 (da) | ||
| US3864159A (en) | Capacitor having thick-film glass-ceramic dielectric layer and method for manufacture | |
| JPH0239463B2 (da) | ||
| JPH0416420B2 (da) | ||
| DK145150B (da) | Elektrisk modstandsmateriale af glasur-emalje | |
| JPS623777B2 (da) | ||
| JPH0551543B2 (da) | ||
| SU780231A1 (ru) | Токопровод ща пленка дл резистивного нагревател |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PBP | Patent lapsed |