JPS61256506A - 低抵抗透明導電膜の生成方法 - Google Patents
低抵抗透明導電膜の生成方法Info
- Publication number
- JPS61256506A JPS61256506A JP60096073A JP9607385A JPS61256506A JP S61256506 A JPS61256506 A JP S61256506A JP 60096073 A JP60096073 A JP 60096073A JP 9607385 A JP9607385 A JP 9607385A JP S61256506 A JPS61256506 A JP S61256506A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- film
- tin oxide
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示板や太陽電池等の透明電極に好適な低
抵抗透明導電膜及びその導電膜生成方法に関するもので
ある。
抵抗透明導電膜及びその導電膜生成方法に関するもので
ある。
［従来の技術］
従来、液晶表示板や、太陽電池等の透明電極に用いる透
明導電膜としては、酸化錫膜（例えばネサ膜）または酸
化インジウムを主成分としたＩＴＯ膜が広く用いられて
いる。
明導電膜としては、酸化錫膜（例えばネサ膜）または酸
化インジウムを主成分としたＩＴＯ膜が広く用いられて
いる。
［発明が解決しようとする問題点］
酸化錫による透明導電膜は一般に塩化錫にドーパントと
して塩化アンチモンを添加した膜生成組成物を使用して
ＣＶＤ法により膜生成させるが、このＣＶＤ法では膜厚
を均一にすることが困難である上、膜生成過程で塩化水
素が発生するため公害処理設備を必要とする等の問題が
ある。最近、提案されている真空蒸着法やスパッタリン
グ法等の物理的生成方法による酸化錫透明導電膜はＣＶ
Ｄ法による欠点をもたないが、Ｓ電膜の比抵抗はＩＴＯ
膜には及ばない。しかし、ＩＴＯ膜は比抵抗が１０−４
のオーダーを示し抵抗値が低いという長所はあるが、特
に太陽電池の透明電極として用いた場合には、ＩＴＯ膜
のインジウム（Ｉｎ）が太陽電池の内部に拡散し、光電
変換効率を低下させたり、寿命を短くしたりする等の問
題がある。
して塩化アンチモンを添加した膜生成組成物を使用して
ＣＶＤ法により膜生成させるが、このＣＶＤ法では膜厚
を均一にすることが困難である上、膜生成過程で塩化水
素が発生するため公害処理設備を必要とする等の問題が
ある。最近、提案されている真空蒸着法やスパッタリン
グ法等の物理的生成方法による酸化錫透明導電膜はＣＶ
Ｄ法による欠点をもたないが、Ｓ電膜の比抵抗はＩＴＯ
膜には及ばない。しかし、ＩＴＯ膜は比抵抗が１０−４
のオーダーを示し抵抗値が低いという長所はあるが、特
に太陽電池の透明電極として用いた場合には、ＩＴＯ膜
のインジウム（Ｉｎ）が太陽電池の内部に拡散し、光電
変換効率を低下させたり、寿命を短くしたりする等の問
題がある。
本発明の目的は均一な膜厚を再現性良く容易に得ること
ができて、公害の虞れがない真空蒸着法やスパッタリン
グ法によって、ＩＴＯ膜のもつ問題点を有しない低抵抗
酸化錫透明ＩＸ電膜及びその導電膜の生成方法を提案づ
るものである。
ができて、公害の虞れがない真空蒸着法やスパッタリン
グ法によって、ＩＴＯ膜のもつ問題点を有しない低抵抗
酸化錫透明ＩＸ電膜及びその導電膜の生成方法を提案づ
るものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、酸化錫を主成分とする低抵抗透明導電膜にお
いて、酸化錫に酸化タンタルを添加したことを特徴とす
るものである。
いて、酸化錫に酸化タンタルを添加したことを特徴とす
るものである。
また本発明の低抵抗透明導電膜の生成方法は、活性化反
応真空蒸着法、イオンプレーティング真空蒸着法または
マグネトロンスパッタリング法により上記低抵抗透明導
電膜を生成する方法である。
応真空蒸着法、イオンプレーティング真空蒸着法または
マグネトロンスパッタリング法により上記低抵抗透明導
電膜を生成する方法である。
活性化反応真空蒸着法により低抵抗透明導電膜を生成す
る本発明の方法においては、酸化錫に０．５〜１０重量
％（全量に対する重量％）の酸化タンタルを添加してな
る膜生成用組成物を蒸発材料として用い、基板温度を１
００〜４００℃、酸素分圧をｌＸ１０”４〜５ｘ １Ｏ
−４Ｔｏｒｒ１高周波電力を１０〜２００Ｗとして前記
膜生成用組成物を蒸発させ、蒸着速度を０．０５〜１０
Å／秒として前記基板上に膜生成させる。
る本発明の方法においては、酸化錫に０．５〜１０重量
％（全量に対する重量％）の酸化タンタルを添加してな
る膜生成用組成物を蒸発材料として用い、基板温度を１
００〜４００℃、酸素分圧をｌＸ１０”４〜５ｘ １Ｏ
−４Ｔｏｒｒ１高周波電力を１０〜２００Ｗとして前記
膜生成用組成物を蒸発させ、蒸着速度を０．０５〜１０
Å／秒として前記基板上に膜生成させる。
イオンプレーティング真空蒸着法により低抵抗透明導電
膜を生成する本発明の方法においては、酸化錫に０．５
〜１０重量％の酸化タンタルを添加してなる膜生成用組
成物を蒸発材料として用い、基板温度を８０〜４００℃
、酸素分圧を１ＸＩＯ−４〜５Ｘ１０−’ ＴＯｒｒ、
高周波電力を１０〜２００Ｗとして前記酸化錫及び酸化
タンタルを蒸発させ、直流バイアス電圧を−１００〜−
１０００Ｖ、蒸着速度を０．０５〜１０Å／秒として前
記基板上に膜生成させる。
膜を生成する本発明の方法においては、酸化錫に０．５
〜１０重量％の酸化タンタルを添加してなる膜生成用組
成物を蒸発材料として用い、基板温度を８０〜４００℃
、酸素分圧を１ＸＩＯ−４〜５Ｘ１０−’ ＴＯｒｒ、
高周波電力を１０〜２００Ｗとして前記酸化錫及び酸化
タンタルを蒸発させ、直流バイアス電圧を−１００〜−
１０００Ｖ、蒸着速度を０．０５〜１０Å／秒として前
記基板上に膜生成させる。
マグネトロンスパッタリング法により低抵抗透明導電膜
を生成させる本発明の方法においては、酸化錫に５〜１
８重量％の酸化タンタルを添加した膜生成用組成物を陰
極物質として用い、基板温度を１００〜４００℃、酸素
分圧をｌＸ１０−’〜７Ｘ１０−４ＴＯｒｒとして陰極
物質をスパッタさせ、膜生成速度を１０〜３０Å／秒と
して前記基板上に膜生成させる。
を生成させる本発明の方法においては、酸化錫に５〜１
８重量％の酸化タンタルを添加した膜生成用組成物を陰
極物質として用い、基板温度を１００〜４００℃、酸素
分圧をｌＸ１０−’〜７Ｘ１０−４ＴＯｒｒとして陰極
物質をスパッタさせ、膜生成速度を１０〜３０Å／秒と
して前記基板上に膜生成させる。
［発明の作用］
酸化錫に酸化タンタルを添加しない膜生成用組成物を用
いた透明導電膜の比抵抗値は、１０−２Ωｃｒｘのオー
ダーであるが、上記のように酸化錫に酸化タンタルを添
加した膜生成用組成物を用いると、透明導電膜の比抵抗
値を１０−３〜１０−４Ωαのオーダーの低い値にする
ことができた。
いた透明導電膜の比抵抗値は、１０−２Ωｃｒｘのオー
ダーであるが、上記のように酸化錫に酸化タンタルを添
加した膜生成用組成物を用いると、透明導電膜の比抵抗
値を１０−３〜１０−４Ωαのオーダーの低い値にする
ことができた。
［実施例］
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
実施例１
透明導電膜を生成するための膜生成用組成物として、酸
化錫に酸化タンタルをドーパントとじて添加したものを
用い、活性化反応真空蒸着法により、ガラス基板上に酸
化錫透明導電膜を生成させた。
化錫に酸化タンタルをドーパントとじて添加したものを
用い、活性化反応真空蒸着法により、ガラス基板上に酸
化錫透明導電膜を生成させた。
第１図は本実施例で用いた真空蒸着装置の構成の概略を
示したもので、同図において１は接地されているベース
、２はベース１の上に伏せた状態で着脱可能に配置され
てフランジ部２ａにより気密保持が図られた釣鐘状のチ
ャンバであり、ベース１及びチャンバ２は接地されてい
る。ベース１にはバルブ３及び４を介してガス導入管５
及σ排気管６が接続され、これらガス導入管５及び排気
管６の一端はチャンバ２内に開口している。ガス導入管
５の他端には図示しない流量制御部を介して酸素ガスボ
ンベ及びアルゴンガスボンベのガス供給源が接続されて
いる。排気管６の他端には図示しない真空ポンプ等の排
気装置が接続され、この排気装置を駆動することにより
チャンバ２内を真空状態にすることができるようになっ
ている。
示したもので、同図において１は接地されているベース
、２はベース１の上に伏せた状態で着脱可能に配置され
てフランジ部２ａにより気密保持が図られた釣鐘状のチ
ャンバであり、ベース１及びチャンバ２は接地されてい
る。ベース１にはバルブ３及び４を介してガス導入管５
及σ排気管６が接続され、これらガス導入管５及び排気
管６の一端はチャンバ２内に開口している。ガス導入管
５の他端には図示しない流量制御部を介して酸素ガスボ
ンベ及びアルゴンガスボンベのガス供給源が接続されて
いる。排気管６の他端には図示しない真空ポンプ等の排
気装置が接続され、この排気装置を駆動することにより
チャンバ２内を真空状態にすることができるようになっ
ている。
またチャンバ２内は図示しないリークバルブにより外気
と連通させ得るようにもなっている。
と連通させ得るようにもなっている。
チャンバ２内のベース１上には、電子ビーム発生器７が
設置されている。この電子ビーム発生器７は、その上部
にペレット装填用凹部７ａを備え、該凹部内には、酸化
錫（ＳｎＯ２）に酸化タンタル（Ｔａ２０ｓ ）を０．
５〜１０重發％添加した膜生成用組成物（Ｆ！発材料）
８のペレットが装填されている。
設置されている。この電子ビーム発生器７は、その上部
にペレット装填用凹部７ａを備え、該凹部内には、酸化
錫（ＳｎＯ２）に酸化タンタル（Ｔａ２０ｓ ）を０．
５〜１０重發％添加した膜生成用組成物（Ｆ！発材料）
８のペレットが装填されている。
チャンバ２内の上部には、相対向させて配置された平行
平板からなる高周波放電電極９．９が取付けられている
。高周波放電電極９，９の一方は、ベース１を気密に貫
通させて取付けられたブッシングＢを通して高周波の高
電圧を出力する高周波電源１０に接続され、他方は接地
されている。チャンバ２内の高周波電極９．９の上方の
ペレット装填用凹部７ａに対向する位置に大径の貫通孔
（図示せず）を有する基板ホルダ１１が設けられている
。この基板ホルダ１１はブッシングＢ及びスイッチＳ２
を介して直流のバイアス電源１４の負電極に接続され、
バイアス電源１４の正電極は接地されている。また、基
板ホルダ１１はスイッチＳ１を介して接地できるように
なっている。基板ホルダ１１の上にはガラス等の基板１
２が載置される。
平板からなる高周波放電電極９．９が取付けられている
。高周波放電電極９，９の一方は、ベース１を気密に貫
通させて取付けられたブッシングＢを通して高周波の高
電圧を出力する高周波電源１０に接続され、他方は接地
されている。チャンバ２内の高周波電極９．９の上方の
ペレット装填用凹部７ａに対向する位置に大径の貫通孔
（図示せず）を有する基板ホルダ１１が設けられている
。この基板ホルダ１１はブッシングＢ及びスイッチＳ２
を介して直流のバイアス電源１４の負電極に接続され、
バイアス電源１４の正電極は接地されている。また、基
板ホルダ１１はスイッチＳ１を介して接地できるように
なっている。基板ホルダ１１の上にはガラス等の基板１
２が載置される。
基板ホルダ１１の上方には基板１２を加熱するためのヒ
ータ１３が設けられて、図示しない電源に接続されてい
る。
ータ１３が設けられて、図示しない電源に接続されてい
る。
電子ビーム発生器７はその側面から電子ビームＥＢを発
射するように構成され、発射された電子ビームＥＢは電
子ビーム発生器７に内蔵された図示しない偏向コイルに
より偏向されてペレット装填用凹部７ａ内に装填された
膜生成用組成物８に入射するようになっている。
射するように構成され、発射された電子ビームＥＢは電
子ビーム発生器７に内蔵された図示しない偏向コイルに
より偏向されてペレット装填用凹部７ａ内に装填された
膜生成用組成物８に入射するようになっている。
本実施例では、上記の真空蒸着装置を用いて、先ず電子
ビーム発生器７のペレット装填用凹部７ａ内に膜生成用
組成物（蒸発材料）を装填し、ガラス基板１２を基板ホ
ルダ１１の上に載置した。
ビーム発生器７のペレット装填用凹部７ａ内に膜生成用
組成物（蒸発材料）を装填し、ガラス基板１２を基板ホ
ルダ１１の上に載置した。
次いでチャンバ２をベース１の上に載置してバルブ３を
閉じ、排気管６に接続した図示しない排気装置によりチ
ャンバ２内を真空状態にした。チャンバ２内が所定の真
空状態になった時にヒータ１３に通電して基板１２を昇
温させ、基板１２の温度が１００〜４００℃となり、チ
ャンバ２内の真空度が４ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下にな
った時にガス導入管のバルブ３を問いてチャンバ２内に
酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを導入した。この
場合、チャンバ２内の酸素ガスの分圧をｌＸ１０−４〜
５Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、アルゴンガスの分圧を３Ｘ １
０−’ 〜ＩＸ １Ｏ−３Ｔｏｒｒとし、高周波放電電
極９．９間に１０〜２００Ｗの高周波電力を供給すると
共に、スイッチＳ２を開き、スイッチＳ１を閉じて基板
ホルダ１１を接地した。そして電子ビーム発生器７を作
動させて電子ビームＥＢを発生させ、該電子ビームによ
り膜生成用組成物８を加熱蒸発させて基板１２の下面に
酸化錫の透明Ｓ電膜を生成させた。この場合、基板１２
に透明導電膜が、０．０５〜１０Å／秒の蒸着速度で生
成されるように膜生成用組成物８を蒸発させた。
閉じ、排気管６に接続した図示しない排気装置によりチ
ャンバ２内を真空状態にした。チャンバ２内が所定の真
空状態になった時にヒータ１３に通電して基板１２を昇
温させ、基板１２の温度が１００〜４００℃となり、チ
ャンバ２内の真空度が４ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下にな
った時にガス導入管のバルブ３を問いてチャンバ２内に
酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを導入した。この
場合、チャンバ２内の酸素ガスの分圧をｌＸ１０−４〜
５Ｘ１０−４Ｔｏｒｒ、アルゴンガスの分圧を３Ｘ １
０−’ 〜ＩＸ １Ｏ−３Ｔｏｒｒとし、高周波放電電
極９．９間に１０〜２００Ｗの高周波電力を供給すると
共に、スイッチＳ２を開き、スイッチＳ１を閉じて基板
ホルダ１１を接地した。そして電子ビーム発生器７を作
動させて電子ビームＥＢを発生させ、該電子ビームによ
り膜生成用組成物８を加熱蒸発させて基板１２の下面に
酸化錫の透明Ｓ電膜を生成させた。この場合、基板１２
に透明導電膜が、０．０５〜１０Å／秒の蒸着速度で生
成されるように膜生成用組成物８を蒸発させた。
所定の膜厚の透明導電膜が生成された後、ヒータ１３へ
の通電を停止させて基板１２の温度を下げ、図示しない
リークバルブから外気を流入させてチャンバ２内を大気
圧に戻し、チャンバ２をペース１から外して基板１２を
取出した。
の通電を停止させて基板１２の温度を下げ、図示しない
リークバルブから外気を流入させてチャンバ２内を大気
圧に戻し、チャンバ２をペース１から外して基板１２を
取出した。
本実施例では、酸化錫に添加する酸化タンタルのドーパ
ント量を０〜１２重量％の範囲で種々変えて上記の操作
を繰返し行い、膜厚が２００人の透明導電膜を生成して
その比抵抗値を測定した。その結果ドーパント量（全量
に対する重量％）に対する比抵抗（Ωα）の特性は第２
図の曲線ａの通りで、比抵抗の最低値は約ａｘｉｏ−’
Ωαであった。
ント量を０〜１２重量％の範囲で種々変えて上記の操作
を繰返し行い、膜厚が２００人の透明導電膜を生成して
その比抵抗値を測定した。その結果ドーパント量（全量
に対する重量％）に対する比抵抗（Ωα）の特性は第２
図の曲線ａの通りで、比抵抗の最低値は約ａｘｉｏ−’
Ωαであった。
なお、この場合の測定値は○印でプロットしである。
第２図の曲線ａから明らかなように、酸化タンタルのド
ーパントを用いない場合の比抵抗は１．１ｘｉｏ−’Ω
αであるのに対−し、酸化タンタルのドーパントを用い
ることにより、比抵抗を１０−３〜１０−４Ωαオーダ
ーに引下げ得ることが明らかになった。
ーパントを用いない場合の比抵抗は１．１ｘｉｏ−’Ω
αであるのに対−し、酸化タンタルのドーパントを用い
ることにより、比抵抗を１０−３〜１０−４Ωαオーダ
ーに引下げ得ることが明らかになった。
また本発明の透明導電膜生成粗生物を用いて得られた酸
化物透明導電膜と、ドーパントを添加しないで得られた
酸化物透明導電膜とについて透過率を測定した所、両者
の間に透過率の差はなく、酸化タンタルを加えたことに
よる透過率の低下は認められなかった。
化物透明導電膜と、ドーパントを添加しないで得られた
酸化物透明導電膜とについて透過率を測定した所、両者
の間に透過率の差はなく、酸化タンタルを加えたことに
よる透過率の低下は認められなかった。
第２図から明らかなように、酸化タンタルのドーパント
を添加して比抵抗値を１桁乃至２桁低下させる効果を出
すためには、酸化タンタルのドーパント量を０．５〜１
０重量％の範囲に設定する必要がある。特に、ドーパン
ト量を４％とした場合に最も低い比抵抗値〈約８Ｘ１Ｇ
−’Ωｃｎ）を得ることができる。
を添加して比抵抗値を１桁乃至２桁低下させる効果を出
すためには、酸化タンタルのドーパント量を０．５〜１
０重量％の範囲に設定する必要がある。特に、ドーパン
ト量を４％とした場合に最も低い比抵抗値〈約８Ｘ１Ｇ
−’Ωｃｎ）を得ることができる。
このように、酸化錫に０．５〜１０重量％の酸化タンタ
ルをドーパントとして添加して活性化反応真空蒸着法に
より膜生成させると、膜厚が均一でしかも従来の酸化錫
透明導電膜より１桁乃至２桁比抵抗値が低い低抵抗酸化
錫透明導電膜を得ることができる。
ルをドーパントとして添加して活性化反応真空蒸着法に
より膜生成させると、膜厚が均一でしかも従来の酸化錫
透明導電膜より１桁乃至２桁比抵抗値が低い低抵抗酸化
錫透明導電膜を得ることができる。
実施例２
本実施例では第１図と同様の装置を用い、実施例１で用
いたものと同一の膜生成用組成物８を用いて、基板ホル
ダー１１に負の直流バイアスをかけるイオンプレーティ
ング真空蒸着法により透明導電膜を生成した。
いたものと同一の膜生成用組成物８を用いて、基板ホル
ダー１１に負の直流バイアスをかけるイオンプレーティ
ング真空蒸着法により透明導電膜を生成した。
このイオンプレーティング真空蒸着法により透明導電膜
を生成する場合には基板温度を８０〜４００℃の範囲に
設定する。酸素ガス分圧、アルゴンガス分圧及び蒸着速
度は活性化反応真空蒸着法による場合と同様である。ま
た高周波放電電極９，９間に供給する高周波電力も１０
〜２００Ｗと、活性化反応真空蒸着法による場合と同様
であるが、イオンプレーティング真空蒸着法による場合
には、スイッチＳ１を開くとともにスイッチＳ２を閉じ
て電極９，９間に−１００〜−１０００Ｖの直流バイア
ス電圧を印加する。イオンプレーティング法により透明
導電膜を生成した場合のドーパント量に対する透明導電
膜の比抵抗値の特性は実施例１と同様に第２図の曲線ａ
の通りであり、この場合の測定値はΔ印でプロットしで
ある。従って比抵抗値を１桁乃至２桁低下させる効果を
得るために必要なドーパン間の範囲は実施例１の場合と
同様である。またこの場合も、得られた透明導電膜の透
過率は従来の酸化錫透明導電膜の透過率と同様であり、
酸化タンタノＣを加えたことによる透過率の低下は認め
られなかった。
を生成する場合には基板温度を８０〜４００℃の範囲に
設定する。酸素ガス分圧、アルゴンガス分圧及び蒸着速
度は活性化反応真空蒸着法による場合と同様である。ま
た高周波放電電極９，９間に供給する高周波電力も１０
〜２００Ｗと、活性化反応真空蒸着法による場合と同様
であるが、イオンプレーティング真空蒸着法による場合
には、スイッチＳ１を開くとともにスイッチＳ２を閉じ
て電極９，９間に−１００〜−１０００Ｖの直流バイア
ス電圧を印加する。イオンプレーティング法により透明
導電膜を生成した場合のドーパント量に対する透明導電
膜の比抵抗値の特性は実施例１と同様に第２図の曲線ａ
の通りであり、この場合の測定値はΔ印でプロットしで
ある。従って比抵抗値を１桁乃至２桁低下させる効果を
得るために必要なドーパン間の範囲は実施例１の場合と
同様である。またこの場合も、得られた透明導電膜の透
過率は従来の酸化錫透明導電膜の透過率と同様であり、
酸化タンタノＣを加えたことによる透過率の低下は認め
られなかった。
実施例３
本実施例では、真空蒸着法に代えて、マグネトロンスパ
ッタリング法により前記と同一の膜生成組成物を用いて
透明導電膜を生成させた。
ッタリング法により前記と同一の膜生成組成物を用いて
透明導電膜を生成させた。
本実施例では、基板の温度を１００〜４００℃とし、酸
素ガス分圧をＩＸ １０−４〜７Ｘ １０−’ ＴＯｒ
ｒ１膜生成速度を１０〜３０Å／秒とした。そして酸化
錫に酸化タンタルをドーパントとして添加した膜生成組
成物を陰極として用い、該陰極と陽極との間に電圧を印
加して陰極物質（膜生成組成物）をスパッタさせること
により基板上に透明導電膜を生成させた。この場合、酸
化錫に添加する酸化タンタルのドーパント量を種々変え
て透明導電膜を生成する実験を行ったところ、ドーパン
ト量に対する膜の比抵抗値の特性は第２図の曲線すに示
す通りであった。同曲線から明らかなように、ド“−パ
ントを添加しない場合の比抵抗は４Ｘ１０−２Ωｃｍで
あったが、酸化タンタルのドーパント量を５〜１８重量
％とじた場合に１桁乃至２桁低い、１０−３〜１０−４
Ω１のオーダーの比抵抗値を有する低抵抗導電膜を得る
ことができた。ドーパントけを１０重量％とした場合に
最も低い比抵抗値（約９Ｘ１０−４Ωα）を得ることが
できた。またこの場合も透過率の低下は認められなかっ
た。
素ガス分圧をＩＸ １０−４〜７Ｘ １０−’ ＴＯｒ
ｒ１膜生成速度を１０〜３０Å／秒とした。そして酸化
錫に酸化タンタルをドーパントとして添加した膜生成組
成物を陰極として用い、該陰極と陽極との間に電圧を印
加して陰極物質（膜生成組成物）をスパッタさせること
により基板上に透明導電膜を生成させた。この場合、酸
化錫に添加する酸化タンタルのドーパント量を種々変え
て透明導電膜を生成する実験を行ったところ、ドーパン
ト量に対する膜の比抵抗値の特性は第２図の曲線すに示
す通りであった。同曲線から明らかなように、ド“−パ
ントを添加しない場合の比抵抗は４Ｘ１０−２Ωｃｍで
あったが、酸化タンタルのドーパント量を５〜１８重量
％とじた場合に１桁乃至２桁低い、１０−３〜１０−４
Ω１のオーダーの比抵抗値を有する低抵抗導電膜を得る
ことができた。ドーパントけを１０重量％とした場合に
最も低い比抵抗値（約９Ｘ１０−４Ωα）を得ることが
できた。またこの場合も透過率の低下は認められなかっ
た。
以上の実施例１．２．３で明らかなように、酸化錫に酸
化タンタルをドーパントとして添加したものを膜生成用
組成物として透明導電膜を生成させると、基板温度、ｍ
素ガス分圧、アルゴンガス分圧及び蒸着速度または膜生
成速度の適当な条件を選ぶことにより、高透光性、低抵
抗の酸化錫透明導電膜が得られる。そしてこの透明導電
膜の比抵抗は１０−３乃至１０−４のオーダーであり、
同じ面積抵抗の透明導電膜を得るのであれば、比抵抗値
が１０−２のオーダーの従来の酸化錫透明導電膜を用い
る場合に比べてその膜厚を１／１０と非常に薄くするこ
とができる。このことは透過率の向上にもつながり、従
来より透過率が高く、しかも生産性の優れた透明導電膜
を供給することが可能となる。
化タンタルをドーパントとして添加したものを膜生成用
組成物として透明導電膜を生成させると、基板温度、ｍ
素ガス分圧、アルゴンガス分圧及び蒸着速度または膜生
成速度の適当な条件を選ぶことにより、高透光性、低抵
抗の酸化錫透明導電膜が得られる。そしてこの透明導電
膜の比抵抗は１０−３乃至１０−４のオーダーであり、
同じ面積抵抗の透明導電膜を得るのであれば、比抵抗値
が１０−２のオーダーの従来の酸化錫透明導電膜を用い
る場合に比べてその膜厚を１／１０と非常に薄くするこ
とができる。このことは透過率の向上にもつながり、従
来より透過率が高く、しかも生産性の優れた透明導電膜
を供給することが可能となる。
また、上記のように酸化錫に所定量の酸化タンタルを添
加した膜生成用組成物を用いて真空蒸着法またはスパッ
タリング法により透明導電膜を生成すれば、酸化錫に対
する酸化タンタルの含有比率を所定の値に設定すること
により所定量の酸化タンタルが添加された透明Ｓ電膜を
簡単に得ることができる。この場合、有害なガスが発生
する等の公害問題が生じないので、公害防止の為の設備
が不要になり、従来の膜生成用設備をそのまま用いて従
来より優れた特性を有する低抵抗透明導電膜を得ること
ができる。
加した膜生成用組成物を用いて真空蒸着法またはスパッ
タリング法により透明導電膜を生成すれば、酸化錫に対
する酸化タンタルの含有比率を所定の値に設定すること
により所定量の酸化タンタルが添加された透明Ｓ電膜を
簡単に得ることができる。この場合、有害なガスが発生
する等の公害問題が生じないので、公害防止の為の設備
が不要になり、従来の膜生成用設備をそのまま用いて従
来より優れた特性を有する低抵抗透明導電膜を得ること
ができる。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、酸化錫に所定量の酸化
タンタルを添加したものを膜生成用組成物として用いる
ことによって、膜厚が均一で比抵抗値が極めて低い酸化
錫による低抵抗透明導電膜を得ることができる。
タンタルを添加したものを膜生成用組成物として用いる
ことによって、膜厚が均一で比抵抗値が極めて低い酸化
錫による低抵抗透明導電膜を得ることができる。
また本発明の低抵抗透明導電膜の生成方法によれば、酸
化錫に対する酸化タンタルの含有比率を適当に設定して
膜生成用組成物を蒸発またはスパッタさせるだけで容易
に低抵抗透明導電膜を得ることができる。また、この方
法を実施するにあたっては、有害ガスの発生がなく公害
防止のための設備を必要としないため、従来の膜生成用
設備をそのまま利用して従来より優れた特性を有する透
明導電膜を得ることができるという利点がある。
化錫に対する酸化タンタルの含有比率を適当に設定して
膜生成用組成物を蒸発またはスパッタさせるだけで容易
に低抵抗透明導電膜を得ることができる。また、この方
法を実施するにあたっては、有害ガスの発生がなく公害
防止のための設備を必要としないため、従来の膜生成用
設備をそのまま利用して従来より優れた特性を有する透
明導電膜を得ることができるという利点がある。
第１図は真空蒸着法により本発明の透明８Ｉ電膜を生成
する場合の蒸着装置の概略構造を示す断面図、第２図は
酸化錫に添加する酸化タンタルのドーパント量に対する
透明導電膜の比抵抗の特性を示した線図である。 ２・・・チャンバ、５・・・ガス導入管、６・・・排気
管、７・・・電子ビーム発生器、９・・・高周波放電電
極、１２・・・基板、１３・・・ヒータ。
する場合の蒸着装置の概略構造を示す断面図、第２図は
酸化錫に添加する酸化タンタルのドーパント量に対する
透明導電膜の比抵抗の特性を示した線図である。 ２・・・チャンバ、５・・・ガス導入管、６・・・排気
管、７・・・電子ビーム発生器、９・・・高周波放電電
極、１２・・・基板、１３・・・ヒータ。
Claims (4)
- （１）酸化錫を主成分とする低抵抗透明導電膜において
、前記酸化錫に酸化タンタルが添加されていることを特
徴とする低抵抗透明導電膜。 - （２）基板上に酸化錫を主成分とする透明導電膜を活性
化反応真空蒸着法により生成させる低抵抗透明導電膜の
生成方法において、酸化錫に０．５〜１０重量％の酸化
タンタルを添加してなる膜生成用組成物を蒸発材料とし
て用い、基板温度を１００〜４００℃、酸素分圧を１×
１０＾−＾４〜５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒ、高周波電力
を１０〜２００Ｗとして前記膜生成用組成物を蒸発させ
、蒸着速度を０．０５〜１０Å／秒として前記基板上に
膜生成させることを特徴とする低抵抗透明導電膜の生成
方法。 - （３）基板上に酸化錫を主成分とする透明導電膜をイオ
ンプレーティング真空蒸着法により生成させる低抵抗透
明導電膜の生成方法において、酸化錫に０．５〜１０重
量％の酸化タンタルを添加してなる膜生成用組成物を蒸
発材料として用い、基板温度を８０〜４００℃、酸素分
圧を１×１０＾−＾４〜５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒ、高
周波電力を１０〜２００ｗとして前記酸化錫及び酸化タ
ンタルを蒸発させ、直流バイアス電圧を−１００〜−１
０００Ｖ）蒸着速度を０．０５〜１０Å／秒として前記
基板上に膜生成させることを特徴とする低抵抗透明導電
膜の生成方法。 - （４）基板上に酸化錫の透明導電膜をマグネトロンスパ
ッタリング法により生成させる低抵抗透明導電膜の生成
方法において、酸化錫に５〜１８重量％の酸化タンタル
を添加した膜生成用組成物を陰極物質として用い、基板
温度を１００〜４００℃、酸素分圧を１×１０＾−＾４
〜７×１０＾−＾４Ｔｏｒｒとして陰極物質をスパッタ
させ、膜生成速度を１０〜３０Å／秒として前記基板上
に膜生成させることを特徴とする低抵抗透明導電膜の生
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096073A JPS61256506A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096073A JPS61256506A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256506A true JPS61256506A (ja) | 1986-11-14 |
| JPH0542763B2 JPH0542763B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=14155227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096073A Granted JPS61256506A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 低抵抗透明導電膜の生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256506A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142043A1 (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-13 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット |
| WO2008055201A3 (en) * | 2006-10-31 | 2008-07-17 | Starck H C Inc | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| JP2017508169A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-03-23 | エルジー・ケム・リミテッド | 光学素子 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4851777B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2012-01-11 | 三井金属鉱業株式会社 | ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537804A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Door unit for enclosed switchboard |
| JPS5946007A (ja) * | 1975-03-21 | 1984-03-15 | インターナショナル、レジスティブ、カンパニー、インコーポレーテッド | 電気抵抗体の製造法 |
| JPS6077317A (ja) * | 1983-09-15 | 1985-05-01 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 透明なアルミニウム酸化物被膜を基体上に設ける方法 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60096073A patent/JPS61256506A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946007A (ja) * | 1975-03-21 | 1984-03-15 | インターナショナル、レジスティブ、カンパニー、インコーポレーテッド | 電気抵抗体の製造法 |
| JPS5537804A (en) * | 1978-09-05 | 1980-03-17 | Tokyo Shibaura Electric Co | Door unit for enclosed switchboard |
| JPS6077317A (ja) * | 1983-09-15 | 1985-05-01 | エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン | 透明なアルミニウム酸化物被膜を基体上に設ける方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142043A1 (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-13 | Asahi Glass Company, Limited | 透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット |
| WO2008055201A3 (en) * | 2006-10-31 | 2008-07-17 | Starck H C Inc | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| US7452488B2 (en) | 2006-10-31 | 2008-11-18 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
| US7850876B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-12-14 | H.C. Starck Inc. | Tin oxide-based sputtering target, transparent and conductive films, method for producing such films and composition for use therein |
| JP2017508169A (ja) * | 2014-03-07 | 2017-03-23 | エルジー・ケム・リミテッド | 光学素子 |
| US9958742B2 (en) | 2014-03-07 | 2018-05-01 | Lg Chem, Ltd. | Optical element with conductive composite layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0542763B2 (ja) | 1993-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4113599A (en) | Sputtering technique for the deposition of indium oxide | |
| EP0385475A2 (en) | Method of forming a transparent conductive film | |
| KR20000071541A (ko) | 투명 도전막 형성 및 해당 방법에 의해 형성된 투명 도전막 | |
| KR100336621B1 (ko) | 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 | |
| KR930001782B1 (ko) | 투명 도전막의 제조방법 및 그 제조장치 | |
| US3991228A (en) | Deposition of tin oxide films on glass | |
| US4428810A (en) | Method and apparatus for depositing conducting oxide on a substrate | |
| JPWO2004065656A1 (ja) | Ｉｔｏ薄膜、その成膜方法、透明導電性フィルム及びタッチパネル | |
| JPS61256506A (ja) | 低抵抗透明導電膜の生成方法 | |
| JP4170507B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JP2000038654A (ja) | 透明導電膜付き基板の製造方法、透明導電膜付き基板およびそれを用いた液晶表示素子 | |
| JPH058527B2 (ja) | ||
| JPH059724A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPS61292817A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| JPS63121653A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JPH0273963A (ja) | 低温基体への薄膜形成方法 | |
| JPH0723532B2 (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP3095232B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH07107809B2 (ja) | 透明導電膜の生成方法 | |
| JPS6021223B2 (ja) | 透明電導性プラスチツクの製造方法 | |
| JP2697567B2 (ja) | Ｉｔｏ薄膜の作成法 | |
| JP2004139747A (ja) | 透明導電膜及びその製造方法 | |
| JPH05171437A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP2890032B2 (ja) | シリコン薄膜の成膜方法 | |
| JPH0247252A (ja) | 複合材料膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |