DE969508C - Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden HalbleiteranordnungInfo
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- DE969508C DE969508C DEL13149A DEL0013149A DE969508C DE 969508 C DE969508 C DE 969508C DE L13149 A DEL13149 A DE L13149A DE L0013149 A DEL0013149 A DE L0013149A DE 969508 C DE969508 C DE 969508C
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- H10W72/00—
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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-
- H10P95/00—
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL13150A DE969748C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems |
| DEL13147A DE966905C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme |
| DEL13149A DE969508C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung |
| GB22435/53A GB780723A (en) | 1952-08-18 | 1953-08-14 | A transistor |
| GB21704/55A GB780724A (en) | 1952-08-18 | 1953-08-24 | A method of manufacturing electric asymmetrically conductive systems |
| FR1088388D FR1088388A (fr) | 1952-08-18 | 1953-09-01 | Système commandé à conductibilité électrique asymétrique et procédé pour sa réalisation |
| NL240519A NL105742C (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1952-08-18 | 1959-06-23 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEL13150A DE969748C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems |
| DEL13147A DE966905C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme |
| DEL13149A DE969508C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE969508C true DE969508C (de) | 1958-06-12 |
Family
ID=27211354
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL13149A Expired DE969508C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung einer gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnung |
| DEL13147A Expired DE966905C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme |
| DEL13150A Expired DE969748C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEL13147A Expired DE966905C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme |
| DEL13150A Expired DE969748C (de) | 1952-08-18 | 1952-08-18 | Verfahren zur Herstellung eines gesteuerten, elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleitersystems |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (3) | DE969508C (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| FR (1) | FR1088388A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| GB (2) | GB780723A (cg-RX-API-DMAC10.html) |
| NL (1) | NL105742C (cg-RX-API-DMAC10.html) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1129625B (de) * | 1958-05-23 | 1962-05-17 | Telefunken Patent | Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt |
| US3044909A (en) * | 1958-10-23 | 1962-07-17 | Shockley William | Semiconductive wafer and method of making the same |
| FR1288086A (fr) * | 1961-01-30 | 1962-03-24 | Lignes Telegraph Telephon | Perfectionnements aux diodes paramétriques |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2502488A (en) * | 1948-09-24 | 1950-04-04 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor amplifier |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2586080A (en) * | 1949-10-11 | 1952-02-19 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductive signal translating device |
| DE1635713U (de) * | 1950-09-12 | 1952-03-13 | Siemens Ag | Halbleiter fuer dioden oder kristallverstaerker. |
-
1952
- 1952-08-18 DE DEL13149A patent/DE969508C/de not_active Expired
- 1952-08-18 DE DEL13147A patent/DE966905C/de not_active Expired
- 1952-08-18 DE DEL13150A patent/DE969748C/de not_active Expired
-
1953
- 1953-08-14 GB GB22435/53A patent/GB780723A/en not_active Expired
- 1953-08-24 GB GB21704/55A patent/GB780724A/en not_active Expired
- 1953-09-01 FR FR1088388D patent/FR1088388A/fr not_active Expired
-
1959
- 1959-06-23 NL NL240519A patent/NL105742C/xx active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2502488A (en) * | 1948-09-24 | 1950-04-04 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB780723A (en) | 1957-08-07 |
| FR1088388A (fr) | 1955-03-07 |
| DE966905C (de) | 1957-09-19 |
| GB780724A (en) | 1957-08-07 |
| NL105742C (cg-RX-API-DMAC10.html) | 1963-03-15 |
| DE969748C (de) | 1958-07-10 |
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