DE1589952A1 - Verfahren zur Messung und UEberwachung von Grenzflaechenwiderstaenden bei der Herstellung integrierter Halbleiteranordnungen - Google Patents

Description

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703 BDBLINGKN SINDELFINGER STRASSE 49 -

FERNSPRECHER (07031) 6613040 | b O v3 <J O 2.

Böblingen, 29. Mai 1967 gg-ha

Anmelderin : International Business Machines

Corporation, Armonk, N. Y. 10

Amtliches Aktenzeichen : Neuanmeldung

Aktenzeichen, der Anmelderin : Docket 14 488

Verfahren zur Messung und Überwachung von Grenzflächenwiderständen bei der Herstellung integrierter Halbleiteranordnungen

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Messung und Überwachung von Grenzflächenwiderständen zwischen in verschiedenen Ebenen auf oder in einem Halbleitergrundkörper liegenden, leitenden Schichten, bei der Herstellung integrierter Halbleiter anordnung en.

Die integrierte Schaltungstechnik umfasst eine ganze Reihe von Verfahrensschritten, durch die in einem Halbleiterkörper eine Vielzahl aktiver und. passiver Schaltelemente nebst deren schaltungsmässiger Verbindung hergestellt werden. Unabhängig von den jeweils anzuwendenden Techniken werden die winzigen, die in dividuellen Halbleiteranordnungen bildenden Zonen im allgemeinen durch Anwendung der Diffusionstechnik hergestellt.

Mit der Einführung der integrierten Schaltungstechnik haben sich die Bestrebungen dahingehend gewandelt, daß nicht mehr das grösste Gewicht auf die Erzielung und Einhaltung bestimmter Parameter und Eigenschaften der Schaltelemente und Schaltkreise zu legen ist, sondern daß sich das Ziel Docket 14 488

der Entwicklung in Richtung auf höhere Ausbeute und damit verringerte Herstellungskosten verschoben hat.

Beispielsweise sei unter diesem Gesichtspunkt ein typischer Schaltkreis, ein Volladdierer, betrachtet. Wird ein derartiger Schaltkreis in konventioneller, diskrete Schaltelemente verwendender Technik hergestellt, so ist der Schaltungsaufbau so auszulegen, daß man mit einer möglichst geringen Anzahl von Schaltelementen auskommt. In integrierter Schaltungstechnik hingegen ist die Schaltung so auszulegen, daß durch Verwendung einer weitaus grösseren Anzahl von Schaltelementen zur Erzielung der gleichen Wirkungsweise die Toleranzen der Einzelelemente von ziemlich unter- „ordneter Bedeutung werden. Allerdings ist man bei der integrierten Schaltungstechnik bestrebt, mit einer möglichst geringen Anzahl von Verfahrensschritten auszukommen un'd gleichzeitig die zuverlässigsten Verfahr ens schritte auszuwählen. Auf diese Weise wird trotz des grösseren Umfanges der Gesamtschaltung die Ausbeute im Herstellungsverfahren wesent· lieh vergrössert.

Um das Ziel einer höheren Ausbeute zu erreichen, ist es von grösster Wichtigkeit, die Verfahr ensparameter steuern und die einzelnen Verfahrens schritte während ihres Ablaufs fortlaufend überwachen zu können. Diese Forderung gilt insbesondere im Hinblick auf die jeweils am Anfang des Gesamtverfahrens durchzuführenden Verfahrensschritte.

Ein wesentliches Hindernis auf dem Wege zu einer höheren Ausbeute in integrierter Schaltungstechnik stellen die Kontaktwiderstände oder Grenzflächenwiderstände dar, die jeweils an den Verbindungsstellen der metallischen Leiter oder an den Grenzflächen zwischen einem Metall und einer Halbleiterschicht auftreten. Wenn diese Grenzflächenwiderstände nicht gut kontrolliert werden, werden sie bei den verschiedenen nachfolgenden konventionellen, an der Gesamtanordnung durchgeführten Prüfungen normaler-Docket 14 488

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weise überdeckt. Ein wesentlicher Gesichtspunkt ergibt sich aber daraus, daß der Entwickler bei Kenntnis der vorhandenen Grenzflächenwiderstände diese in seine Schaltkreisauslegung einbeziehen kann.

Aus s er dem hat es sich gezeigt, daß, wenn die fertiggestellte integrierte Schaltungsanordnung mechanischen Spannungsemwirkungen, wie beispielsweise bei Temperatur- und Feuchtigkeitsprüfungen, ausgesetzt wird, die Gesamtanordnung fehlerhaft wird, da die Grenzflächenwiderstände nicht überwacht und kontrolliert worden waren. Das Vorhandensein zu grosser Grenzflächen-widerstände kann einer ganzen Anzahl von Gründen zugeschrieben werden. Einer dieser Gründe besteht beispielsweise darin, daß die Öffnungen, über die die Querverbindungen hergestellt werden, nicht ordentlich ausgeführt sind. Diese Öffnungen werden in einer Isolationsschicht hergestellt und dienen der Zwischenverbindung mehrerer Ebenen von metallischen Leitern. Ein weiterer Grund besteht darin, daß das Aufdampfverfahren für die Metallschichten mangelhaft war oder versehentlich nicht gesteuert durchgeführt wurde.

Es ist das Ziel der Erfindung, ein Verfahren zur Messung und Überwachung von Grenzflächenwiderständen anzugeben, das bereits während des Verfahrens zur Herstellung einer integrierten Halbleiteranordnung angewendet werden kann. Insbesondere soll erreicht werden, daß die Grenzflächenwiderstände bereits,während der anfänglichen Schritte des^Herstellungsverfahrens kontrolliert werden können, so daß nur diese Halbleitergrundkörper den weiteren Verfahr ens schritten ausgesetzt werden, die die gewünschten Eigenschaften aufweisen.

Gernäss der Erfindung wird vorgeschlagen, daß gleichzeitig und mit denselben Verfahr ens schritten, wie sie zur Herstellung der leitenden Schichten angewendet werden, an einer ungenutzten Stelle des Halbleitergrundkörpers Docket 14 488

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ein Prüfobjekt gebildet wird, das zwei durch eine Isolationsschicht getrennte und sich durch eine Öffnung in der Isolationsschicht kontaktierende, entsprechende Schichten aufweist und bei den ausserdem an jeder dieser Schichten zwei Kontaktflächen freigelegt sind, und daß über diese Kontaktflächen die an sich bekannte Vierpunkt-Meßmethode angewendet wird.

Weiterhin wird vorgeschlagen, daß allgemein L-förmige leitende Schichten für das Prüf objekt gewählt werden, die sich durch die im Bereich ihres Scheitelpunktes liegende Öffnung in der Isolationsschicht kontaktieren, und daß jeweils an den freien Enden ihrer Schenkel Kontaktflächen freigelegt werden.

Insbesondere wird vorgeschlagen, daß zur Durchführung der Messung jeweils eine Kontaktfläche von jeder leitenden Schicht mit einer Konstantstromquelle und die beiden restlichen Kontaktflächen mit einem Spannungsmesser verbunden werden.

Weitere Vorteile und Einzelheiten des erfindungsgemässen Verfahrens ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele. Es zeigen :

Fig. 1 die Draufsicht einer integrierten Halbleiteranordnung

mit mehreren getrennten Schaltungen und mit einem in einem Teil des Halbleiterkörpers gebildeten Prüfobjekt,

Fig. 2 ein Prüfobjekt in auseinandergezogener Darstellung,

Fig. 3 eine vergrösserte perspektivische Ansicht des

Prüfobjekts,

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Fig. 4 eine Schnittansicht des Prüfobjekts in der Schnitt

linie 4-4, -■-.-■

Fig. 5 ein Blockschaltbild einer Anordnung zur Messung

des Grenzflächenwiderstandes,

Fig. 6 eine Aufstellung über die für die Herstellung eines

Prüfobjekts erforderlichen Verfahrensschritte und

Fig. 7 ein weiteres erfindungsgemässes Ausführungsbei

spiel mit einem Prüfobjekt zur Messung des Grenzflächenwiderstandes und zwar im Falle

a) des Grenzflächenwiderstandes am Basiskontakt und im Falle

b) des Grenzflächenwiderstandes am Emitter kontakt.

In den Figuren 1 bis 6 wird die Erfindung anhand einer Messung des Grenzflächenwiderstandes zwischen Metalls chichten aufgezeigt. Die Messung und Kontrolle des Grenzflächenwiderstandes wird an einer integrierten Schaltung mit zwei Leiterebenen vorgenommen. Am Prüfobjekt wird die Messung des Grenzflächenwiderstandes zwischen dünnen Schichten, bestehend aus Al, Al-3 % Si und Cr-Cu-Au, vorgenommen. Diese Metalle und Metallverbindungen werden bei integrierten Schaltungsanordnungen zur Kontaktierung, als Zwischenverbindungen und als Querverbindungen vorzugsweise verwendet.

Die Erfindung gestattet es, die Auswirkungen beispielsweise der ^erfahrensschritte zur Herstellung von öffnungen in Isolationsschichten aus Quarz, der den Nieder schlage verfahr en vorausgehenden Reinigungsprozesse und der anzuwendeEfBn Wärmebehandlungen auf die Grenzflächenwiderstände und die Schichtwiderstände zu beobachten.

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In Fig. 1 ist die Draufsicht eines Halbleiterkörpers 10 dargestellt, der eine Anzahl getrennter Schaltungsanordnungen. 12 und ein Prüfobjekt 14 aufweist.

Im betrachteten Beispiel wird der Grenzflächenwiderstand in einer Öffnung gemessen, d.h. , der Übergangswiderstand zwischen zwei durch "eine isolierende Zwischenschicht getrennten Leiters chi chten, die sich über eine Öffnung in der isolierenden Zwischenschicht in leitendem Kontakt befinden.

Die obere Metallschicht 16 des Prüfobjekts 14 ist beispielsweise L-förmig und befindet sich in einer ersten Ebene auf der Oberfläche des Halbleitergrundkörpers 10. Die zweite Metallschicht 18 ist wiederum L-förmig und befindet sich in einer zweiten Ebene auf dem Halbleitergrundkörper. Zwischen der ersten Metallschicht 16 und der zweiten Metallschicht 18 befindet sich eine Isolationsschicht 20, beispielsweise aus Quarz. Bn Bereich der in der Isolationsschicht 20 vorhandenen Öffnung 22 findet der elektrische Kontakt zwischen der ersten und der zweiten Metallschicht statt. Der im Bereich der Öffnung 22 zwischen den beiden Metallschichten vorhandene Grenzflächenwiderstand soll gemessen werden» Die Isolationsschicht 20 enthält weitere Öffnungen 24, durch die mittels Prüfspitze:» ein elektrisch leitender Kontakt zu den beiden Schenkel der unteren Metallschicht 18 hergestellt werden kann» Zu diesem Zwecke werden im Bereich dieser öffnungen 24 Metallflecken aus dem gleichen Material wie die Metallschicht 16 aufgedampft. Der Grundkörper, auf dem die Metallschichten, also insbesondere die beiden L-förmigen Schichten des Prüfobjekts, niedergeschlagen werden, besteht beispielsweise aus einem Siliciumplättchen, welches durch thermische Oxydation mit einer 6000 Ä* dicken SiO - Schicht 26 bedeckt ist.

Das Prüf objekt 14 weist etwa die gleiche Grosse wie die Schaltungseinheiten auf, die im Grundkörper 10 durch konventionelle Diffusionstechnik hergestellt werden sollen.
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Unter einigen 100 integrierter Schaltungen, die gleichzeitig in einem Halbleiter grundkörper mit den Abmessungen 6 X 25 mm hergestellt werden, sind mehrere dieser Prüfobjekte verteilt. Mit Hilfe der für die integrierte Schaltungstechnik entwickelten Maskierungstechnik lassen sich im Prüfobjekt 14 in Abhängigkeit von den herzustellenden Anordnungen Öffnungen 22 mit einem Durchmesser ab beispielsweise 10 /um bilden.

Der Vollständigkeit halber sei an dieserStelle des Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungsanordnungen kurz erläutert. Zur Erzeugung der extrem kleinen Zonen für die verschiedenen aktiven Elemente, wie beispielsweise Transistoren, Dioden usw., dienen im allgemeinen mehrfache Diffusionsprozesse. Dazu sind eine Reihe von Oxydschichtbildungen, PhotolackbeSchichtungen, Belichtungen und Ätzprozesse erforderlich. Die auf diese Weise bearbeiteten Oxydschichten dienen dann als Diffusionsmasken, durch die selektiv die gewünschten Störstellen in den Grundkörper eindiffundieren können. Schliesslich werden die gewünsehten Schaltkreisanordnungen dadurch fertiggestellt, daß die erforderlichen elektrischen Zwischenverbindungen zwischen den einzelnen Elementen hergestellt werden. Die Herstellung der elektrischen Zwischenverbindungen erfolgt entweder auf die Weise, daß die einzelnen Elemente dabei im Halbleitergrundkörper verbleiben, in dem sie gebildet wurden, oder '.aß die einzelnen Elemente aus dem Halbleiterkörper entfernt, auf einer besonderen Schaltplatte angeordnet und dort mit den notwendigen passiven Elementen mittels der gedruckten Schaltungstechnik verbunden werden. Wie bereits ausgeführt, ist es jedoch von allergrösster Wichtigkeit, daß vor der Durchführung der letzten, entsprechend des gewählten Herstellungsverfahrens erforderlichen Verfahrens schritte das Halbleiterplättchen vollkommen durchgeprüft wird. Es ist zu bemerken, daß die Wirksamkeit des Kontaktierverfahrens mit Hilfe des gebildeten Prüfobjekts 14 festgestellt werden kann, da;) die Anwendung der Vierpunkt-Meßmethode zur Messung des Grenzflächen-Docket 14 488

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Widerstandes zwischen den beiden Metall schichten 16 und 18 ermöglicht. Dieser Grenzflächenwiderstand, der ein Maß für die Güte der Kontaktierung zwischen diesen beiden durch die Isolationsschicht getrennten Metallschichten gibt, entsteht im Bereich der Öffnung 22"der Isolationsschicht 20. Beginnend mit dem Niederschlagen der Metallschicht 18 werden zur Herstellung des Prüfobjekts 14 dieselben Verfahr ens schritte wie zu der Herstellung der Kontaktierung bzw. der Zwischenverbindungen der tatsächlichen Schaltkreise des jeweiligen Grundkörpers angewendet.

In Fig. 6 ist ein Beispiel für eine Folge derartiger Verfahr ens schritte angegeben. Es ist selbstverständlich, daß das erfindungsgemässe Verfahren nicht auf die in Fig. 6 angegebenen speziellen Verfahr ens schritte beschränkt ist.

Jede der L-förmigen Metall schichten 16 und 18 weist, wie am besten aus der Fig. 3 zu ersehen ist, jeweils einen Schenkel auf, der als Strompfad dient, beispielsweise 16a und 18a, und ausserdem jeweils einen Schenkel, der als Spannungspfad 16b und 18b dient. Um den Grenzflächenwiderstand zu messen, wird über den Schenkel 16a der Gleichstrom einer Konstantstromquelle zugeführt und über den Querschnitt der öffnung 22 zum Schenkel 18a und damit zur Konstantstromquelle zurückgeleitet. Die Verbindung der Konstantstromquelle mit dem Prüfobjekt kann beispielsweise über Prüfspitzen 17 erfolgen. Selbstverständlich könnte der Strom auch über den Schenkel 16b zugeführt und entweder über den Schenkel 18a oder 18b zurückgeführt werden. Es ist lediglich erforderlich, daß der Strompfad von einem Schenkel in einer Ebene zu einem Schenkel in der anderen Ebene verläuft. Der Spannungsabfall über den Querschnitt der öffnung 22 kann dann beispielsweise, wie in Fig. 5 dargestellt, mit Hilfe eines Hochohmvoltmeters gemessen werden, das an die beiden restlichen Schenkel, im betrachteten Beispiel also 16b und 18b, angeschlossen wird.

Es ist zu bemerken, daß der Längswiderstand der Schenkel der L-förmigen Docket 14 488

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Metallschichten 16 und 18 und ebenso auch der Übergangswiderstand der Prüf spitzen nicht in die Messung eingehen.

Das im vorstehenden beschriebene Beispiel eines Prüfobjektes ist dadurch wesentlich vereinfacht, daß es auf die Messung eines einzelnen Grenzflächenwiderstandes zwischen zwei Metall schichten gerichtet ist. Im. Prinzip kann das exfindungsgemässe Verfahren jedoch auf die Messung vieler Grenzfläehenwiderstände angewendet werden, die zwischen vielen unterschiedlichen metallischen Ebenen auftreten. In Fig. 6 ist eine vollständige Serie von Verfahr ens schritten angegeben, durch die die Herstellung konventioneller Schaltungsanordnungen und gleichzeitig die Herstellung der erforderlichen Prüfobjekte ermöglicht werden-. Bei dem in Fig. 6 dargestellten Verfahrensablauf werden zwischen einer Anzahl von Metallschichten in entsprechend verschiedenen Ebenen Durchgangs öffnung en hergestellt.

Wie bereits ausgeführt, besteht der Halbleitergrundkörper aus einem Siliciumplättchen mit den Abmessungen 6 χ 25 mm. Den Ausgangspunkt bildet der Verfahrensschritt 1, in welchem das Halbleiterplättchen durch Oxydation mit einer Silicium-Dioxyd schicht beschichtet wird, deren Dicke etwa 6000 A beträgt. Nach der Einwirkung einer Puffer ätzlö sung der Zusammensetzung NH.„/HF im Verhältnis l.O/l (Verfahrensschritt 2) wird die erste Metallschicht aufgebracht (Verfahr ens schritt 3). Da aus dieser ersten Metallschicht feine Linien ausgeätzt werden müssen und da ausserdem während der nachfolgenden Erhitzungsprozesse das Eindiffundieren von Aluminium in das Silicium verhindert werden muss, setzt sich diese Metallschicht aus 4000 A Al-3 % Si und 1000 A Al zusammen. Im nächsten Verfähr ens schritt, dem Schritt 4, findet eine Ätzung statt. Bei dieser Ätzung werden mit Ausnahme der für die Leitungszüge erforderlichen Teile der Metalls chi cht der gesamte restliche Teil.der Metallschicht entfernt. Beim Testobjekt selbst wird die Metallschicht bis auf den bereits erwähnten L-förmigen Teil abgeätzt. Nach dieser Ätzung wird im. 5. Verfahr ens schrift sinternde Wärmebehandlung vorgenommen. · Dieser Verfahrensschritt ist notwendig, da beim vorausgegangenen Docket 14 488

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Abscheiden des Aluminiums das Siliciumplättchen auf 200 C erwärmt wurde und nach dieser Erwärmung ein geringer Üb ergang swider stand nicht mehr erzielbar ist. Diese nachfolgende Erhitzung ist also erforderlich, um die Grenzfläche zu sintern. Die erforderliche Temperatur variiert in verschiedenen Fällen von 450 C bis 525 C. In einem Fall wurde während 15 Min. eine Temperatur von 500 C in Sauerstoffatmosphäre aufgewendet. Die Sauerstoff atmosphäre dient dazu, die Entfernung des restlichen Photolacks sicherzustellen, ist aber nicht in jedem Falle erforderlich.

Die erste, aus Quarz bestehende Isolationsschicht wird im Verfahr ens schritt 6 aufgebracht^ wofür eine ganze Reihe bekannter Verfahren geeignet ist. In dem anschliessenden, im Verfahr ens schritt 7 durchgeführten Photoätzverfähren werden die kleinen Durchgangs Öffnungen in der Quarzschicht 20 erzeugt. Im Verfahr en s schritt 8 wird durch eine gepufferte HF-Ätzung sichergestellt, daß von der vorausgehenden Photoätzung herrührende Rückstände sicher entfernt werden und damit zwischen der Quarzschicht und der nächsten Metallschicht eine ausreichend gute Adhäsion sichergestellt wird.

In den Verfahrens schritten 9 bis 14 werden im wesentlichen die Maßnahmen der Verfahrensschritte 3 bis 8 wiederholt, so daß sich eine nochmalige Beschreibung erübrigt. Es sei jedoch erwähnt, daß infolge des Abstandes der zweiten Metallschicht von den Kontaktöffnungen anstelle der Al-Si-Verbindung reines Aluminium verwendet werden kann. Ausserdem ist zu erwähnen, daß infolge der Ausbildung der Quarz schicht und der 1, 5 Mikron tiefen Öffnungen die zweite Metallschicht etwas dicker gewählt werden muss; im betrachteten Beispiel wird deshalb eine 1 Mikron dicke reine Aluminiumschicht gewählt.

Schliesslich wird im Verfahr ens schritt 15 eine Cr-Cu-Au-Schicht aufgebracht. Diese Schicht dient als lötbare Verbindung zu der zweiten Metallschicht.

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Ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen Verfahrens ist auf die Messung des Kontaktwiderstandes, also eines Grenzflächenwiderstandes, zwischen einer Metallschicht und dem Halbleiter grundkörper gerichtet. Derartige typische Grenzflächenwiderstände treten beispielsweise an der Basis- und Emitterzone eines Transistors auf. Die Auswirkungen mehrerer Aluminium-Aufdampf-Prozesse auf die Beschaffenheit dieser Transistorkontakte soll untersucht werden. Es wird dazu ein dem beschriebenen entsprechendes Prüf objekt verwendet, also ein Prüfobjekt, das aus im wesentlichen L-förmigen Schichten gebildet wird. Es wird der Spannungsabfall an der Grenzfläche zwischen Aluminium und Silicium gemessen. Es sei auch hier darauf hingewiesen, daß das erfindungsgemässe Verfahren nicht auf die speziellen, hier beschriebenen Aufdampfverfahren beschränkt ist. in Fig. 7a ist ein Prüf objekt zur Messung des Baiskontaktwiderstandes und in Fig. 7b ein entsprechendes Prüfobjekt zur Messung des Emitterkontaktwiderstandes dargestellt. Diese Prüfobjekte werden hergestellt, in dem die regulären Diffusions- und Reoxydationsprozesse zur Herstellung der Transistoren verwendet werden. Es werden also zwei etwa L-förmige Anordnungen gebildet, von denen eine der bereits anhand der Fig. 2 beschriebenen L-förmigen Metallschicht 16 entspricht. Es handelt sich nunmehr um die Metallschicht 40. Die andere L-förmige Anordnung besteht aus einer Schicht aus Halbleitermaterial an der Oberfläche des Grundkörpers. Diese Halbleiterschicht 42 hat dieselben Eigenschaften wie die Basis .',one eines typischen Transistors. An dieser durch übliche maskierte Diffusion gebildeten Prüf-Basis-Zone kann der Kontaktwiderstand an anderen entsprechenden, aktiven Basiszonen genauestens gemessen und kontrolliert werden. Der elektrisch leitende Kontakt zwischen der Schicht 40 und der Schicht 46 erfolgt durch eine öffnung 44 in der Oxydschicht 46 im Bereich der Scheitel beider L-förmigen Schichten. Kontakte 48 und 50 sind an den Schenkeln der HalbleiterscMclit 42 angebracht und gestatten das Aufsetzen der Prüfspitzen. Die Punktkontakte sind natürlich in Öffnungen 52 und 54 der Oxydschicht 46 angeordnet. Die Messung am Prüf objekt findet wie im Docket 14 488

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beschriebenen Beispiel dadurch statt, daß durch diagonal gegenüber liegende Schenkel der beiden L-förmigen Schichten, beispielsweise durch die Schenkel 40a und 42b, ein konstanter Gleichstrom geschickt wird. Der auftretende Spannungsabfall wird am ffstlichen Schenkelpaar 40b und 42a mittels eines Hochohmvoltmeters gemessen. Es handelt sich also hierbei offensichtlich um eine Vierpunkt-Meßmethode, wobei die Spannungs- Prüf spitzen die Potentiale des Materials gerade oberhalb und gerade unterhalb der Grenzfläche zwischen Aluminium und Silicium annehmen. Die Prüf spitzen, von denen eine mit dem Hochohmvoltmeter und die andere mit der Konstantstromquelle verbunden ist, werden auf die kreisförmigen Enden 56 und 58 der Schenkel der Schicht 40 aufgesetzt. Die beiden anderen Prüfspitzen werden dagegen mit den Punktkontakten 48 und 50 in Verbindung gebracht.

An einer anderen Stelle des integrierte Schaltungsanordnungen tragenden Grundkörpers ist ein Prüfobjekt zur Messung des Emitterkontaktwiderstandes angeordnet. Ein derartiges Prüfobjekt ist in Fig. Tb dargestellt. Ein Unterschied zwischen den Prüfobjekten besteht lediglich darin, daß im Prüf objekt nach Fig. 7b die dem Emitter entsprechende Schicht, also die L-förmige Schicht 60,innerhalb der bereits gebildeten grösseren Basisschicht 62 hergestellt wird. Wie zuvor, wird von einer Metallschicht an der Oberfläche durcY eine Öffnung in der Oxydschicht ein elektrischer Kontakt zu der einem Emitter entsprechenden Schicht 60 hergestellt. Ebenso werden zu den Schenkeln dieser Schicht 60 durch geeignete Öffnungen Kontakte hergestellt.

Das erfindungsgemässe Verfahren zeigt einen einfachen, aber wirkungsvollen Weg zur ständigen Überwachung der Grenzflächenwiderstände bei der Herstellung integrierter Schaltungsanordnung en. Das Verfahren ist sowohl bei der Messung von Kontaktwiderständen zwischen Metalls chi chten, als auch ebenso zwischen Metalls chi chten und aktiven Halbleiters chichten geeignet. Das erfindungsgemässe Verfahren liefert sofort eine Angabe über die Erfolgsaussichten in dem Bestreben bei der Herstellung integrierter Schaltungsanord-Docket 14 488

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mangen höhere Ausbeuten zu erzielen. Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemässen Verfahrens liegt darin, daß die Übergangswiderstände an den Prüfspitzen nicht in die Messung eingehen und damit das Meßergebnis nicht verfälschen.

Bei der Beschreibung der Ausführungsbeispiele wurden L-förmige Schichten verwendet, zwischen denen der Grenzflächenwiderstand in ihrem Scheitel gemessen wurde. Die Form der beiden Schichten ist jedoch im wesentlichen ohne Bedeutung. Entscheidend ist, daß Stromzufuhr und Spannungsmessung jeweils zwischen einem Punkt der einen und einem Punkt der anderen Schicht vorgenommen wird. ,

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Claims (3)

-14-PATENTANSPRÜCHE

1. Verfahren zur Messung und Überwachung von Grenzflächen-

Widerständen zwischen in verschiedenen Ebenen auf oder . in einem Halbleitergrundkörper liegenden, leitenden Schichten bei der Herstellung integrierter Halbleiteranordnungen, dadurch gekennzeichnet, daß gleichzeitig und mit denselben Verfahr ens schritten, wie sie zur Herstellung der leitenden Schichten benötigt, wer den, an einer ungenutzten Stelle des Halbleitergrundkörpers ein Prüfobjekt gebildet wird, das zwei durch eine Isolationsschicht getrennte und sich durch eine Öffnung in der Isolationsschicht kontaktierende, entsprechende Schichten aufweist und bei dem ausserdem an jeder dieser Schichten zwei Kontaktflächen freigelegt sind, und daß über diese Kontaktflächen die an sich bekannte Vierpunkt-Meßmethode angewendet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß allgemein L-förmige leitende Schichten für das Prüfobjekt gewählt werden, die sich durch die im Bereich ihres Scheitelpunktes liegende Öffnungen in·der Isolationsschicht kontaktieren, und daß jeweils an den freien Enden ihrer Schenkel Kontaktflächen freigelegt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Durchführung der Messung jeweils eine Kontaktfläche von jeder leitenden Schicht mit einer Konstantstromquelle und die beiden restlichen Kontaktflächen mit einem Spannungsmesser verbunden.

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