DE96062T1 - Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung. - Google Patents

Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung.

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DE96062T1
DE96062T1 DE198383900315T DE83900315T DE96062T1 DE 96062 T1 DE96062 T1 DE 96062T1 DE 198383900315 T DE198383900315 T DE 198383900315T DE 83900315 T DE83900315 T DE 83900315T DE 96062 T1 DE96062 T1 DE 96062T1
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Claims (1)

  1. Pn :ei:tr:.!■-,·,/it ,
    V.'a!kert«;hcion - ~ '" .
    Europäische Patentanmeldung 839ΟΟ315.9 3088/GER
    ' '' 1 2 1984
    NCR Corporation, World Headquarters,
    Dayton, Ohio 45479 (USA)
    Übersetzung der Patentansprüche
    1. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat (10), einer Siliziumoxidschicht (13), die auf dem Halbleitersubstrat (10) angebracht ist, eine
    1^ Siliziumoxynitridschicht (14), die auf der Siliziumoxidschicht (13) aufgebracht ist, einer Siliziumnitridschicht (15), die auf der Oxynitridschicht (14) aufgebracht ist, und einer Siliziumgateelektrode (19), die über der Siliziumnitridschicht (15) liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumnitridschicht in Kontakt mit einem graduierten (sich allmählich ändernden) Siliziumoxynitrid (14, 16) ist, das dargestellt werden kann durch die Siliziumoxynitridschicht (14) auf der Siliziumoxidschicht (13).
    2. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid als eine weitere Schicht (16) von Siliziumoxynitrid vorgesehen
    SQ ist, die zwischen der Siliziumnitridschicht (15) und der Siliziumgateelektrode (19) liegt.
    3. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß beide Siliziumoxynitridschichten (14, 16) durch Schichten von graduiertem Siliziumoxynitrid gebildet sind.
    4. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die weitere Schicht (16) eine Dicke im Bereich 60 -
    ,- Angstrom besitzt.
    5. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch .1 , dadurch gekennzeichnet , daß die auf der Siliziumoxidschicht:(13) aufgebrachte SiIi-
    ziumoxynitridschicht (14) eine Dicke in dem Bereich von 20 - 80 Sngström besitzt.
    6. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (14, 16) ein Sauerstoff : Stickstoff-Verhältnis besitzt, das von einem Minimum an der Grenze in Kontakt mit der Siliziumnitridschicht zu einem Maximum an der davon entfernten Grenze schwankt.
    7. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Sauerstoff : Stickstoff-Verhältnis stufenförmig schwankt. ' .
    8. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach einem
    der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die kombinierte Dicke aller Silizium tragenden Materialien zwischen dem Substrat (10)
    _ und der Gateelektrode (19) im Bereich von 360 - 470 Sng-30
    ström ist.
    9. Verfahren zum Bilden einer·nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung mit den Schritten Vorsehen eines
    Halbleitersubstrats (10), Aufbringen einer Silizium-35
    oxidschicht (13) auf dem Halbleitersubstrat (10), Auf-
    bringen einer Siliziumoxynitridschicht (14) auf der Siliziumoxidschicht (13), Aufbringen einer Siliziumnitridschicht (15) auf der Oxynitridschicht (14) und
    c Aufbringen einer Siliziumgateelektrode (19), die über der Siliziumnitridschicht (1.5) liegt, g _e k e η η zeichnet durch den Schritt Vorsehen einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (14, 16) in Kontakt mit der Siliziumnitridschicht (15), welch
    _ erstere aus der Siliziumoxynitridschicht (14) bestehen kann, die auf der Siliziumoxidschicht (13) aufgebracht ist.
    10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch den Schritt Aufbringen einer weiteren
    Schicht (16) von Siliziumoxynitrid, die die Schicht des graduiertem Siliziumoxynitrids darstellt und zwischen der Siliziumnitridschicht (15) und der Siliziumgateelektrode (19) liegt.
    11. Verfahren nach Anspruch 10, ge k e η η ζ e i c h - -
    net durch den Schritt Aufbringen einer Siliziumoxynitridschicht (14) in der Form einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid.
    12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt Aufbringen einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (15) ausgeführt wird durch Verwenden von Reagenzgasen Ammoniak, Dichlorsilan und Distickstoffmonoxyd in einem
    Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan ..: Distickstoffmonoxyd, das schwenkt von 3,5:1:2 am Beginn bis etwa ■; 3,5:1:0, am Ende. ., ' ■ .'
    „,_ 13·. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η ζ e ich η et , daß der Schritt des Aufbringens
    einer weiteren Schicht (16) von Siliziumoxynitrid,
    das die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid darstellt, bewirkt wird durch Verwenden der Reagenzgase Ammoniak, Dichlorsilan und Distickstoffmonoxyd 5
    in einem Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan : Distickstof fmonoxyd , das von etwa 3,5:1:0 am Beginn bis etwa 3,5:1:2 am Ende schwankt.
    14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Reagenzgase verwendet werden zur chemischen Niederdruckdampfablagerung bei einem Druck im Bereich von 0,3 bis 1,0 torr und bei einer Temperatur im Bereich von 700-950 C.
    15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan : Distickstoffmonoxyd in Stufen verändert wird. ■
    16. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt Bilden der Siliziumnitridschicht (15) bewirkt wird durch Verwenden der Reagenzgase Ammoniak, und Dichlorsilan.
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