DE96062T1 - Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung. - Google Patents
Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung.Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 24
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 6
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims 1
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- Pn :ei:tr:.!■-,·,/it ,V.'a!kert«;hcion - ~ '" .Europäische Patentanmeldung 839ΟΟ315.9 3088/GER' '' 1 2 1984NCR Corporation, World Headquarters,Dayton, Ohio 45479 (USA)
Übersetzung der Patentansprüche1. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat (10), einer Siliziumoxidschicht (13), die auf dem Halbleitersubstrat (10) angebracht ist, eine1^ Siliziumoxynitridschicht (14), die auf der Siliziumoxidschicht (13) aufgebracht ist, einer Siliziumnitridschicht (15), die auf der Oxynitridschicht (14) aufgebracht ist, und einer Siliziumgateelektrode (19), die über der Siliziumnitridschicht (15) liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumnitridschicht in Kontakt mit einem graduierten (sich allmählich ändernden) Siliziumoxynitrid (14, 16) ist, das dargestellt werden kann durch die Siliziumoxynitridschicht (14) auf der Siliziumoxidschicht (13).2. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid als eine weitere Schicht (16) von Siliziumoxynitrid vorgesehenSQ ist, die zwischen der Siliziumnitridschicht (15) und der Siliziumgateelektrode (19) liegt.3. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß beide Siliziumoxynitridschichten (14, 16) durch Schichten von graduiertem Siliziumoxynitrid gebildet sind.4. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die weitere Schicht (16) eine Dicke im Bereich 60 -,- Angstrom besitzt.5. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch .1 , dadurch gekennzeichnet , daß die auf der Siliziumoxidschicht:(13) aufgebrachte SiIi-ziumoxynitridschicht (14) eine Dicke in dem Bereich von 20 - 80 Sngström besitzt.6. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (14, 16) ein Sauerstoff : Stickstoff-Verhältnis besitzt, das von einem Minimum an der Grenze in Kontakt mit der Siliziumnitridschicht zu einem Maximum an der davon entfernten Grenze schwankt.7. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Sauerstoff : Stickstoff-Verhältnis stufenförmig schwankt. ' .8. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach einemder vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die kombinierte Dicke aller Silizium tragenden Materialien zwischen dem Substrat (10)_ und der Gateelektrode (19) im Bereich von 360 - 470 Sng-30ström ist.9. Verfahren zum Bilden einer·nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung mit den Schritten Vorsehen einesHalbleitersubstrats (10), Aufbringen einer Silizium-35oxidschicht (13) auf dem Halbleitersubstrat (10), Auf-bringen einer Siliziumoxynitridschicht (14) auf der Siliziumoxidschicht (13), Aufbringen einer Siliziumnitridschicht (15) auf der Oxynitridschicht (14) undc Aufbringen einer Siliziumgateelektrode (19), die über der Siliziumnitridschicht (1.5) liegt, g _e k e η η zeichnet durch den Schritt Vorsehen einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (14, 16) in Kontakt mit der Siliziumnitridschicht (15), welch_ erstere aus der Siliziumoxynitridschicht (14) bestehen kann, die auf der Siliziumoxidschicht (13) aufgebracht ist.10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch den Schritt Aufbringen einer weiterenSchicht (16) von Siliziumoxynitrid, die die Schicht des graduiertem Siliziumoxynitrids darstellt und zwischen der Siliziumnitridschicht (15) und der Siliziumgateelektrode (19) liegt.11. Verfahren nach Anspruch 10, ge k e η η ζ e i c h - -net durch den Schritt Aufbringen einer Siliziumoxynitridschicht (14) in der Form einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid.12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt Aufbringen einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (15) ausgeführt wird durch Verwenden von Reagenzgasen Ammoniak, Dichlorsilan und Distickstoffmonoxyd in einemVerhältnis Ammoniak : Dichlorsilan ..: Distickstoffmonoxyd, das schwenkt von 3,5:1:2 am Beginn bis etwa ■; 3,5:1:0, am Ende. ., ' ■ .'„,_ 13·. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η ζ e ich η et , daß der Schritt des Aufbringenseiner weiteren Schicht (16) von Siliziumoxynitrid,das die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid darstellt, bewirkt wird durch Verwenden der Reagenzgase Ammoniak, Dichlorsilan und Distickstoffmonoxyd 5in einem Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan : Distickstof fmonoxyd , das von etwa 3,5:1:0 am Beginn bis etwa 3,5:1:2 am Ende schwankt.14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Reagenzgase verwendet werden zur chemischen Niederdruckdampfablagerung bei einem Druck im Bereich von 0,3 bis 1,0 torr und bei einer Temperatur im Bereich von 700-950 C.15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan : Distickstoffmonoxyd in Stufen verändert wird. ■16. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt Bilden der Siliziumnitridschicht (15) bewirkt wird durch Verwenden der Reagenzgase Ammoniak, und Dichlorsilan.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33034581A | 1981-12-14 | 1981-12-14 | |
PCT/US1982/001731 WO1983002199A1 (en) | 1981-12-14 | 1982-12-10 | Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE96062T1 true DE96062T1 (de) | 1984-04-26 |
Family
ID=23289354
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE198383900315T Pending DE96062T1 (de) | 1981-12-14 | 1982-12-10 | Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung. |
DE8383900315T Expired DE3271603D1 (en) | 1981-12-14 | 1982-12-10 | Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8383900315T Expired DE3271603D1 (en) | 1981-12-14 | 1982-12-10 | Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0096062B1 (de) |
JP (1) | JPS58502126A (de) |
CA (1) | CA1188419A (de) |
DE (2) | DE96062T1 (de) |
WO (1) | WO1983002199A1 (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0118506A1 (de) * | 1982-08-12 | 1984-09-19 | Ncr Corporation | Nichtflüchtige halbleiterspeichervorrichtung |
JP2515715B2 (ja) * | 1984-02-24 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
EP0215064A1 (de) * | 1985-03-08 | 1987-03-25 | Ncr Corporation | Nicht-flüchtige feldeffektspeichervorrichtung mit schwebendem gate |
JP2664685B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1997-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6373093B2 (en) | 1989-04-28 | 2002-04-16 | Nippondenso Corporation | Semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
US5017979A (en) * | 1989-04-28 | 1991-05-21 | Nippondenso Co., Ltd. | EEPROM semiconductor memory device |
US5397720A (en) * | 1994-01-07 | 1995-03-14 | The Regents Of The University Of Texas System | Method of making MOS transistor having improved oxynitride dielectric |
US5478765A (en) * | 1994-05-04 | 1995-12-26 | Regents Of The University Of Texas System | Method of making an ultra thin dielectric for electronic devices |
JP2871530B2 (ja) * | 1995-05-10 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR0171982B1 (ko) * | 1995-12-02 | 1999-03-30 | 김주용 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 |
GB2389963A (en) * | 1998-12-04 | 2003-12-24 | Nec Electronics Corp | Semiconductor device and method of manufacture |
US6255233B1 (en) | 1998-12-30 | 2001-07-03 | Intel Corporation | In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application |
US6548422B1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-15 | Agere Systems, Inc. | Method and structure for oxide/silicon nitride interface substructure improvements |
US20060113586A1 (en) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Macronix International Co., Ltd. | Charge trapping dielectric structure for non-volatile memory |
US9331184B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-05-03 | United Microelectronics Corp. | Sonos device and method for fabricating the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2889848A (en) * | 1955-12-22 | 1959-06-09 | Redmer Sons Company | Flow control clamp |
US3685795A (en) * | 1970-07-06 | 1972-08-22 | Baxter Laboratories Inc | Fluid flow valve |
GB1428391A (en) * | 1972-06-23 | 1976-03-17 | Avon Medicals | Couplings |
US4151537A (en) * | 1976-03-10 | 1979-04-24 | Gte Laboratories Incorporated | Gate electrode for MNOS semiconductor memory device |
US4080965A (en) * | 1976-09-30 | 1978-03-28 | Baxter Travenol Laboratories, Inc. | In-line cannula valve assembly |
JPS5924547B2 (ja) * | 1976-11-04 | 1984-06-09 | ソニー株式会社 | 不揮発性メモリトランジスタ |
DE2967538D1 (en) * | 1978-06-14 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride |
US4217601A (en) * | 1979-02-15 | 1980-08-12 | International Business Machines Corporation | Non-volatile memory devices fabricated from graded or stepped energy band gap insulator MIM or MIS structure |
-
1982
- 1982-12-09 CA CA000417316A patent/CA1188419A/en not_active Expired
- 1982-12-10 EP EP83900315A patent/EP0096062B1/de not_active Expired
- 1982-12-10 JP JP83500434A patent/JPS58502126A/ja active Granted
- 1982-12-10 DE DE198383900315T patent/DE96062T1/de active Pending
- 1982-12-10 DE DE8383900315T patent/DE3271603D1/de not_active Expired
- 1982-12-10 WO PCT/US1982/001731 patent/WO1983002199A1/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1188419A (en) | 1985-06-04 |
EP0096062B1 (de) | 1986-06-04 |
JPS58502126A (ja) | 1983-12-08 |
WO1983002199A1 (en) | 1983-06-23 |
EP0096062A1 (de) | 1983-12-21 |
DE3271603D1 (en) | 1986-07-10 |
JPH0548631B2 (de) | 1993-07-22 |
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