DE96062T1 - Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung. - Google Patents

Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung.

Info

Publication number
DE96062T1
DE96062T1 DE198383900315T DE83900315T DE96062T1 DE 96062 T1 DE96062 T1 DE 96062T1 DE 198383900315 T DE198383900315 T DE 198383900315T DE 83900315 T DE83900315 T DE 83900315T DE 96062 T1 DE96062 T1 DE 96062T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
silicon
silicon oxynitride
semiconductor memory
graduated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE198383900315T
Other languages
English (en)
Inventor
Yung-Chau West Carrollton Oh 45449 Yen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NCR Voyix Corp
Original Assignee
NCR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NCR Corp filed Critical NCR Corp
Publication of DE96062T1 publication Critical patent/DE96062T1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66833Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/792Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/0214Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Claims (1)

  1. Pn :ei:tr:.!■-,·,/it ,
    V.'a!kert«;hcion - ~ '" .
    Europäische Patentanmeldung 839ΟΟ315.9 3088/GER
    ' '' 1 2 1984
    NCR Corporation, World Headquarters,
    Dayton, Ohio 45479 (USA)
    Übersetzung der Patentansprüche
    1. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit einem Halbleitersubstrat (10), einer Siliziumoxidschicht (13), die auf dem Halbleitersubstrat (10) angebracht ist, eine
    1^ Siliziumoxynitridschicht (14), die auf der Siliziumoxidschicht (13) aufgebracht ist, einer Siliziumnitridschicht (15), die auf der Oxynitridschicht (14) aufgebracht ist, und einer Siliziumgateelektrode (19), die über der Siliziumnitridschicht (15) liegt, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumnitridschicht in Kontakt mit einem graduierten (sich allmählich ändernden) Siliziumoxynitrid (14, 16) ist, das dargestellt werden kann durch die Siliziumoxynitridschicht (14) auf der Siliziumoxidschicht (13).
    2. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid als eine weitere Schicht (16) von Siliziumoxynitrid vorgesehen
    SQ ist, die zwischen der Siliziumnitridschicht (15) und der Siliziumgateelektrode (19) liegt.
    3. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß beide Siliziumoxynitridschichten (14, 16) durch Schichten von graduiertem Siliziumoxynitrid gebildet sind.
    4. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die weitere Schicht (16) eine Dicke im Bereich 60 -
    ,- Angstrom besitzt.
    5. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch .1 , dadurch gekennzeichnet , daß die auf der Siliziumoxidschicht:(13) aufgebrachte SiIi-
    ziumoxynitridschicht (14) eine Dicke in dem Bereich von 20 - 80 Sngström besitzt.
    6. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (14, 16) ein Sauerstoff : Stickstoff-Verhältnis besitzt, das von einem Minimum an der Grenze in Kontakt mit der Siliziumnitridschicht zu einem Maximum an der davon entfernten Grenze schwankt.
    7. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß das Sauerstoff : Stickstoff-Verhältnis stufenförmig schwankt. ' .
    8. Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung nach einem
    der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die kombinierte Dicke aller Silizium tragenden Materialien zwischen dem Substrat (10)
    _ und der Gateelektrode (19) im Bereich von 360 - 470 Sng-30
    ström ist.
    9. Verfahren zum Bilden einer·nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung mit den Schritten Vorsehen eines
    Halbleitersubstrats (10), Aufbringen einer Silizium-35
    oxidschicht (13) auf dem Halbleitersubstrat (10), Auf-
    bringen einer Siliziumoxynitridschicht (14) auf der Siliziumoxidschicht (13), Aufbringen einer Siliziumnitridschicht (15) auf der Oxynitridschicht (14) und
    c Aufbringen einer Siliziumgateelektrode (19), die über der Siliziumnitridschicht (1.5) liegt, g _e k e η η zeichnet durch den Schritt Vorsehen einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (14, 16) in Kontakt mit der Siliziumnitridschicht (15), welch
    _ erstere aus der Siliziumoxynitridschicht (14) bestehen kann, die auf der Siliziumoxidschicht (13) aufgebracht ist.
    10. Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch den Schritt Aufbringen einer weiteren
    Schicht (16) von Siliziumoxynitrid, die die Schicht des graduiertem Siliziumoxynitrids darstellt und zwischen der Siliziumnitridschicht (15) und der Siliziumgateelektrode (19) liegt.
    11. Verfahren nach Anspruch 10, ge k e η η ζ e i c h - -
    net durch den Schritt Aufbringen einer Siliziumoxynitridschicht (14) in der Form einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid.
    12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt Aufbringen einer Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid (15) ausgeführt wird durch Verwenden von Reagenzgasen Ammoniak, Dichlorsilan und Distickstoffmonoxyd in einem
    Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan ..: Distickstoffmonoxyd, das schwenkt von 3,5:1:2 am Beginn bis etwa ■; 3,5:1:0, am Ende. ., ' ■ .'
    „,_ 13·. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η ζ e ich η et , daß der Schritt des Aufbringens
    einer weiteren Schicht (16) von Siliziumoxynitrid,
    das die Schicht von graduiertem Siliziumoxynitrid darstellt, bewirkt wird durch Verwenden der Reagenzgase Ammoniak, Dichlorsilan und Distickstoffmonoxyd 5
    in einem Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan : Distickstof fmonoxyd , das von etwa 3,5:1:0 am Beginn bis etwa 3,5:1:2 am Ende schwankt.
    14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Reagenzgase verwendet werden zur chemischen Niederdruckdampfablagerung bei einem Druck im Bereich von 0,3 bis 1,0 torr und bei einer Temperatur im Bereich von 700-950 C.
    15. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Verhältnis Ammoniak : Dichlorsilan : Distickstoffmonoxyd in Stufen verändert wird. ■
    16. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt Bilden der Siliziumnitridschicht (15) bewirkt wird durch Verwenden der Reagenzgase Ammoniak, und Dichlorsilan.
DE198383900315T 1981-12-14 1982-12-10 Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung. Pending DE96062T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33034581A 1981-12-14 1981-12-14
PCT/US1982/001731 WO1983002199A1 (en) 1981-12-14 1982-12-10 Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE96062T1 true DE96062T1 (de) 1984-04-26

Family

ID=23289354

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE198383900315T Pending DE96062T1 (de) 1981-12-14 1982-12-10 Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung.
DE8383900315T Expired DE3271603D1 (en) 1981-12-14 1982-12-10 Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8383900315T Expired DE3271603D1 (en) 1981-12-14 1982-12-10 Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0096062B1 (de)
JP (1) JPS58502126A (de)
CA (1) CA1188419A (de)
DE (2) DE96062T1 (de)
WO (1) WO1983002199A1 (de)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0118506A1 (de) * 1982-08-12 1984-09-19 Ncr Corporation Nichtflüchtige halbleiterspeichervorrichtung
JP2515715B2 (ja) * 1984-02-24 1996-07-10 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置の製造方法
EP0215064A1 (de) * 1985-03-08 1987-03-25 Ncr Corporation Nicht-flüchtige feldeffektspeichervorrichtung mit schwebendem gate
JP2664685B2 (ja) * 1987-07-31 1997-10-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6373093B2 (en) 1989-04-28 2002-04-16 Nippondenso Corporation Semiconductor memory device and method of manufacturing the same
US5017979A (en) * 1989-04-28 1991-05-21 Nippondenso Co., Ltd. EEPROM semiconductor memory device
US5397720A (en) * 1994-01-07 1995-03-14 The Regents Of The University Of Texas System Method of making MOS transistor having improved oxynitride dielectric
US5478765A (en) * 1994-05-04 1995-12-26 Regents Of The University Of Texas System Method of making an ultra thin dielectric for electronic devices
JP2871530B2 (ja) * 1995-05-10 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
KR0171982B1 (ko) * 1995-12-02 1999-03-30 김주용 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
GB2389963A (en) * 1998-12-04 2003-12-24 Nec Electronics Corp Semiconductor device and method of manufacture
US6255233B1 (en) 1998-12-30 2001-07-03 Intel Corporation In-situ silicon nitride and silicon based oxide deposition with graded interface for damascene application
US6548422B1 (en) * 2001-09-27 2003-04-15 Agere Systems, Inc. Method and structure for oxide/silicon nitride interface substructure improvements
US20060113586A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Macronix International Co., Ltd. Charge trapping dielectric structure for non-volatile memory
US9331184B2 (en) 2013-06-11 2016-05-03 United Microelectronics Corp. Sonos device and method for fabricating the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2889848A (en) * 1955-12-22 1959-06-09 Redmer Sons Company Flow control clamp
US3685795A (en) * 1970-07-06 1972-08-22 Baxter Laboratories Inc Fluid flow valve
GB1428391A (en) * 1972-06-23 1976-03-17 Avon Medicals Couplings
US4151537A (en) * 1976-03-10 1979-04-24 Gte Laboratories Incorporated Gate electrode for MNOS semiconductor memory device
US4080965A (en) * 1976-09-30 1978-03-28 Baxter Travenol Laboratories, Inc. In-line cannula valve assembly
JPS5924547B2 (ja) * 1976-11-04 1984-06-09 ソニー株式会社 不揮発性メモリトランジスタ
DE2967538D1 (en) * 1978-06-14 1985-12-05 Fujitsu Ltd Process for producing a semiconductor device having an insulating layer of silicon dioxide covered by a film of silicon oxynitride
US4217601A (en) * 1979-02-15 1980-08-12 International Business Machines Corporation Non-volatile memory devices fabricated from graded or stepped energy band gap insulator MIM or MIS structure

Also Published As

Publication number Publication date
CA1188419A (en) 1985-06-04
EP0096062B1 (de) 1986-06-04
JPS58502126A (ja) 1983-12-08
WO1983002199A1 (en) 1983-06-23
EP0096062A1 (de) 1983-12-21
DE3271603D1 (en) 1986-07-10
JPH0548631B2 (de) 1993-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE96062T1 (de) Nicht-fluchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zur herstellung.
DE69330851T2 (de) Verfahren zum Auftragen von Silizium-Oxid-Schichten mit verbesserten Eigenschaften
DE2658448C3 (de) Verfahren zum Ätzen einer auf einem Halbleiterkörper aufgebrachten Schicht aus Siliciumnitrid in einem Gasplasma
DE10123858A1 (de) Verfahren zum Bilden von Silicium-haltigen Dünnschichten durch Atomschicht-Abscheidung mittels SI2CL6 und NH3
DE69232131T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer isolierenden Schicht für einen Kondensator
DE2161055A1 (de) Verfahren zum Niederschlagen eines hitzebeständigen Metalls
DE2950846A1 (de) Verfahren zur herstellung amorpher halbleiterschichten
DE1614540B2 (de) Halbleiteranordnung sowie verfahren zu seiner herstellung
DE1913718C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
KR950704810A (ko) 층진 초격자 재료 제조 및 이를 포함하는 전자장치 제조 공정(rpocess for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same)
DE2557079A1 (de) Verfahren zum herstellen einer maskierungsschicht
DE2224515B2 (de) Verfahren zum verdichten von silikatglaesern
DE2063726C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE1544287A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht aus einer Silizium-oder Germaniumstickstoff-Verbindung an der Oberflaeche eines Halbleiterkristalls
EP1086488A2 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
EP0026376A3 (de) Verfahren zur Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen, insbesondere CCD-Schaltungen mit selbstjustierten, nichtüberlappenden Poly-Silizium-Elektroden
DE2431917A1 (de) Glaspassiviertes halbleiterbauelement fuer hohe leistungen und verfahren zu seiner herstellung
DE1614455C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
JP2741745B2 (ja) 半導体電極形成方法および装置
DE112013006955B4 (de) Filmbildungsverfahren
DE2506436A1 (de) Isolationsdiffusionsverfahren
DE69305251T2 (de) Verwendung von Oxalylchlorid für die Herstellung chlorid-dotierter SiO2-Schichten auf Silikon-Substraten
DE19649917B4 (de) Verfahren zur Isolation von Halbleitereinrichtungen
DE1414898A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern
Avigal et al. A new method for chemical vapor deposition of silicon dioxide