DE910558C - Verfahren zur Herstellung von Hochohm-Widerstaenden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Hochohm-Widerstaenden

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DE910558C
DE910558C DEH4228D DEH0004228D DE910558C DE 910558 C DE910558 C DE 910558C DE H4228 D DEH4228 D DE H4228D DE H0004228 D DEH0004228 D DE H0004228D DE 910558 C DE910558 C DE 910558C
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DE
Germany
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production
vapor deposition
ohmic resistors
high ohmic
silicon layer
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Expired
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DEH4228D
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Dr Georg Hass
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GEORG HASS DR
Original Assignee
GEORG HASS DR
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Publication date
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    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/5806—Thermal treatment
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    • C23C14/58—After-treatment
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    • H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
    • H01C17/08—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by vapour deposition

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Hochohm-Widerständen Es sind bereits zahlreiche Verfahren zur Herstellung von Hochohm-Widerständen bekanntgeworden, welche zum Teil auch Eingang in die Praxis gefunden haben. Trotzdem ist die Erzeugung solcher Widerstände noch immer mit mannigfachen Schwierigkeiten verbunden. Ein Teil der bekannten Verfahren erfordert einen großen apparativen Aufwand. Andere wieder sind gegen die geringsten Abweichungen von den vorgeschriebenen Arbeitsbedingungen so empfindlich, daß die Ausschußquote oft recht hoch ist. Auch bereitet es häufig Schwierigkeiten, die gewünschten Widerstandswerte herzustellen.
  • Nach der Erfindung lassen sich nun Hochohm-Widerstände in einfacher Weise dadurch erzeugen, daß auf einen Grundkörper aus Isolierstoff, vorzugsweise durch Aufdampfen im Vakuum, eine amorphe Siliziumschicht aufgebracht wird, welche durch Tempern bei erhöhter Temperatur so weit in metallisches Silizium übergeführt wird, bis die gewünschte Leitfähigkeit erreicht ist.
  • Wenn man aber die Unterlagen mit der aufgedampften Schicht in nichtoxydierender Atmosphäre erwärmt, und zwar im allgemeinen auf Temperaturen von 65o° und mehr, so entstehen in den diffusenRingen des Elektroneninterferenzbildes einige schärfere Interferenzen, welche dem kristallisierten Silizium zuzuordnen sind. Im übergangsgebiet zwischen kristallisiertem und amorphem Zustand der Schicht kann man nun alle gewünschten Widerstandswerte erhalten. Man kann selbstverständlich das Tempern auch mit dem Aufdampfen verbinden, indem auf eine erwärmte Unterlage aufgedampft wird. Dabei bildet sich gleichzeitig amorphes und kristallisiertes Silizium. je nach der Temperatur, auf die die Unterlage erwärmt wird, überwiegt eine der beiden Siliziummodifikationen. ' Statt die amorphe Siliziümschicht durch Aufdampfen im Vakuum herzustellen, kann man eine solche durch Zersetzung von Siliziumverbindungen rein chemisch niederschlagen und auf diese Weise auf den Isolierkörper aufbringen.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Hochohm-Widerständen. dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Grundkörper aus Isolierstoff, vorzugsweise durch Aufdampfen im Vakuum, eine amorphe Siliziumschicht aufgebracht wird, welche durch Tempern bei erhöhter Temperatur so weit in metallisches Silizium übergeführt wird, bis die gewünschte Leitfähigkeit erreicht ist.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Tempern bei Temperaturen von 65o° und mehr erfolgt.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen der Silizium-Schicht auf eine erwärmte Unterlage erfolgt.
DEH4228D 1943-06-13 1943-06-13 Verfahren zur Herstellung von Hochohm-Widerstaenden Expired DE910558C (de)

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