DE900253C - Anordnung fuer Halbleiterverstaerker - Google Patents
Anordnung fuer HalbleiterverstaerkerInfo
- Publication number
- DE900253C DE900253C DEP2590A DEP0002590A DE900253C DE 900253 C DE900253 C DE 900253C DE P2590 A DEP2590 A DE P2590A DE P0002590 A DEP0002590 A DE P0002590A DE 900253 C DE900253 C DE 900253C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- semiconductor
- arrangement
- auxiliary
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 241001233037 catfish Species 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
- Nach der derzeitigen Auffassung, die man über die Wirkungsweise eines Germaniumkristalls oder gewisser anderer Halbleiiter hat, verändert ein solcher Kristall :ih der Nähe einer auf ihn a,l& feine Kontaktspiltze aufgesetzten Elektrodes seines Leihfähigkeit derart, daß z. B. bei; positiver Verspannung dieser Elektrode um diesig eine elektronenarme Zone auftritt.
- Ein: Schaltungsaufbau eines. Halbleiterverstärkers ist schematisch in der Fig. i wiedergegeben. Der dort gezeigte Halbkreiss, K stellt stark vergrößert den Halbleiter dar, auf den im Abstand von beilspielSwelse 0,05 mm zwei als Kontaktspitzen ausgebildete Elektroden Ei und E2 aufgeisetzt sind. Die Elektrode Ei, an welche die zu verstärkende Steuerspannung St angelegt wird, ist positiv (i Volt) vorgespannt, so daß sich gemäß die- obigen Erläuterung in ihrer Umgebung eine elektronenarme Zone Z1 bildet. Da die zweite, ebenfalls als Kontaktspitze ausgebildete Elektrode E2 milb negabi#vem Potential (4a Voh) versehen ist", bildet sich um diese Elektrode E2 eine Zone Z2 mit eignem Elektronenübers.chuß. Demzufolge wird der zur Aufrechterhaltung des Stromes erforderliche E.lekbronennachschub zum großeng Teil ausi dem Kristallgebiet geliefert, in dem such dies Zonen Z1 und, Z2 überschneiden. Ausgehend von der Erkenntnils, daß ,die theoretisch höchste Sp-annungs- bzw. Leistungsverstärkung möglich ilst, wenn alle von der Elektrode El aufgenommenen Elektronen aus. der Zone Z2 herrühren, wird erfindungsgemäß zur Erhöhung der Verstärkung des. gezeigtem Halbleiterverstärkers K mitt den in geringem gegensei!bilgem Abstand voneinander auf diesen aufgesetzten Elektroden positiven bzw. negatitven Potentials vorgeschlagen, der positiv undj/'oder negativ vorgespannten Elektrode je eine oder mehrere HiiIfse'lektroden zuzuordnen. Werden z. B. der Elektrode Ei eine oder mehrere Hilfselektrode H1 zugeordnet, so wird bei; positiver Vorspannung derb selben verhindert, daß die Elektrode E1 .ihrem. Elektronenbedarf aus, der sie umgebenden Zone Z1 und deren Nachbarbereich deckt. Infolge der gewissermaßen künstlich erzeugten weiteren. Elektronenverarmung durch H1 wird das. Übers.chnei:-dungsgebiet der Zonen Z1 und Z2 in noch stärkerem Maße als vorher als Elektronenquelle herangezogen.
- Bei Zuordnung einer oder mehrerer Hilfselekbroden H2 mit negatilver Verspannung zur Elektrode E2 wird die Zone Z2 risst Elektronenüberschuß zur elektronenarmen Zone Z1 hin gedrängt, so. daß das überschneidungsgebiet beii, gleichem Abstand der Elektroden Ei und E2 vergrößert wird. Außerdem st hierdurch die Möglichkeit gegeben, den: Abstand beider Elektroden zur der Rückwirkung der Elektrode E2 auf die Elektrode El zu vergrößern, ohne daß dadurch das, Überschneidungsgebiet und: damit die Verstärkung des Halbleiterverstärkers kleiner wkd.
- Infolge der Möglischkeiit, den Elektrodlenabstand ohne Nachteil zu vergrößern, ist auch. eine leichtere mechanische Einstellung der Elektroden als bisher zu erzielen.. Die Vermehrung der Elektradenanzahl durch Hilfselektroden dient ge@visssermaßen dazu, eine Vergrößerung der Kathodenoberfläche und damit eine größere Emission zu erreichen. Was den Abstand der Hilfselektroden, betriffti, so, vsb eis nitcht nötig, die Hilfselektroden dichter an die entsprechenden bisher üblichen; Elektroden heranzubringen, da ohna Hillfselektroden berebs eine Beeinf[usisung der sonst üblichen Elektroden möglich ist.
- Anstatt sdie. Hilfselektroden als Kontaktspitzen auszubilden, können diese auch dito Form von halbkreitsförmigen Zylindern erhalten. Die Fig. 2 zeigt in Aufsicht den Krisitall K mief den beiden Elektroden Ei und E2 und den Hilfselektroden Hi und H2'.
- Da dien Oberfläche des. Halbleiters, niemals sog glatte isst, daß eines halbkreisiförmxge Hmdfselekbro-de milb ihrem gesamten Umfang auf dem Halbleiter aufliegt, sondern nur eine spiitzenweise Barührrung erfolgt, ergibt seich teil einer solchen Ausbildung der Hilfselektroden gewissermaßen eine Parallelschaltung mehrerer aufsitzender Spitzen.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Anordnung für Halbleiterverstd.rlmr mit ,ein geriihgem gegenseitigem Abstand voneinander auf den Halbleiter aufgesetzten Elektroden positiven bzw. negatirven Potentials" dadurch gekennzeichnet, daß der postiltiv undfder negativ vorgespannten Elektrode je eine oder mehrere Hillfselektrodem zugeordnet, sind.
- 2. Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeüchnet, daß als Hilfselektlrode eine als Kontaktspiitize ausgebIldete Elektrode dient.
- 3. Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Hislfselektrode ein halbkraieförmiger Zylinder auf den Halbleiterverstärker aufgesetzt ist. Angezogene Druckschriften: Wissenschaftliche Veröffentlichungen des Siemens--Konzerns, Bd. 1g, 3. Heft, 1939, S. 66.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP2590A DE900253C (de) | 1949-04-15 | 1949-04-15 | Anordnung fuer Halbleiterverstaerker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP2590A DE900253C (de) | 1949-04-15 | 1949-04-15 | Anordnung fuer Halbleiterverstaerker |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE900253C true DE900253C (de) | 1953-12-21 |
Family
ID=7358093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP2590A Expired DE900253C (de) | 1949-04-15 | 1949-04-15 | Anordnung fuer Halbleiterverstaerker |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE900253C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1129625B (de) * | 1958-05-23 | 1962-05-17 | Telefunken Patent | Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt |
DE1132245B (de) * | 1958-05-27 | 1962-06-28 | Licentia Gmbh | Vorrichtung zur Temperaturregelung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
US3331001A (en) * | 1963-12-09 | 1967-07-11 | Philco Corp | Ultra-high speed planar transistor employing overlapping base and collector regions |
-
1949
- 1949-04-15 DE DEP2590A patent/DE900253C/de not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1129625B (de) * | 1958-05-23 | 1962-05-17 | Telefunken Patent | Drifttransistor, bei dem der spezifische Widerstand in der Basiszone von der Emitter-zur Kollektorzone zunimmt |
DE1132245B (de) * | 1958-05-27 | 1962-06-28 | Licentia Gmbh | Vorrichtung zur Temperaturregelung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
US3331001A (en) * | 1963-12-09 | 1967-07-11 | Philco Corp | Ultra-high speed planar transistor employing overlapping base and collector regions |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE900253C (de) | Anordnung fuer Halbleiterverstaerker | |
DE102015225235A1 (de) | Berührungsanzeigebedienfeld und treiberverfahren sowie treiberschaltung für dasselbe | |
DE1165700C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Bauelementen oder Baugruppen | |
DE2918390C2 (de) | Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen | |
DE839837C (de) | Kathodenstrahlroehre | |
DE1220050B (de) | Photozelle mit Sekundaerelektronenvervielfacher | |
Yamada | New Caulerpas and Halimedas from Micronesia | |
DE1098628B (de) | Indikatorroehre zur Projektion von Ziffern und Buchstaben fuer Zaehl- und Rechenmaschinen | |
DE928480C (de) | Konzentrier-Einrichtung fuer Elektronenstrahlroehren mit statischen Konzentriermitteln | |
DE857245C (de) | Strahlerzeugungssystem fuer Elektronenstrahlgeraete | |
DEP0002590BA (de) | Anordnung für Halbleiterverstärker | |
AT157653B (de) | Kathodenstrahlröhre. | |
DE925664C (de) | Elektronenbuendelungs- und -ablenkvorrichtung fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
DE613806C (de) | Kathodenstrahlroehre mit Steuerelektroden und Auffangelektroden zur Erzeugung und Verstaerkung von Schwingungen | |
DE379533C (de) | Einrichtung zur Erzeugung von Reizstroemen in Muskeln, insbesondere fuer rhythmische Stroeme | |
DE663880C (de) | Aus blendenfoermigen Elektroden bestehendes elektronenoptisches Immersionssystem | |
DE861293C (de) | Roentgenroehre mit Strichbrennfleck adjustierbarer Breite | |
JPS5671254A (en) | Electronic source | |
DE976424C (de) | Verfahren zur Symmetrierung der Kennwerte von Transistoren, Fototransistoren od. dgl. | |
DE1065942B (de) | Halbleiteranordnung mit einem dünnen flächenhaften Überzug des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps auf dem Halbleiterkristall | |
GB1290190A (de) | ||
DE874353C (de) | Elektronenlinse mit einer an Hochspannung liegenden Elektrode | |
DE743239C (de) | Gluehkathode fuer Braunsche Roehren, deren rotationssymmetrischer Kathodenkoerper topfaehnlich ausgebildet ist und an der aeusseren Bodenflaeche die Emissionsschicht traegt, die nur einen Teil der Bodenflaeche einnimmt | |
AT155280B (de) | Einrichtung zum Empfang von Fernsehbildern. | |
AT148915B (de) | Sammelvorrichtung für Elektronen. |