DE900253C - Anordnung fuer Halbleiterverstaerker - Google Patents

Description

• Nach der derzeitigen Auffassung, die man über die Wirkungsweise eines Germaniumkristalls oder gewisser anderer Halbleiiter hat, verändert ein solcher Kristall :ih der Nähe einer auf ihn a,l& feine Kontaktspiltze aufgesetzten Elektrodes seines Leihfähigkeit derart, daß z. B. bei; positiver Verspannung dieser Elektrode um diesig eine elektronenarme Zone auftritt.
• Ein: Schaltungsaufbau eines. Halbleiterverstärkers ist schematisch in der Fig. i wiedergegeben. Der dort gezeigte Halbkreiss, K stellt stark vergrößert den Halbleiter dar, auf den im Abstand von beilspielSwelse 0,05 mm zwei als Kontaktspitzen ausgebildete Elektroden Ei und E2 aufgeisetzt sind. Die Elektrode Ei, an welche die zu verstärkende Steuerspannung St angelegt wird, ist positiv (i Volt) vorgespannt, so daß sich gemäß die- obigen Erläuterung in ihrer Umgebung eine elektronenarme Zone Z1 bildet. Da die zweite, ebenfalls als Kontaktspitze ausgebildete Elektrode E2 milb negabi#vem Potential (4a Voh) versehen ist", bildet sich um diese Elektrode E2 eine Zone Z2 mit eignem Elektronenübers.chuß. Demzufolge wird der zur Aufrechterhaltung des Stromes erforderliche E.lekbronennachschub zum großeng Teil ausi dem Kristallgebiet geliefert, in dem such dies Zonen Z1 und, Z2 überschneiden. Ausgehend von der Erkenntnils, daß ,die theoretisch höchste Sp-annungs- bzw. Leistungsverstärkung möglich ilst, wenn alle von der Elektrode El aufgenommenen Elektronen aus. der Zone Z2 herrühren, wird erfindungsgemäß zur Erhöhung der Verstärkung des. gezeigtem Halbleiterverstärkers K mitt den in geringem gegensei!bilgem Abstand voneinander auf diesen aufgesetzten Elektroden positiven bzw. negatitven Potentials vorgeschlagen, der positiv undj/'oder negativ vorgespannten Elektrode je eine oder mehrere HiiIfse'lektroden zuzuordnen. Werden z. B. der Elektrode Ei eine oder mehrere Hilfselektrode H1 zugeordnet, so wird bei; positiver Vorspannung derb selben verhindert, daß die Elektrode E1 .ihrem. Elektronenbedarf aus, der sie umgebenden Zone Z1 und deren Nachbarbereich deckt. Infolge der gewissermaßen künstlich erzeugten weiteren. Elektronenverarmung durch H1 wird das. Übers.chnei:-dungsgebiet der Zonen Z1 und Z2 in noch stärkerem Maße als vorher als Elektronenquelle herangezogen.
• Bei Zuordnung einer oder mehrerer Hilfselekbroden H2 mit negatilver Verspannung zur Elektrode E2 wird die Zone Z2 risst Elektronenüberschuß zur elektronenarmen Zone Z1 hin gedrängt, so. daß das überschneidungsgebiet beii, gleichem Abstand der Elektroden Ei und E2 vergrößert wird. Außerdem st hierdurch die Möglichkeit gegeben, den: Abstand beider Elektroden zur der Rückwirkung der Elektrode E2 auf die Elektrode El zu vergrößern, ohne daß dadurch das, Überschneidungsgebiet und: damit die Verstärkung des Halbleiterverstärkers kleiner wkd.
• Infolge der Möglischkeiit, den Elektrodlenabstand ohne Nachteil zu vergrößern, ist auch. eine leichtere mechanische Einstellung der Elektroden als bisher zu erzielen.. Die Vermehrung der Elektradenanzahl durch Hilfselektroden dient ge@visssermaßen dazu, eine Vergrößerung der Kathodenoberfläche und damit eine größere Emission zu erreichen. Was den Abstand der Hilfselektroden, betriffti, so, vsb eis nitcht nötig, die Hilfselektroden dichter an die entsprechenden bisher üblichen; Elektroden heranzubringen, da ohna Hillfselektroden berebs eine Beeinf[usisung der sonst üblichen Elektroden möglich ist.
• Anstatt sdie. Hilfselektroden als Kontaktspitzen auszubilden, können diese auch dito Form von halbkreitsförmigen Zylindern erhalten. Die Fig. 2 zeigt in Aufsicht den Krisitall K mief den beiden Elektroden Ei und E2 und den Hilfselektroden Hi und H2'.
• Da dien Oberfläche des. Halbleiters, niemals sog glatte isst, daß eines halbkreisiförmxge Hmdfselekbro-de milb ihrem gesamten Umfang auf dem Halbleiter aufliegt, sondern nur eine spiitzenweise Barührrung erfolgt, ergibt seich teil einer solchen Ausbildung der Hilfselektroden gewissermaßen eine Parallelschaltung mehrerer aufsitzender Spitzen.

Claims (3)

1. PATENTANSPRÜCHE: i. Anordnung für Halbleiterverstd.rlmr mit ,ein geriihgem gegenseitigem Abstand voneinander auf den Halbleiter aufgesetzten Elektroden positiven bzw. negatirven Potentials" dadurch gekennzeichnet, daß der postiltiv undfder negativ vorgespannten Elektrode je eine oder mehrere Hillfselektrodem zugeordnet, sind.
2. 2. Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeüchnet, daß als Hilfselektlrode eine als Kontaktspiitize ausgebIldete Elektrode dient.
3. 3. Anordnung nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Hislfselektrode ein halbkraieförmiger Zylinder auf den Halbleiterverstärker aufgesetzt ist. Angezogene Druckschriften: Wissenschaftliche Veröffentlichungen des Siemens--Konzerns, Bd. 1g, 3. Heft, 1939, S. 66.