DE2918390C2 - Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen - Google Patents

Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen

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DE2918390C2
DE2918390C2 DE2918390A DE2918390A DE2918390C2 DE 2918390 C2 DE2918390 C2 DE 2918390C2 DE 2918390 A DE2918390 A DE 2918390A DE 2918390 A DE2918390 A DE 2918390A DE 2918390 C2 DE2918390 C2 DE 2918390C2
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    • HELECTRICITY
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung nach dem Oberbegriff von Anspruch 1.
Eine derartige Vorrichtung kann eine Ionenimplantat'onsvorrichtung sein, die hier beispielsweise beschrieben wird, kann aber auch eine Vorrichtung zur Steuerung eines Elektronenstrahls sein. In der DE-OS 19 48 396 ist eine derartige Vorrichtung beschrieben.
Bei Ionenimplantationsvorrichtungen mit einem elektrostatischen Ablenksystem wird das Ionenbündel auf die Auftreffpiatte gerichtet und über die Aufireffpiatte gemäß einem gewünschten Muster durch Änderung der Spannung an den Ablenkplatten bewegt
Beim Implantieren beschreibt das Ionenbündel meistens ein rechteckiges Muster, das möglichst gleich dem Umfang der zu implantierenden Auftreffpiatte ist Es können aber auf verschiedene Weise Abweichungen von dem gewünschten Muster auftreten. So wird das Ionenbündel selbst nicht immer an derselben Stelle oder in derselben Richtung in die Ablenkplatten eintreten. Weiter können in der vorzugsweise elektronisch ausgeführten Steuervorrichtung für die Spannung an den Ablenkplatten nach einiger Zeit Abweichungen auftreten, die z. B. durch Temperaturänderung in Verstärkern herbeigeführt werden. Infolge dieser unerwünschten Abweichungen kann die Ablenkung die das Bündel beschreibt, viel zu stark auf eine Seite hin gerichtet sein (was nachstehend auch als Abweichung von der NuII-punkteinstellung bezeichnet wird), ab-.r auch d:ie Amplitude des Bündels kann zu groß oder zu klein werden.
Bei einem Verfahren zur Prüfung, ob ein Ionen- oder Elektronenbündel die ganze Auftreffpiatte beistreichen wird, wird vor der Auftreffpiatte eine Metallplatte angcordnet, auf der eine lumineszierende Schicht, z. B. aus Kaliumbromid, angebracht ist. Wenn geladene Teilchen auf die Schicht auftreffen, leuchtet sie auf, so· daß die Bahn des Bündels sichtbar gemacht werden kann. Dazu sind jedoch eine Kamera an der Stelle der Implantationskammer, sowie ein Monitor an der Stelle des Bedienungspanels erforderlich. Bei kleinen Bündelströmen und einer dünnen lumineszierenden Schicht isl die Lichtausbeute zu gering, um ein gutes Bild zu erhalten. Weiter wird das Vakuum in der Implantationskammer von der beschossenen Schicht in ungünstigem Sinne beeinflußt.
Bei Abweichung von der gewünschten Nullpiunkteinstellung des Bündels oder der Amplitude desselben muß das Bündel nachgeregelt werden. Wenn eine optimale Wirkung erhalten werden soll, muß diese Nachregelung rechtzeitig und genau erfolgen.
Die DE-OS 25 25 406 beschreibt eine Vorrichtung zum Bestrahlen eines Objekts mit einem Bündel elektrisch geladener Teilchen, z. B. zur Bestrahlungstherapie, die ein Ablenksystem zum Ablenken des Bündels in zwei zueinander senkrechten Richtungen und eine Ionisationskammer aufweist die in voneinander getrennten Elektroden unterteilt und mit einer Regelvorrichtung
verbunden ist, derart, daß der Nullpunkt des Bündels und Ablenkamplitude auf dem Objekt automatisch eingestellt und in dieser Einstellung aufrechterhalten werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art so auszubilden, daß der Nullpunkt des Bündels der elektrisch geladenen Teilchen und auch die Ablenkamplitude auf der Auftreffplatte automatisch eingestellt und in dieser Einstellung aufrechterhalten werden, ohne daß eine Ionisationskammer nötig ist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst
Die zu beiden Seiten der Auftreffplatte angeordneten Kombinationen von zwei leitenden Stäben liefern bei jedem Hub des Bündels die für eine etwaige Korrektur benötigte Information, so daß eine automatisch wirkende Stabilisierung der Bahn, die das Bündel beschreibt, erhalten werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung enthält die Regelvorrichtung, die auf die Spannung über den Widerständen anspricht, sowohl ein Korrektursystem für die Nullpunkteinstellung des Bündels als auc'ri ein Korrektursystem für die Größe der Amplitude des Bündels.
Die Regelvorrichtung enthält nach einer Weiterbildung der Erfindung eine digitale Schaltung mit multistabilen Vibratoren zur Umwandlung der Impulse über den Stäben in ein statisches Signal, wobei diese statischen Signale einem Abschnitt zur Regelung der Bündelnullpunkteinstellung und einem Abschnitt zur Regelung der Bündelamplitude zugeführt werden, und wobei diese Abschnitte je eine digitale Vergleichsschaltung zum Vergleichen der zugeführten Signale mit den gewünschten Signalen, eine Zählerschaltung, die bei einer Abweichung in der Vergleichsschaltung einen Impuls empfängt und diesen Impuls zu einem an ihrem Ausgang vorhandenen Wert summiert, und einen Digital/ Analogwandler enthalten, der eine analoge Ausgangsspannung abgibt, die dem Wert proportional ist, der von der Zählerschaltung seinem Eingang zugeführt ist. Dadurch wird .ine sehr befriedigend wirkende Stabilisierung erhalten.
Die Anwendung von Stäben kann außer für die Stabilisierung vorteilhaft dazu benutzt werden, die Lage des Bündels auf einfache Weise sichtbar zu machen.
Bei einer Weiterbildung der Erfindung sind dazu die Stäbe weiter mit lichtemitierenden Ir.dikatoren für die Lage des Bündels verbunden, wobei ein Indikator infolge der Spanung aufleuchtet, die über dem Widerstand des zugehörigen Stabes entsteht, wenn dieser Stab von dem Bündel geladener Teilchen getroffen wird.
Die Lichtanzeige kann gemäß einer Weiterbildung noch verbessert werden, wenn in die Verbindung jedes Stabes mit seinem zugehörigen Indikator ein Spannungsverstärker sowie ein monostabiler Multivibrator aufgenommen sind. Durch den Spannungsverstärker wird eine größere Lichtstärke erhalten, während die monostabilen Multivibratoren die Zeiten des Aufleuchtens der Indikatoren verlängern können.
Gernäß einer Weiterbildung sind jeweils mehr als zwei Stäbe an einer Seitenkante der Befestigungsplatte für die Auftreffplatte angebracht. Die weiteren Stäbe sind nicht für die Stabilisierung erforderlich, aber sie können wohl eine weitere Anzeige geben, z. B. daß die Hublänge des Bündels übermäßig groß ist und also ein unerwünschter Zeitverlust in der Bearbeitung auftritt.
AusFührungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend an Hand der Zeichiii ng näher erläutert. Es zeigt Fig. 1 schematisch eine Ionenimplantationsvorrichtung,
F i g. 2 ein übliches Muster, das das Ionenbündel über die Auftreffplatte beschreibt,
Fig.3 ein bevorzugtes Muster des Bündels auf der Auftreffplatte,
F i g. 4 ein elektronisches Regelsystem zum Erhalten des Musters nach F i g. 3,
Fig.5 eine Auftreffplatte mit Stabilisierungsstäben
ι ο nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,
F i g. δ verschiedene Lagen, die das Bündel in bezug auf die Stabilisierungsstäbe einnehmen kann,
F i g. 7 eine elektronische Regelvorrichtung zum Erzeugen einer Stabilisierungsspannung, und F i g. 8 ein Beispiel der Wirkung der Stäbe für Lichtanzeige.
In Fig. 1 ist eine lonenimplantationsvorrichtung schematisch dargestellt. Aus einer Ionenquelle 1 werden Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes beschleunigt.
Dieses Feld wird durch einen Spannungsunterschied zwischen der Ionenquelle 1 und eine·· Beschleunigungselektrode 2 erhalten, wobei dieser Spannungsunterschied z. B. 1100 kV betragen kann. Das erzeugte lonenbündel durchläuft ein magnetisches Feld, dessen Stärke mit Hilfe eines Ablenkmagnets 3 derart eingestellt ist, daß nur gewünschte Ionen eine Kurve 5 passieren. Teilchen mit einer größeren oder geringeren Masse als die gewünschte Masse werden auf die Außen- bzw. Innenkurve aufprallen. Die Ionen, die die Kurve 5 durchlaufen haben, werden mit Hilfe eines Linsensystems 4 auf eine Auftreffplatte 10 fokussiert, die auf einem Träger 11 befestigt ist. Die Auftreffplatte 10 ist z. B. eine Halbleiterscheibe, die mit Ionen implantiert wird, um eine oder mehrere Zonen von einem gewünschten Leitungstyp zu erhalten. Das Ionenbündel muß dazu ein Muster über die Halbleiterscheibe 10 beschreiben.
Die Steuerung des Ionenbündels erfolgt mit Hilfe eines elektrostatischen Ablenksystems. Dazu sind Ablenkplatten 6, 7 und 8, 9 zur Bündelablenkung ϊη zwei zueinander senkrechten Richtungen vorhanden. Durch Regelung einer Differenzspannung zwischen den Ablenkplatten 6, 7 bzw. 8, 9, wobei diese Differenzspannung z. B. bis zu einem Höchstwert von 10 kV geregelt werden kann, wird das Ionenbündel derart abgelenkt, daß die Halbleiterscheibe 10 gemäß einem gewünschten Muster getroffen wird. Das Prinzip der Wirkung einer derartigen lonenimplantationsvorrichtung ist, z. B. aus der eingangs genannten DE-OS 19 48 396 bekannt und bedarf keiner näheren Erläuterung.
Meistens müssen Zonen über die ganze Halbleiterscheibe mögilichst homogen mit Ionen implantiert werden. Fig. 2 zeigt ein Schematisches Beispiel eines Musters, gemäß dem das Bündel die Halbleiterscheibe bei bekannten Vorrichtungen trifft. Beim angewandten elektrostatischen Ablenksystem wird von einem Spannungsgenerator eine Dreieckspannung erzeugt. Diese Spannung wird in zu Erde symmetrische Teilsignale gespaltet, verstärkt und den Ablenkplatten zugeführt. Dies erfolgt sowohl für die Ablenkplatten 6,7, die das Bündel in der A"-Richtung ablenken, als auch für die Ablenkplatten 8,9, die eine Bündelverschiebung in der K-Richtung bewirken können. Durch Regelung der Größe der Spannung an den X- und V-Ablenkplatten kann das Bündel die Halbleiterscheibe gemäß der in F i g. 2 dargestellten hin- und hergehenden Linie treffen, wobei ein rechteckiges Feld beschrieben wird.
In Fig.3 ist ein Implantationsmuster dargestellt, das dem nach Füg. 2 vorzuziehen ist. Beim Muster nach
F i g. 2 kann u. a. eine gewisse Inhomogenität dadurch erhalten werden, daß sich das hingehende und das zurückgehende Teilbündel teilweise überlappen, welches Bündel die Halbleiterscheibe gemäß einer Oberfläche z. B. kreis- oder ellipsenartiger Form trifft. Beim Muster nach Fig. 3 kann diese Überlappung vermieden werden. Das Muster nach F i g. 3 wird dadurch erhalten, daß das Bündel unter der Einwirkung eines elektrischen Feldes sich ändernder Stärke z. B. für die ^-Richtung und eines konstanten Feldes für die K-Rich'tung abgelenkt wird. Am Ende jedes Hubes des Bündels in der X-Richtung wird das statische Feld zwischen den K-Abienkplatten um einen geringen Betrag geändert, wodurch das Bündel einen kleinen Abstand in der V-Richtung zurücklegt. Dann wird das Bündel wieder in der ,Y-Richtung bewegt, wobei das Feld zwischen den V-Ablenkplatten konstant bleibt. Die benötigten Spannungen an den Ablenkplatten können dabei mit Vorteil auf digitale Weise erzeugt werden.
Ein Beispiel zur digitalen Erzeugung der Ablenkspannungen zeigt Fig.4. Für die Spannung an den X-Ablenkplatten sowie für die Spannung an den K-Ablenkplatten sind identische Kanäle verwendet. Für die Erklärung der Wirkung wird im wesentlichen der Kanal zur Erzeugung der Ablenkspannung in der A"-Richtung erörtert werden. Dieser Kanal enthält in diesem Ausführungsbeispiel eine nach dem binären System arbeitende Zählerschaltung 20, einen Digital/Analogwandler 21, eine Phasenspaltschaltung 22 und zwei parallel gegenphasig geschaltete Endverstärker 23 und 24, die mit den Ablenkplatten 6 bzw. 7 in Verbindung stehen. Jede der Schaltungen besteht aus an sich bekannten elektronischen Bausteinen.
Die Zählerschaltung 20 enthält eine Anzahl von Setzeingängen, von denen der Einfachheit halber vier, und zwar 25, 26, 27 und 28 dargestellt sind, sowie eine gleiche Anzahl von Ausgängen 29, 30, 31 und 32. Mit Hilfe der Setzeingänge kann der Zählerschaitung 20 eine Voreinstellung gegeben werden. Die Zählerschaltung enthält weiter einen Takteingang 33, dem von einem Oszillator stammende Spannungsimpulse zugeführt werden, und einen Aufwärts/Abwärtszähleingang 34, der die Spannungsimpulse des Takteingangs aufwärts oder abwärts zählen läßt. Die Kombination der Ausgänge 29 und 32 stellt binär die Summe der Spannungsimpulse dar, wobei die Einstellung jedes Ausgangs als »0« oder »1« dargestellt v/erden kann. Bei jedem weiteren Impuls wird binär gezählt, so daß sich mindestens an einem der Ausgänge die Einstellung ändert. Die Einstellung der Ausgänge wird an den Digital/Analogwandler 21 weitergeleitet, dessen Ausgangsspannung dem binären Wert am Eingang proportional ist.
Die am Ausgang des Wandlers 21 vorhandene Spannung wird der Phasenspaltschaltung 22 und dann den parallel gegenphasig geschalteten Endverstärkern 23 und 24 zugeführt Der Verstärker 23 führt die Spannung der Ablenkplatte 6 zu. während der Verstärker 24 eine gleich große Spannung mit entgegengesetztem Vorzeichen der Ablenkplatte 7 zuführt.
Die dem Takteingang 33 zugeführten Spannungsimpulse werden von der Zählerschaitung summiert, wodurch sich die Spannung am Ausgang des Wandlers 21 ändert, was zur Folge hat, daß die Spannung an den Ablenkplatten 6 und 7 geändert wird. Das ionenbünde! wird also in der X-Richtung abgelenkt. Wenn alle Ausgänge 29—32 eine durch »1« dargestellte Voreinstellung haben, ist das Bündel maximal abgelenkt und wird es sich neben der Halbleiterscheibe 10 befinden. Ein in der Zählerschaltung 20 vorhandener Maximum/Minimumausgang 35 erzeugt dann eine Spannungsänderung, die dem Takteingang 36 für die Zählerschaltung 37 des V-Kanals zugeführt wird. Dieser Impuls wird in dem V-Zähler 37 zu dem an den Ausgängen dieses Zählers vorhandenen Wert summiert. Der Digital/Analogwandler 38 für den K-K.anal wird einer Spannungsänderung mit einem schrittartigen Sprung unterworfen, der über die Phasenspaltschaltung 39 und die Endverstärker 40 und 41 eine Änderung der Spannung an den V-Ablenkplatten um einen Schritt herbeiführt.
Das Bündel bewegt sich dadurch um einen Schritt in der K-Richtung. Eine digitale Schaltung sorgt dafür, daß nun dem Aufwärts/Abwärtszähleingang 34 der X-Zählschaltung 20 eine »0« angeboten wird, so daß der X-Zähler abwärts zu zählen beginnt. Das Bündel bewegt sich nun über die Halbleiterscheibe in entgegengesetzter Richtung. Wenn alle Ausgänge 29—32 des X-Zählers 20 in die »0«-Einstellung gelangt sind, befindet sich das Bündel auf der anderen Seite der Halbleiterscheibe. Der Maximum/Minimumausgang 35 erzeugt wieder eine Spannungsänderung, so daß das Bündel wieder um einen Schritt in der V-Richtung bewegt wird. Wenn der K-Zähler die maximale Lage erreicht, d. h., daß seine Ausgänge eine »!«-Einstellung haben, wird die Polarität des V-Aufwärts/Abwärtszähleingangs 42 geändert, wonach das Bündel das Muster nach F i g. 3 in entgegengesetzter Richtung beschreibt. Die Vorgänge wiederholen sich, bis die gewünschte Implantationsdosis erhalten ist.
Es stellt sich jedoch heraus, daß in dem Digital/Analogwandler, der Phasenspaltschaltung und den Endverstärkern Abweichungen auftreten können, die eine Änderung der Nullpunkteinstellung und/oder eine Änderung der Amplitude des Bündels zur Folge haben können. Es sind daher Mittel zum Detektieren dieser Abweichungen und zum Stabilisieren der Nullpunkteinstellung sowie der Hublänge des Bündels vorgesehen.
Das Stabilisieren wird an Hand der F i g. 5 bis 7 für die X-Richtung des Ablenksystems für das lonenbündel dargestellt. Auf zwei einander gegenüber liegenden Seiten der Halbleiterscheibe 10 werden je zwei Stäbe 43, 44 und 45, 46 angeordnet. Diese Stäbe bestehen aus elektrisch leitendem Material, z. B. Kupfer. Die Stäbe können auf dem Träger 11 für die Halbleiterscheibe 10 oder erwünschtenfalls an einer anderen Stelle in der Nähe der Halbleiterscheibe angebracht werden. Jeder der Stäbe ist über einen Widerstand 47—50 an ein festes Potential, z. B. Erdpotential, angelegt und jeder der Stäbe ist über einen elektrischen Leiter mit einer Stabilisierungsscha'*-jng verbunden. Wenn das Ionenbündel einen der Stäbe 43—46 trifft, wird ein Spannungsimpuls über dem zugehörigen Widerstand auftreten, der der Stabilisierungsschaltung zugeleitet wird.
In Fig.6 sind die verschiedenen Lagen dargestellt, die das Bündel bei einem Hub einnehmen kann. Die Lage a zeigt die richtige Bündelbahn; die Stäbe 43 und 45 werden getroffen und schicken einen Impuls zu der Stabilisierungsschaltung: die Stäbe 44 und 46 werden nicht getroffen. Wenn nun ein Stab, der von dem Ionenbündel getroffen wird, mit »1« bezeichnet wird, während ein Stab, der nicht getroffen wird, mit »0« bezeichnet wird, wird die richtige Lage des Bündels mit 0-1-1-0 angegeben. Für den Hub, den das Bündel in den Lagen a bis /in F i g. 6 voiiführt, ist in der nachstehenden Tabelle die Stellung angegeben.
44
45
46
«7 0 1 1 0
b 1 1 1 1
C 0 0 0 0
d 0 0 1 1
e 1 1 0 0
f 0 1 1 I
g 0 0 1 0
h 1 1 1 0
i 0 1 0 0
10
Ein Beispiel der Stabilisierungsschaltung ist in F i g. 7 dargestellt. Die von den Stäben 43—46 stammenden Impulse werden einer digitalen Schaltung 51 über die Leitungen 43'—46' zugeführt, die multistabilen Vibratoren zur Umwandlung der Impulse in ein statisches Signal enthält, so daß eine Information über eine der Lagen aus der obenstehenden Tabeiie erhalten wird, wenn das Bündel einen Hub über die Halbleiterscheibe zurückgelegt hat. Die Information aus der Schaltung 51 und ihr komplementärer Wert werden digitalen Schaltungen 52 und 53 zugeführt. In diesen Schaltungen werden die zugeführten Signale mit den gewünschten eingestellten Werten verglichen. Wenn angenommen wird, daß sich sowohl in der Nullpunkteinstellung als auch in der Amplitude ein Unterschied ergibt, wird die Schaltung 52 ein Signal an den Aufwärts/Abwärtszähleingang 54 einer Zählerschaltung 55 sowie an einen Takteingang 56 dieser Zählerschaltung weiterleiten. Der Zählerausgang 57 leitet den binär summierten Wert an einen Digital/Analogwandler 58 weiter, wodurch an dem Ausgang desselben eine Spannung entsteht, die dem binären Wert, der am Eingang auftrat, proportional ist. Diese Spannung wird an die Regelung des Nullpegels der Hochspannungssteuerung für die Ablenkplat-
inn ,..n;tnr»AU:tAt .. ^..-.>u .j : Λ Kt..it i.*„: t^u..
H-Il nvllV.lgV.IVUVl, WUUUH-II UIC I T Uli pUIlIMC Il 13 LCJl UlIg korrigiert wird. Vorzugsweise wird das Korrektursignal einem Eingang 63 der Schaltung 22 der Fig.4 zugeleitet, welche Schaltung weiter mit Vorverstärkern für die Spannung der Ablenkplatten versehen ist. Durch das Nullpunktkorrektursignal wird in den Vorverstärkern der sich ändernden Spannung für die X-Ablenkplatten ein konstanter Wert überlagert, so daß die Spannung an einer der Ablenkplatten um einen gleichen Betrag zunimmt wie die Spannung an der anderen Platte abnimmt und eine Korrektur der Lage erhalten wird. Es ist übrigens auch möglich, das Korrektursignal auf andere Weise zu benutzen, z. B. dadurch, daß eine korrigierende Spannung an nicht dargestellten Hilfsablenkplatten des elektrostatischen Ablenksystems erzeugt wird.
Auch die digitale Schaltung 53 vergleicht die empfangenen Impulse mit den gewünschten Impulsen und wenn es keine Übereinstimmung gibt, wird auch diese Schaltung einen AufwärtsAAbwärtszähleingang 59 einer Zählerschaltung 60 steuern und wird ein Impuls dem Takteingang 61 der Zählerschaltung 60 zugeführt werden. Der Ausgang des Zählers 60 leitet den summierten Wert an den Digital/Analogwandler 62 weiter, der die Amplitudenregelung der Spannung für die Ablenkplatten beeinflußt. Auch diese Korrekturspannung wird vorzugsweise den in dd Schaltung 22 nach F i g. 4 vorhandenen Vorverstärkern über den Eingang 64 zugeführt, wobei der Verstärkungsfaktor beeinflußt wird. Andererseits kann diese Korrekturspannung zur Steuerung nicht dargestellter Hilfsablenkplatten benutzt wer-Bei dem folgenden Hub des Bündels wird der beschriebene Vorgang wiederholt, bis an die Schaltung 51 die Impulse 0-1-1-0 weitergeleitet werden, wobei nur die Stäbe 43 und 45 von dem Bündel getroffen werden. Die digitalen Schaltungen 52 und 53 geben dann keinen Unterschied mit dem gewünschten Wert an und eine Korrektur wird dann nicht auftreten.
Mit Hilfe der Impulse, die erhalten werden, wenn die Stäbe 43—46 von dem Bündel getroffen werden, kann auf diese Weise der Hub des Bündels stabilisiert werden; es wird eine automatische Korrektur für Abweichungen erhalten, ohne daß von Menschen kontrolliert und eingegriffen zu werden braucht. Es dürfte einleuchten, daß auch für eine Ablenkung des Bündels in der V-Richtung eine derartige Stabilisierung verwendet werden kann.
Die über die Stäbe erhaltenen Impulse können mit Vorteil auch dazu verwendet werden, eine Anzeige der Hublänge des Bündels zu erhalten. F i g. 8 zeigt ein Beispiel dieser Anwendung. Wenn das ionenbündei. das Zonen in der Halbleiterscheibe implantieren muß, bei seinem Hub einen der Stäbe 43—46 trifft, wird, wie bereits bei der Stabilisierung des Bündels angegeben ist, über dem zugehörigen Widerstand 47,48,49 bzw. 50 ein Spannungsimpuls auftreten, der dazu benutzt werden kann, einen Lichtindikator zum Aufleuchten zu bringen. Vorteilhafterweise kann der Impuls zunächst zu dem Eingang eines elektronischen Spannungsverstärkers 65 geschickt werden, um eine größere Lichtstärke des betreffenden Indikators zu erhalten. Weiter kann das verstärkte Signal einer Schaltung 66 zugeführt werden, die monostabile Multivibratoren enthält. Von dem betreffenden monostabilen Multivibrator wird der empfangene Impuls, der eine sehr geringe Zeitdauer hat, in einen Impuls längerer Zeitdauer umgewandelt, so daß der betreffende Indikator etwas länger aufleuchtet und deutlich wahrgenommen werden kann.
i~r!C iHumatGrCn SiHu iTiil \Ji —/V ucZciCimct UHu Werden z. B. in einem Muster angeordnet, das der Anordnung der Stäbe nach Fig. 8 entspricht. So wird, wenn das Bündel den Stab 43 trifft, der Indikator 67 aufleuchten, usw. Um eine ausführlichere Anzeige über die Stelle zu erhalten, an der sich das Bündel befindet, können mehr als zwei Stäbe auf jeder Seite der Halbleiterscheibe 10 angebracht werden, die je einem zugehörigen Lichtindikator verbunden sind. Es ist weiter einleuchtend, daß außerdem Stäbe und Lichtindikatoren zur Anzeige der Lage des Bündels in der K-Richtung verwendet werden können. Als Lichtindikator kann z. B. eine Lampe, eine Neonröhre oder eine lichtemittierende Diode Anwendung finden.
Tie Anzeige und die Stabilisierung mit Hilfe der Stäbe sind an Hand eines Bündels beschrieben, das ein in Fig.3 dargestelltes Muster beschreibt. Es kann auch eine Stabilisierung und Anzeige eines Bündels, das ein anderes Muster, z. B. das nach F i g. 2, beschreibt, durchgeführt werden.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigiingsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen, mit einer Quelle für elektrisch geladene Teilchen, mit Mitteln zur Beschleunigung der Teilchen und zum Bilden eines Bündels der Teilchen und mit einem elektrostatischen Ablenksystem mit Ablenkplatten zur Ablenkung des Bündels geladener Teilchen in zwei zueinander senkrechten Richtungen, dessen Ablenkplatten mit Spannungsquellen verbunden sind, wobei die Größe der Spannung an jeder der Ablenkplatten mit Hilfe eines elektronischen Regelsystems regelbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß in der Nähe des Trägers (11) an einander gegenüber liegenden Seitenkanten der Befestigungsstelle der Auftreffplatte (10) je zwei nebeneinander liegende Stäbe (43,44; 45,46) aus elektrisch leitendem Material angebr&cat sind, die über je einen Widerstand (47,48; 49,5ö) an ein festes Potential, wie Erdpotential, angelegt und weiter mit einer Regelvorrichtung verbunden sind, die jeweils auf eine Spannung anspricht, die über einem der Widerstände (47,48; 49, 50) auftritt, wenn das Bündel elektrisch geladener Teilchen den mit diesem Widerstand (47,48; 49,50) verbundenen Stab (43,44,45,46) trifft, und die, wenn das Bündel bei jeder Ablenkung über die Auftreffplatte (10) eine andere Kombination von Stäben (43, 44; 45, 46) als die zwei inneren Stäbe (44, 45) trifft, eine Korrekti: -spannung für die Ablenkung erzeugt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Regelvorrichtung, die auf die Spannung über den Widerständen ("3, 44, 45, 46) anspricht, sowohl ein Korrektursystem für die NuIlpunkteinsteüung des Bündels als auch ein Korrektursystem für die Größe der Amplitude des Bündels enthält.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Regelvorrichtung eine digitale Schaltung (51) mit multistabilen Vibratoren zur Umwandlung der Impulse über den Stäben (43, 44, 45, 46) in ein statisches Signal enthält, daß diese statischen Signale einem Abschnitt zur Regelung der Bündelnullpunkteinstellung und einem Abschnitt zur Regelung der Bündelamplitude zugeführt werden, und daß diese Abschnitte je eine digitale Vergleichsschaltung (52, 53) zum Vergleichen der zugeführten Signale mit den gewünschten Signalen, eine Zählerschaltung (55, 60), die bei einer Abweichung in der Vergleichsschaltung einen Impuls empfängt und diesen Impuls zu einem an ihrem Ausgang vorhandenen Wert summiert, und einen Digital/Analogwandler (58, 62) enthalten, der eine analoge Ausgangsspannung abgibt, die dem Wert proportional ist, der von der Zählerschaltung seinem Eingang zugeführt ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stäbe (43, 44, 45, 46) weiter mit lichtemittierenden Indikatoren (67,68, 69, 70) für die Lage des Bündels so verbunden sind, daß ein Indikator infolge der Spannung aufleuchtet, die über dem Widerstand des zugehörigen Stabes auftritt, wenn dieser Stab von dem Bündel der geladenen Teilchen getroffen wird (F i g. 8).
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß in die Verbindung jedes Stabes mit seinem zugehörigen Indikator ein Spannungsverstärker (65) sowie ein monostabiler Multivibrator (66) aufgenommen sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils mehr als zwei Stäbe an einer Seitenkante der Befestigungsstelle für die Auftreffplatte angebracht sind.
DE2918390A 1978-05-12 1979-05-08 Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen Expired DE2918390C2 (de)

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NLAANVRAGE7805137,A NL183553C (nl) 1978-05-12 1978-05-12 Inrichting voor het richten van elektrisch geladen deeltjes naar een trefplaats.

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Publication Number Publication Date
DE2918390A1 DE2918390A1 (de) 1979-11-15
DE2918390C2 true DE2918390C2 (de) 1986-06-26

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ID=19830822

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Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2918390A Expired DE2918390C2 (de) 1978-05-12 1979-05-08 Vorrichtung zum Bestrahlen einer sich an einer Befestigungsstelle eines Trägers befindenden Auftreffplatte mit elektrisch geladenen Teilchen

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4449051A (en) * 1982-02-16 1984-05-15 Varian Associates, Inc. Dose compensation by differential pattern scanning
US4421988A (en) * 1982-02-18 1983-12-20 Varian Associates, Inc. Beam scanning method and apparatus for ion implantation
JPS60101849A (ja) * 1983-11-08 1985-06-05 Jeol Ltd イオンビ−ム装置
US4701616A (en) * 1986-02-13 1987-10-20 Ga Technologies Inc. Apparatus and method for aiming a particle beam
US4980562A (en) * 1986-04-09 1990-12-25 Varian Associates, Inc. Method and apparatus for high efficiency scanning in an ion implanter
US6677599B2 (en) * 2000-03-27 2004-01-13 Applied Materials, Inc. System and method for uniformly implanting a wafer with an ion beam
AU2001270133A1 (en) 2000-06-22 2002-01-02 Proteros, Llc Ion implantation uniformity correction using beam current control

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE562482A (de) * 1956-12-31
FR1374702A (fr) * 1962-11-09 1964-10-09 Hitachi Ltd Dispositif d'alignement automatique de faisceaux électroniques pour les microscopesélectroniques et instruments analogues
US3244855A (en) * 1963-07-19 1966-04-05 United States Steel Corp System for correcting the shift of an electron-gun beam from the desired region of impingement
US3307066A (en) * 1964-12-21 1967-02-28 First Pennsylvania Banking And Afocal-beam probe system and apparatus
CH504821A (de) * 1967-11-20 1971-03-15 Eidophor Ag Einrichtung zur Stabilisierung der Rasterlage und -grösse von mittels Kathodenstrahl zeilenweise auf getrennte Steuerschichten geschriebenen Bildern
US3569757A (en) * 1968-10-04 1971-03-09 Houghes Aircraft Co Acceleration system for implanting ions in specimen
US3576438A (en) * 1969-04-28 1971-04-27 Bell Telephone Labor Inc Focus monitor for electron microscope including an auxiliary electron gun and focusing lens
FR2274122A1 (fr) * 1974-06-07 1976-01-02 Cgr Mev Procede de centrage d'un faisceau de balayage a rayonnement ionisant et dispositif permettant la mise en oeuvre de ce procede
NL7416395A (nl) * 1974-12-17 1976-06-21 Philips Nv Elektronenmikroskoop.
FR2297452A1 (fr) * 1975-01-08 1976-08-06 Commissariat Energie Atomique Dispositif de controle de balayage d'une cible par un faisceau de particules
JPS5398781A (en) * 1976-11-25 1978-08-29 Jeol Ltd Electron ray exposure unit

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