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Vorrichtung zur Temperaturregelung einer elektrischen Halbleiteranordnung
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Regelung der Temperatur einer elektrischen
Halbleiteranordnung. Derartige Halbleiteranordnungen sind beispielsweise elektrisch
unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnungen, wie Gleichrichter, Transistoren, Fotozellen,
Fototransistoren, Varistoren oder magnetisch, elektrisch oder magnetisch und elektrisch
gesteuerte Halbleiterwiderstände.
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Elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnungen und insbesondere
solche Halbleiteranordnungen, die für große Leistungen bemessen sind, können im
Betrieb eine Erhöhung ihrer Temperatur erfahren, welche aber unterhalb einer für
die betreffende Halbleiteranordnung charakteristischen Temperatur gehalten werden
muß, damit keine unerwünschte Veränderung des elektrischen Verhaltens oder keine
Beschädigung der Halbleiteranordnungen eintreten kann.
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Anstatt auf eine Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung richtet
sich die bekannte Temperaturkompensation eines Transistors auf die schaltungsmäßige
Ausgleichung der temperaturbedingten Änderung des ohmschen Widerstandes der Emitter-Basis-Strecke
bei einer anliegenden Emittervorspannung durch die Änderung des ohmschen Widerstandes
einer temperaturempfindlichen Diode mit einer Temperatur-Widerstands-Charakteristik,
die annähernd identisch ist mit derjenigen der Emitter-Basis-Strecke des Transistors.
Um die Temperatur-Widerstands-Charakteristik der Diode derjenigen der Emitter-Basis-Strecke
des Transistors anzupassen und die temperaturempfindliche Diode auf der Temperatur
des Transistors zu halten, wird bei der bekannten Anordnung zur Temperaturkompensation
die temperaturempfindliche Diode von einer weiteren gleichrichtenden Elektrode an
einer äußeren Zone eines Transistors und deren nichtgleichrichtender Elektrode gebildet.
Durch diese Temperaturkompensation kann daher nur die Auswirkung einer Temperaturänderung
des Transistors auf den ohmschen Widerstand der Emitter-Basis-Strecke, nicht aber
die Temperaturwirkung in anderen Teilen des Transistors, z. B. der Kollektor-Emitter-Strecke,
ausgeglichen werden.
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Zur Verringerung des Temperatureinflusses auf das elektrische Verhalten
eines zweistufigen Transistor-Gleichstromverstärkers ist bekannt, als Lastwiderstand
der ersten Stufe zusammen mit Neben- oder/ und Reihenwiderständen einen temperaturempfindlichen
Widerstand zu verwenden. Bei einer geeigneten Charakteristik des temperaturempfindlichen
Widerstandes kann dann eine solche Vorspannung dem Transistor der zweiten Stufe
zugeführt werden, daß der Kollektorgleichstrom dieses Transistors auch dann konstant
bleibt, wenn sich die Temperatur des Transistor-Gleichstromverstärkers ändert. Als
temperaturempfindliche Widerstände stehen nichtlineare Elemente, wie Transistoren,
Germaniumdioden und Thermistoren, zur Verfügung. Bei einem solchen zweistufigen
Transistor-Gleichstromverstärker wird nicht die Temperatur des Transistors geregelt,
also eine unzulässige Temperaturänderung des Transistors vermieden, sondern der
Temperatureinfluß auf die Ausgangscharakteristik des Verstärkers durch besondere
Schaltglieder unterdrückt. Eine Temperaturkompensation einer Halbleiteranordnung
kann jedoch eine Temperaturregelung derselben insbesondere dann nicht ersetzen,
wenn die Belastung der Halbleiteranordnung groß ist oder große Änderungen erfährt.
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Ein älterer Vorschlag hat einen Transistor zum Gegenstand, dessen
Kollektorstrom dadurch temperaturunabhängig werden soll, daß an einem der Halbleiterbereiche
zwei weitere pn-Übergänge in Reihe angeordnet sind, von welchen der von dem Halbleiterbereich
des Transistors entfernt gelegenere p-n-Übergang schaltungsmäßig zur Temperaturkompensation
des Kollektorstromes ausgenutzt ist.
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Ein anderer älterer Vorschlag bezieht sich gleichfalls auf die Temperaturkompensation
eines Transistors, und zwar soll diese dadurch erreicht werden, daß eine weitere
und temperaturkompensierende Halbleiteranordnung mit einem pn-Übergang auf der freien
Oberfläche der Basiselektrode des Transistors in thermischem Kontakt angebracht
wird und daß der Strom der weiteren und temperaturkompensierenden Halbleiteranordnung
dem Basisstrom des Transistors so zugeleitet wird, daß bei Temperaturänderung des
Transistors
sich keine Spannungsänderung an der Basiselektrode des Transistors ergibt.
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Zwei weitere ältere Vorschläge betreffen Vorrichtungen zur Temperaturüberwachung
einer elektrischen Halbleiteranordnung. Nach dem einen dieser beiden Vorschläge
ist an dem Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung unter Bildung einer Sperrschicht
eine zusätzliche Elektrode so angebracht, daß keine Beeinflussung der Halbleiteranordnung
durch den Flußstrom der zusätzlichen Elektrode auftritt, und der Flußstrom bzw.
die Flußspannung zwischen dieser zusätzlichen Elektrode und einer mindestens angenähert
sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung dient zur Messung oder/und
Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung. Der andere dieser beiden Vorschläge
besteht darin, daß an dem Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung unter Bildung
einer Sperrschicht eine zusätzliche Elektrode so angebracht ist, daß keine Beeinflussung
der Halbleiteranordnung durch den Sperrstrom der zusätzlichen Elektrode auftritt
und daß der Sperrstrom zwischen dieser zusätzlichen Elektrode und einer mindestens
angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung zur Messung oder/
und Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung dient.
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Es ist weiterhin bekannt, die Temperatur eines Halbleiterkörpers durch
Messung des an der Berührungsfläche zwischen dem p- und dem n-leitenden Teil
eines Halbleiterkörpers auftretenden Wechselstromwiderstandes, d. h. des
komplexen Scheinwiderstandes, zu bestimmen. Die Temperaturabhängigkeit des Wechselstromwiderstandes
kann auf Grund der folgenden Wirkungsweise erläutert werden. Zur Betrachtung wird
der kapazitive Anteil herausgestellt.
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Ein aus einem p-leitenden Teil und einem n-leitenden Teil bestehender
Halbleiterkörper bildet einen sogenannten p-n-Übergang, der kapazitätsbehaftet ist.
Im n-leitenden Teil des Halbleiterkörpers sind als Leitungsträger Elektronen in
der Überzahl vorhanden, während die Leitung im p-leitenden Teil durch in der Überzahl
befindliche sogenannte Löcher erfolgt. Grundsätzlich eignen sich alle p-n-Übergänge
zur Durchführung des Verfahrens zur Regelung der Temperatur von Halbleiteranordnungen.
Es ist jedoch als Beispiel für den vorliegenden Fall angenommen, daß die Akzeptorendichte
im p-Germanium, die zur Bildung der Löcher führt, um viele Zehnerpotenzen größer
ist als die Donatorendichte im n-Germanium. Nutzt man bei einem solchen System den
Gleichrichtungseffekt des Überganges aus, so liegt die Sperrschicht praktisch im
n-Halbleiter. Die dort vorherrschende hohe Elektronendichte nimmt in der Sperrschicht
ab und erreicht im p-Halbleiter ihren kleinsten Wert. Wegen dieses Konzentrationsgefälles
sind die Elektronen bestrebt, aus dem n-Gebiet in das p-Gebiet zu diffundieren.
Dieser Vorgang wird im stromlosen Zustand durch das elektrische Feld der Sperrschicht
verhindert. So stellt sich also eine Elektronendichte ein, bei der die Diffusion
inf olge des Konzentrationsgefälles gerade durch das elektrische Feld aufgehoben
wird.
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Legt man eine Spannung in der Art an, daß das elektrische Feld im
Sperrschichtgebiet verringert wird - dies entspricht der Durchlaßrichtung
bei der Verwendung als Gleichrichter -, so können Elektronen in den p-Halbleiter
hineinlaufen, da die nun geringere Feldstärke in der Sperrschicht nicht mehr ausreicht,
die Diffusion der Elektronen völlig auszugleichen. So stellt sich also in der Sperrschicht
eine neue, größere Elektronenkonzentration ein. Dadurch wird auch die Elektrodendichte
im p-Halbleiter unmittelbar am Sperrschichtrand erhöht. Infolgedessen ist auch der
bisher herrschende Gleichgewichtszustand zwischen Elektronen und Löchern im p-Halbleiter
gestört. Die Elektronen können im p-Halbleiter wegen des Konzentrationsgefälles
als Diffusionsstrom weiter ins Innere gelangen. Auf diesem Wege rekombinieren sie
mit den im p-Halbleiter vorhandenen Löchern entsprechend ihrer Lebensdauer -r..
Genausoviel Elektronen, wie in den p-Halbleiter abfließen, werden von der Sperrschicht
nachgeliefert. Es zeigt sich also, daß die Strom-Spannungs-Charakteristik des Gleichrichters
durch die auf beiden Seiten der Sperrschicht in der Minderzahl vorhandenen Ladungsträger
bestimmt wird. Die oben angestellten Betrachtungen gelten sinngemäß auch für Defektelektronen.
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Legt man nun an einen derartigen p-n-Übergang eine Wechselspannung
an, die der vorher genannten Gleichspannung überlagert ist, so bildet sich eine
Raumladungsschicht aus, deren Dicke nicht wie vorher konstant ist, sondern sich
im Rhythmus der angelegten Wechselspannung ändert. Der p-n-Übergang wirkt also als
Kapazität. Im allgemeinen werden die Raumladungsschichten an p-n-Übergängen die
Dickenänderung an beiden Seiten der Sperrschicht durchführen. Zufolge des großen,
beispielsweise bei einem Gerinanium-Indium-Gleichrichter 5 Zehnerpotenzen
betragenden Unterschiedes der Löcherdichte im p-Halbleiter und der Elektronendichte
im n-Halbleiter, die für den betrachteten Fall vorausgesetzt ist, liegt aber die
Sperrschichtgrenze auf der p-Seite praktisch fest und folgt nicht den Spannungsänderungen.
Diese wirken sich hier nur an der Sperrschichtgrenze im n-Halbleiter aus.
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Neben dieser Sperrschichtkapazität Csp existiert noch eine Scheinkapazität
Ci. Diese rührt aus einem Stromteil her, der eine Phasenverschiebung gegenüber der
angelegten Spannung aufweist. Die Scheinkapazität Q ergibt sich als Imaginärteil
aus der von W. Shockley in der Zeitschrift »Bell System Technical Journal«, XXVIII
(1949), S. 435 bis 489, angegebenen Gleichung der Strom-Spannungs-Charakteristik
eines p-n-Überganges bei Belastung mit geringer Wechselspannung. Durch Addition
der Sperrschichtkapazität Qp, die aus der Raumladung in der Sperrschicht herrührt,
zu der Scheinkapazität Ci ergibt sich folgende Formel:
entsprechend lautet der Realteil des Scheinwiderstandes
Dabei ist co die Kreisfrequenz, e die Elementarladung, F die Sperrschichtfläche,
k die Boltzmann-Konstante, T die absolute Temperatur, Dp die Diffusionskonstante,
-cp die Lebensdauer der Löcher"p" die Löcherdichte im n-Halbleiter, e die Dielektrizitätskonstante,
N die Donatorendichte, U die Vorspannung, R der Parallelwiderstand
zu der Kapazität C und VD die Diffusionsspannung. Der in der eckigen
Klammer stehende Ausdruck stellt die Scheinkapazität dar. Die Gleichung enthält
als wesentlich temperaturabhängiges Glied die Löcherdichte p.. Mit der Beziehung
n it , p n # ni 1 und der Voraussetzung, daß alle Donatoren
dissoziiert sind, läßt sich aus der Eigenleitungsdichte die Temperaturabhängigkeit
der Kapazität herleiten. Bei 0 Volt Vorspannung und hinreichend hohen Temperaturen
überwiegt der erste Term Ci. Bei genügend tiefen Temperaturen wird ni2 sehr klein,
es überwiegt der zweite Term Csp.
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Diese Scheinkapazität Ci kann folgendermaßen erklärt werden: Wie gezeigt,
wird der Strom durch die Diffusion der in der Minderzahl vorhandenen Ladungsträger,
beispielsweise der Löcher im n-Halbleiter, bestimmt. Diese Diffusion erfolgt aber
zeitlich so träge daß dadurch ein Zeitunterschied zwischen Strom und Spannung bedingt
wird. In Fig. 1 ist der Verlauf der Elektronendichte am p-n-Übergang für
verschiedene Spannungen gezeichnet. Diese Figur ist nicht maßstabsgerecht. Die Diffusionslänge
ist einige hundertmal so groß wie die Dicke der Sperrschicht. Ein Maß für die Diffusion
der Stromträger ist ihr Konzentrationsgefälle an der Sperrschichtgrenze. Beim Anlegen
einer Gleichspannung U, möge sich die in der ausgezogenen Kurve angedeutete
Löcherdichte ergeben. Geht man nun zu einer höheren Spannung U, über, so
stellt sich am Sperrschichtrand die zu dieser gehörende Löcherkonzentration praktisch
momentan ein. Das Konzentrationsgefälle außerhalb der Sperrschicht jedoch, welches
zu dieser Spannung gehört, stellt sich nicht momentan ein, d. h. an der Sperrschichtgrenze
existiert ein höherer Konzentrationsgradient, als er dem Gleichgewichtszustand entspricht.
Diese Konzentrationsverteilung ist durch den Verlauf der gestrichelten Kurve dargestellt.
Das gestrichelte Konzentrationsgefälle entspricht aber dem Konzentrationsgefälle
eines Gleichgewichtszustandes, der zu der höheren Spannung U,
gehört, wie
es durch die punktierte Linie dargestellt ist. Der Strom des Gleichrichters eilt
also der angelegten Spannung zeitlich voraus. Der p-n-Übergang zeigt also in diesem
Falle das Verhalten einer Kapazität. Diese Kapazität wird im folgenden als »Injektionskapazität«
bezeichnet. Sie addiert sich zu der vorher beschriebenen Sperrschichtkapazität.
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Wie die der Erfindung zugrunde liegenden Untersuchungen zeigten, kann
die Temperaturbestimmung von elektrischen Halbleiteranordnungen auf Grund der Temperaturabhängigkeit
des Wechselstromwiderstandes nun nicht in der Weise zur Messung oder/und Regelung
der Temperatur von elektrischen Halbleiteranordnungen während der betriebsmäßigen
Belastung vorgenommen werden, daß der Wechselstromwiderstand eines betriebsmäßig
beanspruchten p-n-Überganges der elektrischen Halbleiteranordnung gemessen wird.
Es stellt nämlich einen zu großen schaltungsmäßigen Aufwand dar, für die Messung
des Wechselstromwiderstandes des p-n-Überganges wiederholt einen bestimmten vorgegebenen
Wert der Vorspannung des p-n-Überganges aus der sich im Betrieb ständig ändernden
Spannung zwischen den Elektroden der elektrischen Halbleiteranordnung herauszugreifen
und bei diesem Spannungswert den Wechselstromwiderstand des p-n-Überganges zu messen
oder/und seine Größe für die Temperaturregelung der Halbleiteranordnung als Regelgröße
abzunehmen.
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Die Vorrichtung zur Regelung der Temperatur einer elektrischen Halbleiteranordnung
ist erfindungsgemäß so ausgebildet, daß an dem Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung
unter Bildung eines p-n-Überganges eine zusätzliche Elektrode so angebracht ist,
daß durch einen an der zusätzlichen Elektrode zugeführten Strom oder eine an der
zusätzlichen Elektrode angelegte Spannung keine Einwirkung auf die Halbleiteranordnung
auftritt, und daß der Wechselstromwiderstand zwischen dieser zusätzlichen Elektrode
und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
zur Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung dient.
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Als vorteilhaft erweist sich eine Vorrichtung mit einer zusätzlichen
Elektrode mit einem p-n-Übergang, bei welcher zwischen zusätzlicher Elektrode und
einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
eine Gleichvorspannung von etwa 0, 1 Volt Sperrspannung bis etwa
0, 1 Volt Durchlaßspannung, insbesondere eine Vorspannung von 0 Volt,
abfällt. Die Gleichspannung ist vorzugsweise einstellbar.
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Zur Messung oder/und Regelung der Temperatur der Halbleiteranordnung
kann zweckmäßig der Imaginärteil des komplexen Wechselstromwiderstandes, die Kapazität,
zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der Halbleiteranordnung verwendet werden. Besonders günstig ist eine Messung
mit einer Wechselstrommeßbrücke.
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In Fig. 2 ist schematisch eine geeignete Meßbrücke dargestellt. Die
elektrische Halbleiteranordnung 1 liegt über die zusätzliche Elektrode und
eine mindestens angenähert sperrschichtfreie Elektrode der Halbleiteranordnung in
dem einen Zweig der Brücke. Der zweite Zweig wird durch die Abgleichnormalen 2 gebildet,
während zwei weitere Brückenwiderstände 3 und 4 die anderen beiden Zweige
der Brücke bilden. Die Wechselspannung, die zum Messen der Kapazität verwendet wird,
hat beispielsweise eine Frequenz zwischen 10 und 500 kHz und wird
aus dem Generator 5 über einen Eingangsübertrager 6 der Brücke zugeführt.
Eine Gleichvorspannung kann einer Gleichstromquelle 7
über zwei Drosseln
15 entnommen werden. Die Teile 8, 9 und 10 dienen als Trennkondensatoren.
Über einen Ausgangsübertrager 11 und einen Verstärker 12 können beispielsweise
ein Anzeigegerät 13 sowie ein Schaltrelais 14 betrieben werden.
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Nach einem Ausführungsbeispiel der Vorrichtung gemäß der Erfindung
kann vorgesehen werden, daß der vom Wechselstromwiderstand geprägte Meßstrom bzw.
die entsprechende Meßspannung zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens
angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung, gegebenenfalls
nach Verstärkung, bei einer einen vorbestimmten Wert übersteigenden Temperatur der
Halbleiteranordnung eine oder mehrere Schaltungsvorrichtungen betätigt, durch welche
die Speisespannung abgeschaltet oder die Belastung verringert oder eine Kühlung
bzw. stärkere Kühlung eingeschaltet wird.
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Die zusätzliche Elektrode soll in einem solchen Ab-
stand von
einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode sowie
den übrigen Elektroden der elektrischen Halbleiteranordnung angeordnet sein, daß
durch Veränderung der Sperrschichtausdehnung von einer oder mehreren der Elektroden
der elektrischen Halbleiteranordnung eine Einwirkung auf den p-n-Übergang und vorzugsweise
auch auf den zwischen zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien
Elektrode der elektrischen Halbleiteranordnung befindlichen Teil des Halbleiterkörpers
ausreichend klein bleibt.
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Vorzugsweise kann die Vorrichtung nach der Erfindung zur Regelung
oder/und Überwachung der Temperatur einer elektrischen Halbleiteranordnung in einem
Temperaturbereich zwischen der Temperatur der Eigenleitung des Halbleitermaterials
der Halbleiteranordnung und derjenigen Temperatur verwendet werden, bei welcher
der Anteil der Sperrschichtkapazität an der Gesamtkapazität zwischen zusätzlicher
Elektrode und einer mindestens angenähert sperrschichtfreien Elektrode der Halbleiteranordnung
etwa 10 0/, beträgt.
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Zur Ausführung der Vorrichtung nach der Erfindung eignen sich besonders
Halbleiteranordnungen mit einem Halbleiterkörper, der ganz oder teilweise aus Germanium,
Silizium oder einer halbleitenden intermetallischen Verbindung besteht. Vorteilhaft
ist die zusätzliche Elektrode an einem Halbleiterkörper aus n-leitendem Germanium
durch Eindiffusion oder/und Anlegieren von Indium angebracht. Bei einer Halbleiteranordnung
mit einem Halbleiterkörper aus n-leitendem Silizium ist die zusätzliche Elektrode
zweckmäßig durch Eindiffusion oder/und Anlegieren von Aluminium angebracht. Enthält
die Halbleiteranordnung einen Halbleiterkörper aus p-leitendem Silizium, so ist
die Anbringung der zusätzlichen Elektrode durch Eindiffusion oder/und Anlegieren
von Phosphor besonders günstig. Des weitereh eignet sich für eine Halbleiteranordnung
mit einem Halbleiterkörper aus n-leitendem Germanium eine zusätzliche Elektrode,
die durch Aufdampfen von Indium angebracht ist.
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Um die Empfindlichkeit der Vorrichtung nach der Erfindung möglichst
groß zu machen, ist die zusätzliche Elektrode zweckmäßig in möglichst kleinem Abstand
von dem Entstehungsort der Wärme der Halbleiteranordnung angebracht. Vor allem kann
hierdurch eine etwaige kleine Wärmeträgheit infolge der Ausbreitung der Wärme von
deren Entstehungsort bis zu dem p-n-Übergang der zusätzlichen Elektrode klein gehalten
werden.
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Die Vorrichtung kann vorteilhaft zur Temperaturüberwachung von elektrisch
unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen, vorzugsweise Trockengleichrichtern
oder Transistoren, verwendet werden, beispielsweise für Trockengleichrichter mit
einem Halbleiterkörper aus Silizium. Nach einem zweckmäßigen, an Hand der zum Teil
schematisch gezeichneten Fig. 3
erläuterten Ausführungsbeispiel kann zur Temperaturregelung
von Trockengleichrichtern die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers
neben der Gegenelektrode angebracht sein. Auf einer Trägerelektrode 1 befindet
sich der Halbleiterkörper 2, z. B. ein n-leitender Siliziumkristall, an welchem
die Gegenelektrode 3, z. B. durch Einlegieren von beispielsweise Aluminium
oder einer Aluminiumlegierung, angebracht ist. Die zusätzliche Elektrode 4 kann
wie die Gegenelektrode 3 durch Einlegieren an dem Siliziumkristall unter
Bildung eines p-n-Überganges angebracht sein. Sie soll zweckmäßig mindestens eine
Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger, beispielsweise etwa drei Diffusionslängen,
von der Gegenelektrode 3 entfernt sein. 5 und 6 sind Zuleitungen
zu der zusätzlichen Elektrode 4 bzw. der Gegenelektrode 3.
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Nach einer weiteren Ausbildung der Vorrichtung gemäß der Erfindung
kann die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers neben oder
innerhalb einer Aussparung der Trägerelektrode angebracht sein. Die Entfernung des
p-n-Überganges der zusätzlichen Elektrode von der Sperrschicht der Gegenelektrode
soll mindestens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger betragen.
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Ein anderes günstiges Ausführungsbeispiel der Erfindung stellt die
Anwendung der Vorrichtung für die Temperaturregelung eines Transistors dar.
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Bei einer aus einem Transistor bestehenden elektrisch unsymmetrisch
leitenden Halbleiteranordnung wird die zusätzliche Elektrode auf der Oberfläche
des Halbleiterkörpers neben einer der Elektrode oder innerhalb einer Aussparung
einer der Elektroden des Transistors angebracht. Der p-n-Übergang der zusätzlichen
Elektrode soll zweckmäßig von den Sperrschichten der übrigen Elektroden des Transistors
so weit entfernt sein, daß eine Beeinflussung des Wechselstromwiderstandes zwischen
zusätzlicher Elektrode und einer mindestens angenähert sperrfreien Elektrode des
Transistors durch Veränderungen der Sperrschichtausdehnung oder Injektion der übrigen
Elektroden des Transistors hinreichend klein bleibt.
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Insbesondere soll die Entfernung der zusätzlichen Elektrode von etwa
injizierenden Elektroden des Transistors mindestens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger
betragen.