DE1284521B - Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor - Google Patents

Description

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Die Erfindung bezieht sich auf Schaltungsanord- durch läßt sich die Zahl der Bauelemente und der

nungen mit einem Transistor mit einer Kollektor- Verbindung einer Schaltungsanordnung ganz er-

elektrode, einer Basiselektrode und zwei oder mehr heblich vermindern, wodurch wiederum deren Größe

Emitterelektroden, von denen jede der Kollektor- stark vermindert werden kann. Außerdem lassen sich

elektrode und der Basiselektrode so zugeordnet ist, 5 mit einem Bauelement in Abhängigkeit von der Vor-

daß sie mit diesen als Transistor zusammenwirkt spannung der einzelnen Emitterelektroden verschiedene

und von denen wenigstens eine in normaler Durch- Funktionen ausführen,

laßrichtung betrieben wird. Solche Bauelemente eignen sich folglich sehr gut

Es ist schon eine derartige Schaltungsanordnung für Massenfertigung.

bekannt, bei der alle Emitterelektroden zusammen io Die Erfindung wird nachstehend an Hand der

mit der Kollektor- und der Basiselektrode immer nur Zeichnung beispielshalber beschrieben. Dabei zeigt

als Transistoren verwendet werden und wobei diese Fig. 1 eine symbolische Darstellung eines Ein-

Schaltungsanordnung also lediglich einen Mehr- emitter-Transistors mit einer an die Basis ange-

emitter-Transistor darstellt. schlossenen Zenerdiode,

Es sind andererseits Halbleiterschaltungen bekannt, 15 F i g. 2 eine symbolische Darstellung eines Zweibei denen an einer Stelle eines Halbleiterkörpers ein emitter-Transistors, von dem ein Emitter als Basis-Transistor gebildet ist, während an anderen Stellen eingang im Sperrbetrieb verwendet wird, zusätzliche Elektroden angebracht sind, die beispiels- F i g. 3 die Strom-Spannungs-Kennlinie einer einweise als Gleichrichterelektroden wirken, die jedoch zelnen Emitterelektrode,

so weit von der Kollektor- und Emitterelektrode des 20 F i g. 4 das Schaltbild einer zur Stromumschaltung

Transistors entfernt angeordnet sind, daß sie durch dienenden logischen Schaltung,

einen Oberflächenstrom auf dem Halbleiterkörper F i g. 5 das Schaltbild eines Binärzählers mit

zwischen Emitter- und Kollektorelektrode nicht Querkopplungsemittern an Stelle von Kondensatoren

beeinflußt werden können. Der Halbleiterkörper unter Verwendung von Mehrfachemitter-Transistoren,

enthält also zwei oder mehr ganz getrennte Schaltungs- 25 F i g. 6 und 7 Schaltbilder von linearen Schaltungen

elemente, nämlich einen Einemitter-Transistor und mit Mehrfachemitter-Transistoren und

eine Diode, die zum Zusammenwirken erst durch ein F i g. 8 das Schaltbild einer logischen Torschaltung,

besonderes Koppelelement verbunden werden müssen. F i g.l zeigt einen herkömmlichen Einemitter-Tran-

Bei einer besonderen Ausführungsform der eben sistor, an dessen Basis eine Zenerdiode angeschlossen erwähnten Halbleiterschaltungen, bei der auch eine 30 ist. Bei dem in Fig.2 dargestellten Zweiemitterzusätzliche Elektrode vollständig getrennt angebracht Transistor ist ein Emitter als Basiseingang im Sperrist, dient diese Elektrode überhaupt nicht zur Ver- betrieb angeschlossen. Der Anschluß eines Mehrfacharbeitung von Eingangssignalen, sondern einem ganz emitter-Transistors in der Weise, daß der eine Emitter anderen Zweck, nämlich der Temperaturüberwachung im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet, des Halbleiterkörpers. 35 entspricht dem Betrieb eines herkömmlichen Tran-

Es ist Aufgabe der Erfindung, in einer Schaltungs- sistors mit einer an die Basis angeschlossenen Zener-

anordnung die Zahl der Schaltungselemente durch diode. Die Anordnung von F i g. 1 ist somit der

Verwendung von Mehremitter-Transistoren der ein- Anordnung von F i g. 2 elektrisch äquivalent,

gangs definierten Art zu verringern, wobei gegebenen- F i g. 3 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie eines

falls die Funktion eines Teiles dieser Schaltungs- 40 einzelnen Emitters. Wenn der Emitter gegen Masse

elemente wählbar ist. negativ vorgespannt ist, arbeitet er im normalen Durch-

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß wenigstens laßbetrieb; wenn er dagegen positiv gemacht wird, eine der zusätzlichen Emitterelektroden derart ge- tritt die Stromführung ein, wenn seine Zenerspannung schaltet ist, daß sie der Basiselektrode ein Signal oder erreicht wird. Bei Spannungen zwischen diesen beiden eine Bezugsspannung zuführt und außerdem so 45 Durchlaßwerten kann der Emitter als kleiner Konweit in Sperrichtung vorgespannt ist, daß sie von dem densator verwendet werden. Wenn ein einzelner ihr zugeführten Signal nicht in den Durchlaßbereich Transistor mehrere Emitter hat, kann einer im Durchausgesteuert wird. laßbetrieb arbeiten, woraus sich ein normaler Tran-

Bei der erfindungsgemäßen Ausbildung der Schal- sistorbetrieb ergibt, während ein weiterer Emitter

tungsanordnung arbeitet immer wenigstens einer der 50 im Durchbruchstrombetrieb arbeiten kann, so daß

Emitter des Mehremitter-Transistors in normaler er sich im wesentlichen wie eine Zenerdiode verhält,

Durchlaßrichtung und bildet so zusammen mit dem die an die Basis angeschlossen ist, und ein dritter

Kollektor und der Basis den eigentlichen Transistor. Emitter kann als kleine Basiseingangskapazität

Der in Sperrichtung betriebene zusätzliche Emitter dienen.

kann im Durchbruchstrombetrieb betrieben werden, 55 Durch die Anordnung von F i g. 2 wird die Zahl so daß er sich wie eine direkt mit der Basis verbundene der Schaltungselemente und der zugehörigen getrennten Zenerdiode verhält, oder er kann bei Betrieb im Sperr- Schaltungsverbindungen verringert; dies ist insbebereich als Eingangskapazität dienen. Wenn der Mehr- sondere bei der heutigen Anwendung von Tranemitter-Transistor mehrere zusätzliche Emitter auf- sistoren in Festkörperschaltungen von beträchtlicher weist, so können diese wahlweise als weitere Emitter 60 Bedeutung. Ferner ergibt sich dadurch eine vorteildes eigentlichen Transistors oder aber auch bei Betrieb hafte Maßnahme zur Erzielung einer Spannungsin Sperrichtung als weitere Zenerdioden oder Ein- umsetzung in Schaltungen, bei denen die Kollektorgangskapazitäten verwendet werden. Spannungen verhältnismäßig groß sein können, bei-

Zum Zusammenschalten dieser verschiedenen Schal- spielsweise 2 Volt oder mehr betragen können. So

tungselemente mit dem eigentlichen Transistor sind 65 hohe logische Spannungswerte sind erwünscht, wenn

nicht einmal zusätzliche Schaltungsverbindungen not- Störimpulse unterdrückt werden sollen, die in den

wendig; vielmehr wirken alle diese Schaltungselemente Verbindungen zwischen den Schaltungselementen

in einem einzigen Bauelement direkt zusammen. Da- induziert werden können.

In der nachstehenden Beschreibung und der zu- irgendeiner der Eingänge positiv gegen Massepotential gehörigen Zeichnung sind alle Emitter, die im Durch- ist.

bruchstrombetrieb als Basiseingangsanschluß betrieben Wenn in der Schaltung von F i g. 4 keine im Basiswerden, auf der gleichen Seite des Transistors wie der eingangs-Durchbruchstrombetrieb betriebenen Emitter normale Basisanschluß dargestellt, und diese Emitter 5 der Mehrfachemitter-Transistoren verwendet würden, werden durch das Durchbruchssymbol L gekenn- wären offensichtlich für diese Schaltung wenigstens zeichnet. vier Zenerdioden erforderlich, die zusätzliche

Die Schaltung von F i g. 4 enthält einen Mehrfach- Schaltungsverbindungen u. dgl. notwendig machen emitter-Transistor 71, von dem ein Emitter im Basis- würden.

eingangs-Durchbruchstrombetrieb mit Masse ver- io Die Schaltung von F i g. 5 beruht auf der Erbunden ist, während die Basis über einen Wider- kenntnis, daß ein großflächiger Emitter als brauchbare stand Rl an die negative Klemme angeschlossen ist Eingangskapapitzät für die Basis eines Transistors und der Kollektor über einen Widerstand Rl mit der arbeiten kann. Obgleich die Hinzufügung dieses positiven Klemme verbunden ist. Der Kollektor ist großflächigen Emitters eine Vergrößerung der Kollekferner über eine geeignete Clamping-Anordnung mit 15 torfläche ergibt, hat sich das Verhältnis der Emittereinem Emitter eines zweiten Mehrfachemitter-Tran- kapazität zur Vergrößerung der Kollektorkapazität sistors Jl verbunden, wobei dieser Emitter im Basis- als durchaus annehmbar herausgestellt, weil die eingangs-Durchbruchstrombetrieb angeschlossen ist. spezifische Kapazität eines Emitterübergangs an-Ein zweiter, durch den Punkt A gekennzeichneter nähernd fünfmal so groß wie diejenige des Kollektors Eingang führt zu einem zweiten Emitter, der in gleicher ao sein kann. Bei der Schaltung von F i g. 5 wird diese Weise als Basiseingang im Durchbruchstrombetrieb Tatsache ausgenutzt. Sie enthält vier Transistoren J4, geschaltet ist. Die Basis des Transistors Jl ist über J5, J6 und Jl, von denen die Transistoren /5 und 76 einen Widerstand R3 mit der negativen Klemme zur Bildung einer bistabilen Schaltung angeschlossen verbunden, während sein Kollektor über einen Wider- sind. Jeder der Transistoren /5 und 76 weist einen stand R4 an die positive Klemme angeschlossen ist. 25 Emitter auf, der im Basiseingangs-Sperrbetrieb an-Der verbleibende Emitter des Transistors Jl wird im geschlossen ist. Der Basiseingangs-Sperrbetriebnormalen Durchlaßbetrieb verwendet und ist mit emitter des Transistors /5 ist mit dem Kollektor des einem Emitter eines dritten Transistors /3 verbunden; Transistors 76 verbunden, und der Basiseingangsdiese beiden Emitter sind außerdem über einen Sperrbetriebemitter des Transistors 76 ist an den Widerstand R5 mit der negativen Klemme verbunden. 30 Kollektor des Transistors /5 angeschlossen. Die Der Kollektor des Transistors J3 ist über einen Kollektoren der Transistoren /5 und 76 sind über Widerstand R6 an die positive Klemme angeschlossen, Widerstände R8 bzw. R9 mit der positiven Klemme und die Basis dieses Transistors ist über einen Wider- verbunden. Die Basen der Transistoren /5 und 76 stand Rl mit der negativen Klemme verbunden. Ein sind über Widerstände i?10 bzw. RU mit Masse Emitter des Transistors /3 ist im Basiseingangs- 35 verbunden. Die im Durchlaßbetrieb arbeitenden Durchbruchsperrbetrieb mit Masse verbunden. Der Emitter der beiden Transistoren /5 und 76 liegen Ausgang der Schaltung ist an die Kollektoren der an Masse.
Transistoren Jl und /3 angeschlossen. Der Kollektor des Transistors JA ist mit dem

Für eine maximale Schaltgeschwindigkeit irgend- Kollektor des Transistors J5 verbunden, und der Kollekeiner Transistorart gibt es offensichtlich einen opti- 40 tor des Transistors Jl ist mit dem Kollektor des malen Bereich des Kollektorstroms und der Kollektor- Transistors J6 verbunden. Die Emitter der Transpannung. Bei der zuvor beschriebenen Schaltung kann sistoren 74 und Jl liegen an Masse. Die Basisdieser Strom durch die Widerstände R Ibis R1 geeignet elektroden der Transistoren JA und Jl sind an den bemessen werden, und die mittlere Spannung kann Eingang angeschlossen, dem die Eingangsimpulse durch die Durchbruchssperrpotentiale der im Durch- 45 zugeführt werden.

bruchsperrbetrieb angeschlossenen Emitter bestimmt Der Betrieb der Schaltung von F i g. 5 läßt sich

werden. Bei der Schaltung von Fig. 4 werden die kurz wie folgt erläutern: Die bistabile Schaltung wird Kollektorpotentiale in der Nähe des Massepotentials dadurch in den Arbeitszustand gebracht, daß die festgehalten, während die Basispotentiale der drei Transistoren JA und Jl eingeschaltet werden, und Transistoren Jl, Jl und 73 durch ihre Durchbruchs- 50 sie wird durch einen den Basiselektroden zugeführten spannungen bestimmt sind. Da die Emitter der Tran- kurzen Impuls gesättigt. Es sei angenommen, daß sistoren 72 und 73 über den Widerstand R5 mit der der Transistor 75 anfänglich gesperrt ist, während der negativen Klemme verbunden sind, wird der durch Transistor 76 Strom führt. Der Kollektor des Tranden Widerstand R5 fließende Strom über den einen sistors 75 ist positiv, so daß der Widerstand RS Strom oder den anderen Transistor übertragen, je nachdem, 55 zur Basis des Transistors 76 über den im Basiseinweiche Basis der beiden Transistoren positiver ist. gangs-Sperrbetrieb arbeitenden Emitter liefert. Da-Wenn die Transistoren gleichzeitig auf einer gleichen durch wird der Transistor 76 gesättigt, so daß seine Scheibe des Grundmaterials gebildet werden, können Kollektorelektrode auf Massepotential gehalten wird, die Durchbruchssperrspannungen der Emitter der Durch Zuführung eines Eingangsimpulses werden beiden Transistoren sehr eng aneinander angepaßt 60 die Kollektoren der beiden Transistoren 74 und 77 werden. Wenn daher der Kollektor des Transistors 71 auf Massepotential gebracht. Demzufolge findet am gegen Masse positiv ist, führt der Transistor 72 Strom, Kollektor des Transistors 75 keine Spannungsänderung während der Transistor 73 Strom führt, wenn der statt, während sich die Spannung am Eingang des Kollektor des Transistors 71 gegen Masse negativ Transistors 76 vom Emitterdurchbruchpotential ist. Es ist zu bemerken, daß die Unterscheidungs- 65 ändert, so daß die Emittereingangskapazität sich in schwelle zwischen den Transistoren 72 und 73 nahe die Basis dieses Transistors entlädt. Ein Teil dieser beim Massepotential liegt. Wenn ein zweiter Eingang A Ladung sperrt den Transistor 76, während der Lavorgesehen ist, führt der Transistor 72 Strom, wenn dungsüberschuß bewirkt, daß der Transistor ein

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Potential annimmt, das gegen Masse negativ ist. (nicht dargestellten) nächsten Stufe mit der positiven Wenn der den Transistoren 74 und 77 zugeführte Klemme verbunden.

Impuls aufhört, also diese beiden Transistoren ge- Die bei der Schaltung von F i g. 8 verwendeten

sperrt werden, bevor sich die Emittereingangskapa- Dioden, Transistoren und Widerstände können als zität des Transistors 76 entladen konnte, wird der 5 Festkörperschaltung ausgebildet sein. Die Schaltung Transistor /5 angeschaltet, bevor sich der Transistor kann insbesondere deshalb verhältnismäßig einfach 76 anschalten kann, so daß der Transistor 76 ge- hergestellt werden, weil sie vollständig aus einem sperrt gehalten wird. Der nächste den Basiselek- n-Siliciumplättchen bestehen kann, auf welches die troden der Transistoren 74 und 77 zugeführte Ein- Mehrfachemitter-npn-Transistoren, die pn-Dioden und gangsimpuls bringt den Transistor /6 zurück in io die Widerstände aufdiffundiert sind. In der Praxis den stromführenden Zustand, wodurch die zyklische kann die Basiszone der Transistoren so erweitert Umschaltung der bistabilen Schaltung vervollständigt werden, daß dadurch die Basiswiderstände gebildet wird. werden, d. h. der Widerstand R Yl für den Transistor /8

Die zuvor beschriebenen Mehrfachemitter-Tran- und der Widerstand R15 für den Transistor J9. Dies sistoren, bei denen ein Emitter oder mehrere Emitter 15 heißt, daß der Transistor J8, der zugehörige Basisim Basiseingangs-Sperrbetrieb angeschlossen sind, widerstand R12 und die Dioden T in einem einzigen können auch in anderen Schaltungen als logischen Gebiet des Plättchens gebildet werden können, daß Schaltungen verwendet werden, insbesondere in der Transistor J9, der zugehörige Basiswiderstand R15 linearen Schaltungen, in denen ein zusätzlicher Emitter und die Dioden W in einem weiteren Gebiet gebildet des Transistors als Kopplungsglied zwischen einer 20 werden können und daß die verbleibenden WiderBasis und dem Kollektor der vorangehenden Stufe stände, nämlich die Kollektorwiderstände RIi, R14 dient. Zu diesem Zweck kann der zusätzliche Emitter und R16 in weiteren Gebieten gebildet werden. Es im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb in der in kann also eine vollständige logische Festkörper-F i g. 6 angedeuten Weise betrieben werden. In dieser Schaltung gebildet werden, bei welcher die Zahl der Anordnung ergibt sich eine niedrige Impedanz bei 35 isolierten Gebiete auf dem Plättchen sehr viel kleiner allen Frequenzen. Dies ist eine nützliche Eigenschaft als die gesamte Anzahl der logischen Elemente und bei der Anwendung für Festkörper-Rückkopplungs- Widerstände der Schaltung ist. Verstärker. Durch entsprechende Zuführung von Eingangs-

Wenn der Basiseingangs-Sperrbetriebemitter so Signalen zu den verschiedenen im Sperrbetrieb ververwendet und ausgeführt ist, daß er als Kapazität 30 wendeten Emittern ist es ohne weiteres möglich, wirkt, ergibt er eine niedrige Impedanz bei hohen Oder-Schaltungen, Und-Schaltungen und Negations-Frequenzen zwischen dem Kollektor der vorangehenden Schaltungen zu formen.

Stufe und der Basis der folgenden Stufe. Dies ist in Beispielsweise kann angenommen werden, daß die

F i g. 7 dargestellt. imBasiseingangs-Durchbruchstrombetriebverwendeten

Die Schaltung von F i g. 8 enthält einen Mehrfach- 35 Emitter des Transistors 79 als Oder-Schaltung dienen emitter-Transistor /8, dessen Basis über einen Wider- und daß die Dioden T einen Teil einer Und-Schaltung stand R 12 mit Masse verbunden ist und von dem ein für die dem Transistor 78 folgende Stufe, zu der auch Emitter in herkömmlicher Emitterschaltung mit Masse der Transistor J9 gehört, bilden, verbunden ist. Der Kollektor des Transistors /8 ist Der Betrieb der zuvor beschriebenen Schaltung kann über eine pn-Diode T und einen Belastungswider- 40 kurz wie folgt erläutert werden: stand R13 und i?14, der ein Teil der nächsten Stufe Es seien die zuvor beschriebenen Verbindungen

bildet, mit der positiven Klemme verbunden. Die vorausgesetzt. Wenn dann alle Kreise, die mit den in Darstellung zeigt eine Ausgangsverzweigung, wobei der Sperrichtung betriebenen Emittern des Tranjeder Ausgang eine Diode T enthält. Die anderen sistors J9 verbunden sind, Strom führen, kann der Emitter des Transistors JS sind im Basiseingangs- 45 Strom im Widerstand 714 in den Basiskreis des Tran-Durchbruchstrombetrieb benutzt, und sie dienen als sistors 79 fließen und diesen anschalten. Wenn dagegen Eingangsverzweigung für den Transistor 78. In der ein Transistor, beispielsweise der mit dem Eingang des Praxis werden diese verschiedenen Emitter mit den Transistors 79 gekoppelte Transistor 78 Strom führt, Ausgängen weiterer (nicht dargestellter) Stufen über wird die Eingangsklemme nahe am Massepotential jeweils eine entsprechende (nicht dargestellte) 50 gehalten, so daß der zugehörige Emitter keinen Strom Diode verbunden. In gleicher Weise ergibt der in der Sperrichtung führen kann, wodurch der Tran-Kollektor des Transistors 78 eine Ausgangsver- sistor 79 abgeschaltet wird. Es wurde festgestellt, zweigung zu den Eingängen weiterer Stufen über die daß diese Schaltung einen guten Störabstand ergibt Dioden T. und daß die Schaltgeschwindigkeit in erster Linie

Der Kollektor des Transistors 78 ist über eine der 55 durch die Gesamtkapazität und den gesamten verfüg-Dioden T auch mit einem der in der Sperrichtung baren Strom in der Schaltung begrenzt ist. Wenn betriebenen Emitter eines zweiten Transistors 79 beispielsweise an jedem Eingang 1 Milliampere erlaubt gekoppelt. In Fig. 8 ist gezeigt, wie auch für diesen ist, kann die Gesamtverzögerung in der Größenordnung Emitter eine Eingangsverzweigung verwendet werden von 0,5 Mikrosekunden liegen. Die Schaltung von kann. Falls erwünscht, können solche Eingangs- 60 F i g. 8 kann Spannungswerte von + 12 Volt für die Verzweigungen auch bei mehreren im Basiseingangs- Binärzahl »1« und 0 Volt für die Binärzahl »0« haben, Durchbruchstrombetrieb verwendeten Emittern an- was eine Unterscheidungsschwelle von + 6 Volt gewendet werden. Die Basis des Transistors 79 ergibt.

ist über einen Widerstand R15 mit der Masseklemme Damit der Betrieb der Schaltung von Fig. 8

verbunden, während der Kollektor dieses Transistors 65 besser verfolgt werden kann, ist nachstehend eine mit einer Reihe von Dioden W verbunden ist, die Funktionstabelle angegeben, welche das Potential eine Ausgangsverzweigung für den Transistor 79 am Punkt E für sämtliche Kombinationen von Potenbilden. Der Kollektor ist ferner über den Eingang der tialen an den Punkten A, B, C und D angibt.

Tabelle

A	B	C	D	E
+ VE + VE	+ VE + VE	+ VE + VE	+ VE -VE	+ + + + I + + + + + MMM

Claims (15)

Patentansprüche: 10 30 Natürlich können an Stelle der dargestellten npn-Mehrfachemitter-Transistoren auch pnp-Mehrfachemitter-Transistoren verwendet werden. 30

1. Schaltungsanordnung mit einem Transistor mit einer Kollektorelektrode, einer Basiselektrode und zwei oder mehr Emitterelektroden, von denen jede der Kollektorelektrode und der Basiselektrode so zugeordnet ist, daß sie mit diesen als Transistor zusammenwirkt, und von denen wenigstens eine in normaler Durchlaßrichtung betrieben wird, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der zusätzlichen Emitterelektroden derart geschaltet ist, daß sie der Basiselektrode ein Signal oder eine Bezugsspannung zuführt und außerdem so weit in Sperrichtung vorgespannt ist, daß sie von dem ihr zugeführten Signal nicht in den Durchlaßbereich ausgesteuert wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Sperrichtung vorgespannte Emitterelektrode so weit vorgespannt ist, daß sie im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in Sperrichtung vorgespannte Emitterelektrode derart beschaltet ist, daß sie als Kondensator wirkt, der an die Basiselektrode des Transistors angeschlossen ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine weitere Emitterelektrode so vorgespannt ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet, und daß sie derart beschaltet ist, daß sie als Kondensator dient, der an die Basiselektrode des Transistors angeschlossen ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors am Eingang einer bistabilen Schaltung zur Bildung einer stromumschaltenden logischen Schaltung angeschlossen ist.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die bistabile Schaltung zwei weitere Transistoren enthält, von denen jeder zwei oder mehr Emitterelektroden aufweist, daß eine Emitterelektrode jedes Transistors des Paares in Emitterschaltung mit einer negativen Spannungsklemme derart verbunden ist, daß sie im normalen Durchlaßbetrieb arbeitet, daß der Kollektor des Transistors mit einer Emitterelektrode eines Transistors des Paares verbunden ist, die so angeordnet ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet, und daß der Ausgang der Schaltung von den Kollektorelektroden des Transistorpaares abgezweigt ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Eingang für die Schaltung an einer weiteren Emitterelektrode des Transistors des Paares vorgesehen ist, mit welchem der Kollektor von dem Transistor verbunden ist, und daß die weitere Emitterelektrode so angeordnet ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors mit dem Transistorpaar über eine Clamping-Anordnung gekoppelt ist.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Transistor vorgesehen ist, der zwei Emitterelektroden aufweist, von denen eine so angeschlossen ist, daß sie im normalen Durchlaßbetrieb arbeitet, während die andere so angeschlossen ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet, und daß jede im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitende Emitterelektrode mit einer Kollektorelektrode des anderen Transistors so verbunden ist, daß ein als Binärzähler verwendbares Schaltungselement entsteht.

10. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die im Basiseingangs-Sperrbetrieb betriebene Emitterelektrode mit der Kollektorelektrode eines Transistors verbunden ist, der die vorangehende Stufe einer linearen Schaltung darstellt, wodurch eine niederohmige Kopplung bei allen Frequenzen zwischen diesen Stufen gebildet ist.

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor wenigstens drei Emitterelektroden aufweist und daß wenigstens eine weitere Emitterelektrode derart angeordnet ist, daß sie zur Bildung einer logischen Torschaltung im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet.

12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor wenigstens drei Emitterelektroden aufweist, und daß wenigstens eine weitere Emitterelektrode derart angeordnet ist, daß sie zur Bildung einer logischen Torschaltung im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet.

13. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente als Festkörperschaltung ausgebildet sind.

14. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente als Festkörperschaltung auf einem einzigen Halbleiterplättchen ausgebildet sind.

15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 13 oder 14 unter Rückbeziehung auf einen der Ansprüche 3,4, 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet,

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daß die als mit der Basiselektrode verbundener Kondensator arbeitende Emitterelektrode so gefertigt ist, daß die Oberfläche des zugehörigen Übergangs größer als diejenige einer Kollektorelektrode des Transistors ist.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen