DE1802583C3 - Multivibratorschaltkreis - Google Patents

Description

Die ErfiBdung betrifft einen Multivibratoischalt- umgeschaltet ist, dieser für eisen bestimmten Zeitraum

kreis, also eine Kippschaltung, mit zwei gleichen nicht durch irgendeinen Störimpuls zurückgeschaltet

Transistoren, bei dem der Basiskreis jedes Transistors werden. Bei dem erfindungsgemäßen Multivibrator-

vom Ausgang des anderen gespeist wird, so daß ein schaltkreis werden somit nicht nur im Unterschied

Transistor gesperrt und der andere leitend ist und 5 zu den bekannten Kippschaltungen Transistoren mit

beide Transistoren durch ein Schaltsignal in den an- einer großen Basis-Emitter-Kapazität verwendet,

deren Zustand gebracht werden. Solche Multivibra- sondern darüber hinaus nur solche, die nicht dotiert

torschaltkreise werden unter anderem in logischen siid, also bei denen kein Neutralisieren der AuQa-

Schaltkreisen für Steuereinrichtungen verwendet. dung im Innern erfolgt. Darüber hinaus ist der Zweck Insbesondere bei Einrichtungen für die Steuerung io der Erhöhung des Basisstroms weit über den Wert,

von Werkzeugmaschinen treten häufig starke, elektri- der für einen solchen Kreis normalerweise verwenaet

sehe Störfelder auf, so daß die beiden Transistoren wird, die Ladung in der Basis-Emitter-Kapazität des

als Folge solcher Störfelder unbeabsichtigt in den Transistors zu erhöhen,

anderen Zustand gebracht werden können. In Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, daß

Die bekannten Multivibratorschaltkreise dieser Art 15 die Transistoren unter zwangweise vorgespannten umfassen übliche Transistoren, nämlich solche, bei Sättigungsbedingungen einen Ts-Wert von mindestens denen die Basis-Emitter-Kapazität gering ist, so daß einer Mikrosekunde haben. Je höher der Ts-Wert ist, keine große Aufladung erfolgen kann. Darüber in desto größerem MpJJe wird der Schaltkreis gegen hinaus werden bei bekannten Schaltungen dotierte Störungen immun. Eine Mikrosekunde ist damit ein Transistoren verwendet. Diese Transistoren werden so Kompromiß zwischen der Immunität gegen eine bekanntlich während der Herstellung mit einem Zu- Überlagerung oder Störung und der Umschaltgesatz versehen, durch den sich eine in der Basis- schwindigkeit.

Emitter-Kapazität befindliche Aufladung im Innern Der Schaltkreis gemäß der Erfindung ist zweckdes fertigen Transistors neutralisiert. Solche dotier- mäßigerweise als integrierter Schaltkreis ausgebildet, ten Transistoren werden somit verwendet, um die as wobei der gesamte Schaltkreis auf einem einzigen Ladung ihrer Basis-Emitter-Kapazität so schnell wie Halbleiterplättchen oder Substrat gebildet ist. möglich abzuleiten und damit eine schnelle Rück- Es folgt eine Beschreibung eines Ausführungsbeiwirkung beim Wechsel vom leitenden in den ge- spiels der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichsperrten Zustand und umgekehrt zu erreichen. nung, in der ein Schaltschema für einen bistabilen

Bei einer bekannten Schaltung (deutsche Aus- 30 Schaltkreis gezeigt ist.

legcschriftl 230 079) sind die Kapazitäten in den Dieser Schaltkreis verwendet zwei Transistoren, Stromkreis so niedrig wie möglich gehalten, um die die in einer zuvor beschriebenen Ausführung vorSchaltung gegen Störimpulse nicht anfällig zu gestal- gesehen sind, nämlich eine hohe Basis-Emitter-Kapaten. Ferner ist eine Schaltung (deutsche Auslege- zität bei Sättigung haben und nicht gedopt sind, um schrift 1219 078) bekannt, bei der die Störanfällig- 35 eine innere Ableitung der Basis-Emitter-Ladung zu keit durch die Verwendung von zwei Zenerdioden verursachen. Die Kollektoren der Transistoren 10, 11 herabgesetzt wird. Dies begrenzt die Amplitude des sind jeweils über Widerstände 12 und 13 mit einer Störsignals auf ein Niveau, bei dem der Stromkreis ersten Zuleitung 14 verbunden, während die Emitter nicht mehr anspricht. bei 15 geerdet sind. Der Kollektor des Transistors 10

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine 40 ist durch einen Widerstand 16 mit der Basis des Kippschaltung zu schaffen, die gegen Störimpulse Transistors 11 verbunden, während der Kollektor

praktisch unempfindlich ist, ohne daß dabei die des Transistors 11 mit der Basis des Transistors 10

Schaltung zusätzliche, die Schaltung komplizierter durch einen Widerstand 17 verbunden ist. Die Basen

gestaltende Schaltelemente verwendet werden. der Transistoren 10, 11 sind über Widerstände 18

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung bei 45 bzw. 19 mit einer Zuleitung 20 verbunden. Den einem Multivibratorschaltkreis mit zwei gleichen Basen der beiden Transistoren werden Eingangs-Transistoren dadurch gelöst, daß der jede Tran- signale an einem Eingang 21 über Kondensatoren 22. sistorbasis speisende Stromkreis so beschaffen ist, 23 und Gleichrichtern 24, 25 zugeleitet. Der Kollekdaß der der Basis zugeführte Strom, wenn der Tran- tor des Transistors 10 ist mit der Verbindungsstelle sistor leitend ist, mit mindestens das 5 fache des 5» zwischen dem Kondensator 22 und dem Gleichrichter maximalen Kollektorstromes des Transistors, geteilt 24 über einen Widerstand 26 verbunden, während durch die geringste gemeinsame Emitter-Stromver- der Kollektor des Transistors 11 mit der Verbinstärkung beträgt, daß der der Basis jedes Transistors dungsstelle zwischen dem Kondensator 23 und dem zugeführte Strom, wenn dieser leitend ist, wesentlich Gleichrichter 25 über einen Widerstand 27 verbungrößer ist, als derjenige, der zum Erreichen des lei- 55 den ist.

tenden Zustandes erforderlich ist, und daß als Tran- Die Potentiometernetzwerke, die die Basen der

sistoren solche mit einer großen Basis-Emitter-Kapa- Transistoren 10, 11 speisen, sind durch die Wider-

zität im leitenden Zustand verwendet werden und stände 13, 17 und 18 bzw. 12, 16 und 19 gebildet,

nicht zur inneren Ableitung, die nicht zur inneren und diese Netzwerke sind so angeordnet, daß der in

Ableitung der Ladung dieser Kapazität dotiert sind, βο den jeweiligen Transistor eingespeiste Basisstrom

so daß der größte Teil des der Basis jedes Transistors bei dessen Wirkzustand zwischen dem Fünf- und dem

zugeführten Stromes im leitenden Zustand diese Zehnfachen des maximalen Kollektorstroms geteilt

Kapazität auflädt und nach dem Umschalten des durch die geringste gemeinsame Emitterstromver- Transistors in den Sperrzustand über die Basislei- Stärkung liegt. Zu diesem Zweck ist damit der Ge-

tung abfließt, um für eine Periode das Zurückschal- 65 samtwiderstand jedes dieser Potentiometernetzwerke

ten des Transistors in den leitenden Zustand zu ver- wesentlich geringer als in bekannten Ausführungen,

hindern. Auf diese Weise kann der Transistor, wenn bei denen der maximale Basisstrom üblicherweise

er von dem leitenden Zustand in den gesperrten gleich dem maximalen Kollektorstrom geteilt durch

die geringste gemeinsame Emitterstromverstärkungist

Wie bereits erwähnt, kann der Schaltkreis als integrierte Schaltung auf einem einzigen Germaniumoder Silikonplättchen oder -substrat vorgesehen sein.

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Multivibratorschaltkreis mit zwei gleichen Transistoren, bei dem der Basiskreis jedes Transistors vom Ausgang des anderen gespeist wird, so daß ein Transistor gesperrt und der andere leitrad ist und beide Transistoren durch ein Schaltsignal in den anderen Zustand gebracht werden, dadurch gekennzeichnet, daß der jede Transistorbasis speisende Stromkreis so beschaffen ist, daß der der Basis zugeführte Strom, wenn der Transistor leitend ist, mindestens tidb Fünffache des maximalen Kollektorstromes des Transistors, geteilt durch die geringste gemeinsame Emitterstromvers»ärkung, beträgt, daß der der Basis jedes Transistors zugeführte Strom, wenn dieser leitend ist, wesentlich größer ist, als derjenige, der zum Erreichen des leitenden Zustandes erforderlich ist, und daß als Transistoren solche mit einer große zität im leitenden Zustand nicht zur innerea Ableitu Kapazität dotiert sind, so c der Basis jedes Transistors leitenden Zustand diese 1 nach dem Umschalten di Sperrzustand über die Ba für eine Periode das Zur sistors in den leitenden Za;

2. Multivibratorschaltki dadurch gekennzeichnet, < jedem Transistor bei einen Transistors zwischen dem fachen des maximalen I durch die geringste gemein Stärkung beträgt.

3. Multivjbratorschaltki und 2, dadurch gekennze sistoren unter zwangweis« gungsbedingungen einen das Verhältnis der Sätti Sättigungsbasisstrom) vo Mikrosekunde haben.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen