DE1284521C2

DE1284521C2 - Schaltungsanordnung mit einem mehremitter-transistor

Info

Publication number: DE1284521C2
Application number: DE1964P0034501
Authority: DE
Inventors: Philip Martin Ottawa Thompson
Original assignee: The Plessey U.K. Ltd, Ilford, Essex (Großbritannien)
Priority date: 1963-06-18
Filing date: 1964-06-13
Publication date: 1978-06-22
Also published as: GB1082519A; DE1284521B; NL6406845A; US3345518A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung mit eirem Transistor mit einer Kollektorelektrode, einer Baiselektrode und zwei oder mehr Emitterelektroden, von denen jede der Kollektorelektrode und der Basiselektrode so zugeordnet ist, daß sie mit diesen als Transistor zusammenwirken kann, und von denen wenigstens eine in Durchlaßrichtung betrieben wird.

Es ist schon eine derartige Schaltungsanordnung bekannt, bei der alle Emitterelektroden zusammen mit der Kollektor- und der Basiselektrode immer nur als Transistoren verwendet werden und wobei diese Schaltungsanordnung also lediglich einen Mehremitter-Transistor darstellt.

Es sind andererseits Halbleiterschal*ungen bekannt, bei denen an einer Stelle eines Halbleiterkörpers ein Transistor gebildet ist, während an anderen Stellen zusätzliche Elektroden angebracht sind, die beispielsweise als Gleichrichterelektroden wirken, die jedoch so weit von der Kollektor- und Emitterelektrode des Transistors entfernt angeordnet sind, daß sie durch einen Oberflächenstrom auf dem Halbleiterkörper zwischen Emitter- und Kollektorelektrode nicht beeinflußt werden können. Der Halbleiterkörper enthält also zwei oder mehr ganz getrennte Schaltungselemente, nämlich p'·* vn Einemitter-Transistor und eine Diode, die zum Zusammenwirken erst durch ein besonderes Koppelelement verbunden werden müssen.

Bei einer besonderen Ausführungslorm der eben erwähnten Halbleiterschaltungen, bei der auch eine zusätzliche Elektrode vollständig getrennt angebracht ist, dient diese Elektrode Oberhaupt nicht zur Verarbeitung von Eingangssignalen, sondern einem ganz anderen Zweck, nänlich der Temperaturüberwachung

des Halbleiterkörpers.

Es ist Aufgabe der Erfindung, in einer Schaltungsanordnung die Zahl der Schaltungselemente durch Verwendung von Mehremitter-Transistoren der eingangs definierten Art zu verringern, wobei gegebenenfalls die Funktion eines Teiles dieser Schaltungselemente wählbar ist

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß wenigstens eine der zusätzlichen Emitterelektroden derart geschaltet ist, daß sie der Basiselektrode ein Signal oder eine Bezugsspannung zuführt und außerdem so weit in Sperrichtuiig vorgespannt ist, daß sie im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet

Bei der erfindungsgemäßen Ausbildung der Schaltungsanordnung arbeitet immer wenigstens einer der Emitter des Meh-emitter-Transistors in Durchlaßrichtung und bildet so zusammen mit dem Kollektor und der Basis den eigentlichen Transistor. Der im Durchbruchsstrombetrieb arbeitende zusätzliche Emitter verhält sich wie eine direkt mit der Basis verbundene Zenerdiode, oder er kann bei Betrieb im Sperrbereich als Eingangskapazität dienen. Wenn der Mehremitter-Transistor mehrere zusätzliche Emitter aufweist, so können diese wahlweise als weitere Emitter des eigentlichen Transistors oder auch bei Betrieb in Sperrichtung als weitere Zensrdioden oder Eingangskapazitäten verwendet werden.

Zum Zusammenschalten dieser verschiedenen Schaltungselemente mit dem eigentlichen Transistor sind nicht einmal zusätzliche Schaltungsverbindungen notwendig; vielmehr wirken alle diese Schaltungselemente in einem einzigen Bauelement direkt zusammen. Dadurch läßt sich die Zahl der Bauelemente und der Verbindung einer Schaltungsanordnung ganz erheblich vermindern, wodurch wiederum deren Große stark vermindert werden kann. Außerdem lassen sich mit einem Bauelement in Abhängigkeit von der Vorspannung der einzelnen Emitterelektroden verschiedene Funktionen ausführen.

Solche Bauelemente eignen sich folglich sehr gut für Massenfertigung.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielshalber beschrieben. Dabei zeigt

F i g. 1 eine symbolische Darstellung eines Einemitter-Transistors mit einer an die Basis angeschlossenen Zenerdiode,

F i g. 2 eine symbolische Darstellung eines Zweiemitter-Transistors, von dem ein Emitter als Basiseingang im Sperrbetrieb verwendet wird,

Fig.3 die Strom-Spannungs-Kennlinie einer einzelnen Emitterelektrode,

F i g. 4 das Schaltbild einer i'.ur Stromumschaltung dienenden logischen Schaltung,

Fig.5 das Schaltbild eines B'inärzählers mit Querkopplungsemittern an Stelle von Kondensatoren unter Verwendung von Mehrfachemitter-Transistoren,

F i g. 6 und 7 Schaltbilder von linearen Senkungen mit Mehrfachemitter-Transistoren und

F i g. 8 das Schaltbild einer logischen Torschaltung.

F i g. 1 zeigt einen herkömmlichen Einemitter-Transistor, an dessen Basis eine Zenerdiode angeschlossen ist. Bei dem in F i g. 2 dargestellten Zweiemitter-Transistor ist ein Emitter als Basiseingang im Sperrbetrieb angeschlossen. Der Anschluß eines Mehrfachemitter-Transistors in der Weise, daß der eine Emitter im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet, entspricht dem Betrieb eines herkömmlichen Transistors mit einer an die Basis angeschlossenen Zenerdiode. Die

Anordnung von F i g. 1 ist somit der Anordnung von F i g. 2 elektrisch äquivalent

F i g. 3 zeigt die Strom-Spannungs-Kennlinie eines einzelnen Emitters. Wenn der Emitter gegen Masse negativ vorgespannt ist, arbeitet er in Durchlaßrichtung, also im normalen Durchlaßbemeb; wenn er dagegen positiv gemacht wird, tritt die Stromführung erst dann ein, wenn seine Zenerspannung erreicht wird; er arbeitet dann im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb. Bei Spannungen zwischen diesen beiden Durchlaßwerten kann der Emitter als kleiner Kondensator verwendet werden. Wenn ein einzelner Transistor mehrere Emitter hat kann einer im Durchlaßbetrieb arbeiten, woraus sich ein normaler Transistorbetrieb ergibt, während ein weiterer Emitter im Durchbruchstrombetrieb arbeiten kann, so daß er sich im wesentlichen wie eine Zenerdiode verhält die an die Basis angeschlossen ist und ein dritter Emitter kann als kleine Basiseingangskapazität dienen.

Durch die Anordnung von F i g. 2 wird die Zahl der Schaltungselemente und der zugehörigen getrennten Schaltungsverbindungen verringert; dies ist insbesondere bei der heutigen Anwendung von Transistoren in Festkörperschaltungen von beträchtlicher Bedeutung. Ferner ergibt sich dadurch eine vorteilhafte Maßnahme zur Erzielung einer Spannungsumsetzung in Schaltungen, bei denen die Kollektorspannungen verhältnismäßig groß sein können, beispielsweise 2 Volt oder mehr betragen können. So hohe logische Spannungswerte iind erwünscht, wenn Störimpulse unterdrückt werden sollen, die in den Verbindungen zwischen den Schaltungselementen induziert werden können.

In der nachstehenden Beschreibung und der zugehörigen Zeichnung sind alle Emitter, die im Durchbruchstrombetrieb als Basiseingangsanschluß betrieben werden, auf der gleichen Seite des Transistors wie der normale Basisanschluß dargestellt, und diese Emitter werden durch das Durchbruchssymbol L gekennzeichnet.

Die Schaltung von Fig.4 enthält einen Mehrfachemitter-Transistor Ji, von dem ein Emitter im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb mit Masse verbunden ist, während die Basis über einen Widerstand R 2 an die negative Klemme angeschlossen ist und der Kollektor über einen Widerstand R 1 mit der positiven Klemme verbunden ist. Der Kollektor ist ferner über eine geeignete Clamping-Anordnung mit einem Emitter eines zweiten Mehrfachemitter-Transistors /2 verbunden, wobei dieser Emitter im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb angeschlossen ist. Ein zweiter, durch den Punkt A gekennzeichneter Eingang führt zu einem zweiten Emitter, der in gleicher Weise als Basiseingang im Durchbruchstrombetrieb geschaltet ist. Die Basis des Transistors /2 ist über einen Widerstand R 3 mit der negativen Klemme verbunden, während sein Kollektor über einen Widerstand /?4 an die positive Klemme angeschlossen ist. Der verbleibende Emitter des Transistors /2 wird im normalen Durchlaßbetrieb verwendet und ist mit einem Emitter eines dritten Transistors /3 verbunden; diese beiden Emitter sind außerdem über einen Widerstand R 5 mit der negativen Klemme verbunden. Der Kollektor des Transistors 73 ist über einen Widerstand R β an die positive Klemme angeschlossen, und die Basis dieses Transistors ist über einer. Widerstand R 7 mit der negativen Klemme verbunden. Ein Emitter des Transistors /3 ist im Basiseingangs-Durchbruchsperrbetrieb mit Masse verbunden. Der Ausgang der Schaltung ist an die

Kollektoren der Transistoren /2 und / 3 angeschlossen.

Für eine maximale Schallgeschwindigkeit irgendeiner Transislorart gibt es offensichtlich einen optimalen Bereich des Kollektorstroms, und der Kolleklorspannung. Bei der zuvor beschriebenen Schaltung kann ; dieser Strom durch die Widerstände RX bis R 7 geeignet bemessen werden, und die mittlere Spannung kann durch die Durchbruchssperrpotentiale der im Durchbruchsperrbetrieb angeschlossenen Emitter bestimmt werden. Bei der Schaltung von F i g. 4 werden m die Kollektorpotentiale in der Nähe des Massepotentials festgehalten, während die Basispotentiale der drei Transistoren JX, J2 und J3 durch ihre Durchbruchsspannungen bestimmt sind. Da die Emitter der Transistoren /2 und /3 über den Widerstand R5 mit r> der negativen Klemme verbunden sind, wird der durch den Widerstand R 5 fließende Strom über den einen oder den anderen Transistor übertragen, je nachdem, welche Basis der beiden Transistoren positiver ist. Wenn die Transistoren gleichzeitig auf einer gleichen 2" Scheibe des Grundmaterials gebildet werden, können die Durchbruchsperrspannungen der Emitter der beiden Transistoren sehr eng aneinander angepaßt werden. Wenn daher der Kollektor des Transistors J 1 gegen Masse positiv ist, führt der Transistor /2 Strom, 2> während der Transistor J 3 Strom führt, wenn der Kollektor des Transistors J X gegen Masse negativ ist. Es ist zu bemerken, daß die Unterscheidungsschwelle zwischen den Transistoren J 2 und J 3 nahe beim Massepotential liegt. Wenn ein zweiter Eingang A ii> vorgesehen ist, führt der Transistor /2 Strom, wenn irgendeiner der Eingänge positiv gegen Massepotential ist.

Wenn in der Schaltung von Fig.4 keine im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb betriebenen j-, Emitter der Mehrfachemitter-Transistoren verwendet würden, wären offensichtlich für diese Schaltung wenigstens vier Zenerdioden erforderlich, die zusätzliche Schaltungsverbindungen u. dgl. notwendig machen würden. 4n

Die Schaltung von F i g. 5 beruht auf der Erkenntnis, daß ein großflächiger Emitter als brauchbare Eingangskapazität für die Basis eines Transistors arbeiten kann. Obgleich die Hinzufügung dieses großflächigen Emitters eine Vergrößerung der Kollektorfläche ergibt, hat 4-, sich das Verhältnis der Emitterkapazität zur Vergrößerung der Kollektorkapazität als durchaus annehmbar herausgestellt, weil die spezifische Kapazität eines Emitterübergangs annähernd fünfmal so groß wie diejenige des Kollektors sein kann. Bei der Schaltung -,n von F i g. 5 wird diese Tatsache ausgenutzt. Sie enthält vier Transistoren /4, /5, /6 und /7, von denen die Transistoren /5 und /6 zur Bildung einer bistabilen Schaltung angeschlossen sind. Jeder der Transistoren / 5 und /6 weist einen Emitter auf, der im Basiseingangs-Sperrbetrieb angeschlossen ist. Der Basiseingangs-Sperrbetriebemitter des Transistors /5 ist mit dem Kollektor des Transistors /6 verbunden, und der Basiseingangs-Sperrbetriebemitter des Transistors /6 ist an den Kollektor des Transistors /5 angeschlossen, bo Die Kollektoren der Transistoren /5 und /6 sind über Widerstände R 8 bzw. R 9 mit der positiven Klemme verbunden. Die Basen der Transistoren /5 und /6 sind über Widerstände R 10bzw. RiX mit Masse verbunden. Die im Durchlaßbetrieb arbeitenden Emitter der beiden b5 Transistoren /5 und /6 liegen an Masse.

Der Kollektor des Transistors /4 ist mit dem Kollektor des Transistors /5 verbunden, und der Kollektor des Transistors /7 ist mit dem Kollektor de; Transistors /6 verbunden. Die Emitier der Transistorer /4 und /7 liegen an Masse. Die Basiselektroden dci Transistoren /4 und /7 sind an den Eingang angeschlossen, dem die Eingangsimpulse /ugeführ werden.

Der Betrieb der Schaltung von Fig. 5 läßt sich kun wie folgt erläutern: Die bistabile Schaltung wire dadurch in den Arbeitszustand gebracht, daß die Transistoren /4 und /7 eingeschaltet werden, und sie wird durch einen den Basiselektroden zugeführter kurzen Impuls gesättigt. Es sei angenommen, daß dei Transistor /5 anfänglich gesperrt ist, während dei Transistor /6 Strom führt. Der Kollektor des Transi stors / 5 ist positiv, so daß der Widerstand R 8 Strom zui Basis des Transistors /6 über den im Basiseingangs Sperrbetrieb arbeitenden Emitter liefert. Dadurch wire der Transistor /6 gesättigt, so daß seine Kollektorelek trode auf Massepotential gehalten wird. Durch Zufüh rung eines Eingangsimpulses werden die Kollektorer der beiden Transistoren /4 und /7 auf Massepotentia gebracht. Demzufolge findet am Kollektor des Transi stors /5 keine Spannungsänderung statt, während siel die Spannung aim Eingang des Transistors /6 von Emitterdurchbruchpotential ändert, so daß die Emitter eingangskapazität sich in die Basis dieses Transistor entlädt. Ein Teil dieser Ladung sperrt den Transistor /6 während der Ladungsüberschuß bewirkt, daß de Transistor ein Potential annimmt, das gegen Massi negativ ist. Wenn der den Transistoren /4 und J', zugeführte Impuls aufhört, also diese beiden Transisto ren gesperrt werden, bevor sich die Emiuereingangska pazität des Transistors /6 entladen konnte, wird de Transistor / 5 angeschaltet bevor sich der Transistor / ( anschalten kann, so daß der Transistor /6 gesperr gehalten wird. Der nächste den Basiselektroden de Transistoren /4i und J 7 zugeführte Eingangsimpul bringt den Transistor /6 zurück in den stromführendei Zustand, wodurch die zyklische Umschaltung de bistabilen Schaltung vervollständigt wird.

Die zuvor beschriebenen Mehrfachemitter-Transisto ren, bei denen ein Emitter oder mehrere Emitter irr Basiseingangs-Sperrbetrieb angeschlossen sind, könner auch in anderen Schaltungen als logischen Schaltunger verwendet werden, insbesondere in linearen Schaltun gen, in denen ein zusätzlicher Emitter des Transistors ah Kopplungsglied zwischen einer Basis und dem Kollek tor der vorangehenden Stufe dient. Zu diesem Zwecl· kann der zusätzliche Emitter im Basiseingangs-Durch bruchstrombetrieb in der in F i g. 6 angedeuteten Weise betrieben werden. In dieser Anordnung ergibt sich eine niedrige Impedanz bei allen Frequenzen. Dies ist eine nützliche Eigenschaft bei der Anwendung für Festkör per-Rückkopplungsverstärker.

Wenn der Basiseingangs-Sperrbetriebemitter se verwendet und ausgeführt ist daß er als Kapazität wirki ergibt er eine niedrige Impedanz bei hohen Frequenzei zwischen dem Kollektor der vorangehenden Stufe um der Basis der folgenden Stufe. Dies ist in Fig. 1 dargestellt

Die Schaltung von F i g. 8 enthält einen Mehrfach emitter-Transistor /8, dessen Basis über einen Wider stand R 12 mit Masse verbunden ist und von dem ei Emitter in herkömmlicher Emitterschaltung mit Mass verbunden ist. Der Kollektor des Transistors /8 ist übe eine pn-Diode Fund einen Belastungswiderstand Al und R14, der ein Teil der nächsten Stufe bildet mit de positiven Klemme verbunden. Die Darstellung zeig

cmc Atisgangsverzweigung, wobei jeder Ausgang cmc Diode 7 enthält. Die anderen Emitter des Transistors /8 sind im Basiscingangs-Durchbruchstrombctrieb bcnutzt, und sie dienen als Eingangsverzweigung für den Transistor /8. In der Praxis werden diese verschiedenen Emitter mit den Ausgängen weiterer (nicht dargestellter) Stufen über jeweils eine entsprechende (nicht dargestellte) Diode verbunden. In gleicher Weise ergibt der Kollektor des Transistors /8 eine Ausgangsverzweigung zu den Eingängen weiterer Stufen über die Dioden T.

Der Kollektor des Transistors /8 ist über eine der Dioden T auch mit einem der in der Sperrichtung betriebenen Emitter eines zweiten Transistors /9 gekoppelt. In Fig.8 ist gezeigt, wie auch für diesen Emitter eine Eingangsverzweigung verwendet werden kann. Falls erwünscht, können solche Eingangsverzweigungen auch bei mehreren im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb verwendeten Emittern angewendet werden. Die Basis des Transistors /9 ist über einen Widerstand R15 mit der Masseklemme verbunden, während der Kollektor dieses Transistors mit einer Reihe von Dioden W verbunden ist, die eine Ausgangs verzweigung für den Transistor / 9 bilden. Der Kollektor ist ferner über den Eingang der (nicht dargestellten) nächsten Stufe mit der positiven Klemme verbunden.

Die bei der Schaltung von F i g. 8 verwendeten Dioden, Transistoren und Widerstände können als Festkörperschaltung ausgebildet sein. Die Schaltung kann insbesondere deshalb verhältnismäßig einfach hergestellt werden, weil sie vollständig aus einem n-Siliciumplättcnen bestehen kann, auf welches die Mehrfachemitter-npn-Transistoren, die pn-Dioden und die Widerstände aufdiffundiert sind. In der Praxis kann die Basiszone der Transistoren so erweitert werden, daß dadurch die Basiswiderstände gebildet werden, d. h. der Widerstand Λ12 für den Transistor /8 und der Widerstand R 15 für den Transistor /9. Dies heißt, daß der Transistor /8, der zugehörige Basiswiderstand R 12 und die Dioden T in einem einzigen Gebiet des Plättchens gebildet werden können, daß der Transistor /9, der zugehörige Basiswiderstand R15 und die Dioden IV in einem weiteren Gebiet gebildet werden können und daß die verbleibenden Widerstände, nämlich die Kollektorwiderstände R 13, R 14 und R 16 in'weiteren Gebieten gebildet werden. Es kann also eine vollständige logische Festkörperschaltung gebildet werden, bei welcher die Zahl der isolierten Gebiete auf dem Plättchen sehr viel kleiner als die gesamte Anzahl der logischen Elemente und Widerstände der Schaltung ist.

Durch entsprechende Zuführung von Eingangssignalen zu den verschiedenen im Sperrbetrieb verwendeten Emittern ist es ohne weiteres möglich, Oder-Schaltungen, Und-Schaltungen und Negations-Schaltungen zu formen.

Beispielsweise kann angenommen werden, daß die im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb verwendeten Emitter des Transistors /9 als Oder-Schaltung dienen und daß die Dioden 7" einen Teil einer Und-Schaltung für die dem Transistor /8 folgende Stufe, zu der auch der Transistor /9 gehört, bilden.

■> Der Betrieb der zuvor beschriebenen Schaltung kann kurz wie folgt erläutert werden:

Es seien die zuvor beschriebenen Verbindungen vorausgesetzt. Wenn dann alle Kreise, die mit den in der Sperrichtung betriebenen Emittern des Transistors /9

n verbunden sind, Strom führen, kann der Strom im Widerstand R 14 in den Basiskreis des Transistors /9 fließen und diesen anschalten. Wenn dagegen ein Transistor, beispielsweise der mit dem Eingang des Transistors J 9 gekoppelte Transistor /8 Strom führt, r, wird die Eingangsklemme nahe am Massepotential gehalten, so daß der zugehörige Emitter keinen Strom in der Sperrichtung führen kann, wodurch der Transistor /9 abgeschaltet wird. Es wurde festgestellt, daß diese Schaltung einen guten Störabstand ergibt und

<i daß die Schaltgeschwindigkeit in erster Linie durch die Gesamtkapazität und den gesamten verfügbaren Strom in der Schaltung begrenzt ist. Wenn beispielsweise an jedem Eingang 1 Milliampere erlaubt ist, kann die Gesamtverzögerung in der Größenordnung von 0,5

') Mikrosekunden liegen. Die Schaltung von Fig. 8 kann Spannungswerte von +12VoIt für die Binärzahl »1« und 0 Volt für die Binärzahl »0« haben, was eine Unterscheidungsschwelle von +6 Volt ergibt.

Damit der Betrieb der Schaltung von F i g. 8 besser

jo verfolgt werden kann, ist nachstehend eine Funktionslabelle angegeben, welche das Potential am Punkt E für sämtliche Kombinationen von Potentialen an den Punkten A, B, C'und Dangibt.

Ji Tabelle

+ VE
+VE

+ VE
+ VE

+ VE
-VE

Natürlich können an Stelle der dargestellten npn-Mehrfachemitter-Transistoren auch pnp-Mehrfachemitter-Transistoren verwendet werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Schaltungsanordnung mit einem Transistor mit einer Kollektorelektrode, einer Basiselektrode und ■> zwei oder mehr Emitterelektroden, von denen jede der Kollektorelektrode und der Basiselektrode so zugeordnet ist daß sie mit diesen als Transistor zusammenwirken kann und von denen wenigstens eine in Durchlaßrichtung betrieben wird, dadurch to gekennzeichnet, daß wenigstens eine der zusätzlichen Emittereleketroden derart geschaltet ist daß sie der Basiselektrode ein Signal oder eine Bezugsspannung zuführt und außerdem so weit in Sperrichtung vorgespannt ist, daß sie im Basisein- ι j gangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß eine weitere Emitierelektrode so vorgespannt ist daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet und daß sie derart beschaltet ist, daß sie als Kondensator dient der an die Basiselektrode des Transistors angeschlossen ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors am Eingang einer bistabilen Schaltung zur Bildung einer stromumschaltenden logischen Schaltung angeschlossen ist.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die bistabile Schaltung zwei weitere Transistoren enthält, von denen jeder zwei jo oder mehr Emitterelektroden aufweist, daß eine Emitterelektrode jedes Transistors des Paares in Emitterschaltung mit einer negativen Spannungsklemme derart verbunden ist, daß sie im normalen Durchlaßbetrieb arbeitet, daß der Kollektor des s> Transistors mit einer Emitterelektrode eines Transistors des Paares verbunden ist, die so angeordnet ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet, und daß der Ausgang der Schaltung von den Kollektorelektroden des Transistorpaares abgezweigt ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Eingang für die Schaltung an einer weiteren Emitterelektrode des Transistors des Paares vorgesehen ist, mit welchem der Kollektor von dem Transistor verbunden ist und 4 ·> daß die weitere Emitterelektrode so angeordnet ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorelektrode des Transistors mit dem Transistorpaar über eine ϊο Clamping-Anordnung gekoppelt ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein weiterer Transistor vorgesehen ist, der zwei Emitterelektroden aufweist, von denen eine so angeschlossen ist, daß sie im normalen v> Durchlaßbetrieb arbeitet, während die andere so angeschlossen ist, daß sie im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet, und daß jede im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitende Emitterelektrode mit einer Kollektorelektrode des anderen Transistors so verbunden ist, daß ein als Binärzähler verwendbares Schaltungselement entsteht.

8. Schaltungsanordnung nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet, daß die im Basisehigangs-Sperrbetrieb betriebene F.mitterelektrode mit der ei Kollektorelektrode eines Transistors verbunden ist, der die vorangehende Stufe einer linearen Schaltung darstellt, wodurch eine niederohmige Kopplung bei allen Frequenzen zwischen diesen Stufen gebildet ist.

9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor wenigstens drei Emitterelektroden aufweist und daß wenigstens eine weitere Emitterelektrode derart angeordnet ist, daß sie zur Bildung einer logischen Torschaltung im Basiseingangs-Sperrbetrieb arbeitet.

10. Schaltunganordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß der Transistor wenigstens drei Emitterelektroden aufweist, und daß wenigstens eine weitere Emitterelektrode derart angeordnet ist, daß sie zur Bildung einer logischen Torschaltung im Basiseingangs-Durchbruchstrombetrieb arbeitet.

11. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente als Festkörperschaltung ausgebildet sind.

12. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungselemente als Festkörperschaltung auf einem einzigen Halbleiterplättchen ausgebildet sind.

13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 11 oder 12 unter Rückbeziehung auf einen der Ansprüche 2, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die als mit der Basiselektrode verbundener Kondensator arbeitende Emitterelektrode so gefertigt ist, daß die Oberfläche des zugehörigen Übergangs größer als diejenige einer Kollektorelektrode des Transistors ist.