DE1955942C3 - Bistabile Kippstufe - Google Patents
Bistabile KippstufeInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- KEBHLNDPKPIPLI-UHFFFAOYSA-N hydron;2-(3h-inden-4-yloxymethyl)morpholine;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=2C=CCC=2C=1OCC1CNCCO1 KEBHLNDPKPIPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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Description
3 4
Diode geschaltet sein, die eine zu enge Kopplung Die Basen _der ™**en „J,^sSTdurch jeweils
wischen den Kollektoren jedes Transistorpaares und beiden T^^J* *ΟΓ n bzw. 12 gemeinsam
den dazu gehörigen Vorspanndioden bzw. der Basis einen Ein|a n n^°ndl-n d S e a;°bistabi,en Kippstufe ange-
des zweiten Transistors desselben Transistorpaares an einen Eingang s« «^.^ j steht mit den
"SS* es zweckmäßig, wenn jedes Transistor- 5 ^^ ^Wtojg«· '" ^S'
paar einzeln zusammen mit dem dazugehörigen zu- wahf»d **?£'* «* h ans[ ist
sätzlichen Transistor und mit der einen der beiden ren des Tn^rpaars^nge ^ KoUektoren
Vorspanndioden in einer isolierten Insel einer Halb- Eine der Ve lbindungen ζ ^ ^n Jran.
,eiterpläUchens integriert ist was die gesamte Schal- » em« Tr» ^^ZliLpMS bildet einen Aus-
tung in integrierter Form umfaßt. SlStor>
°c* """J= Kippstufe.
Die andere der beiden Vorspanndioden kann zu- gang "^1JSSS? und g sind jeweils eine
sammen mit einem ohmschen Widerstand im KoI- In den Ko^7Z^fhmscher Widerstand 7 bzw^
lektorzweig den entsprechenden Transistorpaares in Diode15_«*; "' hmscher Widerstand 19 bzw. 20
einer isolierten Insel des Halbleiterplättchens inte- ,5 f8 ^1" X^1 ^Anschlüsse O1. O\ bzw. O
griert sein. Vorzugsweise sind zwei Kopplungskon- "VRe'he S^der beiden Kollektorzweige 7 und 8
densatoren, deren eine Elektrode mit der Bas.s des O s. D.: End -η der beΛα ^^ n an
zweiten Transistors je eines der beiden Transistor- Hegen gern einsam *" lle.
paare in Verbindung steht, am Eingang des Frc- einem weiteren £Moer P isto 5 are 5 und6 sind
iuenzteilers gemeinsam in einer isolierten Insel des *o ^^^^.ndergeschdtete Vorspann-Halbleiterplättchens
integriert. * ,InTl tew 22 und 23 bzw. 24 zugeordnet. Die
Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung diodenι 21 bzw. M uno dje ^ Vorspannsind
die Dioden im Kollektorzweig jedes Transistor- ^°^17^\Td\c Basis des zweiten Transipaares
zusammen mit diesem Transistorpaar in einer diode 23 bzw ^ , ist wahrend die andere
isolierten Insel des Halbleiterplättchens integrier. 2S ^rs3 bzw 4 angescn Mittelabgriff P,
Dabei treten aber parasitäre Transistoreffekte auf, ^rspannd^ode 2Ib^ widerständen 17 und
die den Wirkungsgrad der bistabilen Kippstufe ver- ta* Ps zwischen den ^ henden Kollektormindern.
Diese Erscheinung kann dadurch behoben 19 bzw. lö un steht
werden, daß die Dioden im KoUektorzwrg jedes zweig 7 bzw 8 ^ ™ J p. 2 der Zeichnung
Transistorp»« einzeln in isolierten Inseln des 30 em der E .«^ g^ ^ Schaltung nach
Halbleiterplättchens integriert sind. ρ „ Γ luf fünf eegenseitig isolierte Inseln 25 bis 29
Die Erfindung wird im folgenden an Hand von in F, g uf fünf geg ^g
ρ „ Γ f fünf gg
Die Erfindung wird im folgenden an Hand von in F1 g. 1 auf funt gg j^ 3() integnert.
der Zeichnung dargestellten Ausführungsbe.sp.elen verte.l ι mengn Ha Ibtate rp ^ ^^.^ ^ 3 und 9,
noch näher erläutert. dieDioSf 5 im Kollektorzweig 7 und die Vorspann
In der Zeichnung zeigt 35 die U10ae « 1 d 2? smd die W,der-
Fig-1 ein Schaltbild einer Ausführungsform der ^»/^Πη Kollektorzweig7 und die Vorbistabilen
Kippstufe, . nnVnHe 21 vereinißt Symmetrisch zur Insel 25 ist
F»g. 2 eine Ansicht auf die in einem Halbleiter- ^P^'f//^^ „sei 27 die Insel 28 aufgebaut,
plättchen integrierte Schaltung nach F. g. 1, ?^ Pinsel 29»beiinden sich die Eingangkondensa-
P Fig.3 das Schaltbild einer weiteren Ausführung- 40 In ^V1""1-, 12 Dte Anschlüsse für die Elektroden
form der bistabilen Kippstufe, i^Soaniunßquelle sind von den Inseln getrennt
F i g. 4 eine Ansicht auf die in einem Halbleiter- der ^^.nu"f3^UgSzi{fern 31 und 32 gekennzeichplättchen
integrierte Schaltung nach F i g 3 ™f *** %B™^U der bistabilen Kippstufe
P Gleiche Teile sind in allen Figuren durch gleiche "f ^^Srplättchen 30 getrennt von den
Bezugsziffern gekennzeichnet. Je einer von zwei er- 45 ist auf dem HalWe Φ
sten Transistoren 1 und 2 bilden zusammen mit je Inselrlange own Technologie entstehen an den
einem von zwei zweiten Transistoren 3 und 4 je eines BeJn^r^a r^d?oden 23 und 24 Transistoreffekte,
von zwei zueinander symmetrisch angeordneten bei den Versen"0 tatsachlich zusammen
TransistorpaareS und 6. Die Kollektoren des ersten ~ da^^^hSden zusätzlichen Transistor
Transistors 1 und des zweiten Transistors 3 sind in 50 mit dan.ertepre TransistorPaar mit ge-
einem gemeinsamen Kollektorzweig 7 vereinigt wah- ^" J^ kollektorzweig und Emitterzweig bildet,
rend die Kollektoren der Transistoren 2 und 4 in Jjmsamem Ko^ ^ ^ ^ trete außerdem je.
einem gemeinsamen Kollektorzweig 8 munden JiLiIs zwei parasitäre Kapazitäten auf, die in dei
Die Emitter der beiden Trans.storpaare bilden weils ^wei Par 1 de H Zeichnungen mit den Be-
zwei Emitterzweige, die gemeinsam durch einen An- 55 Schal ung nach ^g χ ^ ^ gekennzeich.
schluß 32 an einem Pol einer Spannungsquelle lie- ^ffern
gen. Dem Transistorpaar 5 ist ein zusätzlicher Tran- nei_sma_ Technologie bedingt treten
Lor9 und dem Transistorpaar 6 ein zusätzliche Eb^nfalls durch α ^ Transistoreffekte
Transistor 10 zugeordnet. Die Zuordnung besteht den beiden Inseln u md 22 mf d „
darin, daß der Kollektor jedes zusätzlichen Trans,- den beiden vo ρ' , Linien 37 und 38 an
stors 9 und 10 mit den Kollektoren des entspreche^ F >£ Id «eh d« g ^^ m def ,^ 29 ,
den Transistorpaars in Verbindung steht, wahrend gedeutet no gestrichelt gezeichnete Er
die Basis des zusätzlichen Transistors an der Bass «"S1CJ "^n 8J9 und 40 darstellen,
des ersten Transistors 1 bzw. 2 desselben Transistor- "^8"81^" 3^"h F j g. 3 der Zeichnungen unter
paars angeschlossen ist. Die Emitter der beiden zu- 65 C &halung nach ^g Fi , und2 durc-
säizlichen Transistoren 9 und 10 stehen jeweils mit scheidet sich von 0 ände n und 18 ,
der Basis des zweiten Trans.stors des zugehörigen oen ^gj^^er ^ g Djc ^.^ Dioden t
Transistorpaars in Verbindung.
und 16 lassen sich derart ausgestalten und in einem solchen Arbeitsbereich einsetzen, daß an ihnen etwa
ein Spannungsabfall von etwa 0,5 Volt entsteht. Dieser genügt dafür, die Vorspanndioden 21 und 23
bzw. 22 und 24 gegenüber den Kollektoren der beiden TransistorpaareS und 6 zu entkoppeln. Gemäß
der Darstellung in F i g. 4 sind die beiden Dioden 15 und 16 nicht mehr wie bei der integrierten Schaltung
nach Fig.2 in den isolierten Inseln 25 und 26, sondern
einzeln in isolierten Inseln 41 und 42 angeordnet. Durch die isolierte Anordnung der Dioden 15
und 16 werden parasitäre Transistoreffekte in isolierten Inseln 43 und 44 vermieden, die die Transistoren
1, 3,9 und 23 bzw. die Transistoren 2, 4, 10 und 24 umschließen.
Damit die Funktion des Frequenzteilers anschaulich beschrieben werden kann, seien Kontrollpunkte
in der Schaltung mit den folgenden Bezeichnungen bestimmt:
Kontrollpunkt B 1 bzw. B 2 zwischen der Basis des zweiten Transistors 3 bzw. 4 und dem Emitter des zusätzlichen
Transistors 9 bzw. 10; Kontrollpunkt Ol bzw. OI zwischen den Kollektoren des Transistorpaars
5 bzw. 6 und der Diode 15 bzw. 16; Kontrollpunkt P 1 bzw. P 2 am Mittelabgriff zwischen den
beiden Widerständen 17 und 19 bzw. 18 und 20 und der Vorspanndiode 21 bzw. 22; Kontrollpunkt Öl'
bzw. O 2' zwischen dem Widerstand 17 bzw. 18 und der Diode 15 bzw. 16; Kontrollpunkt PY bzw. Pl'
tete Stromimpuls als auch der von der Diode 15 herkommende Dauerstrom versetzen den Transistor 2
des Transislorpaars 6 sicher in den leitenden Zustand, indem er verharrt, bis ein weiteres Eingangssignal
den gesamten Vorgang umkehrt.
Mit dem Ansteigen des Potentials am Kontrollpunkt O 1 fängt natürlich auch der zusätzliche Transistoi
10 an zu leiten, womit die bistabile Kippstufe wieder dafür vorbereitet ist, das nächste Eingangs-ίο
signal sicher zu diskriminieren.
Es läßt sich ohne weiteres einsehen, daß bei einer bistabilen Kippstufe einfacherer Art nur ein Eingangssignal
bestimmter Stärke und Dauer einen Wechsel der Betriebszustände hervorrufen könnte,
da jedes aktive Element der Schaltung nur dann auf eine Spannungs- und Stromänderung anspricht, wenn
diese eine gewisse Größe übersteigt, und dann auch nur mit Verzögerung anspricht. In einfacheren Schaltungen
kann auch der zeitliche Ablauf der verschiedenen Vorgänge beim Auftreten eines Eingangssigr.ais
so sein, daß bei kurzer Dauer des Eingangssignals die Schaltung nicht in einem neuen Betriebszustand
verbleibt, sondern in den ursprünglichen Betriebszustand zurückfällt. Durch die verschiedenen
Elemente der Schaltung wird jedoch der zeitliche Ablauf der verschiedenen Vorgänge derart gesteuert,
daß bereits ein sehr schwaches und kurzes Eingangssignal genügt, die Schaltung sicher von einem Betriebszustand
in den anderen zu versetzen und so die
zwischen der einen Vorspanndiode 23 bzw. 24 und 30 Eingangssignale sicher zu diskriminieren.
35
40
der anderen Vorspanndiode 21 bzw. 22. Der Kontrollpunkt O 2 fällt mit dem Ausgang 14 zusammen.
Bei der Schaltung nach F i g. 3 fallen die Kontrollpunkte P1 und O 1' bzw. P 2 und O 2' zusammen.
Zunächst sei der eine Betriebszustand als gegeben angenommen, in dem das Transistorpaar 6 sperrt und
der erste Transistor 1 des Transistorpaars 5 leitet. In
diesem Zustand sperrt selbstverständlich der zusätzliche Transistor 10 ebenfalls, während der zusätzliche
Transistor 9 leitet. Da der Kontrollpunkt O 1 ebenso
wie der Kontrollpunkt P 1 ein niederes Potential aufweist, ist das Potential am Kontrollpunkt B 1 ebenfalls
verhältnismäßig niedrig. Das Potential am Kontrollpunkt B 2 ist demgegenüber verhältnismäßig
hoch, wenn auch etwas niedriger als am Kontrollpunkt P 2.
Wenn am Eingang 13 ein Signal erscheint, das sich als kurzzeitiges ansteigendes Potential äußert, wird
dieses Signal über die Eingangskapazitäten 11 und 12 an die Kontrollpunkte Bl und Bl übertragen.
Das Potential am Kontrollpunkt ß 1 war bereits vor Auftreten des Eingangssignals niedrig. Der durch das
Eingangssignal kurzzeitig erzeugte Stromimpuls bringt den Transistor 3 nicht in den leitenden Zustand,
weil er mindestens teilweise durch den leitenden Transistor 9 zum Kontrollpunkt 01 weitergeleitet
wird und sich von dort auf die Transistoren und 2 verteilt.
Der vom Eingangssignal erzeugte Stromimpuls am Kontrollpunkt B1 kann demgegenüber nicht zum
Kontrollpunkt O 2 gelangen, weil der Transistor T beim Auftreten des Eingangssignals noch sperrt. Der
Stromimpuls wird also über Basis und Emitter des Transistors 4 abgeleitet, der sich dabei gegenüber
dem Kollcktorzweig 8 öffnet. Das Potential am Kontrollpunkt O 2 fällt also stark ab, so daß der Transistor
1 schließt und das Potential am Kontrollpunkt () 1 ,insteict. Sowohl der über dem Transistor 9 gcleici
einer besonderen Ausführungsform ist die Kapazität der Eingangskondensatoren 11 und 12 etwas
verringert, und zwar dadurch, daß die Basis-Emitter-Bindungcn und die Basis-Kollcktor-Bindungcn
der Ersatztransistoren 39 und 40 parallel geschähet sind. Dies geschieht in der auf dem Halbleitcrplättchen
30 integrierten Schaltung durch Kurzschließen des Kontakts 13 mit einem gestrichelt gezeichneten
Kollcktorkontakt 45.
Die parasitären Kapazitäten 33 und 34 in der Insel 25 und die parasitären Kapazitäten 35 und 36 in der
Insel 26 wirken sich auf die Funktion der bistabilen Kippstufe insofern sehr günstig aus, daß diese beim
Kippen der Schallung vom einen Betriebszustand in den anderen den Wiederanstieg des Potentials am
entsprechenden Kontrollpunkt O 1 bzw. O 2 verlangsamen.
Die Dioden 15 und 16 in den Kollektorzwcigen 7 und 8 bringen den Vorteil mit sich, daß sie auf kleinem
Raum bei gegebenem Betriebszustand den notwendigen, verhältnismäßig großen ohmschen Widerstand
aufweisen und außerdem mit einem gewissen Kompensationseffekt bei Temperatur-Schaltungen
die Betriebszustände in der Schaltung konstant halten.
Obwohl die Mittelabgriffe zwischen den Widerständen 17 und 19 bzw. 18 und 20 an den Kontrollpunkten
P 1 und P 2 wegfallen könnten, sind sie in verschiedenen Anwendungsbereichen sehr vorteilhaft,
wcü beispielsweise bei Verwendung einer bistabilen
Kippstufe als Frequenzteiler die maximal teilbare Frequenz bei niedrigen Betriebstemperaturen erhöht
oder bei gegebenen Betriebstemperaturen und Frequenzen die Betriebsspannung und der Energieverbrauch
vermindert werden kann.
Selbstverständlich können in der erfindungsgemäßen Schaltung an Stelle von bipolaren Transistoren
auch MOS-Transistoren zur Anwendung kommen.
Hierzu 2 Blad Zeichnungen
Claims (7)
1. Bistabile Kippstufe mit zwei symmetrisch des Transistorpaares an den Kollektorzweig des anzueinander
angeordneten Transistorpaaren, bei 5 deren Paares zurückgekoppelt ist und bei denenjedenen
jeweils die Emitter und die Kollektoren weils der Kollektorzweig über Kollektor und Emitter
von einem ersten und einem zweiten Transistor eines zusätzlichen Transistors mit der Basis des zweizusammengeschaltet
sind und gemeinsame ten Transistors in Verbindung steht.
Emitterzweige und Kollektorzweige bilden, bei Es wurde bereits eine derartige bistabile Kippstute denen außerdem die Basis jeweils des ersten io vorgeschlagen (schweizensche Patentschritt 4« »/8, Transistors jedes Transistorpaars an den Kollek- insbesondere Fig.2), bei der die Basis des zusatzlitorzweig des anderen Paars rückgekoppelt ist chen Transistors zwischen zwei Widerstanden an den und bei denen jeweils der Kollektorzweig über Kollektorzweig des Transistors gekoppelt ist, dessen Kollektor und Emitter eines zusätzlichen Transi- zweiter Transistor mit dem zusätzlichen 1 ran?istor in stors mit der Basis des zweiten Transistors in 15 Verbindung steht. Die Funktion dieser bistabilen Verbindung steht, dadurch gekennzeich- Kippstufe hängt sehr stark von der Betriebstemperan e t, daß die Basis des jeweiligen zusätzlichen tür ab, so daß diese Schaltung nur in wenigen Fallen Transistors an die Basis des ersten Transistors je- angewendet werden kann. Außerdem weist diese bides Transistorpaars gekoppelt ist und daß die slahiie Kippstufe immer noch verhältn'smäßig große Basis des zweiten Transistors jedes Transistor- 20 Widerstände auf, die bei monolitischer Integration paars über zwei Vorspanndioden mit dem KoI- der Schaltung zu Schwierigkeiten führen. Die Verlektorzweig desselben Paars in Verbindung steht. wendung von verhältnismäßig großen Widerstanden
Emitterzweige und Kollektorzweige bilden, bei Es wurde bereits eine derartige bistabile Kippstute denen außerdem die Basis jeweils des ersten io vorgeschlagen (schweizensche Patentschritt 4« »/8, Transistors jedes Transistorpaars an den Kollek- insbesondere Fig.2), bei der die Basis des zusatzlitorzweig des anderen Paars rückgekoppelt ist chen Transistors zwischen zwei Widerstanden an den und bei denen jeweils der Kollektorzweig über Kollektorzweig des Transistors gekoppelt ist, dessen Kollektor und Emitter eines zusätzlichen Transi- zweiter Transistor mit dem zusätzlichen 1 ran?istor in stors mit der Basis des zweiten Transistors in 15 Verbindung steht. Die Funktion dieser bistabilen Verbindung steht, dadurch gekennzeich- Kippstufe hängt sehr stark von der Betriebstemperan e t, daß die Basis des jeweiligen zusätzlichen tür ab, so daß diese Schaltung nur in wenigen Fallen Transistors an die Basis des ersten Transistors je- angewendet werden kann. Außerdem weist diese bides Transistorpaars gekoppelt ist und daß die slahiie Kippstufe immer noch verhältn'smäßig große Basis des zweiten Transistors jedes Transistor- 20 Widerstände auf, die bei monolitischer Integration paars über zwei Vorspanndioden mit dem KoI- der Schaltung zu Schwierigkeiten führen. Die Verlektorzweig desselben Paars in Verbindung steht. wendung von verhältnismäßig großen Widerstanden
2. Kippstufe nach Anspruch 1, dadurch ge- ist erforderlich, damit ein möglichst geringer Leikennzeichnet,
daß die eine Vorspanndiode an der stungsverbrauch erzielt wird. Andererseits weisen
Basis des zweiten Transistors jedes Transistor- 25 derartige hohe Widerstände einen hohen Platzbedarf
paars in integriencr Form der Kippstufe als auf und ermöglichen daher keine integrierte Schal-Transistor
ausgebildet ist, der zusammen mit dem tung mit geringem Raumbedarf.
jeweiligen zusätzlichen Transistor am entspre- Es wurde weiterhin bereits vorgeschlagen (deutchenden
Transistorpaar einen gemeinsamen KoI- sehe Auslegeschrift 1 803 175), die Abmessungen
lektor- und Emitterzweig bildet, und dessen Basis 30 einer integrierten Schaltung dadurch zu verringern,
über die andere Vorspanndiode mit dem Kollek- daß MOS-Feldeffekttransistoren (Metalloxyd-Halbtorzweig
des Transistorpaars in Verbindung leiter) verwendet werden. Derartige bistabile Kippsteht,
stufen mit MOS-Transistoren benötigen jedoch eine
3. Kippstufe nach Anspruch 1 und 2, dadurch relativ hohe Betriebs- und Steuerspannung, die in
gekennzeichnet, daß in den Kollektorzweig jedes 35 vielen Fällen, beispielsweise in elektronischen Arm-Transistornaars
eine Diode eingeschaltet ist. banduhren, nicht zur Verfügung steht. Ein üblicher
4. Kippstufenach Anspruch 2, dadurch gekenn- Wert für die Betriebsspannung derartiger bistabiler
zeichnet, daß jedes Transistorpaar einzeln zusam-" Kippstufen mit MOS-Transistoren ist 14VoIt, wähmen
mit dem dazugehörigen zusätzlichen Transi- rend beispielsweise bei Armbanduhren auf Grund
stör und mit der einen der beiden Vorspanndio- 40 des geringen, für die Spannungsversorgung zur Verfüden
in einer isolierten Insel eines Halbleiterplätt- gung stehenden Raumes nur eine Betriebsspannung
chens integriert ist, das die gesamte Schaltung in von bis zu 1,5 Volt zur Verfügung steht,
integrierter Form umfaßt. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine bi-
integrierter Form umfaßt. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine bi-
5. Kippstufe nach Anspruch 4, dadurch ge- stabile Kippstufe der eingangs genannten Art zu
kennzeichnet, daß die andere der beiden Vor- 45 schaffen, die bei geringen Betriebsspannungen und
spanndioden zusammen mit einem ohmschen geringem Energieverbrauch mit geringen Abmessun-Widerstand
im Kollektorzweig des entsprechen- gen integrierbar ist, ohne daß der zulässige Betriebsden
Transistorpaars in einer isolierten Insel des temperaturbereich eingeengt wird.
Halbleiterplättchens integriert ist. Diese Aufgabe wird ausgehend von einer bistabi-
Halbleiterplättchens integriert ist. Diese Aufgabe wird ausgehend von einer bistabi-
6. Kippstufe nach Anspruch 4, dadurch ge- 50 len Kippstufe der eingangs genannten Art erfinkennzeichnet,
daß zwei Kopplungskondensato- dungsgemäß dadurch gelöst, daß die Basis des jeweiren,
deren eine Elektrode jeweils mit der Basis ligen zusätzlichen Transistors an die Basis des ersten
des zweiten Transistors eines Transistorpaars in Transistors jedes Transistorpaares gekoppelt ist und
Verbindung steht, am Eingang der Kippstufe ge- daß die Basis des zweiten Transistors jedes Transimeinsam
in einer isolierten Insel des Halbleiter- 55 storpaares über zwei Vorspanndioden mit dem KoI-plättchens
integriert sind. lektorzweig desselben Paares in Verbindung steht.
7. Kippstufenach Anspruch 4, dadurch gekenn- Dabei ist es vorteilhaft, wenn die eine Vorspannzeichnet,
daß Dioden im Kollektorzweig jedes diode an der Basis des zweiten Transistors jedes
Transistorpaars einzeln in isolierten Inseln des Transistorpaares in integrierter Form der Kippstufe
Halbleiterplältchens integriert sind. 60 als Transistor ausgebildet ist, der zusammen mit dem
jeweiligen zusätzlichen Transistor am entsprechen-
den Transistorpaar einen gemeinsamen Kollektor-
und Emitterzweig bildet, und dessen Basis über die andere Vorspanndiode mit dem Kollektorzweig des
Die Erfindung bezieht sich auf eine bistabile Kipp- 65 Transistorpaares in Verbindung steht,
stufe mit zwei symmetrisch zueinander angeordneten Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Er-
Transistorpaareri, bei denen jeweils die Emitter und findung kann in den Kollektorzweig der beiden
die Kollektoren von einem ersten und einem zweiten Transistorpaare der bistabilen Kippstufe je eine
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1659668A CH497087A (de) | 1968-11-07 | 1968-11-07 | Binärer Frequenzteiler |
GB6529/76A GB1501311A (en) | 1968-11-07 | 1976-02-19 | Bistable circuit |
GB8024130A GB2081041A (en) | 1968-11-07 | 1980-07-23 | Logic circuit arrangement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1955942A1 DE1955942A1 (de) | 1970-05-14 |
DE1955942B2 DE1955942B2 (de) | 1973-06-07 |
DE1955942C3 true DE1955942C3 (de) | 1974-01-03 |
Family
ID=27177487
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1955942A Expired DE1955942C3 (de) | 1968-11-07 | 1969-11-06 | Bistabile Kippstufe |
DE19772706904 Withdrawn DE2706904A1 (de) | 1968-11-07 | 1977-02-17 | Bistabiler schaltkreis |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772706904 Withdrawn DE2706904A1 (de) | 1968-11-07 | 1977-02-17 | Bistabiler schaltkreis |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3621303A (de) |
AT (1) | AT289892B (de) |
BE (1) | BE741349A (de) |
CH (3) | CH497087A (de) |
DE (2) | DE1955942C3 (de) |
FR (1) | FR2022821A1 (de) |
GB (3) | GB1285990A (de) |
NL (1) | NL6916711A (de) |
SE (1) | SE344149B (de) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH494498A (de) * | 1969-06-06 | 1970-07-31 | Foerderung Forschung Gmbh | Elektronische Schaltungsanordnung mit mindestens einem bistabilen Multivibrator, insbesondere integrierte Schaltungsanordnung |
NL7113388A (de) * | 1971-09-30 | 1973-04-03 | ||
JPS5561144A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | Nec Corp | Logic circuit |
GB2040625A (en) * | 1979-01-23 | 1980-08-28 | Nat Res Dev | Serial data logic circuit |
EP0084844B1 (de) * | 1982-01-20 | 1986-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | FET-Schaltungen |
JPS5925421A (ja) * | 1982-08-03 | 1984-02-09 | Toshiba Corp | 同期式論理回路 |
GB8324710D0 (en) * | 1983-09-15 | 1983-10-19 | Ferranti Plc | Bipolar transistor logic circuits |
FR2574605B1 (fr) * | 1984-12-07 | 1990-12-28 | Labo Electronique Physique | Circuit integre du type bascule bistable |
US4728821A (en) * | 1985-04-19 | 1988-03-01 | Digital Equipment Corporation | Source follower current mode logic cells |
EP0217307B1 (de) * | 1985-09-30 | 1992-03-11 | Honeywell Inc. | Strahlungsfeste Speicherzelle |
US4874966A (en) * | 1987-01-31 | 1989-10-17 | U.S. Philips Corporation | Multivibrator circuit having compensated delay time |
JPH0313116A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-22 | Nec Corp | フリップフロップ回路 |
US5391935A (en) * | 1993-07-22 | 1995-02-21 | International Business Machines Corporation | Assertive latching flip-flop |
DE19621480C2 (de) * | 1996-05-29 | 2001-02-08 | Ernst Ries | Kunststoffteil |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2945965A (en) * | 1956-12-20 | 1960-07-19 | Burroughs Corp | Complementing flip-flops |
US3042814A (en) * | 1960-06-27 | 1962-07-03 | Burroughs Corp | Non-saturating transistor flip-flop utilizing inductance means for switching |
-
1968
- 1968-11-07 CH CH1659668A patent/CH497087A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-11-07 CH CH1935268D patent/CH1935268A4/xx unknown
- 1968-11-07 CH CH1935268A patent/CH504045A/de not_active IP Right Cessation
-
1969
- 1969-11-03 AT AT1030869A patent/AT289892B/de not_active IP Right Cessation
- 1969-11-03 US US873441A patent/US3621303A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-11-05 GB GB54415/69D patent/GB1285990A/en not_active Expired
- 1969-11-05 NL NL6916711A patent/NL6916711A/xx unknown
- 1969-11-06 BE BE741349D patent/BE741349A/xx unknown
- 1969-11-06 SE SE15242/69A patent/SE344149B/xx unknown
- 1969-11-06 DE DE1955942A patent/DE1955942C3/de not_active Expired
- 1969-11-07 FR FR6938545A patent/FR2022821A1/fr not_active Withdrawn
-
1976
- 1976-02-19 GB GB6529/76A patent/GB1501311A/en not_active Expired
-
1977
- 1977-02-14 US US05/768,576 patent/US4088903A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-02-17 DE DE19772706904 patent/DE2706904A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-07-23 GB GB8024130A patent/GB2081041A/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL6916711A (de) | 1970-05-11 |
GB2081041A (en) | 1982-02-10 |
GB1285990A (en) | 1972-08-16 |
CH497087A (de) | 1970-09-30 |
US4088903A (en) | 1978-05-09 |
FR2022821A1 (de) | 1970-08-07 |
DE1955942B2 (de) | 1973-06-07 |
AT289892B (de) | 1971-05-10 |
GB1501311A (en) | 1978-02-15 |
DE2706904A1 (de) | 1977-08-25 |
BE741349A (de) | 1970-04-16 |
CH504045A (de) | 1970-11-13 |
SE344149B (de) | 1972-03-27 |
US3621303A (en) | 1971-11-16 |
CH1935268A4 (de) | 1970-11-13 |
DE1955942A1 (de) | 1970-05-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |