DE2451044B2 - Impuls-ansteueranordnung - Google Patents
Impuls-ansteueranordnungInfo
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/04113—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
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Description
Die Erfindung betrifft eine Impuls-Ansteueranordnung,
insbesondere für eine Speicheranordnung, als integrierte Halbleiterschaltung mit einer Eingangsklemme,
einer stark kapazitiv belasteten Ausgangsklemme und einem zwischen einer Versorgungsklemme und der
Ausgangsklemme geschalteten Ladetransistor.
Eine derartige Impuls-Ansteueranordnung wird insbesondere für integrierte Halbleiterspeicher verwendet
und kann mit diesen auf einer Halbleiterscheibe integriert sein. Die Ansteuerung solcher Speicher
erfordert steile Impulsflanken zur Verzögerung der Arbeitsgeschwindigkeit. Weiter müssen die Spannungspegel der Ansteuerimpulse, z. B. die Taktimpulse, engen
Toleranzen entsprechen.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Impuls-Ansteueranordnung
zur Erzeugung von steilen Impulsen definierter Amplituden zu erzeugen, ohne daß stark
belastbare Spannungsquellen erforderlich sind. Diese Aufgabe löst die Erfindung dadurch, daß die Ausgangsklemme
über einen Gleichrichter mit einem Entladeschalter und über einen Kondensator mit einer
Mittelanzapfung einer zwischen der Versorgungsklemme und einer Steuerelektrode des Ladetransistors
geschalteten Spannungsteilungsschaltung verbunden ist, wodurch beim Einschalten des Ladetransistors die
Steuerelektrode eine additive Steuerspannung erhält. Auf diese Weise wird ein Teil der Versorgungsspannung
vom Spannungsteiler abgezweigt. Bei einem Spannungsübergang an der Steuerelektrode kann dieser Teil
zu dem von außen angelegten Signal addiert werden, so daß für kurze Zeit eine große Ausssteuerspannung
vorhanden ist. Im stationären Zustand hat das kapazitive Element keinen Einfluß. Es bildet daher auch
keine Belastung für die Versorgungsquelle.
Nachstehend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand einiger Figuren näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Ansteueranordnung nach der Erfindung,
F i g. 2 ein Ersatzschema nach Fig. 1,
F i g. 3 einige Signalformen. Die allgemeine Konfiguration der Speicheranordnung wird nicht näher
erläutert.
F i g, 1 zeigt eine erfindungsgemäße Ansteueranordnung und enthält zwei Transistoren Tl und Tl, fünf
Widerstände Ri... R S, drei Kondensatoren C1... C3
und drei Verbindungsklemmen k\ ... Ar 3. Die Klemme Ar 3 ist mit einer nicht dargestellten Versorgungsquelle
mit einer Ausgangsspannung von z.B. 17 VuIt verbunden. Die Klemme k I ist eine Signaleingangsklemme
und mit einem nicht dargestellten Signalgeber verbunden. Die Klemme kl ist eine Signalausgangss
klemme und mit einem nicht dargestellten lestkörperspeicher von einem bekannten Typ, z. B. mit dessen
Taktimpulseingang verbunden. Der Kondensa;or C3 symbolisiert dessen Ersatzkapazität für die Klemme Ar 2.
Die Klemme kl ist durch eine Leitung, z. B. durch eine
ίο Spur aufgedampften Materials mit einer Selbstinduktivität
L mit dem Speicher verbunden. Der Wert des Widerstandes R 5 kann derart sein, daß der Schwingungskreis
mit L und C3 gerade kritisch gedämpft ist: R 5 = 2]/L/C. Die ohmsche Belastung durch den
angeschlossenen Speicher wird als klein angenommen.
Im Zusammenhang damit zeigt F i g. 3 einige Signalfoimen.
Die Kurve A zeigt das Signal an der Signaleingangsklemme ArI. Am Anfang führt die
Klemme k 1 ein niedriges Potential Dadurch führt auch die Basis des Transistors Ti ein niedriges Potential,
wodurch dieser Transistor gesperrt ist. Infolgedessen führt die Basis des Transistors Tl das gleiche Potential
wie die Klemme A;3, somit z.B. 17 Volt. Weil der Transistor TX gesperrt ist und die Klemme Ar 2 nicht
ohmisch belastet wird, ist der Transistor Tl nicht leitend. Der Punkt Fist mit der Klemme Ar3 über den
Widerstand R4 verbunden, wodurch der Punkt Fauch
17 Volt führt. In F i g. 3 zeigt die Kurve B das Potential
am Punkt Fund die Kurve Cdas Potential am Punkt F.
Wenn dabei das Potential der Klemme Ar 1 hoch wird, geschieht folgendes. Der Widerstand R1 und der
Kondensator Cl bilden ein differenzierendes Netzwerk. Dadurch wird der Transistor Ti rasch in die
Sättigung gesteuert. Der Kondensator C3 entlädt sich über den Widerstand R 5, die Diode D und den
Transistor Tl. Das Ersatzschema ist in Fig. 2 dargestellt: der Schalter 5 wird geschlossen. Zusammen
mit dem Entladen des Kondensators C3 sinkt das Potential an den Punkten E und F. Das Potential der
Basiselektrode des Transistors T2 sinkt ab, wodurch er sperrt. Schließlich lädt sich der Kondensator Cl auf: er
ist an die Mittelanzapfung (Punkt E) des Spannungsteilers angeschlossen, der aus den Widerständen R1 und
R3 besteht. Im Beispiel sind die Widerstände Rl und
R 3 gleich, und das Potential steigt auf 8V2 Volt an.
Schließlich steigt das Potential des Punktes F durch einen Spannungsabfall am Transistor Tl, z.B. um 0,9
Volt, wieder etwas an. Bei entsprechender Bemessung kann dieser Effekt nicht vorhanden sein.
Wenn die Klemme Ar 1 darauf wieder ein niedriges Potential annimmt, geschieht folgendes. Mit Hilfe des
Kondensators Cl nimmt die Basiselektrode des Transistors Tl rasch ein niedriges Potential an, so daß
der Transistor Tl gesperrt wird. Dadurch nimmt die Basiselektrode des Transistors T2 ein höheres Potential
an, wodurch der Transistor T2 leitend wird und der Kondensator C3 sich auflädt. Der Spannungsabfall
zwischen den Punkten E und F beträgt 8V2 Volt und bleibt für einige Zeit aufrechterhalten. Jeder Spannungsanstieg
am Punkt Fwird durch dem Punkt E und damit der Basiselektrode des Transistors T2 weitergeleitet.
Während der Punkt F auf ungefähr 17 Volt ansteigt, erreicht das Potential des Punktes E einen Wert von
17 +8V2 = 25V2 Volt. Dadurch wird die Basiselektrode
des Transistors Tl mit einer hohen Steuerspannung angesteuert, so daß Tl rasch in die Sättigung kommt.
Infolgedessen lädt sich auch der Kondensator C3 (Ersatzkapazität) rasch auf. Dieser Effekt ist somit eine
differentielle Mitkopplung. Nach einiger Zeit entlädt sich der Kondensator C2 wiederum über den
Widerstand R 2, wodurch das Potential des Punktes E von ungefähr 25V2 Volt auf 17 Volt absinkt. Auch das
Potential des Punktes F sinkt, weil über den Transistor r>
7~2 ein kleiner Spannungsabfall vorhanden ist. Dieser
Effekt beträgt z. B. ungefähr 0,3 Volt. In F i g. 3 ist dies durch den Pegelunterschied zwischen den Linien ClO
und C20 angegeben. Schließlich steigt das Potent'··!! am
Punkt Fwieder auf den Pegel der Klemme k 3, denn der ι ο
Speicher bildet keine ohmsche Belastung.
Folgende Schaltelemente sind im Ausführungsbeispiel verwendet worden: Al: 120 Ohm; /?2,
3:825 0hm; RA. 1780 0hm; R 5 : belastungsabhängig
(L. C3); Ci, 2: 15OpF. Die Transistoren Ti und 72
sind vom Typ BSS 40 und die Diode D vom Typ RAV 10. Die gezeichnete Schaltung ist als Ausführungsbeispiel
der Erfindung gegeben. Es sind auch andere Ausführungsformen möglich. Die Schaltung kann Transistoren
vom pnp-Typ enthalten. Das Verhältnis zwischen den Widerständen R 2 und /?3 kann anders sein. Der
Widerstand Tl kann durch eine Diode ersetzt werden. Das heißt. Punkt E muß immer mindestens 17 Volt
betragen. Schließlich kann die Ansteueranordnung in anderen Anwendungen als bei einer Speicheranordnung
verwendet werden. Auch dort ist das rasche Aufladen und Entladen einer kapazitiven Belastung mit einer
erfindungsgemäßen Anordnung vorteilhaft.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Impuls-Ansteueranordnung, insbesondere für eine Speicheranordnung, als integrierte Halbleiterschaltung mit einer Eingangsklemme, einer stark kapazitiv belasteten Ausgangsklemme und einem zwischen einer Versorgungsklemme und der Ausgangsklemme geschalteten Ladetransistor, d a durch gekennzeichnet, daß die Ausgangsklemme über einen Gleichrichter mit einem Entladeschalter über einen Kondensator mit einer Mittelanzapfung einer zwischen der Versorgungsklemme und einer Steuerelektrode des Ladetransistors geschalteten Spannungsteilungsisehaltung verbunden ist, wodurch beim Einscnalten des Ladetransistois die Steuerelektrode eine additive Steuerspannung erhält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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NL7315229A NL7315229A (nl) | 1973-11-07 | 1973-11-07 | Vaste-stof-geheugeninrichting. |
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DE2451044C3 DE2451044C3 (de) | 1978-05-24 |
Family
ID=19819946
Family Applications (1)
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NL (1) | NL7315229A (de) |
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