DE3485910T2

DE3485910T2 - Halbleiteranordnung mit variabler impedanz.

Info

Publication number: DE3485910T2
Application number: DE8484103234T
Authority: DE
Inventors: Hirokazu Fukuda; Mararu Hashimoto
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1983-03-31
Filing date: 1984-03-23
Publication date: 1993-03-11
Anticipated expiration: 2004-03-24
Also published as: DE3485910D1; EP0121198B1; EP0121198A3; KR840008218A; EP0121198A2; JPS59181667A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine automatische Steuerschaltung mit einem veränderlichen Widerstandselemente und ist unter anderem bei einer Pegelsteuerschaltung (ALC) anwendbar.
Es ist eine ALC-Schaltung bekannt, bei der ein gemäß den Fig. 1 und 2 aufgebauter NPN-Transistor als veränderliches Widerstandselement benutzt wird.
Wie dargestellt, ist bei der Halbleitereinrichtung eine N-leitende Halbleiterschicht 13 über ein P-leitendes Halbleitersubstrat 11 geschichtet, wobei eine vergrabene Schicht 15 zwischen dem Halbleitersubstrat 11 und der Halbleiterschicht 13 angebracht ist. Auf der oberen Oberfläche der Halbleiterschicht 13 ist eine P&spplus;-Schicht 17 aufgebracht, die als Basis dient. Weiter ist auf der oberen Oberfläche der P&spplus;-Schicht 17 eine N&spplus;-leitende Schicht 19 aufgebracht, die als Emitter dient. Der verbleibende Abschnitt der Halbleiterschicht 13 dient als Kollektor 21. Weiter ist in der oberen Oberfläche des Kollektors 21 eine N-leitende, hochkonzentrierte Schicht 23 aufgebracht. Tatsächlich sind der Kollektor 21, die Basis 17 und der Emitter 19 jeweils mit Elektroden versehen. Weiter ist über der Halbleiterschicht 13 ein Oxidfilm aufgebracht. Dieser Film ist jedoch zur Vereinfachung der Darstellung fortgelassen. Die Schichten sind elektrisch von anderen Inseln durch P&spplus;-leitende Trennschichten (nicht dargestellt) getrennt.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3 bis 4 die Betriebsweise des wie beschrieben aufgebauten Transistors erläutert, der als variables Widerstandselement in einer ALC-Schaltung einbezogen ist.
a) Wenn sich die ALC-Schaltung im AUS-Zustand befindet: In diesem Zustand der in Fig. 3 dargestellten Schaltung steht der Schalter SW am festen Kontakt Taus. Entsprechend ist der zweite Transistor Q2 an Erdpotential gelegt. Unter dieser Bedingung befindet sich der Transistor Q2 im AUS-Zustand. Es fließt also kein Strom in den zweiten Transistor Q2. Es fließt auch kein Basisstrom durch den Widerstand R1 in den ersten Transistor Q1. Der erste Transistor Q1 befindet sich im AUS-Zustand, wobei ein unendlich großer Widerstand zwischen dem Kollektor und dem Emitter des ersten Transistors Q1 besteht. Ein dritter Transistor Q3 ist an die Basis, und der Kollektor jeweils an den Kollektor und den Emitter des ersten Transistors Q1 angeschlossen. Falls die Gleichstromkomponente des Kollektorstroms des dritten Transistors Q3 den Wert 30 uA besitzt und das Übertragungsverhältnis hFE des gemeinsamen Emitterstroms den Wert 30 aufweist, besitzt die Gleichstromkomponente des Basisstroms des dritten Transistors Q3 den Wert 1 uA (30 uA/30) Der Basisstrom von 1 uA fließt über einen Widerstand R2 von etwa 1 KOhm in eine Signalquelle 41. Falls die Impedanz der Signalquelle 41 den Wert 0Ohm besitzt, besitzt die Gleichstromkomponente der Basisspannung des dritten Transistors Q3 den Wert 1mV (1 uA · 1KOhm). Ein von der Signalquelle 41 geliefertes Wechselstromsignal wird der Gleichstromkomponente der Basisspannung des dritten Transistors Q3 überlagert. Die Gleichstromkomponente der Basisspannung des dritten Transistors Q3 beträgt ungefähr 1 mV und entspricht im wesentlichen dem Erdpotential. Daher wird das von der Signalquelle 41 gelieferte Wechselstromsignal S unmittelbar an die Basis des dritte Transistors Q3 geliefert, und nicht über einen Kopplungskondensator. Wie dargestellt, wird der dritte Transistor Q3 als Emitterfolger betrieben. Wie weiter oben gesagt, ist der Widerstand zwischen dem Kollektor und dem Emitter des ersten Transistors Q1 unendlich. Unter diesen Umständen wird das Wechselstromsignal S an den Emitter des dritten Transistors Q3 unverstärkt und gedämpft übertragen und in einen Verstärker 43 eingegeben. Das in den Verstärker 43 eingegebene Wechselstromsignal wird verstärkt und als Ausgangssignal So ausgegeben. Die Schaltungsanordnung erfordert die Verwendung eines PPNP-Transistors bei der Eingangsschaltung des Verstärkers 43. Das Ausgangssignal So wird an eine ALC-Detektorschaltung 45 geliefert. Die ALC-Detektorschaltung 45 erzeugt ein Gleichspannungssignal Vd, das einer Amplitude des Signals So entspricht. Weiter kann die ALC-Detektorschaltung 45 Dioden 47 und 49 sowie Kondensatoren 51 und 53 aufweisen, die wie dargestellt miteinander verbunden sind. Wie bereits erwähnt, liegt der Schalter SW bisher noch am Kontakt Taus. Daher beeinflußt das von der ALC-Detektorschaltung 45 ausgegebene Signal Vd die ALC-Schaltung an sich in keiner Weise. Das Steuersignal So wird beispielsweise über die Ausgangsklemme 55 an einen Magnetkopf (nicht dargestellt) geliefert.
b) Wenn sich die ALC-Schaltung im EIN-Zustand befindet: In diesem Zustand liegt der Schalter SW am Kontakt Pein. Das Ausgangssignal Vd der ALC-Detektorschaltung 45 wird an die Basis des zweiten Transistors Q2 geliefert. Der zweite Transistor Q2 wird eingeschaltet und liefert auf der Basis des Wertes des Signals Vd einen Strom IB1 an die Basis des ersten Transistors Q1. Dementsprechend nimmt der Basisstrom IB1 des Transistors Q1 mit den entsprechenden Änderungen des Signals Vd zu oder ab. Im Falle eines Transistors in Emitterschaltung gemäß Fig. 4(a) dreht sich bei Zunahme des Basisstroms EB1 die IC- VCE-Kennkurve aus der Lage der Kurve K in die Richtung der Kurve L, wie Fig. 4(b) zeigt. Andererseits dreht sich bei Abnahme des Basisstromes IB die Kurve in umgekehrter Richtung, d. h. aus der Lage der Kurve L in die Richtung der Kurve K. Anders ausgedrückt nimmt die Wechselstromimpedanz zwischen dem Kollektor und dem Emitter des ersten Transistors Q1 ab, wenn der Wert des Signals Vd zunimmt. Umgekehrt nimmt die gleiche Wechselstromimpedanz zu, wenn das Signal Vd abnimmt. Der Wert des Wechselstromsignals S im Punkte D entspricht dem Wert, der erhalten wird, wenn das Wechselstromsignal S durch den Widerstand R2 und die Wechselstromimpedanz des ersten Transistors Q1 einer Spannungsteilung unterzogen wird. Dementsprechend nimmt der Wert des Wechselstromsignals S im Punkte D mit der Zunahme der Wechselstromimpedanz des Kollektor-Emitterpfades des ersten Transistors Q1 zu, während er mit der Abnahme der Impedanz abnimmt. Die Zunahme der Amplitude des Signals S im Punkte B verursacht die Zunahme der Amplitude des vom Verstärker 43 gelieferten Signals S0 sowie die Zunahme des von der ALC-Detektorschaltung 45 gelieferten Signals Vd. Die Folge ist, daß der Basisstrom des ersten Transistors Q1 zunimmt und die Wechselstromimpedanz des ersten Transistors Q1 abnimmt, um den Wert des eingegebenen Signals S im Punkte D zu verringern. Mit der Abnahme der Amplitude des Signals S nimmt das vom Verstärker 43 gelieferte Signal So und das Signal Vd ab. Der Basisstrom des ersten Transistors Q1 wird kleiner, während die Wechselstromimpedanz des ersten Transistors Q1 zunimmt. Der Wert des Eingangssignals S im Punkte D wird größer. Auf diese Weise wird die Amplitude des Signals So fortlaufend gegen jegliche Änderung des Eingangssignals S gesteuert.
Wie bereits beschrieben, besitzt das Gleichstrompotential im Punkte D den Wert 1 mV, wenn sich die ALC-Schaltung im AUS-Zustand befindet. Wenn sich andererseits die Schaltung im EIN-Zustand befindet, wird der erste Transistor Q1 aktiv und zeigt die in Fig. 4(b) wiedergegebene Charakteristik. Bei diesem Beispiel wird der Transistor Q1 mit einem Kollektorgleichstrom IC = 0 betrieben, während die Sättigungsspannung VCE(sat) im Punkte J der Fig. 4(b) etwa 10 mV beträgt. Daher tritt eine Spannung von 10 mV im Punkte D auf. Wenn die ALC-Schaltung vom AUS-Zustand in den EIN-Zustand übergeht, tritt im Punkte D stufenweise eine Spannung von etwa 10 mV auf. Falls der Verstärkungsfaktor des Verstärkers 43 den Wert 300 besitzt (etwa 50 dB), erzeugt der Verstärker 43 übergangsweise eine Spannung von 3V (10 mV · 300 = 3 V). Die Wellenform des vom Verstärker 43 gelieferten Ausgangssignals So verläuft in der in Mol-%6(a) dargestellten Weise. Wie ersichtlich, steigt das Signal So unmittelbar nach de Einschalten der ALC-Schaltung abrupt an. Dies verursacht das Auftreten eines Übergangstons zusätzlich zum gewünschten Ton, wenn das Magnetband, auf dem das Signal So aufgezeichnet ist, dem Playback-Verfahren unterzogen wird. Dieser Übergangston wird auch im umgekehrten Falle erzeugt, nämlich wenn die ALC-Schaltung vom EIN-Zustand in den AUS-Zustand umgeschaltet wird, da sich das Signal So in der Übergangsperiode abrupt ändert.
Um dieses Problem zu lösen, kann der erste Transistor Q1 in Kollektorschaltung angeschlossen werden, wie Fig. 5(a) zeigt. Bei diesem Transistoranschluß ist die Sättigungsspannung VCE(sat) bei IC = 0 klein, wie Mol-%5(b) zeigt. Daher kann der Übergangston abgeschwächt werden. Allerdings ist die Linearität der IC - VCE-Kennlinie schlecht, was zu einer starken Verzerrung des Signals So führt.
Das IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 14, Nr. 1, Juni 1971, offenbart einen Basisringtransistor, der gemeinsame Merkmale mit dem Transistor der Fig. 1 und 2 besitzt. Weiter erstreckt sich ein ohm'scher Emitterkontaktbereich des offenbarten Transistors sowohl in eine auf dem Substrat gebildete Epitaxieschicht, als auch in den Basisbereich. Es wird allerdings kein Grund für die Erstreckung des ohm'schen Kontaktbereiches in den Basisbereich angegeben. Weiter enthält das Dokument keine Ausführungen darüber, wie die Sättigungsspannung bei Kollektorstrom 0 reduziert werden kann, und auch keinen Hinweis auf die Anwendung des Transistors bei einer ALC-Schaltung.
Es ist ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine automatische Steuerschaltung zu schaffen, die ein veränderliches Widerstandselement aufweist, das sowohl eine kleine Sättigungsspannung aufweist, wenn der Kollektorstrom IC 0 ist, als auch eine gute Linearität der IC-VCE-Kennlinie
Gemäß der Erfindung wird eine automatische Steuerschaltung geschaffen, die aufweist:
eine Signalquelle zum Ausgeben eines zu verstärkenden Signals;
einen ersten Bipolartransistor, bei dem ein Ende des Strompfades zum Empfangen des von der Signalquelle ausgegebenen Signals geschaltet ist, während das andere Ende des Strompfades mit Masse verbunden ist, wobei der erste Transistor einen Basisanschluß zum Empfangen eines Steuersignals besitzt;
einen zweiten Bipolartransistor, der als Emitterfolgestufe an den ersten Bipolartransistor angeschlossen ist;
einen Verstärker zum Verstärken eines am Ausgang der Emitterfolgerstufe auftretenden Signals und zum Liefern dies Signals als Ausgangssignal der automatischen Steuerschaltung;
einen Schalter zum Setzen der EIN/AUS-Modi der automatischen Steuerschaltung; und
eine Detektorschaltung zum Empfangen des vom Verstärker ausgegebenen Signals; zum Liefern eines ersten Signals entsprechend dem Pegel des vom Verstärker ausgegebenen Signals an die Basis des ersten Transistors, wenn der Schalter (SW) die automatische Steuerschaltung in den EIN-Modus setzt; und zum Liefern eines zweiten Signals mit einem Bezugspegel an den ersten Transistor, wenn der Schalter (SW) die automatische Steuerschaltung in den AUS-Modus setzt;
wobei der erste Bipolartransistor aufweist: ein Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps;
einen ersten Bereich eines zweiten Leitungstyps, der auf dem Halbleitersubstrat gebildet ist;
einen Basisbereich des ersten Leitungstyps, der auf dem ersten Bereich gebildet ist;
einen zweiten Bereich des zweiten Leitungstyps, der auf den Basisbereichen gebildet ist;
eine vergrabene Schicht des zweiten Leitungstyps, dessen Störstellenkonzentration größer als diejenige des ersten Bereiches ist, wobei ein Abschnitt des ersten Bereiches zwischen dem Basisbereich und die vergrabene Schicht eingefügt ist; und
einen dritten Bereich des zweiten Leitungstyps, der sich in den ersten Bereich erstreckt.
Bei diesem Aufbau liefert der erste Transistor eine geringe Sättigungsspannung, wenn die Einrichtung in Betrieb ist, während der Kollektorstrom IC o ist. Die Halbleitereinrichtung kann in Vorwärtsrichtung betrieben werden, ohne daß eine Beeinträchtigung der Linearität der Wechselstromimpedanz zwischen dem Kollektor und dem Emitter auftritt. Ein in den Übergangsperioden beim Ein- und Ausschalten des Schalters erzeugter Übergangston wird also beseitigt, was eine exakte Steuerung bei geringfügiger Verzerrung ermöglicht.
Die Erfindung wird durch die nachfolgende detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser verständlich.
Nachfolgend wird der wesentliche Gegenstand der Figuren kurz beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf die Struktur eines bekannten Transistors;
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II der Fig. 1;
Fig. 3 ist ein Schaltungsdiagramm einer allgemeinen ALC-Schaltung;
Fig. 4(a) ist eine schematische Darstellung eines Transistors, wenn er in Emitterschaltung betrieben wird;
Fig. 4(b) stellt ein Diagramm zur Veranschaulichung der IC-VCE-Kennlinie des in Fig. 4(a) gezeigten Transistors dar;
Fig. 5(a) ist eine schematische Darstellung eines Transistors, wenn er in Kollektorschaltung betrieben wird;
Fig. 5(b) stellt ein Diagramm zur Veranschaulichung der IC-VCE-Kennlinie des in Fig. 5(d) gezeigten Transistors dar;
Fig. 6(a) veranschaulicht die Wellenform eines von einem Verstärker in der ALC-Schaltung gelieferten Ausgangssignals dar, wobei die Schaltung den Transistor des Standes der Technik als veränderliches Widerstandselement verwendet;
Fig. 6(b) stellt die Wellenform eines von einem Verstärker in der ALC-Schaltung gelieferten Ausgangssignals dar, wobei die Schaltung einen Transistor gemäß der vorliegenden Erfindung als veränderliches Widerstandselement benutzt;
Fig. 7 ist eine Draufsicht zur Veranschaulichung der Struktur der Halbleitereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VIII-VIII der Fig. 7.
Nachfolgend soll unter Bezugnahme auf die Fig. 7 und 8 eine Ausführungsform der Erfindung beschrieben werden. In diesen Figuren werden der Einfachheit halber gleiche Bezugszeichen zur Kennzeichnung gleicher oder äquivalenter Teile verwendet. Wie ersichtlich, ist in der Halbleiterschicht 13 eine N-leitende hochkonzentrierte Schicht 73 angebracht. Die hochkonzentrierte Schicht 73 erstreckt sich als Basis in eine P&spplus;-leitende Schicht 71 sowie in eine N-leitende Schicht 21 als Kollektor, und sie umgibt die P&spplus;-leitende Schicht 71. Ein Transistor dieser Struktur ist in der in Fig. 3 dargestellten ALC-Schaltung als erster Transistor Q1 angeordnet. Die Wechselstromimpedanz zwischen dem Kollektor 21 und dem Emitter 19 des Transistors Q1 wird durch eine Steuerschaltung gesteuert, die aus dem zweiten Transistor Q2 und dem Widerstand R1 besteht, wie Fig. 3 zeigt. Die Steuerschaltung steuert den Basisstrom IB1 wie oben erwähnt.
Da sich die Basis 71 und die hochkonzentrierte Schicht 73 des Kollektors 21 teilweise überlappen, wird die Emitterkonzentration des NPN-Transistors im Umkehrmodus erhöht, das heißt, daß der Wirkungsgrad der Emitterinjektion im Umkehrmodus verbessert wird. Der Umkehrstrom-Verstärkungsfaktor des Transistors ist also groß und die Sättigungsspannung fällt. Das strukturelle Merkmal, wonach die N-leitende hochkonzentrierte Schicht 73 die P&spplus;-leitende Schicht 71 umgibt, verbessert den Wirkungsgrad der Emitterinjektion des NPN-Transistors im Umkehrmodus zufriedenstellend.
Der Grund, warum die Sättigungsspannung fällt, sei unter Bezugnahme auf die Gleichungen (1)-(5) mathematisch beschrieben. Allgemein ist die Sättigungsspannung des Bipolartransistors mathematisch wie folgt definiert:
und es bedeuten: VCE(sat) die Sättigungsspannung; k die Boltzmann'sche Konstante (1.38062 · 10&supmin;²³J/ºK); T die Absoluttemperatur (K); q die Ladung eines Elektrons (1.60219 · 10&supmin;¹&sup9; Cb); αi der inverse gemeinsame Basis-Stromverstärkungsfaktor (inverses α); β der Verstärkungsfaktor des vorwärtsgerichteten gemeinsamen Emitterstroms; IC den Kollektorstrom (Gleichstromkomponente); IB den Basisstrom (Gleichstromkomponente); und VSC den Wert des Kollektorreihenwiderstandes. Gemäß Fig. 3 wird der erste Transistor Q1 unter der Bedingung IC = 0mA benutzt. Der Verstärkungsfaktor αi ist gegeben durch:
wobei βi der Verstärkungsfaktor (inverses β) des umgekehrten gemeinsamen Emitterstromes ist. Daher kann die Formel (1) in die nachfolgende Gleichung umgeschrieben werden:
Bei dem in den Fig. 1 und 2 dargestellten Transistor des Standes der Technik ist die Emitterkonzentration des Transistors im Umkehrmodus gering, so daß der Emitterinjektionswirkungsgrad schlecht ist. Der Kollektor-Basis-Gleichstromverstärkungsfaktor in Rückwärtsrichtung βi besitzt annähernd den Wert 2. Durch Einsetzen dieses Wertes in die Gleichung (2) ergibt sich:
Andererseits erstreckt sich bei dem in den Fig. 7 und 8 dargestellten Transistor gemäß der vorliegenden Erfindung die N-leitende Schicht 73 hoher Konzentration teilweise in den Basisbereich 71. Daher ist die Emitterkonzentration des Transistors im inversen Modus hoch. Der Wirkungsgrad der Emittereinspritzung wird verbessert und der Rückwärtsstromverstärkungsfaktor βi beträgt etwa 20. Setzt man diesen Wert in die Gleichung (2) ein, so ergibt sich:
Wie aus den Gleichungen (4) und (5) hervorgeht, wird die Sättigungsspannung des Transistors gemäß der vorliegenden Erfindung beträchtlich verbessert. Wenn daher dieser Transistor in der ALC-Schaltung der Fig. 3 verwendet wird, wird in den Übergangsperioden des Ein- und Ausschaltens des Schalters keine Übergangsspannung erzeugt. Diese Tatsache kommt im Diagramm der Fig. 6(b) zum Ausdruck, das die Wellenform des Ausgangssignals So des Verstärkers 43 veranschaulicht. Wie dargestellt, ändert sich die Wellenform des Signals So in der Übergangsperiode nur sanft. Damit wird das Problem des Übergangstones bei den Geräten des Standes der Technik erfolgreich gelöst. Weiter besteht keine Notwendigkeit mehr für den rückwärtsgerichteten Anschluß des Transistors Q1 gemäß Mol-%5(a). Dadurch wird das Linearitätsproblem der Wechselstromimpedanz zwischen dem Kollektor und dem Emitter des ersten Transistors Q1 beseitigt, was eine exakte Steuerung des Pegels und der Verstärkung gewährleistet.
Bei der obigen Ausführungsform wird der Bereich 21 als Kollektor, der Bereich 71 als Basis und der Bereich 19 als Emitter benutzt. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Konzeption beschränkt. Der Bereich 21 kann auch als Emitter, der Bereich 71 als Basis und der Bereich 19 als Kollektor benutzt werden.
Die aus dem zweiten Transistor Q2 und dem Widerstand R1 gebildete Basisstromspeiseschaltung kann durch irgendeine andere Schaltung ersetzt werden, sofern sie den Basisstrom liefert, der den von der ALC-Detektorschaltung 45 gelieferten Strom entsprechend der Spannung Vd verändert.
Die Halbleitereinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist nicht nur bei einer ALC-Schaltung anwendbar, sondern auch bei jeder andere Schaltung, die veränderliche Widerstandselemente benutzt wie etwa eine automatische Gewinnsteuerungsschaltung (AGC-Schaltung) und eine automatische Stromstärkensteuerschaltung (AVC-Schaltung). Die AGC-Schaltung und die AVD-Schaltung haben ein der ALC-Schaltung entsprechende Struktur. Der Transistor der vorliegenden Erfindung kann also als variabler Widerstand in diese Schaltungen eingebaut werden. Der Transistor der vorliegenden Erfindung kann aber auch in jede beliebige Steuerschaltung mit einem veränderlichen Widerstand eingebaut werden.

Claims

1. Automatische Steuerschaltung, umfassend:

eine Signalquelle (41) zum Ausgeben eines zu verstärkenden Signals;

einen ersten Bipolartransistor (Q1), bei dem ein Ende des Strompfades zum Empfangen des von der Signalquelle (41) ausgegebenen Signals geschaltet ist, während das andere Ende des Strompfades mit Masse verbunden ist, wobei der erste Transistor (Q1) einen Basisanschluß zum Empfangen eines Steuersignals besitzt;

einen zweiten Bipolartransistor (Q3), der als Emitterfolgestufe an den ersten Bipolartransistor (Q1) angeschlossen ist;

einen Verstärker (43) zum Verstärken eines am Ausgang der Emitterfolgerstufe auftretenden Signals und zum Liefern des Signals als Ausgangssignal der automatischen Steuerschaltung;

einen Schalter (SW) zum Setzen der EIN/AUS-Moden der automatischen Steuerschaltung; und

eine Detektorschaltung (45, Q2 und R1) zum Empfangen des vom Verstärker (43) ausgegebenen Signals; zum Liefern eines ersten Signals entsprechend dem Pegel des vom Verstärker (43) ausgegebenen Signals an die Basis des ersten Transistors (Q1), wenn der Schalter (SW) die automatische Steuerschaltung in den EIN-Modus setzt; und zum Liefern eines zweiten Signals mit einem Bezugspegel an den ersten Transistor (Q1), wenn der Schalter (SW) die automatische Steuerschaltung in den AUS-Modus setzt;

wobei der erste Bipolartransistor (Q1) aufweist:

ein Halbleitersubstrat (11) eines ersten Leitungstyps;

einen ersten Bereich (21) eines zweiten Leitungstyps, der auf dem Halbleitersubstrat (11) gebildet ist;

einen Basisbereich (71) des ersten Leitungstyps, der auf dem ersten Bereich (21) gebildet ist;

einen zweiten Bereich (19) des zweiten Leitungstyps, der auf den Basisbereichen (71) gebildet ist;

eine vergrabene Schicht (15) des zweiten Leitungstyps, dessen Störstellenkonzentration größer als diejenige des ersten Bereiches (21) ist, wobei ein Abschnitt des ersten Bereiches (21) zwischen dem Basisbereich (71) und die vergrabene Schicht (15) eingefügt ist; und

einen dritten Bereich (73) des zweiten Leitungstyps, der sich in den ersten Bereich (21) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß sich der dritte Bereich (73) in den Basisbereich (71) erstreckt.

2. Automatische Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Bereich (73) den Basisbereich (71) umgibt.

3. Automatische Steuerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Leitungstyp ein N-Typ ist und der dritte Bereich eine höhere Störstellenkonzentration als der erste Bereich (21) besitzt.

4. Automatische Steuerschaltung nach einem beliebigen vorhergehenden Anspruch, wobei die Schaltung eine automatische Pegelsteuerschaltung ist.

5. Automatische Steuerschaltung nach einem beliebigen Anspruch 1 bis 3, wobei die Schaltung eine automatische Gewinnsteuerschaltung ist.

6. Automatische Steuerschaltung nach einem beliebigen Anspruch 1 bis 3, wobei die Schaltung eine automatische Lautstärkesteuerschaltung ist.