DE833366C - Halbleiterverstaerker - Google Patents
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Description
- Weiui der Halbleiter in der zur Zeit bekannten Form vielleicht auch nicht geeignet ist, in allen 'Fällen von Verstärkeranordnungen an die Stelle einer Elektronenröhre zu treten, so scheint seine An-Wendung jedoch für bestimmte Zwecke vorteilhaft zu sein. So dürfte er sich u. a. besonders für Schwerhörigengeräte eignen. Aus dieser Zweckhestimmung heraus entsteht die Aufgabe, deren Lösung selbstverständlich auch für jegliche andere Anwendung des Halbleiterverstärkers grundsätzliche Bedeutung z. B. aus preislichen Gründen hat, einen solchen Halbleiterverstärker nicht nur billig, sondern auch raum-, gegebenenfalls auch gewichtssparend aufzubauen. Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, auf den Halbleiter mehrere in verschiedenen Schalt- bzw. Verstärkerstufen wirkende Elektrodensysteme aufzusetzen.
- Nimmt man z, B. an, daß der in der Figur als geschnittene Halbkugel gezeigte Halbleiter K einen Durchmesser von 2 mm hat, so können je nach der konstruktiven Gestaltung und Anordnung der einzelnen Elektroden mehrere Elektrodensysteme in je einem Abstand von 0,2 mm bei bekanntem Elektrodenabstand von o,o5 mm aufgesetzt werden, ohne daß eine gegenseitige Beeinflussung der einzelnen Systeme eintritt. Diese Elektrodensysteme können dann in bekannter Weise durch Kopplungsglieder zu einem mehrstufigen Halbleiterverstärker zusaminengeschaltet werden. Hierbei können die Kopplungsglieder gegebenenfalls aus einer Halbleiteranordnung bestehen, welche zusätzlich aufgewendet oder durch 1?insatz von auf den Halbleiter schon aufgesetzten Elektrodensyste-men gebildet werden. Zu diesem Zweck wird die sonst als Eingang dienende Elektrode als Ausgang des Kopplungsgliedes benutzt und umgekehrt, da der Halbleiterverstärker einen niederohmigen Eingang und einen hochohmigen Ausgang benötigt. '.Ulan erspart also auf Grund der vorliegenden Erkenntnis, den Halbleiter mit vertauschtem Eingang und Ausgeng als Transformator zu benutzen, mit Rücksicht auf diese Eingangs- und Ausgangsverhältnisse besonders auszubildende Kopplungsglieder. In der Figur sind fünf solcher Systeme mit den beispielsweise einzuhaltenden ylalien schematisch angedeutet.
Claims (2)
- PATENTANSPRt)CHE: i. Halbleiterverstärker, dadurch gekencizeichnet, daß auf den Halbleiter mehrere in verschiedenen Schalt- bzw. Verstärkerstufen wirkende Elektrodensysteine aufgesetzt werden.
- 2. Halbleiterverstärker, insbesondere nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß bestimmte Elektrodensysteme nach Vertauschung von Eingangs- in Ausgangselektrode Lind umgekehrt als Kopplungsglieder zwischen anderen Elektrodensystemen dienen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP2589A DE833366C (de) | 1949-04-14 | 1949-04-15 | Halbleiterverstaerker |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE683151X | 1949-04-14 | ||
DEP2589A DE833366C (de) | 1949-04-14 | 1949-04-15 | Halbleiterverstaerker |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE833366C true DE833366C (de) | 1952-06-30 |
Family
ID=25946183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP2589A Expired DE833366C (de) | 1949-04-14 | 1949-04-15 | Halbleiterverstaerker |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE833366C (de) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1009725B (de) * | 1952-02-07 | 1957-06-06 | Gen Electric | Vollweg-Gleichrichter mit einer Scheibe aus Halbleitermaterial |
DE1011538B (de) * | 1953-08-31 | 1957-07-04 | Licentia Gmbh | Vorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einer sperrschichtfreien grossflaechigen Elektrode und mit mehreren, moeglichst kleinflaechigen Gleichrichterelementen |
DE966849C (de) * | 1952-12-01 | 1957-09-12 | Philips Nv | Transistorelement und Transistorschaltung |
DE1093482B (de) * | 1956-06-28 | 1960-11-24 | Honeywell Regulator Co | Doppel-Flaechentransistor mit zwei auf einem gemeinsamen Halbleiterkoerper angeordneten, hintereinandergeschalteten Transistoren |
DE975382C (de) * | 1953-01-21 | 1961-11-16 | Rca Corp | Mehrfach-Flaechentransistor mit abwechselnd in Reihe geschalteten PNP- und NPN-Transistoren |
DE1132245B (de) * | 1958-05-27 | 1962-06-28 | Licentia Gmbh | Vorrichtung zur Temperaturregelung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
DE1196295B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1207013B (de) * | 1959-05-06 | 1965-12-16 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE1284517B (de) * | 1959-09-11 | 1968-12-05 | Fairchild Camera Instr Co | Integrierte Halbleiterschaltung |
DE102014008990A1 (de) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Dietmar Dreyer | Halbleiterverstärker zur Speicherung von elektrischer Energie auf der Basis eines generierten Schwingkreises |
-
1949
- 1949-04-15 DE DEP2589A patent/DE833366C/de not_active Expired
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1009725B (de) * | 1952-02-07 | 1957-06-06 | Gen Electric | Vollweg-Gleichrichter mit einer Scheibe aus Halbleitermaterial |
DE966849C (de) * | 1952-12-01 | 1957-09-12 | Philips Nv | Transistorelement und Transistorschaltung |
DE975382C (de) * | 1953-01-21 | 1961-11-16 | Rca Corp | Mehrfach-Flaechentransistor mit abwechselnd in Reihe geschalteten PNP- und NPN-Transistoren |
DE1011538B (de) * | 1953-08-31 | 1957-07-04 | Licentia Gmbh | Vorrichtung mit einem Halbleiterkoerper mit mindestens einer sperrschichtfreien grossflaechigen Elektrode und mit mehreren, moeglichst kleinflaechigen Gleichrichterelementen |
DE1093482B (de) * | 1956-06-28 | 1960-11-24 | Honeywell Regulator Co | Doppel-Flaechentransistor mit zwei auf einem gemeinsamen Halbleiterkoerper angeordneten, hintereinandergeschalteten Transistoren |
DE1132245B (de) * | 1958-05-27 | 1962-06-28 | Licentia Gmbh | Vorrichtung zur Temperaturregelung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
DE1196301B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur Herstellung mikrominiaturisierter, integrierter Halbleiteranordnungen |
DE1196296B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1196295B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1196299B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1196298B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Verfahren zur Herstellung einer mikrominiaturisierten, integrierten Halbleiterschaltungsanordnung |
DE1196300B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung |
DE1196297B (de) * | 1959-02-06 | 1965-07-08 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1196297C2 (de) * | 1959-02-06 | 1974-01-17 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE1196299C2 (de) * | 1959-02-06 | 1974-03-07 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte, integrierte halbleiterschaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
DE1207013B (de) * | 1959-05-06 | 1965-12-16 | Texas Instruments Inc | Mikrominiaturisierte integrierte Halbleiter-schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE1284517B (de) * | 1959-09-11 | 1968-12-05 | Fairchild Camera Instr Co | Integrierte Halbleiterschaltung |
DE102014008990A1 (de) | 2014-06-13 | 2015-12-17 | Dietmar Dreyer | Halbleiterverstärker zur Speicherung von elektrischer Energie auf der Basis eines generierten Schwingkreises |
DE102014008990B4 (de) * | 2014-06-13 | 2016-11-10 | Dietmar Dreyer | Halbleiterverstärker zur Speicherung von elektrischer Energie auf der Basis eines generierten Schwingkreises |
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