DEP0002590BA - Anordnung für Halbleiterverstärker - Google Patents

Description

Nach der derzeitigen Agffassung_i, die ©an aber die Wirkungsweise eines, Gennaniumkristalls oder -gewisser anderer Halbleiter hai:·, verändert ein solcher Kristall in der Mhe einer auf'ihn als feine Kontalctspitz© aufgesetzten Elektrode seine Leitfiihigkeit derart₈ dass z.B. bei positiver Torapannung dieser Elektrode xm diese eine elektronenarme Zone auftritt. .

Ein Schaltungsaufbau.eines Haib1eit erve rs tärkers ist schematisch in der I^tIgur 1 wiedergegeben» Der dort gezeigte Halbkreiε K

• ~ ■ ' f

stellt stark vergrössert den Halbleiter dar, auf den im Abstand von beispielsweise O_e 05 mm. zwei als Kontakt s pi ta en ausgebildete, Elektroden und Eg aufgesetzt sind. Die !Elektrode E₁, an. »eleu? die zu verstärkende Steuerspannung St angelegt wird, ist positiv |1 ?ol,t) vorgespannt, so dass sich gemäss der obigen'Erläuterung in ihrer Umgebung eine elektronenarme Zone bildet. Da die zweite, ebenfalls als Kontalctspitze ausgebildete Elektrode Eg. mit negativem Potential (40 ?olt) versehen ist „ bildet sich um diese Elektrode Eg eine Zone Zg mit einem Elektronenüberschuss« Demzufolge wird der zur Aufrechterhaltung des Stromes erforderliche ISlektronennachschub. zum grossen Teil aus dem Kristallgeb:-,Mitgeliefert j in dem sieh die Zonen Z₁ und Z_t^ Iiberschrieiden₀ Ausgehend von der Erkenntnie_p dass die theoretisch höchste Spannung bzw. Leistungsverstärkung möglich ist,, wenn alle von der Elek=»

Claims (1)

1. trode ixtef genommenen Llektroxaeii aus der Sone Z^ Jtierraiirea₈ wird erzinäungugc-,m ^;iGS znz- LrhoJatiag der Verstärkung .des geseilt Haiblfcite »Verstärkers KJ mit den "in geringem gegenseitigem'Abstand voneinander' auf' diesen aurgesetfets^-Älelrtrodeii positiven bsWc negativen :Potcuitifils vor^eooiila^ea;' der positiv""'unö/öö.er negativ vorgespannt etf··' Jil eic trod e je eine .oder 'mehrere Hilf sei elektroden zv, zu ο Ediien₀ fremden- ζ ».■B?. -der Elektrode; E₁' eine öder mehrere Hilf se IeJc wo den·.ii| 'Eiigeo-Xanetⁱ ₃ ;-sq Klrd bei positiver Vorspannung derselben verhindert »f.äass - die Llektrode' JS₁ ihren. Elektronen-»- bedarf aus'der sie'umgebenden Zone Z₁ und deren Iiacbbarbereich dockt. Infolge der gewiaseraassen Künstlich ·erzeugten weiteren' E¹Iektrohenverannung durch wird das über schnei dünge ge biet der, Zonen Z₁ und.Zg in noch stärkerem Masse eis-vorher als Elektronenquelle herangezogen.

   Eei Zuordnung einer^oder,sneli^eiüu^-Hi 1 f. selektroden- Hg axt negativer Vorspannung zur Elektrode JEg wird die- Zone Zg mit Elektron-enUbersehuss. star elektronenarmen Zone Z₁ hin gedrängt ₈ so

   . G das Tberaehncidungogebiet bei gleichem Abstand der Elektroden.. E₁ 'und Ev₅ vergrössert vjird. Ausserdem iet hierdurch die. Möglichkeit gegeben, den Abstand beider. Elektroden sur Verringerung der Rückwirkung der E"iektrode_ Lg suf die - Llektrode E₁ ^zn Vergroasern_jl ohne dass dadurch das Jbersohneidungsgebiet und damit die Verstärkung des Halbleiterverstärkers kleiner v/ird.

   Anstatt die'Hilfselekiroden als' Eontaktspitaen auszubilden₈ · können diese auenrdie Fora von.halbkreisförmigen Zylindern erhalten» JDie Figur J2 aeigt in Aufsicht den .Kristall X mit den beiden Elektroden.-E₁ und E_? -and den Hilfselektroden- H₁ ⁸ und Hg⁰ _o

   l.MSi2J£^";;..^:;

   Ii- .Anordnung, für Halbleiterverstärker, ■.'Eit'in geringem gegen-r seitlgem Abstand voneinander auf -^aufgesetzten Elektroden positiven bzw. Hegativen-JPotentials^l _s dadurch;gekoniiseiclinet« dass der positiv^und/od er negativ vorgespannten •Llektroa'« 'je eine oder mehr ere' iii lis el ekt ro den angeordnet sind»

   «. · : ji-'^iJii ~ ;usi Aussie ι^Ίι J_y äcAv-vc -ii ge L c-p^-:'Beings u, uL«,b eilest«

   ■"'t Λτκ^οΐκ-ατ u£.Ji_ /'iiäg,:vQLi I_t d&>-v.-'c-;i V^imet_p dass