DE869824C - Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Platten fuer KupferoxydulgleichrichterInfo
- Publication number
- DE869824C DE869824C DES4376D DES0004376D DE869824C DE 869824 C DE869824 C DE 869824C DE S4376 D DES4376 D DE S4376D DE S0004376 D DES0004376 D DE S0004376D DE 869824 C DE869824 C DE 869824C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- plates
- copper oxide
- production
- copper
- afterglow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 8
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 title claims description 8
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupfäroxydul-gleichrichter Es ist ein Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydulgleichrichter bekanntgeworden, bei dem die Kupferscheiben zunächst in einem Glühofen auf eine Temperatur von etwa über zioooi°' erhitzt und darauf in einem zweiten Ofen auf etwa 3oo bis 700° abgekühlt und schließlich abgeschreckt werden. Durch das Nachglühen in dem zweiten Ofen wird eine erhebliche Beeinflussung des Kupfers verschiedener Güte beim Glühprozeß möglich, d. h. es lassen sich Kupferoxydulgleichrichterplatten mit guten elektrischen Eigenschaften aus verschiedenen Kupfersorten, die als -Mutterkupfer zur Verfügung stehen, herstellen. Die Abkühlzeit bzw. Nachglühzeit in dem zweiten Ofen betrug bei früher angewendeten Herstellungsverfahren etwa 3 bis 5 Minuten. Nach einem späteren Vorschlag wurde diese Zeit erheblich verlängert und auf etwa r5 bis 6o'Minuten bemessen. Die in dieser Weise verlängerte Nachglühung bewirkt eine erhöhte Aufnahme stöchiometrisch überschüssigen Sauerstoffes durch das Oxydul, welches damit eine bessere Leitfähigkeit erhält, so daß man zu Scheiben mit wesentlich geringeren Durchlaßwiderständen gelangt. Das Nachglühen während einer Zeit bis zu 6o Minuten bewirkt dabei nicht allein eine Erniedrigung des Durchlaßwiderstandes, sondern. bis zu einem gewissen Grade auch eine Erniedrigung des Sperrwiderstandes, dessen Veränderung jedoch nicht sonderlich ins Gewicht fällt,. soweit die Zeitspanne von r-5 bis 6o :Minuten bei der Nachglühung benutzt wird.
- Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß -der sog. Ro- Widerstand, d. h. der Durchlaß-" widerstand der Kupferoxydulgleichrichterplatten bei der Spannung o, sich durch dieDauer der Nachglühung der oxydierten Kupferplatten beeinflussen läßt. Erfindungsgemäß wird bei solchen Kupferoxydulgleichrichtern, bei denen es auf einen niedrigen RO- Wert ankommt; die Dauer des Nachglühens im zweiten Ofen über 6o Minuten hinaus verlängert. Die Erfindung bietet den Vorteil, daß unter grundsätzlicher Beibehaltung des bisher üblichen Herstellungsverfahrens von Kupferoxydulgleichrichterplatten Gleichrichter mit niedrigem RO- Wert dadurch erzielt werden, daß - lediglich die Dauer der Nachglühung verlängert wird. Die Zeitdauer muß dabei den Eigenschaften des zur Herstellung der Gleichrichterplatten verwendeten Mutterkupfers angepaßt werden. Sie beträgt bei gewissen Kupfersorten bis zu einigen Stunden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydulgleichrichter, bei dem die Kupferplatten in einem Glühofen auf eine Temperatur von etwas über lzooo,° erhitzt und dann in einem zweiten Ofen bei Temperaturen von etwa 300 bis 7oo° nachgeglüht werden, dadurch gekennzeichnet, daß die oxydierten Kupferplatten in dem zweiten Ofen länger als 6o Minuten bis zu mehreren Stunden verbleiben.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES4376D DE869824C (de) | 1944-10-03 | 1944-10-04 | Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0004376 | 1944-10-03 | ||
DES4376D DE869824C (de) | 1944-10-03 | 1944-10-04 | Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE869824C true DE869824C (de) | 1953-03-09 |
Family
ID=25994736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES4376D Expired DE869824C (de) | 1944-10-03 | 1944-10-04 | Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE869824C (de) |
-
1944
- 1944-10-04 DE DES4376D patent/DE869824C/de not_active Expired
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE707141C (de) | Verfahren zum Haerten von Glas | |
DE869824C (de) | Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydulgleichrichter | |
DE1244134B (de) | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Europiumsilicats | |
DE2149147C3 (de) | Verfahren zur Nachbehandlung von Sinterkörpern aus Eisen, Kupfer und Zinn | |
DE899360C (de) | Verfahren zur Erzielung einer temperaturabhaengigen Magnetisierungsintensitaet | |
DE624114C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kupferoxydgleichrichters | |
DE525307C (de) | Verfahren zum Konzentrieren von eisensulfathaltiger Schwefelsaeure in rotierenden OEfen | |
DE851981C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern | |
DE740517C (de) | Verfahren zur Waermebehandlung von austenitischen Werkstoffen in einem Turmofen | |
DE578636C (de) | Einglasierter Drahtwiderstand | |
DE455143C (de) | Verfahren zur elektrischen Reinigung heisser Gase | |
DE908736C (de) | Verfahren zur Verbesserung der Anfangspermeabilitaet von Eisen-Silizium-Legierungen | |
DE756523C (de) | Verfahren zum Erhoehen der Lichtdurchlaessigkeit optischer Glaeser | |
DE758292C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Widerstandskoerpers mit negativem Temperaturbeiwert des Widerstandes | |
DE2054534C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Temperguß | |
DE600004C (de) | Warmbehandlungsverfahren von schmiedbar gemachtem weissen Gusseisen | |
DE921163C (de) | Verfahren zur Herstellung von mit Kupferoxydul ueberzogenen Kupferplatten | |
DE738520C (de) | Verfahren zur Herstellung von geformten keramischen Gegenstaenden | |
DE969112C (de) | Verfahren zum Erhitzen von zu haertenden thermisch ungleichfoermigen, aber elektrisch gleichfoermigen Koerpern | |
DE581159C (de) | Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern | |
DE512818C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes | |
AT229595B (de) | Werkstücke für hohe Temperaturen | |
DE589824C (de) | Salzbadofen | |
DE2158876C3 (de) | Verfahren zum Stabilisieren der Kenndaten von elektrischen Halbleiteranordnungen | |
AT111961B (de) | Verfahren zum Niederschlagen von Hafnium und Zirkonium auf einem glühenden Körper. |