DE857535C - Prallelektrode zur Sekundaerelektronen-Vervielfachung - Google Patents

Description

• Prallelektrode zur Sekundärelektronen-Vervielfachung In Elektronenröhren, in denen eine Sekundärelektronenauslösung an sog. Prallelektroden stattfinden soll, beispielsweise in Photozellen mit Sekundärelektronen-Vervielfachung, werden vielfach Prallelektroden aus einem nicht luftbeständigen Stoff verwendet. Dabei war es bisher erforderlich, die Prallelektroden erst nach Einbau in das Vakuumgefäß mit dem Sekundärelektronen abgebenden Stoff zu überziehen und den späteren Eintritt von Luft in dieses sorgfältig zu vermeiden. Dies erschwert die Herstellung solcher Röhren insbesondere in der Reihenfertigung. Es ist bekannt, solche mit einer nicht luftlfeständigen Emissionsschicht bedeckten Prallelektroden mit einem metallischen Schutzüberzug, insbesondere aus Silber, zu versehen. Diese Schutzschicht muß sehr dünn sein, damit sie die Elektronen praktisch ungehindert durchläßt. Es hat sich nun gezeigt, daß solche Metallüberzüge leicht zerreißen, was damit zu erklären ist, daß die Metallatome sich mit steigender Temperatur einander soweit nähern, daß die Wechselwirkungskräfte zwischen ihnen ein Koagulieren und damit eine Unterbrechung des Metallüberzuges bewirken. Die Erfindung bezweckt die Beseitigung dieser mit den bekannten Schutzschichten beobachteten Schwierigkeiten.
• Erfindungsgemäß wird eine aus einem nicht luftbeständigen Stoff bestehende Prallelektrode zur Sekundärelektronen-Vervielfachung mit einer Schutzschicht aus einem nicht metallischen luftbeständigen Stoff von so geringer Schichtdicke überzogen, daß die Schutzschicht für Elektronen durchlässig ist. Solche Schutzschichten kristallisieren viel weniger leicht als Metallschichten, falls sie beim Aufbringen amorphe Struktur haben, und bleiben daher trotz ihrer geringen Dicke dicht und vermögen dem darunter befindlichen luftempfindlichen Stoff einen erheblich sichereren Schutz zu gewähren, als dünne aufgedampfte Metallschichten, sie werden auch von der atmosphärischen Luft weniger stark angegriffen und sind widerstandsfähiger gegen die aus vakuumtechnischen Gründen notwendige Behandlung im Verlauf des Herstellungsverfahrens.
• Die Schutzschicht besteht aus einem organischen Stoff, z. B. Kollodium oder Zellglas, oder einem anorganischen Stoff, z. B. einem Halogenid, das vorzugsweise in Form einer feinen Kristallschicht aufgebracht wird. Die Schutzschicht kann beispielsweise in einem Lösungsmittel gelöst werden, welches nach der Fertigstellung des Sekundärelektronen emittierenden Überzuges der Prallel,ektrode in das betreffende Vakuumgefäß, beispielsweise mittels eines Zerschlagerventils, eingelassen wird. Zu diesem Zweck wird das Vakuumgefäß zweckmäßig zuerst mit einem inerten Gas gefüllt, welches weder die Prallelektrode selbst noch das Lösungsmittel angreifen darf. Als inertes Gas verwendet man zweckmäßig ein Edelgas oder Wasserstoff oder Stickstoff und als Lösungsmittel eine geeignete organische Flüssigkeit.
• Die Schutzschichten müssen äußerst dünn gehalten werden, beispielsweise in der Größenordnung von i Ii.

Claims (3)

1. PATENTANSPRÜCHE, i. Aus einem nicht luftbeständigen Stoff bestehende und mit einem Schutzüberzug versehene Prallelektrode zur Sekundärelektronen-Vervielfachung, dadurch gekennzeichnet, daß die Prallelektrode mit einer Schutzschicht aus einem nicht metallischen luftbeständigen Stoff von so geringer Schichtdicke, daß die Schutzschiclit für Elektronen durchlässig ist, überzogen ist.
2. 2. Prallelektrode nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht aus einem organischen Stoff, z. B. aus Kollodium oder Zellglas, besteht.
3. 3. Prallelektrode nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht aus einem nicht metallischen anorganischen Stoff, insbesondere einem Halogenid, vorzugsweise in Form einer feinen Kristallschicht besteht. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 617353; französische Patentschrift Nr. 835 633 britische Patentschriften Nr. 47919o, 481 170; italienische Patentschrift Nr. 357 881; australische Patentschrift Nr. io6165.