DE735707C - Sekundaeremissionsschicht - Google Patents

Description

• Sekunääremissionsschicht Es ist bekannt, daß-die Sekundärelektronenemission bei steigender Primärenergie in steigendein Maße vom Einfallswinkel der abhängt, und zwar in dem Sinne, daß bei senkrechtem Einfall (Einfallswinkel. a = o°) die kleinste, bei streifendem Einfall (Einfallswinkel: a = 9o°) die größte Ausbeute erreicht wird. Es hat dies seinen Grund: ,v#ahrscheinlich darin, daß die tiefer im Material ausgelösten Sekundärelektronen auf ihrem Wege zur Metalloberfläche stärker absorbiert werden als -solche, die dicht unter der Oberfläche ausgelöst werden. Man könnte also,- wenn man diesen Effekt ausnutzen will, einen. Elektronenstrahl möglichst streifend auf eine Fläche auftreffen lassen, muß dann aber den Nachteil in Tauf nehmen; daß der streifend- auftreffende Elektronenstrahl die Elektrode in einer Fläche trifft, die wesentlich größer ist als der Strahlquerschnitt Q selbst, nämlich Q/cos a,. daß also die weggehenden Sekundäreliektronen von einer verhältnismäßig großen Fläche ausgehen und sich daher schlecht auf eine gegebenenfalls vorgesehene zweite Elektrode konzentrieren lassen.
• Man hat auch, von der nicht zutreffenden Annahme ausgehend; daß die Sekundäremission ein Maximum für den Winkel a = 6o° hat, bereits eine rolladenähnliche Anordnung entsprechend geneigter Sekundäremissionsfläcben vorgesehen; ges ist aber ersichtlich,. daß diese Anordnung wegen der immer kleineren, zur Verfügung stehenden nutzbaren Fläche in um so stärkerem Maße versagt, je mehr man sich * dem erstrebten Idealfell a = 9o° nähert. Dieser Nachteil wird bei' der - Erfindung -vermi:eden. Nach der Erfindung wird. eine Oberfläche benützt, die gleichmäßig mit unmittelbar nebeneinand,erliegenden Einkerbungen oder Rillen: versehen ist, deren Abstände vo-neinander .ebenso wie ihre Tiefen von der Größenordnung der Eindringtiefe der Primärelektronen sind.
• Abb. i zeigt die Querschnittsform einer gemäß der Erfindung ausgebildeten Oberfläche. Der Abstand ä der einzelnen Rillen :entspricht .der Eindringtiefe der primären Elektronen. Diese @indringtiefe hängt von der Primärenergie ab und beträgt für Elektronen von einigen Tausend Volt etwa i Ac. Es wird also für diese Primärenergie ein Gitter mit etwa iooo Strichen pro Millimeter in Frage kommen, d. h. also ein Gitter mit einem Strichabstand, wie es für optische Zwecke bekannt und gerade noch herstellbar ist. Dadurchwird erreicht, daß -.die primären Elektronen nach ihrem Eindringen in. das Material der sekundär-strahlenden Elektrode parallel zur Oberfläche verlaufen und somit die sich mit der Eindringtiefe verstärkende. Absorption in Fortfall kommt. Der z. B. nach Methoden von L o r d R a y 1 e i g h zu bestimmende Querschnitt der Furchen wird sich danach zu richten haben,- unter welchem Winkel die Primärelektronen auftreffen sollen,- da für jede spezielle Qwerschnitts.form solcher Furchen eine optimale Richtung für die Auslösung von Sekundärelektronen sich ergibt.
• So zeigt Ab-. 2a eine vorteilhafte Ausbildumg der Rillen für einen Einfallswinkel der P.rimärelektronenP von 2o°, Abb@.2b für einen Einfallswinkel von q:5°. Wie ersichtlich, ist die Querschnittsform so gewählt, daß die eine Kathete von den Primärelektronen senkrecht getroffen wird.
• Mit der vorliegenden Erfindung wird also etwa derselbe Effekt erreicht -Wie, bei streifen:-dem Einfall, nur daß der Einfallswinkel und damit die Fläche, von der die Sekundärelektronen ausgehen, erheblich kleiner ist als bei streifendem Einfall, womit die obererwähnten Nachteile des streifenden Einfalls, die für die praktische Ausnutzung, z. B. bei Sekundärelektrönenvervielfachern u. dgl., sehr wesentlich sind; vermieden werden:. Darüber hinaus ist es aber auch denkbar, daß.die vollkommen individuelle Abhängigkeit der Sekundäremission vom Einfallswinkel der Primärelektronen, die für sekundär strahlende Flächen nach der Erfindung charakteristisch ist, sich bei entsprechender Dimensionierung auch für ganz andere Zwecke ausnutzen läßt, beispielsweise zum Nacheis von Röntgenstrahlen.

Claims (3)

1. PATENTANSPRÜCHE i. Sekundäremissionss,chicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche gleichmäßig mit unmittelbar nebeneinanderliegenden Einkerbungen oder Rillen versehen ist, deren Abstände voneinander ,ebenso wie ihre Tiefen von der Größenordnung der Eindringtiefe der Primärelektronen sind.
2. 2. Sekundäremissionsschicht nach Anspruch i., deren Rillen im Querschnitt annähernd die Form eines rechtwinkligen Dreiecks haben, dessen rechter Winkel in das Material einspringt, gekennzeichnet durch eine solche Anordnung der--Schicht, daß die EinfallZiichtung,des Primärstrahls mit derjenigen der einen Katheteder Rillen übereinstimmt.
3. 3. Sekundäremissionsschicht nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Rillen in ein. Unterlagematerial, beispielsweise Glas oder Silber, hineingeschnitten sind. q:. Sekwndäremissionss-chicht nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Rillen in das sekundäremittierende Material selbst hineingeschnitten sind. 5. -Verfahren zur Herstellung einer Se kundäremissionsschlcht nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß -eine gerichtete Bedampfung mit einem sekundäremittierenden Material.-erfolgt, wobei. die Bedampfung zunächst in Richtung der einen Kathete; und danach in Richtung .der anderen Kathete der ,die Rillen bildenden Dreiecke vorgenommen: wird.