DE69935919D1 - Spannungserhöher für nichtflüchtige Speicher zum Betrieb im verbrauchsarmen Bereitschaftszustand - Google Patents

Spannungserhöher für nichtflüchtige Speicher zum Betrieb im verbrauchsarmen Bereitschaftszustand

Info

Publication number
DE69935919D1
DE69935919D1 DE69935919T DE69935919T DE69935919D1 DE 69935919 D1 DE69935919 D1 DE 69935919D1 DE 69935919 T DE69935919 T DE 69935919T DE 69935919 T DE69935919 T DE 69935919T DE 69935919 D1 DE69935919 D1 DE 69935919D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
low
volatile memory
standby mode
voltage booster
consumption standby
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69935919T
Other languages
English (en)
Inventor
Matteo Zammattio
Ilaria Motta
Rino Micheloni
Carla Golla
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69935919D1 publication Critical patent/DE69935919D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
DE69935919T 1999-12-30 1999-12-30 Spannungserhöher für nichtflüchtige Speicher zum Betrieb im verbrauchsarmen Bereitschaftszustand Expired - Lifetime DE69935919D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99830825A EP1113450B1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Spannungserhöher für nichtflüchtige Speicher zum Betrieb im verbrauchsarmen Bereitschaftszustand

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE69935919D1 true DE69935919D1 (de) 2007-06-06

Family

ID=8243744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69935919T Expired - Lifetime DE69935919D1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Spannungserhöher für nichtflüchtige Speicher zum Betrieb im verbrauchsarmen Bereitschaftszustand

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6437636B2 (de)
EP (1) EP1113450B1 (de)
DE (1) DE69935919D1 (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3836279B2 (ja) * 1999-11-08 2006-10-25 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその制御方法
JP4149637B2 (ja) * 2000-05-25 2008-09-10 株式会社東芝 半導体装置
IT1316002B1 (it) * 2000-11-08 2003-03-26 St Microelectronics Srl Regolatore di tensione per circuiti a basso consumo.
US6661682B2 (en) * 2001-02-16 2003-12-09 Imec (Interuniversitair Microelectronica Centrum) High voltage generating charge pump circuit
FR2838861A1 (fr) 2002-04-23 2003-10-24 St Microelectronics Sa Memoire effacable et programmable electriquement comprenant un dispositif de gestion d'une tension d'alimentation interne
ITMI20021486A1 (it) * 2002-07-05 2004-01-05 St Microelectronics Srl Dispositivo elevatore di tensione e sistema di memoria
JP2004103153A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Seiko Epson Corp 不揮発性半導体記憶装置の電圧発生回路
JP4384541B2 (ja) * 2004-05-21 2009-12-16 株式会社ケーヒン アクチュエータ駆動装置
US7525853B2 (en) * 2005-08-12 2009-04-28 Spansion Llc Semiconductor device and method for boosting word line
US20080012627A1 (en) * 2006-07-13 2008-01-17 Yosuke Kato System and method for low voltage booster circuits
IT1400747B1 (it) * 2010-06-30 2013-07-02 St Microelectronics Srl Riduzione di consumo di potenza di fondo di dispositivi elettronici
US20230188038A1 (en) * 2021-12-09 2023-06-15 Renesas Electronics America Inc. Regulator booster

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5337284A (en) * 1993-01-11 1994-08-09 United Memories, Inc. High voltage generator having a self-timed clock circuit and charge pump, and a method therefor
US6031411A (en) * 1993-06-28 2000-02-29 Texas Instruments Incorporated Low power substrate bias circuit
JPH07105681A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3413298B2 (ja) * 1994-12-02 2003-06-03 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
KR960024788U (ko) * 1994-12-30 1996-07-22 디스크 플레이어의 드라이브 유닛
US5880622A (en) * 1996-12-17 1999-03-09 Intel Corporation Method and apparatus for controlling a charge pump for rapid initialization
JP3378457B2 (ja) * 1997-02-26 2003-02-17 株式会社東芝 半導体装置
TW423162B (en) * 1997-02-27 2001-02-21 Toshiba Corp Power voltage supplying circuit and semiconductor memory including the same
US5801997A (en) * 1997-06-24 1998-09-01 Etron Technology, Inc. Ping-pong boost circuit
KR100273278B1 (ko) * 1998-02-11 2001-01-15 김영환 반도체 소자의 펌핑회로

Also Published As

Publication number Publication date
EP1113450B1 (de) 2007-04-25
EP1113450A1 (de) 2001-07-04
US20010017797A1 (en) 2001-08-30
US6437636B2 (en) 2002-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69903835T2 (de) On chip wortleitungsspannungsgenerator für in einen logischen prozess eingebauten dramspeicher
DE10085013T1 (de) Anordnen von in nicht-flüchtigen wiederprogrammierbaren Halbleiterspeichern gespeicherten Informationen
NO20020847D0 (no) Referansecelle for höyhastighetslesing i ikke-flyktige hukommelsekretser
DE69810995D1 (de) Rekonfigurierbarer Dual-Modus-Speicher in programmierbaren logischen Einrichtungen
DE69935919D1 (de) Spannungserhöher für nichtflüchtige Speicher zum Betrieb im verbrauchsarmen Bereitschaftszustand
DE60005645D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit verringertem Stromverbrauch bei Datenhaltemodus
DE69826353D1 (de) Integrierte Schaltung mit Bereitschaftmodussteuerschaltung für Speicher
IT1296486B1 (it) Regolatore di tensione per circuiti di memoria a singola tensione di alimentazione, in particolare per memorie di tipo flash.
DE69835896D1 (de) Leseverstärker für flash-speicher
EP1451827A4 (de) Doppelmodus-hochspannungsstromversorgung für die bereitstellung einer erhöhten geschwindigkeit bei der programmierung während des prüfens von nichtflüchtigen niederspannungsspeichern
DE69727744D1 (de) Zum Betrieb mit niedrigen Versorgungsspannungen geeigneter Speicher und Leseverstärker dafür
DE69905595D1 (de) Speicherbankauswahlschaltung für simultanen flash-speicher mit flexibler speicherbank einteilung
DE19882933T1 (de) Flash-Speicher-Unterteilung für Lese-während-Schreiboperationen
EP1152431A2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit verringertem Stromverbrauch bei Datenhaltemodus
IT1306963B1 (it) Circuito a compensazione capacitativa per la regolazione dellatensione di lettura di riga in memorie non-volatili
DE69937259D1 (de) Nichtflüchtiges Speicherregister
DE69911591D1 (de) Leseschaltung für einen nichtflüchtigen Speicher
DE50000262D1 (de) Schreib-/lesearchitektur für mram
DE69903576D1 (de) Adressdecoder für simultanen flash-speicher mit flexibler speicherbankeinteilung
AU2001253141A1 (en) Page mode erase in a flash memory array
DE60129269D1 (de) Speicherschaltung für eine programmierbare logische integrierte Schaltungsanordnung
DE69928514D1 (de) Lesungsschaltung für einen Halbleiterspeicher
DE60039027D1 (de) Spannungsauswahlschaltung für nichtflüchtigen Speicher
DE3889211T2 (de) Speisespannungsschalteranordnung für nichtflüchtige Speicher in MOS-Technologie.
DE69801307D1 (de) Verbesserungen an oder hinsichtlich integrierter Schaltungen für spannungsgesteuerte Oszillatoren

Legal Events

Date Code Title Description
8332 No legal effect for de