DE69928851T2 - Schaltungsanordnung für Impedanzanpassung eines differenzaktiven Bauteils - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung betrifft das Einstellen der Eingangsimpedanz aktiver Bauteile, die einen differenziellen Eingang haben. Typische derartige aktive Bauteile sind bestimmte Verstärker und Mischer, die im Hochfrequenz- und im Zwischenfrequenzteil eines Funkgeräts verwendet werden.
  • Insbesondere werden in Aufbauten mit integrierten Schaltkreisen die aktiven Bauteile von Funkgeräten, wie zum Beispiel Verstärker und Mischer oft als differenzielle Bauteile hergestellt, was bedeutet, dass der aktive Bauteil zwei Eingänge und zwei Ausgänge hat, wobei das Eingangssignal eine variable Spannung zwischen zwei Eingängen ist, und das Ausgangssignal eine variable Spannung zwischen zwei Ausgängen ist. Eine Alternative zu dem differenziellen Bauteil ist ein Bauteil mit einem einzigen Eingang und einem einzigen Ausgang, wobei das Eingangssignal eine variable Spannung zwischen dem Eingang und einem festgelegten Erdpotenzial ist, und das Ausgangssignal eine variable Spannung zwischen dem Ausgang und einem festgelegten Erdpotenzial ist. Ein Vorteil des differenziellen Aufbaus besteht insbesondere darin, dass in der Leistung des Bauteils weniger Schwankungen auftreten, die durch das Herstellungsverfahren verursacht werden. In der Signalausbreitungsrichtung kann sich zum Beispiel vor dem aktiven differenziellen Bauteil eine Symmetrieschaltung, ein Verstärker, ein Filter oder ein Mischer befinden.
  • 1 zeigt einen typischen differenziellen Verstärker 100 des früheren Stands der Technik, der Eingänge RF+ und RF– hat, versehen mit Entkopplungskondensatoren, und Ausgänge OUT1 und OUT2. Zwei Transistoren Q1 und Q2 wirken als Verstärkungsbauteile; die positive Betriebsspannung Vcc wird zu ihren Kollektoren über Kollektorwiderstände RC geliefert, und ihre Sender sind über Senderwiderstände RE und eine Konstantstromquelle Idiff mit dem Erdpotenzial verbunden. Zusätzlich zu dem Ausgangssignal wird zu beiden Transistorsockeln über Vorspannwiderstände Rb eine Vorspannung Vb geliefert, um die Transistoren Q1 und Q2 auf den korrekten Betriebspunkt vorzuspannen. Das Ausgangssignal wird dann an den Kollektoren der Transistoren Q1 und Q2 abgenommen.
  • Beim Betrieb eines Verstärkers gemäß 1 entsteht ein Problem durch seine Ausgangsimpedanz. In der Signalausbreitungsrichtung befindet sich meistens ein Filter (in der Figur nicht gezeigt) vor dem Verstärker, wobei das Filter direkt einen differenziellen Ausgang haben kann, oder sein nicht differenzieller Ausgang kann mit einer so genannten Symmetrieschaltung dupliziert werden, bevor er an die Eingänge des Verstärkers angeschlossen wird. Der Frequenzgang des Filters hängt von der Eingangsimpedanz des Bauteils ab, an welches das Signal von dem Filter geliefert wird. Die Eingangsimpedanz des Verstärkers, der in der Figur gezeigt ist, ist als solche sehr hoch, das heißt in der Größenordnung von Megaohm. Um ein korrektes Funktionieren des Schaltungsaufbaus zu erzielen, der aus dem Filter und dem Verstärker in Serie mit diesem gebildet wird, muss die Eingangsimpedanz des Verstärkers auf einen Wert angepasst werden, der einige Zehner und maximal Hunderter von Ohm beträgt. 50 Ohm wurde für Impedanzen zwischen Funkbauteilen zu einer Art von Standard, in Abhängigkeit von den Details des Filteraufbaus kann jedoch ein geeigneter Wert der Eingangsimpedanz zum Beispiel auch 100 oder 200 Ohm betragen.
  • Eine einfache Art und Weise, die Eingangsimpedanz des Verstärkers gemäß 1 auf 200 Ohm einzustellen, besteht darin, 100 Ohm als den Wert der beiden Vorspannwiderstände Rb auszuwählen. Eine andere gewöhnliche Art und Weise zum Einrichten der Eingangsimpedanz des Verstärkers gemäß 1 besteht darin, dass ein Widerstand mit einem Widerstand gleich der gewünschten Eingangsimpedanz zwischen den Eingängen RF+ und RF– angeschlossen wird. Ein Nachteil dieser Lösungen besteht jedoch darin, dass sie die Rauscheigenschaften des Verstärkers beeinträchtigen können.
  • 2 zeigt eine fortschrittlichere Lösung, die so genannte Kollektorrückkopplung. Bei dieser Lösung wird das Signal, das von den Kollektoren der beiden Verstärkertransistoren Q1 und Q2 abgenommen wird, an die Sockel der zusätzlichen Transistoren Q3 und Q4 geliefert, und das Signal zu den Verstärkerausgängen OUT1 und OUT2 wird an den Sendern der Transistoren Q3 und Q4 abgenommen. Die Transistoren Q3 und Q4 werden mit der Betriebsspannung von der gemeinsamen Betriebsspannungsquelle Vcc versorgt, und die Sender beider Transistoren sind über eine eigene Konstantstromquelle Idiff3 und Idiff4 mit dem Erdpotenzial verbunden. Von dem Sender des Transistors Q3 besteht eine Verbindung über den Rückkopplungswiderstand Rfb und einen Entkopplungskondensator zu dem Sockel des Transistors Q2, und von dem Sender des Transistors Q4 besteht eine ähnliche Verbindung zu dem Sockel des Transistors Q1. Die Eingangsimpedanz kann durch Auswählen der Werte der Rückkopplungswiderstände Rfb in geeigneter Weise beeinflusst werden. Der Schaltungsaufbau gemäß 2 hat im Allgemeinen eine hohe Verstärkung und relativ gute Rauschmerkmale, aber eine schlechte Rückisolation. Das zuletzt erwähnte nachteilige Merkmal bedeutet, dass sich diese Oszillationen, wenn unerwünschte Oszillationen zu dem Ausgang des Verstärkers gekoppelt werden, zum Beispiel von einem Mischer (in der Figur nicht gezeigt), der mit dem Verstärker in Serie geschaltet ist, relativ leicht durch den Verstärker in eine Richtung entgegengesetzt zu der des Signals ausbreiten, und diese Oszillationen können daher von dem Eingang des Verstärkers zu anderen Teilen des Funkgeräts gekoppelt werden und dort Störungen verursachen (zum Beispiel in der Antenne).
  • 3 zeigt eine andere Art und Weise des früheren Stands der Technik, um die Eingangsimpedanz eines Verstärkers anzupassen. Der Schaltungsaufbau ist mit der 1 ähnlich, aber das Eingangsignal wird nicht von den Eingängen RF+ und RF– zu den Sockeln der Transistoren Q1 und Q2 geliefert, sondern zu den Sendern, und die Sockel der Transistoren Q1 und Q2 sind unter einander verbunden, wobei das Vorspannen mit einem Vorspannwiderstand Rb erfolgen kann. Was die Hochfrequenzen betrifft, sind die Sockel der Transistoren Q1 und Q2 über den Entkopplungskondensator mit dem Erdpotenzial verbunden. Die Eingangsimpedanz wird in der Hauptsache von dem Wert der Widerstände in Serie Rin bestimmt. Der Schaltkreis gemäß 3 eignet sich nur für sehr niedrige Werte der Eingangsimpedanzen, denn seine Verstärkung G ist immer kleiner als das Verhältnis der Kollektorwiderstände RC zu den Widerständen in Serie Rin, oder G < RC/Rin. Bei höheren Werten der Eingangsimpedanz verstärkt die Schaltungsanordnung gemäß 3 das Signal nicht ausreichend.
  • Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen Schaltungsaufbau zu präsentieren, mit dem eine gewünschte Eingangsimpedanz eines differenziellen aktiven Bauteils erzielt wird, ohne gleichzeitig andere Merkmale zu beeinträchtigen, wie zum Beispiel die Rückisolation, die Verstärkung, die Rauschmerkmale und den Stromverbrauch.
  • Die Aufgaben der Erfindung werden verwirklicht, indem eine Kreuzrückkopplung zwischen den Transistoren des differenziellen Transistorpaars gebildet wird.
  • Der erfindungsgemäße differenzielle aktive Bauteil, der einen ersten und einen zweiten Transistor umfasst, und dessen differenzieller Eingang einen ersten Eingang und einen zweiten Eingang umfasst, von welchen der erste mit dem Sockel des ersten Transistors und der zweite mit dem Sockel des zweiten Transistors verbunden ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Kreuzrückkopplung zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor besteht.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Funkgerät, das mindestens ein differenzielles aktives Bauteil und ein zweites Bauteil vor diesem in die Richtung der Signalausbreitung gesehen umfasst, wobei der differenzielle Ausgang des zweiten Bauteils eine bestimmte Ausgangsimpedanz hat. Das erfindungsgemäße Funkgerät ist dadurch gekennzeichnet, dass zum Anpassen der Ausgangsimpedanz des differenziellen aktiven Bauteils, so dass sie der Ausgangsimpedanz des Bauteils vor diesem in die Signalausbreitungsrichtung gesehen entspricht, zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor, die in dem differenziellen aktiven Bauteil enthalten sind, eine Kreuzrückkopplung besteht.
  • Die Erfindung verwendet die Tatsache, dass das Signal am ersten Transistor des differenziellen Transistorpaars in der entgegengesetzten Phase im Vergleich zu der des zweiten Transistors ist. Der Sockel des ersten Transistors in dem differenziellen Transistorpaar ist über einen Rückkopplungswiderstand mit dem Sender des zweiten Transistors verbunden, und der Sockel des zweiten Transistors ist entsprechend über einen Rückkopplungswiderstand mit dem Sender des ersten Transistors verbunden. Die Werte der Rückkopplungstransistoren bestimmen die Eingangsimpedanz des Schaltungsaufbaus. Eine hohe Verstärkung wird erzielt, weil sie nicht von den gleichen Widerstandswerten abhängt wie die Eingangsimpedanz, aber sie kann mit Hilfe der Werte des Kollektors und der Senderwiderstände in dem differenziellen Transistorpaar ausgewählt werden. Was die Rauschmerkmale betrifft, ist es bei der Erfindung vorteilhaft, dass der Strom, der durch die Widerstände zum Anpassen der Eingangsimpedanz bei Signalfrequenz läuft, zu dem Ausgang hinzugefügt wird und in dem Anpasswiderstand nicht verloren wird, wie bei Lösungen, bei welchen der Anpasswiderstand direkt zwischen den Eingängen angeschlossen ist. Die Rückisolation ist gut, weil es keine Abkürzung zwischen dem Ausgang und dem Eingang ähnlich wie bei der Lösung gibt, die in 2 gezeigt ist.
  • Die Erfindung wird unten detaillierter unter Bezugnahme auf die bevorzugten Ausführungsformen beschrieben, die als Beispiele präsentiert sind, und auf die anliegenden Figuren, in welchen
  • 1 den grundlegenden Schaltungsaufbau eines differenziellen Verstärkers zeigt,
  • 2 eine bekannte Art des Anpassens der Eingangsimpedanz zeigt,
  • 3 eine weitere bekannte Art des Anpassens der Eingangsimpedanz zeigt,
  • 4 einen erfindungsgemäßen Verstärker zeigt,
  • 5 einen erfindungsgemäßen Mischer zeigt, und
  • 6 ein Beispiel für die Lage der Erfindung in einem Funkgerät zeigt.
  • Oben wurde auf 1 bis 3 in Zusammenhang mit der Beschreibung des früheren Stands der Technik Bezug genommen, während bei der Beschreibung der Erfindung und ihrer bevorzugten Ausführungsformen in der Hauptsache auf 4 bis 6 Bezug genommen wird. Die gleichen Bezugszeichen werden für entsprechende Bauteile in den Figuren verwendet.
  • 4 zeigt einen differenziellen Verstärker 400, bei dem einige Bauteile ähnlich sind wie die des Verstärkers 400 des früheren Stands der Technik, der in 1 gezeigt ist. Der Verstärker 400 hat Eingänge RF+ und RF–, die mit Entkopplungskondensatoren versehen sind, und Ausgänge OUT1 und OUT2. Zwei Transistoren Q1 und Q2 wirken als Verstärkungsbauteile, und die positive Betriebsspannung Vcc wird zu den Kollektoren über Kollektorwiderstände RC geliefert, und ihre Sender sind mit dem Erdpotenzial über Senderwiderstände RE und eine Konstantstromquelle Idiff angeschlossen. In diesem Fall, wie auch bei anderen Schaltungsaufbauten, die in dieser Patentanmeldung präsentiert werden, können die Transistoren Q1 und Q2 bipolare Transistoren, Feldeffekttransistoren oder FET sein, GaAs-FET (Gallium Arsenid-FET), HBT (Heteroübergangseffekttransistoren), HEMT (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit) oder entsprechende Transistoren oder deren Darlingtonpaare. Zusätzlich zu dem Eingangssignal wird über die Vorspannwiderstände Rb zu den Sockeln beider Transistoren Q1 und Q2 eine Vorspannung Vb geliefert, um die Transistoren auf den richtigen Betriebspunkt vorzuspannen. Das Ausgangssignal wird an den Kollektoren der Transistoren Q1 und Q2 abgenommen.
  • Erfindungsgemäß ist der Sender des Transistors Q1 über den Rückkopplungswiderstand Rfb' und den Entkopplungskondensator Cfb' mit dem Sockel des Transistors Q2 verbunden und entsprechend ist der Sender des Transistors Q2 über den Rückkopplungswiderstand Rfb' und den Entkopplungskondensator Cfb' mit dem Sockel des Transistors Q1 gekoppelt. Was die Eingangsimpedanz betrifft, liegen die Rückkopplungstransistoren Rfb' in der gleichen Weise wie die Serienwiderstände Rin in der Lösung, die in 3 dargestellt ist. Es besteht jedoch ein Phasenunterschied von 180 Grad zwischen den Signalen des ersten und des zweiten Transistors in dem Paar differenzieller Transistoren, so dass, um die gleiche Eingangsimpedanz zu erzielen, die Widerstände Rfb' in dem Schaltungsaufbau, der in 4 gezeigt ist, den doppelten Wert verglichen mit dem Wert der Widerstände Rin, die in 3 gezeigt sind, haben müssen (in 4 besteht eine „virtuelle Erde" an dem Mittelpunkt zwischen den zwei Widerständen Rfb'). Die Verstärkung des differenziellen Verstärkers, der in 4 gezeigt ist, wird von dem Verhältnis RC/RE bestimmt. Was die Rauschleistung betrifft, ist es von Vorteil, dass der Strom bei der Signalfrequenz, der durch die Widerstände Rfb' fließt, zu dem Ausgang des Verstärkers hinzugefügt wird. Was die Rückisolation betrifft, ist der Schaltungsaufbau, der in 4 präsentiert wird, der gleichen Größenordnung wie der bekannte Schaltungsaufbau, der in 1 gezeigt ist.
  • Für den Fachmann ist es klar, dass die Eingänge des Schaltungsaufbaus gemäß 4 auch zwischen dem Rückkopplungswiderstand Rfb' und dem Entkopplungskondensator Cfb' verbunden werden können, was in 4 durch gestrichelte Linien gezeigt ist. Bei der Signalfrequenz stellt der Entkopplungskondensator virtuell einen Kurzschluss dar, so dass, was das Signal betrifft, der Punkt zwischen dem Rückkopplungswiderstand Rfb' und dem Entkopplungskondensator Cfb' gleich dem Sockel des Transistors ist. Entkopplungskondensatoren sind an den Eingängen nicht erforderlich, wenn der Bauteil, der an die Eingänge angeschlossen ist, hinsichtlich des Gleichstroms erdfrei ist, und wenn er ein geeignetes Potenzial hinsichtlich des Vorspannens hat; im letzteren Fall sind auch die Vorspannwiderstände Rb nicht erforderlich.
  • Bei dem Schaltungsaufbau, der in 4 gezeigt ist, erzielt man eine gewünschte Kombination der Verstärkung, der Rauschleistung und der Eingangsimpedanz durch Auswählen entsprechender Werte für die Widerstände RC, RE und Rfb' und geeigneter Größen für den Strom der Konstantstromquelle Idiff, für die Betriebsspannung Vcc und für die Vorspannung Vb, zum Beispiel durch Versuche. Die Entkopplungskondensatoren, die in Serie mit den Widerständen Rfb' angeschlossen sind, sind nicht erforderlich, wenn es möglich ist, ein korrektes Vorspannen für die Transistoren Q1 und Q2 in irgendeiner anderen Art und Weise zu erzielen. An Stelle der Widerstände Rfb' kann man andere Bauteile mit einer Impedanz verwenden, die im Wesentlichen nur einen Widerstand bei den verwendeten Frequenzen umfassen. Ein induktiver oder kapazitiver Blindwiderstand in der Rückkopplung zwischen dem differenziellen Transistorpaar würde bewirken, dass die Eingangsimpedanz des Verstärkers stark von der Frequenz abhängt.
  • 5 zeigt einen erfindungsgemäßen Mischer 500, der ein Hochfrequenzsignal mit der Zwischenfrequenz mischen soll. Der untere Teil der Figur hat eine Schaltungstopologie, die dem erfindungsgemäßen Verstärker ähnlich ist. Ein Hochfrequenzsignal wird über die Eingänge RF+ und RF– zu den Sockeln der Transistoren Q1 und Q2 geliefert und über die erfindungsgemäßen Kreuzrückkopplungen Rfb' auch zu den Sendern der Transistoren, die mit dem Erdpotenzial über die Konstantstromquelle Idiff verbunden sind. Das Vorspannen der Transistoren Q1 und Q2 erfolgt wie üblich mit der Vorspannung VbiasRF durch die Widerstände Rb1. Die Kollektoren der beiden Transistoren Q1 und Q2 sind mit den Sendern ihrer eigenen differenziellen Transistorenpaare Q5/Q6 und Q7/Q8 verbunden. Das lokale Oszillatorsignal wird über die Eingänge LO+ und LO– und die über Entkopplungskondensatoren geliefert, welche mit den Eingängen, den Sockeln der differenziellen Transistorpaare verbunden sind, so dass der Eingang LO+ mit den Sockeln der Transistoren Q6 und Q7 und der Eingang LO– mit den Sockeln der Transistoren Q5 und Q8 verbunden ist. Das Vorspannen der differenziellen Transistorpaare erfolgt mit der Vorspannung VbiasLO über die Widerstände Rb2. Die Betriebsspannung Vcc wird durch die Widerstände RC zu den Kollektoren aller Transistoren Q5 – Q8 geliefert. An die Ausgänge IFOUT+ und IFOUT– wird das Ausgangssignal geliefert, so dass das Signal zu dem Ausgang IFOUT+ an den Kollektoren der Transistoren Q5 und Q7 und der Ausgang IFOUT– an den Kollektoren der Transistoren Q6 und Q8 abgenommen wird.
  • In dem in 5 gezeigten Mischer wird die Eingangsimpedanz des differenziellen Radiofrequenzeingangs erfindungsgemäß durch die Werte der Widerstände Rfb' in gleicher Weise bestimmt wie die Eingangsimpedanz des erfindungsgemäßen Verstärkers, der in 4 gezeigt ist. Die Eingänge können auch zwischen den Rückkopplungswiderständen Rfb' und den Entkopplungskondensatoren Cfb', die an diese angeschlossen sind, angeschlossen werden, was durch gestrichelte Linien gezeigt ist.
  • 6 zeigt einen Teil eines Funkgeräts mit einer Antenne ANT und einem Duplexfilter DPLX, das daran angeschlossen ist, wobei das Filter funktioniert, um die Signale, die von der Antenne mit der Empfangsfrequenz empfangen werden, zu dem Empfangsteil des Funksgeräts zu lenken, und die Übertragungsfrequenzsignale, die von dem Übertragungsteil des Funksgeräts erzeugt werden, zu der Antenne. Der Übertragungsteil des Funkgeräts kann gemäß dem früheren Stand der Technik beschaffen sein, und in der Figur ist er nur durch den Leistungsverstärker PA dargestellt, wobei die gestrichelte Linie von rechts her alle anderen bekannten Teile des Übertragungsteils des Funkgeräts darstellt. In dem Empfangsteil des ersten Bauteils befindet sich ein rauscharmer Verstärker LNA, der bei der in der Figur gezeigten Ausführungsform ein als solcher bekannter Verstärker des früheren Stands der Technik ist. Sein Ausgang kann ein einpoliger oder ein differenzieller Ausgang sein, der in der Figur durch eine zweite Verbindung dargestellt ist, die in einer gestrichelten Linie zu dem Filter nach dem rauscharmen Verstärker LNA eingezeichnet ist. In der Figur wird angenommen, dass der Ausgang des Filters 601 differenziell ist, wobei der Verstärker 602 nach dem Filter ein erfindungsgemäßer Verstärker sein kann. In gleicher Weise kann der Mischer 603 ein erfindungsgemäßer Mischer sein, mit dem das Hochfrequenzsignal, das sich in dem Empfangsteil ausbreitet, mit der Zwischenfrequenz gemischt wird, die von dem lokalen Oszillator LO bestimmt wird. Das Zwischenfrequenzsignal des Mischers 603 wird zu den anderen als solche bekannten Teilen des Empfangsteils des Funkgeräts geliefert, was in der Figur durch die gestrichelten Linien, die nach rechts laufen, dargestellt ist.
  • 6 schränkt die Anwendung der Erfindung nicht auf ein Funkgerät ein, die Erfindung kann auch auf andere Teile des Funkgeräts angewandt werden, in welchen ein bestimmter aktiver Bauteil einen differenziellen Eingang hat. Dank der Erfindung besteht keine Notwendigkeit, getrennte Schaltungsaufbauten zum Impedanzanpassen in dem Funkgerät zwischen dem differenziellen aktiven Bauteil und dem Bauteil vor ihm zu verwenden, was an Raum und Herstellungskosten spart. Dank der Erfindung ist die Rauschleistung des Funkgeräts ferner besser, und der Stromverbrauch ist geringer als bei Funkgeräten des früheren Stands der Technik.

Claims (10)

  1. Aktiver Bauteil (400, 500) eines Funkgeräts, wobei das aktive Bauteil einen ersten Transistor (Q1) und einen zweiten Transistor (Q2) umfasst und sein differenzieller Eingang einen ersten Eingang (RF+) und einen zweiten Eingang (RF–) umfasst, von welchen der erste Eingang die Signalfrequenz hat, die an dem Sockel des ersten Transistors (Q1) angeschlossen ist, und der zweite Eingang die Signalfrequenz hat, die an den Sockel des zweiten Transistors (Q2) angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Transistor (Q1) und dem zweiten Transistor (Q2) eine Kreuzrückkopplung (Rfb') besteht, so dass – der erste Transistor (Q1) eingerichtet ist, um einen ersten Verstärkungsbauteil zu bilden, – der zweite Transistor (Q2) eingerichtet ist, um einen zweiten Verstärkungsbauteil zu bilden, – von einem anderen Anschluss des ersten Verstärkungsbauteils als dem Sockel des ersten Transistors (Q1) eine Rückkopplungsverbindung zu dem zweiten Eingang besteht, und – von einem anderen Anschluss des zweiten Verstärkungsbauteils als dem Sockel des zweiten Transistors (Q2) eine Rückkopplungsverbindung zu dem ersten Eingang besteht.
  2. Aktiver Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Sender des ersten Transistors (Q1) mit dem Sockel des zweiten Transistors (Q2) verbunden ist, und dass der Sender des zweiten Transistors (Q2) mit dem Sockel des ersten Transistors (Q1) verbunden ist.
  3. Aktiver Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen dem Sender des ersten Transistors (Q1) und dem Sockel des zweiten Transistors (Q2) einen ersten Widerstand (Rfb') umfasst, und dass die Verbindung zwischen dem Sender des zweiten Transistors (Q2) und dem Sockel des ersten Transistors (Q1) einen zweiten Widerstand (Rfb') mit einem Widerstand umfasst, der dem Widerstand des ersten Widerstands entspricht.
  4. Aktiver Bauteil nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung zwischen dem Sender des ersten Transistors (Q1) und dem Sockel des zweiten Transistors (Q2) ferner einen ersten Kondensator umfasst, der in Serie mit dem ersten Widerstand (Rfb') verbunden ist, und dass die Verbindung zwischen dem Sender des zweiten Transistors (Q2) und dem Sockel des ersten Transistors (Q1) ferner einen zweiten Kondensator umfasst, der in Serie mit dem zweiten Widerstand (Rfb') geschaltet ist.
  5. Aktiver Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er ein Verstärker (400) ist.
  6. Aktiver Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass er ein Mischer (500) ist.
  7. Funkgerät (600), das einen aktiven Bauteil nach Anspruch 1 umfasst.
  8. Funkgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass, um das Kreuzrückkoppeln zu bilden, der Sender des ersten Transistors mit dem Sockel des zweiten Transistors verbunden ist, und der Sender des zweiten Transistors mit dem Sockel des ersten Transistors verbunden ist.
  9. Funkgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der differenzielle aktive Bauteil ein Verstärker (602) ist, und dass der Bauteil vor ihm in die Signalausbreitungsrichtung gesehen ein Filter (601) ist.
  10. Funkgerät nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der differenzielle aktive Bauteil ein Mischer (603) ist, und dass der Bauteil vor ihm in die Signalausbreitungsrichtung gesehen ein Verstärker (602) ist.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6424194B1 (en) * 1999-06-28 2002-07-23 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS logic family
US6897697B2 (en) * 1999-06-28 2005-05-24 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS circuit using higher voltage supply in low voltage CMOS process
US6340899B1 (en) 2000-02-24 2002-01-22 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS circuits with inductive broadbanding
JP3372923B2 (ja) * 2000-02-25 2003-02-04 エヌイーシーマイクロシステム株式会社 半導体集積回路
US6871057B2 (en) 2000-03-08 2005-03-22 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Mixer circuit
DE60123953T2 (de) * 2000-06-13 2007-07-05 California Institute Of Technology, Pasadena Techniken zur verbesserung der verstärkung in einer quasi-optischen matrix
FR2814607B1 (fr) 2000-09-26 2003-02-07 St Microelectronics Sa Polarisation d'un melangeur
US6404281B1 (en) * 2000-11-14 2002-06-11 Sirenza Microdevices, Inc. Wide dynamic range transimpedance amplifier
WO2002058228A1 (en) * 2001-01-18 2002-07-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Rf circuit with capacitive active impedance
US7212534B2 (en) 2001-07-23 2007-05-01 Broadcom Corporation Flow based congestion control
EP1296446A1 (de) * 2001-09-25 2003-03-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Gegentakt-Mischer unter Verwendung von bipolaren Transistoren
US7295555B2 (en) 2002-03-08 2007-11-13 Broadcom Corporation System and method for identifying upper layer protocol message boundaries
US7672659B2 (en) 2002-04-04 2010-03-02 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Mixer with feedback
US7054609B2 (en) * 2002-04-04 2006-05-30 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Linearity improvement of Gilbert mixers
US7346701B2 (en) 2002-08-30 2008-03-18 Broadcom Corporation System and method for TCP offload
US7934021B2 (en) 2002-08-29 2011-04-26 Broadcom Corporation System and method for network interfacing
US7313623B2 (en) 2002-08-30 2007-12-25 Broadcom Corporation System and method for TCP/IP offload independent of bandwidth delay product
EP1554842A4 (de) 2002-08-30 2010-01-27 Corporation Broadcom System und verfahren zum behandeln von ausserhalb der reihenfolge auftretenden rahmen
US8180928B2 (en) 2002-08-30 2012-05-15 Broadcom Corporation Method and system for supporting read operations with CRC for iSCSI and iSCSI chimney
EP1480333A3 (de) * 2003-05-22 2006-05-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Differentieller Hochfrequenzverstärker, differentieller Mischer, differentieller Oszillator und Hochfrequenzschaltung, welche diese verwendet
WO2006032932A1 (en) * 2004-09-20 2006-03-30 Frontier Silicon Limited Rf input stage for low noise amplifier or mixer
DE602006020428D1 (de) * 2005-04-14 2011-04-14 Nxp Bv Mischerschaltung
US8319562B2 (en) * 2009-08-26 2012-11-27 Qualcomm Incorporated System and method for amplifying a signal using multiple amplification stages sharing a common bias current
CN201663584U (zh) * 2010-04-06 2010-12-01 四川和芯微电子股份有限公司 前置均衡放大电路
CN104052418A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 华为技术有限公司 跨导电路和混频器
US11595069B2 (en) 2021-07-14 2023-02-28 Apple Inc. Transimpedance amplifier (TIA) with tunable input resistance

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4146844A (en) * 1977-10-31 1979-03-27 Tektronix, Inc. Feed-forward amplifier
US4476440A (en) 1981-09-28 1984-10-09 Medtronic, Inc. Cross coupled amplifier
US4517524A (en) 1983-07-01 1985-05-14 Motorola, Inc. High frequency operational amplifier
US4774475A (en) * 1987-12-07 1988-09-27 Tektronix, Inc. Linearized differential fT doubler amplifier
US4902984A (en) * 1988-12-23 1990-02-20 Raytheon Company Differential amplifier
US5241284A (en) 1990-02-16 1993-08-31 Nokia Mobile Phones Ltd. Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter
JP2634935B2 (ja) 1990-08-31 1997-07-30 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 差動型入力回路
EP0587265A1 (de) 1992-08-07 1994-03-16 National Semiconductor Corporation Kreuzgekoppelter Operationsverstärker mit reduzierter Eingangstranskonduktanz
EP0660512B1 (de) * 1993-12-22 1999-12-08 Philips Composants Et Semiconducteurs Phasenschiebverstärker und seine Verwendung in einer Zusammenführungsschaltung
US5399988A (en) * 1994-01-14 1995-03-21 Tektronix, Inc. FT doubler amplifier
EP0697150B1 (de) * 1994-03-07 1999-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Einstellbare widerstandsvorrichtung mit regelschaltung
FI97925C (fi) 1994-06-21 1997-03-10 Nokia Mobile Phones Ltd Virityslineaarisuudeltaan parannettu jänniteohjattu oskillaattori
US5734294A (en) * 1996-02-15 1998-03-31 Raytheon Company Large swing wide band high order programmable active filters
US6100758A (en) * 1998-12-09 2000-08-08 Ericsson Inc. Low noise resistively matched amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
EP0942526A1 (de) 1999-09-15
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FI980546A (fi) 1999-09-12
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