DE69902633T2 - Verfahren zur herstellung einer photoaktiven verbindung und diese verbindung enthaltender photoresist - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer photoaktiven verbindung und diese verbindung enthaltender photoresist

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Description

  • Photoresists sind Materialien, deren Löslichkeit in einer Entwicklerlösung nach Belichtung mit einer aktinischen Strahlung, zum Beispiel mit UV-Strahlen, Elektronen- oder Ionenstrahlen, Laser- oder Röntgenstrahlen, eine Veränderung erfährt.
  • Photoresistzubereitungen bestehen aus einer photoaktiven Verbindung, einem filmbildenden polymeren Harz und einem Lösungsmittel. Die Photoresistzubereitung wird auf einen mit dem Bildmuster zu strukturierenden Träger aufgebracht. Anschließend wird das Lösungsmittel zum Beispiel durch Wärme entfernt, so daß das Photoresist als dünner Film auf dem Träger verbleibt. Wird das Photoresist einer Strahlung ausgesetzt, so liegen in den belichteten und den unbelichteten (mit einer Maske abgedeckten) Bereichen des Photoresistfilms unterschiedliche Löslichkeitsverhältnisse vor, so daß nach der Entwicklung ein Reliefmuster auf dem Träger entsteht. Photoresists, deren belichtete Bereiche in der Entwicklerlösung leichter löslich sind, werden als "positive" Photoresists bezeichnet. Bei "negativen" Photoresists werden die belichteten Bereiche hingegen weniger löslich. Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Gruppe von photoaktiven Verbindungen, die sich für Photoresistzubereitungen eignen.
  • Positive Photoresistfilme können aus einem in wäßrigem Alkali löslichen Harz, zum Beispiel aus einem Novolakharz oder einem Poly(hydroxystyrol) und einer photoaktiven Verbindung bestehen. Die Herstellung positiver Photoresistzubereitungen, wie sie in den US-Patenten Nr. 3,666,473, 4,115,128 und 4,173,470 beschrieben werden, ist in Fachkreisen bekannt. Solche Zubereitungen bestehen zum Beispiel aus wasserunlöslichen, in wäßrigem Alkali löslichen Phenolformaldehyd-Novolakharzen in Verbindung mit lichtempfindlichen Materialien, gewöhnlich einem substituierten Naphthochinondiazid. Harz und photoaktive Verbindung werden aus einem organischen Lösungsmittel oder einem Lösungsmittelgemisch auf einen Träger, zum Beispiel einen Siliciumwafer oder eine verchromte Glasplatte aufgeschleudert, aufgesprüht oder durch ein anderes geeignetes Verfahren aufgebracht. Zur Herstellung positiver Photoresists kommen normalerweise wäßrig-alkalische Lösungen, zum Beispiel von Natriummetasilicat, Kaliumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid und Ammoniumhydroxid als Entwickler zur Anwendung. Durch den Entwickler werden die dem Licht oder einer anderen Form von Strahlung ausgesetzten Bereiche des aufgebrachten Photoresistfilms entfernt, so daß in diesem Film ein strukturiertes Bildmuster entsteht.
  • Das Aufbringen eines lichtempfindlichen Films auf Träger verschiedener Art stellt einen wichtigen Schritt bei der Herstellung integrierter Schaltkreise dar. Bei den Trägem handelt es sich gewöhnlich um Siliciumwafer, die eine dünne Oxidbeschichtung besitzen oder mit einem anderen Material beschichtet sein können, zum Beispiel mit Siliciumnitrid oder Aluminium. Mit Hilfe dieses lichtempfindlichen Films wird der Träger in einer Reihe von Arbeitsgängen strukturiert. Zu diesen Arbeitsgängen gehören die Belichtung (durch eine Bildmaske), die Entwicklung zur Herstellung eines Bildmusters in der Photoresistschicht und die Verätzung des Trägers zur Übertragung dieser Struktur auf das Trägermaterial. Die genaue Reproduktion der Maskenvorlage im Ätzbild des Trägers ist von großer Bedeutung. Um diesen hohen Genauigkeitsgrad zu erreichen, muß die Maskenvorlage durch die Photoresistschicht gut aufgelöst werden. Für den gewerblichen Gebrauch wichtige Merkmale von Photoresistzubereitungen sind unter anderem Lichtempfindlichkeit, Kontrast, Auflösung (Bildrandschärfe), Wärmebeständigkeit der Abbildung bei der Verarbeitung, Entwicklungsspielraum, Einhaltung der Linienbreite, saubere Entwicklung und Filmverlust in den nicht belichteten Bereichen.
  • Entscheidend ist nicht nur das Leistungsvermögen des Photoresists, sondern auch seine Qualität, insbesondere seine Reinheit und Konsistenz. Sowohl lösliche als auch unlösliche Verunreinigungen führen bei der Herstellung integrierter Schaltkreise zu einer Verminderung der Ausbeute. Manche Verunreinigungen stammen aus der Synthese der photoaktiven Verbindung. Für die Synthese photoaktiver Verbindungen, vor allem von Verbindungen, die durch eine Veresterungsreaktion zwischen einer Hydroxy-haltigen und einer Halogenidhaltigen Verbindung entstehen, ist zur Steuerung der Veresterungsreaktion eine basische Komponente erforderlich. In Fachkreisen kommen zur Steuerung der Reaktion zwischen Phenolen und Diazonaphthochinonsulfonylchloriden in Anwesenheit eines Lösungsmittels weitgehend lösliche organische Amine wie 1,4-Diazabicyclo-[2,2,2]-octan, N- Methylmorpholin, Triethylamin oder Diethanolamin zur Anwendung. Um die für hochauflösende Photoresists erwünschten, hohen Veresterungsgrade zu erreichen setzt man das Amin in Mengen über l Äquivalent ein. Diese Amine bilden Salze, in der Regel Chloridsalze, die sich nur schwer entfernen lassen und zur Entstehung unlöslicher Partikel im Photoresistfilm führen können.
  • JP-A-63 236031 bezieht sich auf die Herstellung eines strahlungsempfindlichen Harzes, das durch Kondensation eines in Alkali löslichen, Hydroxygruppen enthaltenden Harzes und eines 1,2-Chinondiazidsulfonyl-Halogenids in Anwesenheit eines Anionenaustauscherharzes oder von überschüssigem Triethylamin synthetisiert wird.
    • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung hochreiner, photoaktiver Esterverbindungen, bei dem eine Verbindung, die mindestens eine Hydroxygruppe enthält, mit einer Verbindung, die mindestens eine Halogenidgruppe enthält, in Anwesenheit eines festen, basischen Katalysators und in einem Lösungsmittelmedium umgesetzt wird. Bei dem festen, basischen Katalysator kann es sich um ein Anionenaustauscherharz handeln. Dem Reaktionsgemisch wird ein lösliches, organisches Amin in einer Menge unter 1 Äquivalent zugesetzt, bevorzugt unter 0,3 Äquivalent und mehr bevorzugt unter 0,2 Äquivalent, bezogen auf die Chloridkonzentration. Die Konzentration der Chloridkontamination in der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten photoaktiven Verbindung liegt bevorzugt unter 100 ppm, mehr bevorzugt unter 50 ppm, noch mehr bevorzugt unter 25 ppm und am meisten bevorzugt unter 10 ppm. Die photoaktive Verbindung ist bevorzugt ein Produkt der Reaktion zwischen einer Multihydroxyphenolverbindung und einem Diazonaphthochinonsulfonylchlorid.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung einer lichtempfindlichen Zubereitung, die aus einem filmbildenden Harz, einem Lösungsmittel und einer hochreinen, photoaktiven Verbindung besteht, welche durch Umsetzung einer mindestens eine Hydroxygruppe enthaltenden Verbindung mit einer mindestens eine Halogenidgruppe enthaltenden Verbindung in Anwesenheit eines festen, basischen Katalysators und in einem Lösungsmittelmedium hergestellt wird. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung einer Abbildung auf einem Träger unter Verwendung einer solchen lichtempfindlichen Zubereitung, gemäß Anspruch 20.
    • BESCHREIBUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer photoaktiven Esterverbindung, das aus folgenden Schritten besteht: Umsetzung einer Verbindung, die mindestens eine Hydroxygruppe enthält, mit einer Verbindung, die mindestens eine Halogenidgruppe enthält, in Anwesenheit eines festen, basischen Katalysators und in einem Lösungsmittelmedium, wobei der feste, basische Katalysator in der Lösungsmittelzubereitung nicht löslich ist und von weniger als l Äquivalent eines organischen Amins, bezogen auf die Halogenidverbindung, wobei das organische Amin im Lösungsmittelmedium löslich ist; Beseitigung des festen, basischen Katalysators und Abtrennung der Esterverbindung.
  • Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung und Abbildung einer lichtempfindlichen Zubereitung, die aus einem filmbildenden Harz und aus einer gemäß den obigen Angaben hergestellten, photoaktiven Esterverbindung besteht. Das organische, lösliche Amin kann in dem Reaktionsgemisch in einer Konzentration unter 0,3 Äquivalent enthalten sein.
  • Eine lichtempfindliche Zubereitung besteht gewöhnlich aus einem, in Alkali löslichen, filmbildenden Harz, einer photoaktiven Verbindung und einem Lösungsmittel. Bei den in lichtempfindlichen Zubereitungen verwendeten Harzen kann es sich um Novolakpolymere oder Poly(hydroxystyrol)polymere handeln. Wie zum Beispiel aus Kapital 4 in "Chemistry and Application of Phenolic Resins", Knop, A. und Scheib, W.; Springer Verlag, New York 1979 hervorgeht, finden Novolakharze bei der Herstellung von Photoresists weitgehend Verwendung. Auch photoaktive Verbindungen wie o-Chinondiazide sind in Fachkreisen gut bekannt, wie aus Kapitel 7.4 in "Light Sensitive System", Kosar, J.; John Wiley & Sons, New York 1965 zu ersehen ist. Normalerweise werden in positiven Photoresists verwendete, lichtempfindliche Diazide durch Umsetzung von Hydroxy-haltigen Verbindungen, die als Ballastverbindungen bekannt sind, mit 2,1-Diazonaphthochinonsulfonylchloriden hergestellt. Solche Ballastverbindungen sind in Fachkreisen bekannt und werden in den hier durch Bezugnahme aufgenommenen US-Patenten Nr. 4,588,670, 4,853,315, 5,501,936, 5,532,107 und 5,541,033 beschrieben. Zur Steuerung der Veresterungsreaktion zwischen der Hydroxyverbindung und dem 2,1-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid ist eine Base erforderlich. Zur Vermeidung metallischer Verunreinigungen in der photoaktiven Verbindung werden zur Zeit an Stelle von Metallcarbonaten organische Amine als Base zur Beschleunigung der Veresterungsreaktion verwendet. Nach dem neuesten Stand der Technik kommen in organischen Lösungsmitteln wie 1,4-Diazabicyclo-[2,2,2]-octan, N- Methylmorpholin, Triethylamin und Diethanolamin lösliche Amine zur Anwendung. Es zeigte sich jedoch, daß das Amin bei der Reaktion in größeren, nicht katalytisch wirksamen Mengen verwendet werden muß. Es wird angenommen, dass das Amin mit dem bei der Veresterungsreaktion entstehenden Chlorid reagiert und das Chloridsalz bildet, so daß es verbraucht wird und sich nicht regeneriert, um als Katalysator zu wirken. (Die Antragsteller möchten aber diese Theorie nicht vorbehaltlos übernehmen.) Daher muß bei der Umsetzung einer ein Hydroxyl enthaltenden Verbindung mit einer chloridhaltigen Verbindung mindestens eine äquimolare Menge des Amins Verwendung finden. Ist jedoch ein hoher Veresterungsgrad erforderlich - das heißt, wenn wie üblich mehr als 60% der Hydroxygruppen mit 2,1- Diazonaphthochinonsulfonylchlorid umgesetzt werden - entsteht das Aminochlorid in erheblichen Mengen, was zu unzulässig hohen Chloridkonzentrationen in den Photoresistfilmen führt. Photoaktive Verbindungen mit hohen Veresterungsgraden werden oft gewünscht, weil sie bekanntlich besser auflösende Photoresists ergeben. Das dabei entstehende Salz muß aus dem Reaktionsprodukt entfernt werden, weil solche Salze bekanntlich Probleme durch Verunreinigung des Photoresistfilms hervorrufen können. Gewöhnlich werden diese Salze durch Waschen der photoaktiven Verbindung mit einer wäßrigen Lösung beseitigt. Zur Herabsetzung der Salzkonzentration sind oft mehrere Waschvorgänge erforderlich. Trotz dieser Waschvorgänge lassen sich die Chloridkonzentrationen im Photoresistfilm nicht auf die von der Industrie gewünschte Höhe -- < 100 ppm, bevorzugt < 50 ppm, bevorzugt < 10 ppm - herabsetzen. Auch freie Aminrückstände können den photolytischen Mechanismus der photoaktiven Verbindung im Photoresistfilm behindern. Eine Reduzierung oder Ausschaltung organischer, löslicher Amine bei der Synthese photoaktiver Verbindungen ist also unbedingt erforderlich.
  • In der vorliegenden Erfindung wird ein Veresterungsverfahren zur Bildung einer photoaktiven Esterverbindung beschrieben, wobei ein festes, basisches Harz, zum Beispiel ein Anionenaustauscherharz, das sich im Reaktionsmedium nicht löst, als unlösliche Base zur Beschleunigung der Reaktion zwischen einer Hydroxy-haltigen und einer Halogenidhaltigen Verbindung Verwendung findet. Das feste, basische Harz bietet die basische Grundlage für die Beschleunigung der Veresterungsreaktion. Ferner zeigte sich, daß die Verwendung des festen Katalysators auch zu einer Herabsetzung der Chloridkonzentrationen führt. Nach Abschluß der Reaktion wird das feste Harz entfernt, bevorzugt ausgefiltert, und fast das gesamte Halogenid kann aus der photoaktiven Verbindung beseitigt werden. Damit wird in der vorliegenden Erfindung eine einzigartige Methode der Verwendung des Anionenaustauscherharzes für die Schaffung einer basischen Reaktionsgrundlage zur Steuerung der Veresterungsreaktion und gleichzeitig für ein Verfahren zur Verminderung von Verunreinigungen in der photoaktiven Verbindung beschrieben. Dies führt zu einer kosteneffektiven Methode zur Herstellung der photoaktiven Verbindung und zur Beseitigung möglicher Quellen von Verunreinigungen im Veresterungsprodukt.
  • Erfindungsgemäß wird der Lösung der Reaktanten eine geringe Menge eines in der organischen Lösungsmittelzubereitung der Reaktion löslichen, organischen Amins zusammen mit einem festen, basischen Katalysator, zum Beispiel einem Anionenaustauscherharz, zugesetzt. Zu den Beispielen für solche organische Amine gehören unter anderem 1,4- Diazabicyclo-[2,2,2]-octan, N-Methylmorpholin, Triethylamin und Diethanolamin. Durch dieses neuartige Verfahren kommt es zu einem hohen Veresterungsgrad, ohne daß das Aminsalz in zu hohen Mengen gebildet wird. Das Amin kann in Konzentrationen unter 0,3 Äquivalent, bevorzugt unter 0,2 Äquivalent verwendet werden, bezogen auf die Chloridgruppe. Die zu verwendende Menge des festen, basischen Katalysators hängt von der Zusammensetzung der Reaktanten, der Art des Lösungsmittels (der Lösungsmittel) und vom Veresterungsgrad ab.
  • Die erfindungsgemäßen, photoaktiven Verbindungen werden durch Veresterung der Hydroxyverbindung mit der Diazoverbindung hergestellt. Die Ballastverbindung kann eine oder mehrere Hydroxygruppen enthalten. Bevorzugt hängen diese Hydroxygruppen an einer Phenylkomponente, aber auch eine aliphatische Komponente liegt innerhalb des Bereichs dieser Erfindung. Zu den Beispielen für solche Verbindungen gehören unter anderem 2,3,4- Trihydroxybenzophenon, 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, Cumylphenon, Trishydroxyphenylalkan, Oligomere substituierter Phenole und Formaldehyd, 4,8- Dihydroxymethyltricyclo(5.2.1.0)decan und andere, in Fachkreisen bekannte Verbindungen.
  • In der Regel kommen 2,1-Diazonaphthochinonsulfonylchloride zur Anwendung. Spezifische Beispiele sind 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchloride, 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchloride, 2,1,6-Diazonaphthochinonsulfonylchloride und Gemische dieser Substanzen. Auch andere Diazochloride kommen in Betracht, zum Beispiel die in den hier aufgeführten US- Patentanträgen Nr. 08/813,167, eingereicht am 7. März 1997, und 08/812,542, eingereicht am 7. März 1997, beschriebenen Substanzen wie 3,Diazo,2,4-Chinolinsulfonylchlorid und 3,Diazo,4-oxocumarinsulfonylchlorid usw.
  • Die Bildung einer photoaktiven Esterverbindung durch Umsetzung einer 2,1-Diazonaphthochinonsäure und einer Ballastverbindung, die mindestens eine Halogenidgruppe enthält, fällt ebenfalls in den Bereich der vorliegenden Erfindung. Wie oben beschrieben, kann die Veresterungsreaktion in einem Lösungsmittelmedium in Anwesenheit eines festen, basischen Katalysators stattfinden, wahlweise mit weniger als 0,3 Äquivalent eines organischen, löslichen Amins.
  • Die Veresterungsreaktion wird in einem organischen Lösungsmittelmedium durchgeführt. Als Lösungsmittel kommen Verbindungen in Betracht, in denen sich die Reaktanten, das organische Amin und andere Komponenten lösen lassen, nicht aber der feste Ionenaustauscherkatalysator. Beispiele für solche Lösungsmittel sind unter anderem Butyrolacton, Aceton, Propylenglycolmonomethylether, Dioxan, Tetrahydrofuran und Gemische dieser Substanzen.
  • Ein Beispiel für einen festen, basischen Katalysator ist das im Handel erhältliche Anionenaustauscherharz Amberiyst® 21 oder Amberiyst® 26. Diese Harze müssen einen entsprechenden Reinheitsgrad aufweisen, so daß die meist ionischen Verunreinigungen nicht wieder in das Reaktionsgemisch gelangen. Manchmal müssen Ionenaustauscherharze zur weitgehenden Beseitigung von Verunreinigungen mehreren Waschungen mit einer wäßrigen Lösung und/oder einem Lösungsmittel unterzogen werden. Die Behandlung des Ionenaustauscherharzes kann gemäß den Angaben im hier aufgeführten US-Patent 5,543,263 und im US-Patentantrag mit der laufenden Nummer 294,453 erfolgen. Das feste Harz wird in Mengen zugesetzt, mit denen sich die Reaktion deutlich beschleunigen läßt und die eine Entfernung des Halogenids herbeiführen, bevorzugt in einer 1-3mal höheren Konzentration als das Halogenid, mehr bevorzugt in einer 1-2mal höheren Konzentration als das Halogenid. Ferner wurde festgestellt, daß die Verwendung des festen, anionischen Katalysators im Vergleich zu Verfahren ohne diesen Katalysator eine Verminderung der ionischen Verunreinigungen mit sich bringt.
  • Die Reaktionsbedingungen wie Temperatur, Zeit und Konzentration der einzelnen Bestandteile sind so zu wählen, daß ein photoaktives Produkt mit dem gewünschten Veresterungs- und Reinheitsgrad entsteht. Die Temperatur wird gewöhnlich unter 45ºC, bevorzugt unter 30ºC gehalten. Nach Abschluß der Veresterungsreaktion wird der feste Katalysator abfiltriert, und das Veresterungsprodukt wird gewaschen und im Vakuum getrocknet, bevorzugt bei 35-40ºC. Wahlweise kann nach Entfernung des festen Katalysators zum Löschen der Reaktion eine Säure zugesetzt werden, und zwar eine in einem Lösungsmittel lösliche Säure wie Eisessig oder ein festes, Kationenaustauscherharz wie Amberlyst® 15. Die Behandlung mit dem festen Kationenaustauscherharz hat den weiteren Vorteil, daß es durch einfaches Abfiltrieren vollständig entfernt werden kann.
  • Nach Entstehung des photoaktiven Esters kann dieser mit jedem bekannten Verfahren abgetrennt werden, zum Beispiel durch Ausfällung aus einer kalten, wäßrigen Methanollösung. Der photoaktive Ester kann dann mit Wasser gewaschen und getrocknet werden, wobei eine hochreine, photoaktive Verbindung entsteht, die sich in ein Photoresist verarbeiten läßt.
  • Zur Herstellung der erfindungsgemäßen, neuartigen, lichtempfindlichen Zubereitung stellt man ein Gemisch aus einem filmbildenden Harz, aus der nach der hier beschriebenen Methode gewonnenen, hochreinen, photoaktiven Verbindung und aus einer Photoresistlösungsmittelzubereitung her. Als filmbildendes Harz kommen Novolakharze, Polyhydroxystyrole und andere, in Fachkreisen bekannte Verbindungen in Betracht.
  • Zu den geeigneten Lösungsmitteln für lichtempfindliche Zubereitungen gehören Propylenglycolmonoalkylether, Propylenglycolalkyl (z. B. methyl)etheracetat, Ethyl-3- ethoxypropionat, Ethyllactat, Gemische aus Ethyl-3-ethoxypropionat und Ethyllactat, 2- Heptanon, 3-Methoxy-3-methylbutanol, Butylacetat, Anisol, Xylol, Diglyme, Ethylenglycolmonoethyletheracetat oder Gemische dieser Substanzen. Propylenglycolmethyletheracetat (PGMEA), Ethyllactat, 2-Heptanon, Anisol, Ethyl-3- ethoxypropionat (EEP) und 3-Methoxy-3-methylbutanol werden als Lösungsmittel bevorzugt.
  • In einer bevorzugten Ausführung besteht der Feststoffanteil der Photoresistzubereitung -Novolakharz und Diazonaphthochinon - bevorzugt aus 15 bis ca. 99% Harz und ca. 1% bis ca. 85% Diazonaphthochinon. Ein mehr bevorzugter Anteil für das Harz ist der Bereich von ca. 50 bis ca. 90 Gewichtsprozent. Am meisten bevorzugt ist ein Harzanteil von ca. 65 bis ca. 85 Gewichtsprozent, bezogen auf den Feststoffgehalt des Photoresists. Ein mehr bevorzugter Anteil für das Diazonaphthochinon ist der Bereich von ca. 10 bis ca. 50 Gewichtsprozent. Am meisten bevorzugt ist ein Diazonaphthochinonanteil von ca. 15 bis ca. 35 Gewichtsprozent, bezogen auf den Feststoffgehalt des Photoresists. Zur Herstellung der Photoresistzubereitung werden das Harz und das Diazonaphthochinon mit dem Lösungsmittel gemischt, so daß das Lösungsmittelgemisch in einer Menge von ca. 40 bis ca. 90 Gewichtsprozent vorliegt, bezogen auf die gesamte Photoresistzubereitung. Ein mehr bevorzugter Bereich ist ca. 60 bis ca. 83 Gewichtsprozent, der am meisten bevorzugte Bereich beträgt ca. 65 bis ca. 70 Gewichtsprozent, bezogen auf die gesamte Photoresistzubereitung.
  • Additive wie Farbstoffe, nicht aktinische Färbemittel, Mittel gegen Schlierenbildung, Weichmacher, Haftverstärker, Beschichtungshilfsmittel, Entwicklungsbeschleuniger und Tenside können der Lösung aus Harz, der photoaktiven Verbindung und dem Lösungsmittelsystem zugesetzt werden, bevor die Lösung auf den Träger aufgebracht wird.
  • Die fertige Photoresistlösung kann mit allen in der Photoresist-Technik üblichen Methoden auf das Trägermaterial aufgebracht werden, zum Beispiel durch Tauchen, Besprühen, Wirbelbettbeschichtung und durch Schleuderbeschichtung. Bei diesem letzteren Verfahren kann die Photoresistlösung zum Beispiel je nach der verwendeten Apparatur und der vorgesehenen Zeitdauer der Beschichtung auf einen bestimmten Feststoffgehalt eingestellt werden, um eine gewünschte Schichtdicke zu erzielen. Geeignete Trägermaterialien sind unter anderem Silicium, Aluminium, polymere Harze, Siliciumdioxid, dotiertes Siliciumdioxid, Siliciumnitrid, Tantal, Kupfer, Polysilicium, Keramikwerkstoffe, Gemische aus Aluminium und Kupfer, Galliumarsenid und andere Substanzen der Gruppen III/V.
  • Die mit dem hier beschriebenen Verfahren hergestellten Photoresistbeschichtungen eignen sich vor allem für thermal gezüchtete und mit Silicium/Siliciumdioxid beschichtete Wafer, wie sie bei der Herstellung von Mikroprozessoren und anderen mikroelektronischen Bauteilen von integrierten Schaltkreisen Verwendung finden. Aluminium-/Aluminiumoxid-Wafer können ebenfalls eingesetzt werden. Als Trägermaterial kommen auch verschiedene polymere Harze, insbesondere transparente Polymere wie Polyester in Betracht. Der Träger kann eine mit einem Haftverstärker versetzte Schicht geeigneter Zusammensetzung besitzen, zum Beispiel eine Schicht, die Hexaalkyldisilazan enthält.
  • Die Photoresistzubereitungslösung wird dann auf den Träger aufgebracht, und dieser wird bei einer Temperatur von ca. 70ºC bis ca. 110ºC ca. 30 bis ca. 180 Sekunden lang auf einer Heizplatte oder ca. 15 bis ca. 90 Minuten lang im Konvektionsofen behandelt. Diese Wärmebehandlung dient der Verringerung der Konzentration von Lösungsmittelresten im Photoresist und führt zu keinem wesentlichen thermischen Abbau des Photosensibilisators. In der Regel ist man bestrebt, die Lösungsmittelkonzentration auf ein Mindestmaß einzuschränken, so daß diese erste Wärmebehandlung fortgesetzt wird, bis praktisch alle Lösungsmittel verdampft sind und auf dem Träger noch eine dünne Schicht der Photoresistzubereitung mit einer Dicke in der Größenordnung von 1 u verbleibt. Bei einer bevorzugten Ausführung dieser Erfindung beträgt die Temperatur ca. 85ºC bis ca. 95ºC. Die Behandlung wird fortgesetzt, bis bei der Beseitigung von Lösungsmitteln nur mehr eine relativ unerhebliche Änderungsgeschwindigkeit zu verzeichnen ist. Bei der Wahl der Temperatur und der Zeit richtet man sich nach den vom Verbraucher gewünschten Photoresisteigenschaften, wie auch nach der verfügbaren Apparatur und der aus wirtschaftlichen Gründen gewünschten Beschichtungsdauer. Das beschichtete Trägermaterial kann dann durch Anwendung einer geeigneten Maske, von Negativen, Schablonen, Matrizen usw. in beliebigen Mustern einer aktinischen Strahlung ausgesetzt werden, zum Beispiel einer UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von ca. 300 nm bis ca. 450 nm, einer Röntgenstrahlung, Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder Laserstrahlen.
  • Wahlweise kann das Photoresist nach der Belichtung und vor oder nach der Entwicklung noch einmal getrocknet oder einer Wärmebehandlung unterzogen werden. Die Heiztemperatur kann dabei ca. 90ºC bis ca. 120ºC betragen, mehr bevorzugt ca. 100ºC bis ca. 110ºC. Das Photoresist kann ca. 30 Sekunden bis ca. 2 Minuten, mehr bevorzugt ca. 60 bis ca. 90 Sekunden lang auf einer Heizplatte oder ca. 30 bis ca. 45 Minuten lang im Konvektionsofen erwärmt werden.
  • Die mit dem Photoresist beschichteten und belichteten Träger werden zur Entfernung der abbildungsgemäß belichteten Bereiche in eine alkalische Entwicklerlösung getaucht oder einer Sprühentwicklung unterzogen. Die Lösung wird vorzugsweise aufgerührt, zum Beispiel durch Einleitung von Stickstoff ("nitrogen burst agitation"). Die Träger werden im Entwickler belassen, bis die Photoresistbeschichtung in den belichteten Bereichen vollständig oder zum größten Teil gelöst ist. Als Entwickler können wäßrige Lösungen von Ammonium- oder Alkalimetallhydroxiden verwendet werden. Ein bevorzugtes Hydroxid ist Tetramethylammoniumhydroxid. Wenn die beschichteten Wafer aus der Entwicklungslösung genommen werden, können sie nach der Entwicklung wahlweise einer Wärmebehandlung unterzogen oder getrocknet werden, um das Haftvermögen der Beschichtung zu verbessern und ihre chemische Stabilität gegen Ätzlösungen und andere Substanzen zu erhöhen. Diese Wärmebehandlung nach der Entwicklung kann ein Trocknen der Beschichtung und des Trägers im Ofen umfassen, die bei einer Temperatur unter dem Erweichungspunkt der Beschichtung erfolgen muß. Bei der industriellen Anwendung, insbesondere bei der Herstellung von Mikroschaltkreiselementen auf Trägem aus Silicium/Siliciumdioxid, kann das entwickelte Trägermaterial mit einer gepufferten Ätzlösung auf Flußsäure-Basis behandelt werden. Die erfindungsgemäßen Photoresistzubereitungen sind gegen saure Ätzlösungen resistent und bieten einen wirksamen Schutz für die unbelichteten Bereiche der Photoresistbeschichtung des Trägers.
  • Die im folgenden aufgeführten spezifischen Beispiele geben einen genauen Einblick in die Verfahren zur Herstellung und Verwendung der erfindungsgemäßen Zubereitungen. Diese Beispiele sollen den Anwendungsbereich der Erfindung in keiner Weise begrenzen oder einschränken und sind nicht dahingehend zu interpretieren, daß ausschließlich die aufgezeigten Bedingungen, Parameter oder Werte bei der praktischen Durchführung der Erfindung eingehalten werden müssen.
    • BEISPIELE Reinigung von Amberlyst® 21
  • Das Anionenaustauscherharz Amberlyst® 21 wurde 2 Stunden lang gewässert. Zur Reinigung wurde entionisiertes Wasser durch eine Amberlyst® 21-Säule geführt, bis die abfließende Flüssigkeit klar war. Danach wurde mit 10%igem Ammoniumhydroxid gespült, bis das durch die Säule fließende, entionisierte Wasser neutral war. Das gereinigte Amberlyst® 21 wurde zur Verwendung in den folgenden Beispielen getrocknet.
    • Reinigung von Amberlyst® 15
  • Die angelieferten Amberlyst® 15-Kömer (100 ml) wurden unverändert 2 Stunden lang in 500 ml entionisiertem Wasser gewässert. Nach 2 Stunden wurden die Kömer in eine Glassäule eingebracht. Entionisiertes Wasser wurde durch die Säule geführt, bis die abfließende Flüssigkeit klar war. Sechs Bettvolumina 10%ige Salzsäure (für elektronische Geräte geeignete Qualität) wurden durch die Säule geführt, wobei die Verweildauer bei jedem Bettvolumen 10 Minuten betrug. Schließlich wurde eine größere Menge entionisiertes Wasser durch die Säule gegeben, bis die elektrische Leitfähigkeit des in die Säule einfließenden und des abfließenden Wassers identisch war. Zu diesem Zeitpunkt galten die Kömer als gebrauchsfertig und wurden getrocknet.
    • Beispiel 1
  • Ein Gemisch aus Tris-(4-hydroxyphenyl)ethan (THPE) (13,5 g, 0,044 Mol), 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (14,9 g, 0,055 Mol), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (20,3 g, 0,075 Mol), &gamma;-Butyrolacton (200 ml) und Aceton (100 ml) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde innerhalb von 15 Minuten mit einer Lösung von 1,4-Diazabicyclo-[2,2,2]-octan (Dabco) (2 g, 0,018 Mol und 0,14 Chloridäquivalent), &gamma;-Butyrolacton (60 ml) und Aceton (30 ml) versetzt. Dann wurde 1 Stunde lang gereinigtes Amberlyst® 21-Harz (65 g) zugegeben, wobei die Reaktionstemperatur unter 30ºC gehalten wurde. Das Reaktionsgemisch wurde 1 Stunde lang gerührt. Das Amberlyst® 21-Harz wurde abfiltriert. Dann wurde Eisessig (2 ml) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert, in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (800 ml) und Methanol (200 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter 1 uSiemens (uS) lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1% war. Der Veresterungsgrad, also die Menge der mit dem Chlorid bei der Esterbildung umgesetzten Hydroxygruppen, wurde mittels Hochdruck-Flüssigkeitschromatographie bestimmt und betrug 85%. Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration war < 10 ppm.
    • Beispiel 2 (Vergleichsbeispiel)
  • Ein Gemisch aus Tris-(4-hydroxyphenyl)ethan (THPE) (6,2 kg, 20,2 Mol), 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (36,8 kg, 25,2 Mol), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (10,1 kg, 37,5 Mol), &gamma;-Butyrolacton (27,1 l) und Aceton (13,7 l) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde innerhalb von 30-40 Minuten mit einer Lösung von 1,4-Diazabicyclo-[2,2,2]-octan (Dabco) (7,4 kg, 66,1 Mol), &gamma;-Butyrolacton (24,3 l) und Aceton (12,1 l) versetzt. Das Gemisch wurde 1 Stunde lang gerührt, wobei die Temperatur auf 30ºC gehalten wurde. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert. Dann wurde Eisessig (3,2 kg) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die angesäuerte Lösung wurde filtriert, in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (7561) und Methanol (811) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit zwischen 3-5 uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1% war. Der Veresterungsgrad wurde mittels Hochdruck- Flüssigkeitschromatographie bestimmt und betrug 99%. Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration war 170 ppm.
    • Beispiel 3 (Vergleichsbeispiel)
  • Ein Gemisch aus Tris-(4-hydroxyphenyl)ethan (THPE) (13,5 g, 0,044 Mol), 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (14,9 g, 0,055 Mol), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (20,3 g, 0,075 Mol), &gamma;-Butyrolacton (90 ml) und Aceton (45 ml) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dann wurde 1 Stunde lang gewaschenes Amberlyst® 21-Harz (65 g) zugegeben, wobei die Reaktionstemperatur unter 30ºC gehalten wurde. Das Reaktionsgemisch wurde 1 Stunde lang gerührt. Das Amberlyst® 21-Harz wurde abfiltriert. Dann wurde Eisessig (2 ml) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert. Der Feststoff wurde in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (800 ml) und Methanol (200 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter 1 uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1% war. Der Veresterungsgrad wurde mittels Hochdruck-Flüssigkeitschromatographie bestimmt und betrug 27%.
    • Beispiel 4
  • Ein Gemisch aus Trihydroxybenzophenon (13,5 g, 0,054 Mol), 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (39,3 g, 0,14 Mol), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (4,3 g, 0,016 Mol) und &gamma;-Butyrolacton (300 ml) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde innerhalb von 15 Minuten mit einer Lösung von N-Methylmorpholin (3,5 g, 0,035 Mol und 0,22 Chloridäquivalent) und &gamma;-Butyrolacton (60 ml) versetzt. Dann wurde 1 Stunde lang gereinigtes Amberlyst® 21-Harz (80 g) zugegeben, wobei die Reaktionstemperatur unter 30ºC gehalten wurde. Das Reaktionsgemisch wurde 1 Stunde lang gerührt. Amberlyst® 21-Harz wurde abfiltriert. Dann wurde Eisessig (2 ml) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert. Der Feststoff wurde in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (600 ml) und Methanol (120 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter 1 uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1% war. Der Veresterungsgrad wurde mittels Hochdruck- Flüssigkeitschromatographie bestimmt und betrug 97%. Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration betrug 17 ppm.
    • Beispiel 5 (Vergleichsbeispiel)
  • Ein Gemisch aus Trihydroxybenzophenon (12,5 g, 0,054 Mol), 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (39,3 g, 0,14 Mol), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (4,3 g, 0,016 Mol) und &gamma;-Butyrolacton (300 ml) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde innerhalb von 15 Minuten mit einer Lösung von N-Methylmorpholin (18 g, 0,18 Mol) und &gamma;-Butyrolacton (60 ml) versetzt. Das Gemisch wurde 1 Stunde lang gerührt, wobei die Temperatur auf 30ºC gehalten wurde. Dann wurde Eisessig (4 ml) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert. Der Feststoff wurde in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (600 ml) und Methanol (600 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1% war. Der Veresterungsgrad wurde mittels Hochdruck- Flüssigkeitschromatographie bestimmt und betrug 97%. Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration betrug 100 ppm.
    • Beispiel 6
  • Ein Gemisch aus p-Kresol-Formaldehyd-Harz (72 g, 0,1 Mol), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (64,6 g, 0,24 Mol) und Aceton (500 ml) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde 15 Minuten lang mit einer Lösung von Triethylamin (2,6 g, 0,026 Mol) und Aceton (500 ml) versetzt. Dann wurde 1 Stunde lang gewaschenes Amberlyst® 21-Harz (80 g) zugegeben, wobei die Reaktionstemperatur unter 30ºC gehalten wurde. Das Reaktionsgemisch wurde 1 Stunde lang gerührt. Das Amberlyst® 21-Harz wurde abfiltriert. Dann wurde Eisessig (2 ml) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert. Der Feststoff wurde in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (2400 ml) und Methanol (600 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter 1 uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1,0% war. Mittels Hochdruck- Flüssigkeitschromatographie wurde die Veresterung des Harzes festgestellt. Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration betrug 70 ppm.
    • Beispiel 7 (Vergleichsbeispiel)
  • Ein Gemisch aus p-Kresol-Formaldehyd-Harz (25% Feststoffe) (225 g Aceton und 75 g, 0,1 Mol Harz), 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (64,6 g, 0,24 Mol) und Aceton (500 ml) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde 15 Minuten lang mit einer Lösung von Triethylamin (26,0 g, 0,257 Mol) und Aceton (50 ml) versetzt. Das Gemisch wurde 1 Stunde lang gerührt, wobei die Temperatur bei 30ºC gehalten wurde. Dann wurde Eisessig (4 ml) zugesetzt und 1 Stunde lang gerührt. Die dabei entstandene Lösung wurde filtriert. Der Feststoff wurde in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (1200 ml) und Methanol (250 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter 1 uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1% war. Mittels Hochdruck-Flüssigkeitschromatographie wurde die Veresterung des Harzes festgestellt (Veresterungsgrad ähnlich wie in Beispiel 6). Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration betrug 5000 ppm.
    • Beispiel 8
  • Ein Gemisch aus p-Kresol-Formaldehyd-Harz (300 g einer 25%igen Lösung in Aceton) und 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid (64,6 g, 0,24 Mol) wurde bei 25ºC vorsichtig gerührt, bis ca. 90% der Ausgangsmaterialien in Lösung gegangen waren. Dieses Gemisch wurde 15 Minuten lang mit einer Lösung von Triethylamin (2,6 g, 0,026 Mol und 0,1 Chloridäquivalent) und Aceton (50 ml) versetzt. Dann wurde 1 Stunde lang gewaschenes Amberlyst® 21-Harz (80 g) zugegeben, wobei die Reaktionstemperatur unter 30ºC gehalten wurde. Das Reaktionsgemisch wurde 1 Stunde lang gerührt. Das Amberlyst® 21-Harz wurde abfiltriert. Die Hälfte der Lösung wurde durch eine vorher gewaschene und mit Aceton konditionierte 200-ml-Amberlyst® 15-Säule gegeben. Sie verblieb eine Stunde lang in der Säule und wurde dann filtriert. Die filtrierte Lösung wurde in ein Gemisch aus entionisiertem Wasser (750 ml) und Methanol (750 ml) eingebracht und bei 15-20ºC gerührt. Die Aufschlämmung wurde 30 Minuten lang gerührt und filtriert. Das Produkt wurde getrocknet und mit entionisiertem Wasser gewaschen, bis die elektrische Leitfähigkeit der Waschflüssigkeit unter 1 uS lag. Die Verbindung wurde im Vakuumofen bei 35-40ºC getrocknet, bis der Wassergehalt < 1,0% war. Mittels Hochdruck-Flüssigkeitschromatographie wurde die Veresterung des Harzes festgestellt. Die mit dem Silbemitrattest bestimmte, gesamte Chloridkonzentration betrug 11 ppm.
    • Beispiel 9
  • Eine Photoresistlösung wurde mit 23,4 Gewichtsprozent Kresol-Formaldehyd-Harz, 5,9 Gewichtsprozent Pyrogallol-Aceton-Harz, 6,4 Gewichtsprozent photoaktive Verbindung aus Beispiel 6, 0,0086 Gewichtsprozent FC-430 (Bezugsquelle: 3M Co., 3M Center Building 233, St. Paul, MN 55144) und 64,3 Gewichtsprozent Ethyllactat hergestellt.
  • Das Photoresist wurde auf einen Siliciumwafer aufgeschleudert und 90 Sekunden lang bei 100ºC getrocknet, so daß ein 1,2 um dicker Film entstand. Die Proben wurden abbildungsgemäß mit einem G-Line-Stepper belichtet und nach der Belichtung 90 Sekunden lang bei 100ºC getrocknet. Die Proben wurden mit dem Entwickler AZ® MIF-32 (Bezugsquelle: AZ® Electronic Materials, Clariant Corp., 70 Meister Ave., Somerville, NJ 08876) entwickelt (Spray-Puddle-Verfahren, 87 Sekunden, 21,6ºC-Zyklus). Dabei ergaben sich auf den Wafern Abbildungen hoher Qualität.

Claims (20)

1. Verfahren zur Herstellung einer lichtempfindlichen, hochreinen Esterverbindung durch eine aus folgenden Schritten bestehende Veresterungsreaktion:
a) Umsetzen einer Hydroxyverbindung mit einer Halogenidverbindung in Anwesenheit eines festen, basischen Katalysators, einer Lösungsmittelzubereitung, in welcher der feste, basische Katalysator nicht löslich ist, und von weniger als einem Äquivalent eines organischen Amins bezogen auf die Halogenidverbindung, wobei das organische Amin in der Lösungsmittelzubereitung löslich ist;
b) Beseitigung des festen, basischen Katalysators und
c) Abtrennung der Esterverbindung.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das organische Amin m einer Konzentration unter 0,3 Äquivalent zugesetzt wird, bezogen auf die Halogenidverbindung.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Amin in einer Konzentration unter 0,2 Äquivalent zugesetzt wird, bezogen auf die Halogenidverbindung.
4. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Amin unter 1,4-Diazabicyclo-[2,2,2]-Octan, N-Methylmorpholin, Triethylamin und Diethanolamin ausgewählt wird.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der feste, basische Katalysator ein Anionenaustauscherharz ist.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei das Anionenaustauscherharz vor seiner Verwendung als Katalysator zur Beseitigung von Verunreinigungen gereinigt wird.
7. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die halogenidhaltige Verbindung unter 2,1,4-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid, 2,1,5-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid, 2,1,6-Diazonaphthochinonsulfonylchlorid, 3-Diazo,2,4-Chinolindionsulfonylchlorid, 3-Diazo,2,4- Chinolindioncarboxylchlorid, 3-Diazo,4-oxocumarinsulfonylchlorid, 3-Diazo,4-oxocumarincarboxylchlorid und Gemischen dieser Substanzen ausgewählt wird.
8. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die hydroxyhaltige Verbindung unter einer Phenolverbindung und einer hydroxyaliphatischen Verbindung ausgewählt wird.
9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei die Phenol Verbindung eine Multihydroxyphenolverbindung ist.
10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei die Multihydroxyphenolverbindung unter oligomeren Phenolformaldehydharzen, Multihydroxybenzophenonen, Multihydroxyphenylalkanen, Cumylphenonen und Alkylphenonen ausgewählt wird.
11. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Lösungsmittelzubereitung unter Aceton, Butyrolacton, Propylenglycolmonomethylether, Dioxan, Tetrahydrofuran und Gemischen dieser Substanzen ausgewählt wird.
12. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Schritt des Abtrennens durch Ausfällen, Waschen und Trocknen des Esters erfolgt.
13. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei nach Beseitigung des festen Katalysators ein Kationenaustauscherharz zugesetzt und anschließend wieder abfiltriert wird.
14. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die lichtempfindliche Verbindung einen Chloridgehalt unter 100 ppm aufweist.
15. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Veresterungsgrad der lichtempfindlichen Esterverbindung > 60% ist.
16. Verfahren zur Herstellung einer lichtempfindlichen, hochreinen Zubereitung, das aus den Schritten a), b) und c) gemäß Anspruch 1 besteht, wobei ein Gemisch aus
(i) einer für die Photosensibilisierung der Zubereitung ausreichenden Menge der genannten, lichtempfindlichen Esterverbindung,
(ii) einem filmbildenden Harz und
(iii) einer Photoresistlösungsmittelzubereitung entsteht.
17. Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei das filmbildende Harz unter Novolakharz, Polyhydroxystyrolharz und Derivaten von Polyhydroxystyrol ausgewählt wird.
18. Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei das Photoresistlösungsmittel unter Propylenglycolmonoalkylether, Propylenglycolalkyletheracetat, Ethyl-3-ethoxypropionat, Ethyllactat, Gemischen aus Ethyl-3-ethoxypropionat und Ethyllactat, 2-Hepatanon, 3- Methoxy-3-methylbutanol, Butylacetat, Anisol, Xylol, Diglyme, Ethylenglycolmonoethyletheracetat oder Gemischen dieser Substanzen ausgewählt wird.
19. Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei eines oder mehrere Additive aus einer aus Farbstoffen, Egalisiermitteln, Mitteln gegen Schlierenbildung, Weichmachern, Haftverstärkern, Entwicklungsbeschleunigern und Tensiden bestehenden Gruppe ausgewählt werden.
20. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements durch Herstellung einer Abbildung auf einem geeigneten Träger, das aus folgenden Schritten besteht:
a) Herstellung des Photoresists gemäß Anspruch 16;
b) Auftragen der Photoresistzubereitung auf einen geeigneten Träger und
c) Wärmebehandlung des beschichteten Trägers bis praktisch das gesamte Photoresistlösungsmittel entfernt ist, abbildungsgemäße Belichtung der lichtempfindlichen Zubereitung und Beseitigung der abbildungsgemäß belichteten Bereiche dieser Zubereitung mit einem wäßrig-alkalischen Entwickler.
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