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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung betrifft allgemein das Ätzen von Halbleiterwafern und
insbesondere eine verbesserte Gasverteilungsplatte, die die Ungleichförmigkeiten
im Ätzvorgang
beträchtlich
verringert, die auf dem Halbleiterwafer auftreten.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Bekanntlich
ist es für
verschiedene Halbleiter-Herstellungsverfahren erforderlich, abgeschiedene
Metallschichten und dielektrische Schichten gezielt zu entfernen,
und im Fall von DRAM-Bearbeitungen, tiefe Gräben in den Halbleiterwafer
zu ätzen. Neuerdings
geht der Trend weg von den bekannten nasschemischen Ätzverfahren
und hin zu Trockenätzverfahren,
beispielsweise reaktives Ionenätzen
und Plasmaätzen.
Dies hat seine Ursache größtenteils
in der verbesserten Regelbarkeit und den günstigen Kosten, die die Trockenätzverfahren
verglichen mit den nasschemischen Ätzverfahren auszeichnen.
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Sowohl
das reaktive Ionenätzen
als auch das Plasmaätzen
erfolgen in einer Bearbeitungskammer, die so entworfen ist, dass
zu einem Zeitpunkt ein einzelner Halbleiterwafer verarbeitet werden
kann. Der Halbleiterwafer ist auf einem Waferspannfutter befestigt,
das die untere Elektrode der Bearbeitungskammer bildet. Über dem
Halbleiterwafer befindet sich eine obere Elektrode. Der Halbleiterwafer
wird mit Ionen beschossen, die zwischen der oberen Elektrode, die
Abstand zum Substrat hat, und einer unteren Elektrode erzeugt werden,
die die Substratstufe der Bearbeitungskammer bildet. Ein Ätzgas, das
nicht nur die Quelle für
die Ionen liefert, sondern auch die Ätzrate reaktiv verbessert,
wird über
eine Gasverteilungsplatte zum Substrat befördert und über dem Substrat verteilt,
und zwar unter einem Teilvakuum oder einem Hochvakuum. Diese Betriebsdrücke hängen davon
ab, ob das Verfahren reaktives Ionenätzen oder Plasmaätzen ist.
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In
Einzelwafersystemen können
Druckunterschiede und Unterschiede in der Mischung von Ätzgas und Ätzprodukten
zu Ätzungleichförmigkeiten auf
der Substratoberfläche
führen,
und zwar insbesondere von der Substratmitte hin zu Substratkante. Die
Ungleichförmigkeiten
gewinnen mit zunehmendem Substratdurchmesser an Bedeutung, und zwar insbesondere
dann, wenn sich das Substrat einem Durchmesser von 300 mm nähert oder
diesen überschreitet.
Diese Ungleichförmigkeiten
in der Schichtabscheidung bzw. beim Ätzen können zu verschiedenen Schwierigkeiten
führen.
Beispielsweise kön nen solche
Ungleichförmigkeiten
beim Herstellen von Halbleitern und integrierten Schaltungen zu
Vorrichtungen führen,
die nicht funktionieren oder nicht mit den bestmöglichen Ergebnissen funktionieren.
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Bei
herkömmlichen
Vorgehensweisen kennt man verschiedene Lösungen für das Problem des ungleichförmigen Substratätzens. Eine
Lösung
besteht darin, unterschiedliche Gasverteilungsplatten für Substrate
mit unterschiedlichem Durchmesser zu verwenden, oder Fokussierringe,
die die Ungleichförmigkeiten
beim Ätzvorgang
ausgleichen. Ein Nachteil dieses Ansatzes besteht darin, dass das
Auffinden der korrekten Gasverteilungsplatte oder des korrekten
Fokussierrings sehr zeitaufwendig und damit kostenträchtig sein
kann. Zudem muss die geeignete Gasverteilungsplatte für einen
bestimmten Ätzvorgang
nicht die geeignete Gasverteilungsplatte für einen anderen Ätzvorgang
sein. Folglich muss der Benutzer, wenn er die gleiche Einrichtung
für ein
anderes Verfahren einsetzen will, die Gasverteilungsplatte austauschen.
Dies führt
zu sehr langen Stillstandszeiten.
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Sowohl
in
EP 0019370 als auch
in
US 5,422,139 ist
eine Reaktionskammer offenbart, die eine Gasverteilungsplatte aufweist,
die mit Auslass- und Einlassöffnungen
zum Einführen
von Verfahrensgasen und zum Entfernen von Nebenprodukten und von
Verfahrensgasen, die nicht reagiert haben, aus der Bearbeitungskammer
versehen ist. Die Verfahrensgase werden über einen einzigen Verfahrensgas-Zufuhreinlass
in die Gasverteilungsplatte geführt.
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Demgemäß besteht
ein Bedarf an einer verbesserten Gasverteilungsplatte, die die Ätzungleichförmigkeiten
wesentlich verkleinert, die zwischen der Mitte und der Kante des
Halbleiterwafers auftreten, wenn man herkömmliche Gasverteilungsplatten
verwendet.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Eine
Gasverteilungsplatte für
eine Halbleiter-Bearbeitungskammer umfasst eine Gasverteilungsplatte,
die Gase über
die Oberfläche
eines Halbleiterwafers verteilt, der in der Kammer bearbeitet werden
soll. Die Gasverteilungsplatte umfasst ein im Wesentlichen ebenes
Teil, das eine Gasauslassvorrichtung hat, die ein Reaktionsgas über die
Oberfläche
des Halbleiterwafers verteilt, wobei die Gasauslassvorrichtung zahlreiche Öffnungen
hat, die in dem ebenen Teil bestimmt sind. Die zahlreichen Öffnungen
haben an vorbestimmten Orten unterschiedliche Flächen zum Einstellen der Ätzgasströmung. Eine
Pumpvorrichtung ist bereitgestellt, die Reaktionsproduktgase absaugt,
die während der
Waferbearbeitung über
der Oberfläche
des Halbleiterwafers erzeugt werden. Die Pumpvorrichtung umfasst
zahlreiche Röhrchen,
die sich durch das ebene Teil erstrecken, wobei die zahlreichen
Röhrchen Öffnungen haben.
Die Öffnungen
weisen unterschiedliche Flächen
an vorbestimmten Orten auf, damit die Strömungen des Reaktionsgases und
des Reaktionsproduktgases eingestellt werden. Dabei arbeiten die Gasauslassvorrichtung
und die Pumpvorrichtung zusammen, damit während der Waferbearbeitung
im Wesentlichen eine vorbestimmte Konzentration an Reaktionsgas
und eine vorbestimmte Konzentration an Reaktionsproduktgas über der
Oberfläche
des Halbleiterwafers aufrechterhalten wird.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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Die
folgende ausführliche
Beschreibung der Erfindung liefert zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen
ein tiefer gehendes Verständnis
der Erfindung.
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Es
zeigt:
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1A eine
Querschnitts-Seitenansicht durch einen Halbleiterwafer nach dem Ätzen von
tiefen Gräben
mit einer herkömmlichen
Gasverteilungsplatte;
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1B eine
Skizze einer herkömmlichen Gasverteilungsplatte,
die in einer Waferbearbeitungskammer montiert ist;
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1C eine
Darstellung der Ätzselektivität abhängig von
der Entfernung von der Wafermitte für das Ätzen von tiefen Gräben, das
unter Standardverfahrensdrücken
und unter 40 Prozent höheren
Verfahrensdrücken
mit Hilfe der herkömmlichen
Gasverteilungsplatte in 1B erfolgt;
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1D den
Dickenunterschied zwischen der maximal verbleibenden Hartmaskendicke
auf dem vertikalen Teil der verbleibenden Hartmaske abhängig von
der Entfernung von der Wafermitte für das Ätzen von tiefen Gräben, das
unter Standardverfahrensdrücken
und unter 40 Prozent höheren
Verfahrensdrücken
mit Hilfe der herkömmlichen
Gasverteilungsplatte in 1B erfolgt;
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2A die
Konzentrationsänderung
des Ätzgases
und des Ätzprodukts über den
gesamten Wafer von Kante zu Kante für einen 200 mm Wafer, wenn
eine herkömmliche
Gasverteilungsplatte nach 1B eingesetzt
wird;
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2B eine Ätzanordnung
entsprechend einer TEL 84 DRM mit einem Spalt von 20 mm zwischen
einem 300 mm Wafer und der oberen Elektrode der Bearbeitungskammer
für Ätzraten
von 1500 nm/min und mehr mit Hilfe der herkömmlichen Gasverteilungsplatte
in 1B;
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3A eine
untere Draufsicht der Gasverteilungsplatte der Erfindung;
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3B eine
Querschnitts-Seitenansicht entlang der Linie 3B-3B der Gasvertei lungsplatte
in 3A;
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3C eine
Skizze der Gasverteilungsplatte der Erfindung montiert in einer
Waferbearbeitungskammer;
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3D eine
graphische Darstellung der Tatsache, dass die Konzentration sowohl
des Ätzgases als
auch des Ätzprodukts über dem
gesamten Wafer von Kante zu Kante im Wesentlichen gleich bleibt, wenn
man die Gasverteilungsplatte der Erfindung verwendet;
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4A DRAM-Chips
mit 256 MB, die auf einem 200 mm Wafer angeordnet sind;
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4B eine
Kurve der Ätzgaslast
abhängig von
der radialen Entfernung von der Wafermitte; und
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5 eine
untere Draufsicht der Gasverteilungsplatte, die Öffnungen mit verkleinerten
Flächen aufweist,
die Bereichen mit verringerter Last auf dem Wafer entsprechen.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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Die
Gasverteilungsplatte der Erfindung zielt auf einige der Faktoren
ab, die ein ungleichförmiges Ätzen zwischen
der Mitte und der Kante des Wafers verursachen. Einer dieser Faktoren
steht mit der Betriebsdruckdifferenz im Zusammenhang, die zwischen
der Mitte und der Kante der Bearbeitungskammer auftritt. Ein weiterer
Faktor, der ungleichförmiges Ätzen verursacht,
betrifft die Geschwindigkeit des Ätzgases, das in die Bearbeitungskammer
gepumpt wird.
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1A zeigt
einen Ausschnitt aus einem 200 mm Halbleiterwafer 10, der
eine charakteristische Ätzanordnung
für eine
Tiefgrabenätzung
mit hohen Ätzraten
aufweist. Der Wafer 10 wurde in einer TEL84 DRM-Bearbeitungskammer 28 (1B)
geätzt,
wobei der Spalt zwischen der oberen Elektrode der Bearbeitungskammer
und dem Wafer 10 auf 27 mm eingestellt war. Der Wafer 10 besteht
aus Volumensilicium, das mit einer Tiefgraben-Ätzhartmaske 12 abgedeckt
ist, die eine Anschlussfleck-Nitridschicht 14 und eine
Anschlussfleck-TEOS-Schicht 16 enthält. Die mit dem Bezugszeichen 18 bezeichneten gestrichelten
Linien stellen die TEOS-Schicht 16 nach dem Strukturieren
und vor der Tiefgrabenätzung
dar. Die durchgezogenen Linien stellen dar, wie die Anschlussfleck-TEOS-Schicht 16 während der Tiefgrabenätzung abgetragen
wird. Im Einzelnen stellt eine durchgezogene Linie 20 die
größte Dicke
T der Anschlussfleck-TEOS-Schicht 16 nach dem Ätzen dar.
Eine durchgezogene Linie 22 stellt den vertikalen Teil
der verbleibenden Hartmaske dar, d. h. die Dicke t des Teils der
Anschlussfleck-TEOS-Schicht 16, die auf dem Wafer 10 zwischen
den Öffnungen
der tiefen Gräben 24 und 26 verbleibt.
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1B zeigt
die TEL84 DRM-Verfahrenskammer 28, die eine herkömmliche
Anoden-Gasverteilungsplatte 32 (GDP, GDP = Gas Distribution
Plate) enthält,
mit der die Ätzanordnung
in 1A erzeugt wurde. In der Bearbeitungskammer 28 ist
ein Kathoden-Waferspannfutter 30 vorhanden, das den Wafer 10 während des Ätzens trägt. Die
GDP 32 umfasst eine obere Platte 34 und eine untere
Platte 36. Eine Gaseinlassleitung 38 verbindet
eine Ätzgaszuführung 42 mit
einer zentral angeordneten Gaseinlassöffnung 40 auf der
oberen Platte 34 und führt
das Ätzgas
in den Raum 44 zwischen der oberen Platte 34 und
der unteren Platte 36. Über
die untere Platte 36 sind zahlreiche Gasauslassöffnungen 46 gleichförmig verteilt
und erstrecken sich hinaus zur Kante des Wafers 10. Während des Ätzens der
Tiefgräben wird
das Ätzgas
(dargestellt durch die Pfeile 50) aus der Ätzgaszuführung 42 über die
Gaseinlassleitung 38 in den Raum 44 zwischen der
oberen Platte 34 und der unteren Platte 36 eingespeist,
und zwar über die
Gaseinlassöffnung 40.
Das Ätzgas
fließt
aus dem Raum 44 zwischen der oberen Platte 34 und
der unteren Platte 36 durch die Gasauslassöffnungen 46 und
wird gleichförmig über der
Oberfläche
des Wafers 10 verteilt. Das Ätzgas 50 und die Ätzproduktgase 52 werden
mit Hilfe einer Absaugpumpe 56 aus der Bearbeitungskammer über eine
Auslassöffnung 54 abgesaugt,
die sich unter dem Waferspannfutter 30 befindet.
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Die
Anschlussfleck-TEOS-Abtragungsrate, die die Anordnung in 1A erzeugt
hat, ist in 1C und 1D graphisch
dargestellt. 1C stellt die Ätzselektivität in Abhängigkeit
von der Entfernung vom Mittelpunkt des Wafers dar, und zwar für eine Tiefgrabenätzung, die
einmal mit Standardverfahrensbedingungen und einmal mit 40 Prozent
höheren
Verfahrensdrücken
erfolgte. 1D stellt den Dickenunterschied
zwischen der größten TEOS-Dicke
und dem vertikalen Teil der verbleibenden Hartmaske abhängig von
der Entfernung vom Mittelpunkt des Wafers dar, und zwar für eine Tiefgrabenätzung, die
einmal mit Standardverfahrensbedingungen und einmal mit 40 Prozent
höheren
Verfahrensdrücken erfolgte.
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1C zeigt,
dass für
das Tiefgrabenätzen unter
Standardverfahrensbedingungen die Ätzselektivität für die Anschlussfleck-TEOS-Schicht
abnimmt, wenn man sich der Außenkante
des Wafers nähert. Wird
ein um 40 Prozent höherer Ätzverfahrensdruck verwendet,
so nimmt die Dichte des Ätzgases
zu und erzeugt eine erwünschte
Zunahme der Selektivität bezüglich der
TEOS-Schicht. Die Selektivität
nimmt jedoch nur in der Mitte bzw. nahe an der Mitte des Wafers
wesentlich zu. Der Selektivitätsabfall
an der Waferaußenkante
bei Standardverfahrensbedingungen, siehe 1D, erhöht den Dickenunterschied zwischen
der größten TEOS-Dicke
und der Höhe
an der Seite des Hauses.
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Durch
die Zunahme des Verfahrensdrucks um 40 Prozent nimmt jedoch dieser
Dickenunterschied von der Mitte zur Außenkante des Wafers unerwünschterweise
zu, weil der erhöhte
Verfahrensdruck in der Wafermitte eine weit größere Auswirkung auf die Ätzselektivität hat als
an der Waferkante. Dies legt den Schluss nahe, dass die Gasströmungsdynamik
des Systems einen wesentlichen Druckanstieg nur in der Wafermitte
und nicht an der Waferkante erzeugt. Man darf annehmen, dass dies
dadurch zustande kommt, dass sich der Druck in der Mitte der Bearbeitungskammer
wesentlich vom Druck an der Kante der Bearbeitungskammer, an der die
Waferkante ausgerichtet ist, unterscheidet.
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Ein
weiterer Faktor, der eine Ungleichförmigkeit des Ätzvorgangs
bewirken kann, ist das Ätzprodukt,
das während
des Ätzens
von Tiefgräben
anfällt. Während des Ätzens muss
das Ätzprodukt
und ebenso das Ätzgas
mit Hilfe der Absaugpumpe der Bearbeitungskammer vom Substrat wegbefördert werden. Das
in 1B dargestellte bekannte Absaugverfahren erzeugt
die in 2A und 2B dargestellten Ergebnisse.
Wie dargestellt lässt
das bekannte Absaugverfahren Druckunterschiede über dem Wafer und abweichende
Diffusionskoeffizienten des Ätzgases
und des Ätzprodukts
zu, die eine Verteilung des Ätzgases
und des Ätzprodukts
erzeugen. 2A zeigt, wie sich die Konzentrationen
des Ätzgases
und des Ätzprodukts
für einen
200 mm Wafer über
den gesamten Wafer von Kante zu Kante ändern. Für noch größere Waferdurchmesser und höhere Ätzraten
verschlechtert sich die Verteilung von Ätzgas und Ätzprodukt weiter. Dies ist
in 2B dargestellt. Sie zeigt eine Ätzanordnung
gemäß einer
TEL84 DRM mit einem 20 mm breiten Spalt zwischen einem 300 mm Wafer
und der oberen Elektrode der Bearbeitungskammer für Ätzraten
von 1500 nm/min oder mehr. Man kann sehen, dass sich die Ätzgas- und Ätzproduktkonzentrationen
C1C und C2C in der Wafermitte beträchtlich von den Ätzgas- und Ätzproduktkonzentrationen
C1E und C2E an der Waferkante unterscheiden. Vergleicht man ein
Gasvolumen in der Wafermitte und ein Gasvolumen an der Waferkante, so
darf man einen beträchtlichen
Unterschied in der Gasmischung und dem Vorhandensein von Ätzgas und Ätzprodukt
erwarten.
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3A und 3B zeigen
eine GDP 60 der Erfindung. Die GDP 60 umfasst
eine obere Platte 62 und eine untere Platte 64,
die Abstand zur oberen Platte 62 hat und einen Raum bzw.
einen Verteiler 72 bestimmt. Zahlreiche beabstandete zylindrische Röhrchen 68 erstrecken
sich zwischen der oberen Platte 62 und der unteren Platte 64 durch
den Raum 72. Jedes Röhrchen 68 bestimmt
einen Gasdurchlasskanal 69. In einer Randfläche 71,
die zwischen der oberen Platte 62 und der unteren Platte 64 verläuft, sind
zahlreiche beabstandete Gaseinlassöffnungen 70 bestimmt.
Bei Bedarf können
die Gaseinlassöff nungen
auch in der oberen Platte 62 ausgebildet sein. Die untere
Platte 64 umfasst zahlreiche beabstandete Gasauslassöffnungen 66.
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Die
GDP 60 der Erfindung ermöglicht es, Wafer, und zwar
insbesondere Wafer mit großen Durchmessern
im Bereich von 300 mm und mehr, mit kleinstmöglichen Einschränkungen
für die Ätzgasströmung und
den Druck gleichförmig
zu ätzen,
da die Ätzgaszufuhr
und das Absaugen des Ätzgases und
der Ätzprodukte
gleichermaßen
von der GDP 60 übernommen
werden.
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3C zeigt
die GDP 60 eingebaut in eine Bearbeitungskammer 86,
beispielsweise eine TEL84 DRM-Bearbeitungskammer. Eine ringförmige Gaseinlassleitung 76 verläuft um die
GDP 60 herum und enthält
zahlreiche Abzweigungen 74, die eine Ätzgasversorgung (nicht dargestellt)
mit den Gaseinlassöffnungen 70 verbindet,
die auf der Fläche 71 bestimmt
sind, damit das Ätzgas 88 in
den Raum 72 zwischen der oberen Platte 62 und
der unteren Platte 64 eingeleitet wird. Die Strömung des Ätzgases 88 durch
die Gaseinlassleitung 76 wird mit herkömmlichen Ventilen geregelt.
Die zahlreichen Gasauslassöffnungen 66 sind
gleichförmig über die
untere Platte 64 verteilt und erstrecken sich nach außen bis
zur Kante des Wafers 84. Während des Ätzens von Tiefgräben wird Ätzgas (dargestellt
durch die Pfeile 88) aus der Ätzgasversorgung über die
Gaseinlassleitung 76 und die Verzweigungen 74 über die
Gaseinlassöffnungen 70 in
den Raum 72 zwischen der oberen Platte 62 und
der unteren Platte 64 geführt. Das Ätzgas 88 strömt aus dem
Raum 72 durch die Gasauslassöffnungen 66 und wird
gleichförmig über die Oberfläche des
Wafers 84 verteilt. Die Gasauslassöffnungen 66 sind so
bemessen, dass ein beträchtlicher
Druckabfall zwischen der unteren Platte 64 der GDP 60 und
der Oberfläche
des Wafers 84 sichergestellt ist, damit ein gleichförmiger Gasdruck
in der GDP 60 sichergestellt ist. Das Ätzgas 88 und die Ätzproduktgase 90 werden
mit Hilfe einer Absaugpumpe 80 aus der Bearbeitungskammer über die
Gasdurchlasskanäle 69 abgesaugt,
die durch die Röhrchen 68 der
GDP 60 und die Absaugöffnung 78 definiert
sind, die sich über
der GDP 60 befindet. Die Absaugpumpe 80 regelt
den Ätzgasdruck
zwischen der oberen Platte 62 und der unteren Platte 64 der
GDP 60. Damit erzeugt die GDP 60 der Erfindung
kleine Zellen mit einem lokalen Gleichgewicht im Gasdruck über der
Oberfläche
des Wafers 84. D. h., der Partialdruck des Ätzgases 88 und
des Ätzprodukts 90 sind über dem
Wafer im Wesentlichen konstant. Damit weist ein Gasvolumen an der
Kante des Wafers 84 ähnliche
Gaskonzentrationen an Ätzgas
und Ätzprodukt auf
wie ein Gasvolumen in der Nähe
der Mitte des Wafers 84.
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3D zeigt
graphisch die Ergebnisse, wenn die GDP der Erfindung zum Ätzen eines
300 mm Wafers verwendet wird. In 3D sind
die Konzentrationen des Ätzgases
und des Ätzprodukts
abhängig
von der Position auf dem Wafer eingezeichnet. Wie man sieht, ist
die Ätzgaskonzentration
nahezu unabhängig
von der Position auf dem Wafer. Genauso ist die Ätzproduktkonzentration nahezu
unabhängig
von der Position auf dem Wafer. Dies bedeutet, dass ein Gasvolumen
an der Waferkante im Wesentlichen die gleichen Gaskonzentrationen
an Ätzgas
und Ätzprodukt
aufweist wie ein Gasvolumen in der Mitte. Damit erzeugt die GDP 60 der
Erfindung gleichartig kleine Zellen mit einem lokalen Gleichgewicht
im Gasdruck über
dem Wafer. Somit ist die Ätzrate über dem
Wafer im Wesentlichen gleichförmig, und
zwar auch dann, wenn Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm und
mehr verwendet werden. D. h., die Ätzrate an der Kante des Wafers
ist im Wesentlichen gleich der Ätzrate
in der Nähe
der Mitte.
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4A und 4B zeigen
eine Chipverteilung auf einem 200 mm Wafer während der Bearbeitung. Der
Wafer 100 wird mittig in der Bearbeitungskammer angeordnet.
Die Mitte des Wafers 100 liegt während der Bearbeitung unter
der Mitte der GDP 60. Aufgrund der rechteckigen Form der
Chips 110 erzeugt die Chipanordnung auf dem Wafer 100 eine
unbenutzte Fläche
am Rand 104 des Wafers 100. Damit ist die benötigte Menge Ätzgas 88,
bezeichnet als Last, in der Mitte des Wafers 100 größer als
am Rand 104 des Wafers 100.
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In 4B ist
die Last in Abhängigkeit
von der Entfernung für
256 Mb DRAM-Chips 110 auf einem 200 mm Wafer 100 für einen üblichen
Waferätzvorgang
eingezeichnet. Die Last nimmt im Übergangsbereich zwischen 75
mm und 100 mm Radius gegenüber
dem Mittenwert ab und nimmt bei mehr als 100 mm den Wert 0 an. Bei
größeren Wafern
wird das Problem schwerwiegender.
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Gemäß der erläuternden
Vorgehensweise der Erfindung erzielt man eine gleichförmigere Ätzrate.
Die Last am Rand eines Wafers, siehe 5, ist durch
die Abwesenheit von Chips geringer. Die Gasauslassöffnungen 66a und
die Gasdurchlasskanäle 69a werden
verkleinert, damit sie an die verringerte Last am Rand eines Wafers
angepasst sind. Bevorzugt gehört
zu einem Wafer mit 300 mm eine GDP 60 mit Gasauslassöffnungen 66a und
Gasdurchlasskanälen 69a außerhalb
eines Radius von 75 mm. Die Flächen
der Gasauslassöffnungen 66 und
der Gasdurchlasskanäle 69 betragen
ungefähr
die Hälfte
der Öffnungen
und Kanäle
innerhalb eines Radius von 75 mm. Die verringerten Flächen stellen
vorteilhaft die Anpassung an die verringerte Last im Übergangsbereich und
am Rand eines 300 mm Wafers her. Es ist zudem daran gedacht, dass
die Öffnungen 66 und die
Kanäle 69 vorbestimmte
Flächen
an vorbestimmten Orten auf der GDP 60 haben können, um
die Strömung
einzustellen und die Anpassung an verschiedene Lastbedingungen auf
dem Wafer herzustellen. Durch das Erzeugen eines Zustands, in dem die
Lastbedingungen zusammen mit gleichförmigen Gaskonzentrationen beachtet
werden, wird ein verbesserter Ätzvorgang
verwirklicht.
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Die
hier beschriebenen Ausführungsformen dienen
selbstverständlich
nur als Beispiele. Fachleute können
an diesen Ausführungsformen
Abwandlungen und Veränderungen
vornehmen, in dem sie Elemente verwenden, die den beschriebenen
funktionell gleichen. Es ist beabsichtigt, dass jede derartige Abwandlung
bzw. alle derartigen Abwandlungen und weitere Veränderungen,
die für
Fachleute naheliegend sind, in den Bereich der Erfindung fallen,
der in den beiliegenden Ansprüchen
bestimmt ist.