DE69814379T2

DE69814379T2 - Laser mit selektiv veränderter strombegrenzungsschicht

Info

Publication number: DE69814379T2
Application number: DE69814379T
Authority: DE
Inventors: K. James GUENTER; H. Ralph JOHNSON
Original assignee: Honeywell Inc
Current assignee: Finisar Corp
Priority date: 1997-03-06
Filing date: 1998-03-04
Publication date: 2004-03-25
Anticipated expiration: 2018-03-05
Also published as: JP3928883B2; EP0985255A1; DE69825800T2; DE69814379D1; DE69825800D1; JP2007053406A; US5903588A; WO1998039824A1; JP2001518236A; EP1306943B1; JP4700593B2; EP1306943A1; EP0985255B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Technisches Gebiet:
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein einen Laser mit einer Stromeingrenzungsschicht und insbesondere einen Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser oder VCSEL mit einer Schicht aus oxidierbarem Material, die selektiv oxidiert wird, um eine elektrisch isolierende Schicht zu bilden, durch die sich eine elektrisch leitfähige Öffnung erstreckt, um den Fluß von elektrischem Strom durch einen aktiven Bereich des Lasers einzugrenzen.
Beschreibung des Stands der Technik:
Fachleuten sind viele verschiedene Arten von Halbleiterlasern bekannt. Eine Art von Laser ist ein Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser oder VCSEL, der Licht in einer Richtung emittiert, die im allgemeinen senkrecht zu einer oberen Oberfläche der Laserstruktur steht. Laser dieses Typs umfassen mehrere Schichten aus halbleitendem Material. In der Regel ist an einem Ende eines Stapels halbleitender Schichten ein Substrat vorgesehen. Auf dem Substrat sind ein erster Spiegelstapel und ein zweiter Spiegelstapel mit einem dazwischenliegenden aktiven Quantenmuldenbereich angeordnet. Auf beiden Seiten des aktiven Bereichs können als Abstandsschichten zwischen den Spiegeln graduierte oder ungraduierte Schichten vorgesehen werden. Auf dem zweiten Spiegelstapel wird ein elektrischer Kontakt angeordnet. Am entgegengesetzten Ende des Stapels von Schichten wird im Kontakt mit dem Substrat ein weiterer elektrischer Kontakt vorgesehen. Zwischen den beiden Kontakten wird ein elektrischer Stromfluß bewirkt. Dieser elektrische Strom fließt deshalb durch den zweiten Spiegelstapel, einen oberen Bereich mit abgestuftem Index, den aktiven Bereich, einen unteren Bereich mit abgestuftem Index, den ersten Spiegelstapel und das Substrat. In der Regel wird ein vorgewählter Teil der aktiven Schicht als der aktive Bereich gekennzeichnet, und der elektrische Stromfluß wird durch den aktiven Bereich bewirkt, um den Laservorgang zu induzieren.
In einer Arbeit mit dem Titel "Progress in Planarized Vertical Cavity Surface Emitting Laser Devices and Arrays" von Morgan, Chirovski, Focht, Guth, Asom, Leibenguth, Robinson, Lee und Jewell, veröffentlicht im Band 1562 der International Society for Optical Engineering, Devices for Optical Processing (1991), wird eine VCSEL-Struktur im Detail beschrieben. Der Artikel beschreibt einen stapelverarbeiteten VCSEL, der Galliumarsenid und Aluminiumgalliumarsenid umfaßt. Mehrere verschiedene Größen von Bauelementen wurden experimentell untersucht und werden in der Publikation beschrieben. Dauer-Schwellenströme wurden zu 1,7 mA gemessen, wobei Ausgangsleistungen von mehr als 3,7 mW bei Raumtemperatur entstanden. Die Arbeit bespricht außerdem bestimmte interessante Kenngrößen, wie z. B. Differenz-Quanteneffizienzen von mehr als eins und Multi-Transversal-Modus-Verhalten. In 1 dieser Arbeit ist eine perspektivische Schnittansicht eines VCSEL gezeigt, wobei die verschiedenen Schichten identifiziert sind. Um den Stromfluß durch den aktiven Bereich der Quantenmulde einzugrenzen, verwendet das in dieser Arbeit beschriebene und dargestellte Bauelement eine Wasserstoffionenimplantationstechnik zur Erzeugung elektrisch isolierender Bereiche mit einer sich dadurch erstreckenden elektrisch leitfähigen Öffnung. Von dem oberen elektrischen Kontakt des VCSEL aus wird ein Stromfluß durch die elektrisch leitfähige Öffnung bewirkt, der dadurch durch einen vorgewählten aktiven Bereich einer aktiven Schicht gelenkt wird.
Aus dem US-Patent 5,245,622, dargestellt für Jewell et al am 14. September 1993, ist ein Vertikalresonator- Oberflächenemissionslaser mit einer resonatorinternen Struktur bekannt. In den Figuren des Patents von Jewell et al wird ein Stromblockierungsbereich durch die Bezugszahl 44 identifiziert und als eine ringförmige Protonenimplantation in den aktiven Bereich bildend beschrieben. Die Implantation dient zum horizontalen Eingrenzen des elektrischen Stromflusses. Die aus dem Patent von Jewell et al bekannten VCSELs weisen eine verschiedenartige resonatorinterne Struktur auf, um einen niedrigen Reihenwiderstand, hohe Leistungseffizienten und eine spezifische Art modaler Strahlung zu erzielen. Bei einer Ausführungsform des beschriebenen VCSEL umfaßt der Laser einen zwischen einem oberen und einem unteren Spiegel angeordneten Laserresonator. Der Resonator umfaßt eine obere und eine untere Abstandsschicht, die sandwichartig einen aktiven Bereich umschließen. Eine schichtenförmige Elektrode zum Leiten von elektrischem Strom zu dem aktiven Bereich umfaßt den oberen Spiegel und die obere Abstandsschicht. Die schichtenförmige Elektrode umfaßt mehrere alternierende hoch und niedrig dotierte Schichten zur Erzielung eines niedrigen Reihenwiderstands ohne Erhöhung der optischen Absorption. Weiterhin umfaßt der VCSEL eine Stromapertur, wie z. B. einen plattenförmigen Bereich, die in der schichtenförmigen Elektrode zur Unterdrückung von Strahlung höherer Moden ausgebildet ist. Die Stromapertur wird durch Reduzieren oder Beseitigen der Leitfähigkeit der ringförmigen Umgebungsbereiche gebildet. Bei einer Ausführungsform wird auf dem oberen Spiegel des VCSEL eine Metallkontaktschicht mit einer optischen Apertur ausgebildet. Die optische Apertur blockiert das optische Feld so, daß sie einen Laserbetrieb in höheren Transversalmoden beseitigt.
Das US-Patent 5,258,990, ausgegeben an Olbright et al am 2. November 1993, beschreibt einen oberflächenemissions-Halbleiterlaser für sichtbares Licht. In den Figuren des Patents von Olbright et al ist eine aktive Quantenmulde durch die Bezugszahl 34 identifiziert und wird durch eine durch die Bezugszahl 33 identifizierte ringförmige Zone definiert. Die ringförmige Zone umfaßt implantierte Protonen, die die aktive Quantenmulde umgeben und dadurch den elektrischen Stromfluß zu der Quantenmulde eingrenzen. Der in dem Patent von Olbright et al beschriebene VCSEL umfaßt einen Laserresonator, der zwischen zwei verteilten Bragg-Reflektoren geschichtet ist. Der Laserresonator umfaßt zwei Abstandsschichten, die eine oder mehrere aktive, optisch emittierende Quantenmuldenschichten mit einer Bandlücke im sichtbaren Bereich umgeben, die als das aktive optisch emittierende Material des Bauelements dienen. Das elektrische Pumpen des Lasers wird durch starkes Dotieren des unteren Spiegels und des Substrats auf einen Leitfähigkeitstyp und starkes Dotieren von Bereichen des oberen Spiegels mit dem entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp erzielt, um eine Diodenstruktur zu bilden. Außerdem wird eine geeignete Spannung an die Diodenstruktur angelegt. Bestimmte Ausführungsformen des Bauelements werden in dem Patent von Olbright et al beschrieben, darunter solche, die rote, grüne und blaue Strahlung erzeugen.
Das US-Patent 5,115,442, ausgegeben an Lee et al am 19. Mai 1992, beschreibt einen Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser. Laser dieses Typs werden als von der Emission durch eine obere Oberflächenelektrode mit Apertur abhängig beschrieben. Ein Vorstrom, entsprechend an der Peripherie des Lasers wie eingeführt, folgt einem Weg, der mit dem aktiven Verstärkungsbereich in Konfluenz kommt, um die Laserschwellen effektiv zu erreichen. Der Weg des elektrischen Stroms verläuft durch eine Öffnung eines vergrabenen Bereichs zunehmenden Widerstands, der den Laser in oder über dem aktiven Bereich umkreist. Der vergrabene Bereich wird mit durch Ionenimplantation verursachter Beschädigung mit einem Ionenenergiebetrag und -spektrum erzeugt, die so gewählt werden, daß ein entsprechender Widerstandsgradient erzeugt wird. Die zitierte Literaturstelle beschreibt sowohl integrierte als auch diskrete Laser. Die Figuren des Patents von Lee et al zeigen die Position und Form des Bereichs der Ionenimplantationsbeschädigung, mit der der elektrische Stromfluß durch einen aktiven Bereich in der aktiven Schicht eingegrenzt wird.
In der Veröffentlichung von IEEE Photonics Technology Letters vom April 1993, Band 4, Nr. 4, beschreibt ein Artikel mit dem Titel "Transverse Mode Control of Vertical-Cavity Top-Surface-Emitting Lasers" von Morgan, Guth, Focht, Asom, Kojima, Rogers und Callis Transversalmodenkenngrößen und die Steuerung für VCSELs. Die Arbeit bespricht ein neuartiges räumliches Filterungskonzept zur Steuerung von VCSEL-Transversalmoden, durch die in bestimmten Transversalmodenemissionen aus elektrisch angeregten VCSELs im Dauerstrich mehr als 1,5 mW erreicht werden können. Diese zitierte Arbeit zeigt außerdem die Verwendung von Ionenimplantation zum Zweck der Stromeingrenzung und zeigt eine Schnittansicht dieser Technik in ihrer. ersten Figur.
Die am meisten verwendete bekannte Technik zur Bereitstellung des Stromeingrenzungsbereichs eines VCSEL besteht darin, eine Ionenbombardierung zu verwenden, um einen ringförmig geformten Bereich zu beeinflussen und seinen Widerstand gegenüber elektrischem Strom zu vergrößern. Durch Bereitstellung einer elektrisch leitfähigen Öffnung in diesem Bereich mit vergrößertem elektrischen Widerstand wird Strom durch die Öffnung mit höherer elektrischer Leitfähigkeit gelenkt und kann deshalb durch einen vorgewählten aktiven Bereich in der aktiven Schicht gelenkt werden. Es wäre von Nutzen, wenn ein alternatives Verfahren zur Erzielung der Stromeingrenzung bereitgestellt werden könnte, ohne daß die in den gerade zitierten Arbeiten und Patenten beschriebene Ionenbombardierungstechnik verwendet werden muß.
Aus dem US-Patent 5,373,522, ausgegeben an Holonyak et al am 13. Dezember 1994, ist ein Halbleiterbauelement mit nativen Aluminiumoxidbereichen bekannt. Dieses Patent beschreibt ein Verfahren zur Ausbildung eines nativen Oxids aus aluminiumhaltigem Halbleitermaterial der Gruppe III-V. Bei diesem Verfahren wird aluminiumhaltiges Halbleitermaterial der Gruppe III-V einer wasserhaltigen Umgebung und einer Temperatur von mindestens 375 Grad Celsius ausgesetzt, um mindestens einen Teil des aluminiumhaltigen Materials in ein natives Oxid umzusetzen, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des nativen Oxids im wesentlichen dieselbe oder weniger als die Dicke des Teils des aluminium- haltigen Halbleitermaterials der Gruppe III-V ist, der auf diese Weise umgesetzt wurde. Das so gebildete native Oxid ist besonders in elektrischen und optoelektrischen Bauelementen, wie z. B. Lasern, nützlich.
Aus dem US-Patent 5,262,360, ausgegeben an Holonyak et al am 16. November 1993, ist ein natives AlGaAs-Oxid bekannt. Es wird ein Verfahren zur Ausbildung eines nativen Oxids aus einem aluminiumhaltigen Halbleitermaterial der Gruppe III-V beschrieben. Dabei wird ein aluminiumhaltiges Halbleitermaterial der Gruppe III-V einer wasserhaltigen Umgebung und einer Temperatur von mindestens etwa 375 Grad Celsius ausgesetzt, um mindestens einen Teil des aluminiumhaltigen Materials in ein natives Oxid umzusetzen, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des nativen Oxids im wesentlichen dieselbe oder kleiner als die Dicke des Teils des aluminiumhaltigen Halbleitermaterials der Gruppe III-V ist, der auf diese weise umgesetzt wird. Das so gebildete native Oxid ist besonders in elektrischen und optoelektrischen Bauelementen, wie z. B. Lasern, nützlich.
Aus dem US-Patent 5,115,442, dem US-Patent 5,245,622, dem US-Patent 5,262,360, dem US-Patent 5,373,522 und dem US-Patent 5,258,990 sind Halbleiterbauelemente des Stands der Technik bekannt.
Aus der europäischen Patentanmeldungsschrift Nr. 0858137A ist eine Laserstruktur mit einer einzigen Stromblockierschicht bekannt.
KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung liefert eine Laserstruktur gemäß Anspruch 1.
Die Laserstruktur kann die Merkmale eines beliebigen oder mehrerer der abhängigen Ansprüche 2 bis 11 enthalten.
Außerdem liefert die vorliegende Erfindung ein Verfahren nach Anspruch 12.
Das Verfahren kann die Merkmale beliebiger der abhängigen Ansprüche 13 bis 19 enthalten.
Die vorliegende Erfindung stellt einen Laser bereit, der ein Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser sein kann, der einen zwischen einem ersten und einem zweiten elektrischen Kontakt angeordneten aktiven Bereich umfaßt. Zwischen dem ersten und dem zweiten elektrischen Kontakt wird eine erste Stromblockierschicht bereitgestellt. Das Material der Stromblockierschicht wird spezifisch so gewählt, daß es, wenn es einem Oxidationsmittel ausgesetzt wird, eine Oxidation erfährt. Weiterhin umfaßt die vorliegende Erfindung eine erste Einrichtung, die selektiv einen Teil der ersten Stromblockierschicht dem Oxidationsmittel aussetzt, um einen ersten nicht oxidierten Bereich der ersten Stromblockierschicht zu definieren, der von einem zweiten oxidierten Bereich der Stromblockierschicht umgeben wird. Der erste nicht oxidierte Bereich der ersten Stromblockierschicht wird mit einem vorgewählten Bereich eines aktiven Bereichs ausgerichtet. Der erste oxidierte Bereich der Stromblockierschicht ist elektrisch isolierend, während der erste nicht oxidierte Bereich der Stromblockierschicht elektrisch leitfähig ist.
Die Laserstruktur kann ein Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser sein, obwohl dies nicht in allen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung notwendig ist. Eine zweite Stromblockierschicht kann in der Laserstruktur bereitgestellt werden und besteht aus einem Material, das eine Oxidation erfährt, wenn es einem Oxidationsmittel ausgesetzt wird. Diese Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfaßt weiterhin eine Einrichtung, die selektiv einen Teil der zweiten Stromblockierschicht dem Oxidationsmittel aussetzt, um einen zweiten nicht oxidierten Bereich der zweiten Stromblockierschicht zu definieren, der von einem zweiten oxidierten Bereich der zweiten Stromblockierschicht umgeben wird. Der nicht oxidierte Bereich ist mit dem aktiven Bereich des Lasers ausgerichtet. Wie bei der ersten Stromblockierschicht ist der zweite oxidierte Bereich elektrisch isolierend, während der zweite nicht oxidierte Bereich elektrisch leitfähig ist. Wenn zwei Stromblockierschichten aus oxidierten und nicht oxidierten Bereichen in einem einzigen Laser verwendet werden, werden die nicht oxidierten Bereiche der ersten und der zweiten Stromblockierschicht ausgerichtet, um Strom durch einen vorgewählten Teil des aktiven Bereichs zu lenken.
Es werden nachfolgend zwei spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bei einer Ausführungsform umfaßt die Laserstruktur einen Substratteil, einen auf dem Substratteil angeordneten Laserwirkungsteil, einen auf dem Substratteil angeordneten Kontaktstützteil und einen auf dem Substrat angeordneten Überbrückungsteil. Der Überbrückungsteil ist zwischen dem Laserwirkungsteil und dem Kontaktstützteil angeschlossen, und die erste Stromblockierschicht in dem Laserwirkungsteil wird an einer Randoberfläche ausgesetzt, damit sie selektiv oxidiert wird. Bei dieser bestimmten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann man entweder eine oder zwei Stromblockierschichten verwenden.
Bei einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erstreckt sich mindestens eine geätzte Vertiefung von einer ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Körper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierschicht, um einen Teil der Stromblockierschicht während der Herstellung der Laserstruktur dem Oxidationsmittel auszusetzen. Bei bestimmten Ausführungsformen der Erfindung können vier geätzte Vertiefungen verwendet werden, um selektiv vier Bereiche der Stromblockierschicht einem Oxidationsmittel auszusetzen.
Es versteht sich daß, obwohl nachfolgend zwei spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, auch alternative Konfigurationen verwendet werden könnten, um die Vorteile der vorliegenden Erfindung einzusetzen, und diese alternativen Konfigurationen sollten als in den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung fallend betrachtet werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorliegende Erfindung wird bei Durchsicht der Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform in Verbindung mit den Zeichnungen besser und vollständiger verständlich. Es zeigen:
1 einen Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser im Stand der Technik;
2 eine sehr schematische Querschnittsansicht der vorliegenden Erfindung;
3A und 3B eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4A und 4B einen Zwischenschritt bei der Herstellung der in 3A und 3B gezeigten Ausführungsform;
5A und 5B eine spätere Herstellungsphase des in 4A und 4B beschriebenen Bauelements;
6A und 6B eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
7A und 7B eine spätere Phase der Entwicklung des Bauelements in 6A und 6B; und
8A und 8B eine spätere Phase der Entwicklung des in 7A und 7B dargestellten Bauelements.
BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
In der gesamten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform werden gleiche Komponenten durch gleiche Bezugszahlen identifiziert.
1 ist eine Darstellung einer perspektivischen Darstellung, die im allgemeinen der ähnlich ist, die in der oben zitierten Arbeit, Band 1562, mit dem Titel "Progress in Planarized Vertical Cavity Surface Emitting Laser Devices and Arrays", als 1 identifiziert wird. nie perspektivische Ansicht von
1 zeigt eine typische Struktur für einen Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser 10, der Fachleuten wohlbekannt ist. Ein Galliumarsenidsubstrat 12 ist auf einem elektrischen Kontakt 14 des n-Typs angeordnet. Ein erster Spiegelstapel 16 und eine unterer Bereich 18 mit abgestuftem Index sind schrittweise in Schichten auf dem Substrat 12 angeordnet. Ein aktiver Quantenmuldenbereich 20 wird ausgebildet, und ein oberer Bereich 22 mit abgestuftem Index wird über dem aktiven Bereich 20 angeordnet. Ein oberer Spiegelstapel 24 wird über dem aktiven Bereich ausgebildet, und eine Schicht 26 des Leitfähigkeitstyps p bildet einen elektrischen Kontakt. Von dem oberen Kontakt 26 zu dem unteren Kontakt 14 kann dann ein Stromfluß bewirkt werden. Dieser Strom fließt durch den aktiven Bereich 20. Pfeile in 1 zeigen den Durchgang von Licht durch eine Apertur 30 in dem oberen Kontakt 26. Andere Pfeile in 1 zeigen den Stromfluß nach unten von dem oberen Kontakt 26 durch den oberen Spiegelstapel 24 und den aktiven Bereich 20. Eine Wasserstoffionenimplantation 40 bildet einen ringförmigen Bereich aus Material mit elektrischem Widerstand. Eine zentrale Öffnung 42 aus elektrisch leitfähigem Material bleibt während des Ionenimplantationsprozesses unbeschädigt. Als Ergebnis wird erzwungen, daß von dem oberen Kontakt 26 zu dem unteren Kontakt 14 fließender Strom durch die leitfähige Öffnung 42 fließt und dadurch selektiv so gelenkt wird, daß er durch einen vorgewählten Teil des aktiven Bereichs 20 fließt. Die in 1 gezeigte Struktur ist Fachleuten wohlbekannt und ist ein akzeptiertes Verfahren zur Erzielung der Stromeingrenzung in einem Vertikalresonator-Oberflächenemissionslaser. Die vorliegende Erfindung stellt gegenüber den Techniken, die erforderlich sind, um einen in der Struktur von 1 dargestellten VCSEL zu erzeugen, eine Verbesserung dar.
Jede der in der oben zitierten Patenten und Arbeiten beschriebenen Laserstrukturen verwendet eine bestimmte Art von Ionenbombardierung oder -implantation zur Erzeugung eines beschädigten ringförmigen Bereichs mit vergrößertem elektrischen Widerstand, der einen Bereich mit geringerem elektrischen Widerstand umgibt. Diese ringförmige Struktur lenkt den elektrischen Strom durch den vorgewählten Teil des aktiven Bereichs in dem Laser. Die vorliegende Erfindung ist eine Abweichung von diesen im Stand der Technik beschriebenen Techniken.
2 zeigt eine stark vereinfachte schematische Darstellung einer gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellten Laserstruktur. Ein Substrat 12 ist mit einem elektrischen Kontakt 14 versehen. Außerdem ist ein oberer Kontakt 26 vorgesehen, der eine sich durch seine Dicke hindurch erstreckende Öffnung 30 aufweist. Ein aktiver Bereich 20 ist durch gestrichelte Linien in dem zentralen Teil der in 2 gezeigten Laserstruktur dargestellt. Zwischen den beiden elektrischen Kontakten 14 und 26 ist eine Stromquelle 50 angeschlossen, um den Stromfluß durch die verschiedenen Schichten der Laserstruktur. zu verursachen.
Im Verlauf der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Strukturen über die Verwendung von Schichten, die oxidiert werden, um ihre Leitungsfähigkeit zu ändern, dargestellt und beschrieben. Es versteht sich jedoch, daß dasselbe Ziel auch durch Verwendung eines Ätzmittels erzielt werden könnte, das die Schichten selektiv entfernt, anstatt sie zu oxidieren. Jedes dieser Verfahren könnte zur Erzeugung des gewünschten Effekts in den vorgewählten Schichten verwendet werden. Bei Verwendung des Oxidationsprozesses würde natürlich ein Oxidationsmittel verwendet, um das Material in den Schichten zu oxidieren. Wenn der Ätzprozeß gewählt wird, würde dagegen ein Ätzmittel verwendet, um die vorgewählten Schichten selektiv zu ätzen.
Das Grundkonzept der vorliegenden Erfindung ist die Geometrie, die notwendig ist, um eine im wesentlichen planare Oberfläche aufrechtzuerhalten, wenn die Unteroberfläche durch Einwirkung eines vorgewählten Mittels, wie z. B. eines Oxidationsmittels oder eines Ätzmittels, modifiziert wird. In jedem Fall wird die vorgewählte Schicht mit einer hohen Konzentration von Aluminium hergestellt. Durch diese Konzentration von Aluminium wird die vorgewählte Schicht besonders empfindlich gegenüber Oxidation oder Ätzung. Ein Ätzen würde eine Leerstelle zurücklassen, an der die vorgewählte Schicht entfernt ist, während eine Oxidation eine Schicht aus Aluminiumoxid zurücklassen würde. Jeder dieser Prozesse kann eine effektive optische und elektrische Stromeingrenzung bereitstellen. Die Konzepte der vorliegenden Erfindung umfassen beide diese Prozesse.
Wenn selektives Ätzen als der Prozeß zur Erzielung der vorliegenden Erfindung gewählt wird, kann man die Hoch-Aluminium-Schichten in geschichteten AlGaAs-Strukturen mit Salzsäure oder Flußsäure erhalten. Da der selektive Ätzprozeß nicht perfekt ist, könnten die ausgesetzten Ränder nach dem Ätzen den Zähnen eines Kamms ähneln, wobei die höchsten Aluminiumschichten tief in die Struktur geätzt und die niedrigeren Aluminiumschichten wesentlich weniger stark geätzt werden. Um diese empfindliche kammartige Struktur zu entfernen, könnte dem selektiven Ätzen ein nicht selektives Ätzen folgen, das die Ränder glätten würde.
Unter weiterer Bezugnahme auf 2 sind zwei Stromblockierschichten dargestellt. Eine erste Stromblockierschicht 100 besteht aus einem Material, das bei Anwesenheit- eines Oxidationsmittels eine Oxidation erfährt. Bei bestimmten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann dieses Material. Al_xGa_1–xAs sein, wobei × größer als 0,90 ist. In 2 ist außerdem eine zweite Stromblockierschicht 104 dargestellt, obwohl sich versteht, daß bestimmte Implementierungen der vorliegenden Erfindung nur eine einzige Stromblockierschicht verwenden können. Obwohl die Verwendung zweier Stromblockierschichten 100 und 104 in bestimmten Ausführungsformen sehr vorteilhaft sein kann, sind nicht in jeder Anwendung der vorliegenden Erfindung zwei Schichten erforderlich. Die zentralen Öffnungen 101 und 105 sind Teile der Stromblockierschichten, die unoxidiert bleiben. und deshalb elektrisch leitfähig sind. Die oxidierten Teile der Stromblockierschichten werden elektrisch isolierend und sperren dadurch den Stromfluß durch ihre Dicken. Als Ergebnis wird erzwungen, daß von dem oberen Kontakt 26 zu dem unteren Kontakt 14 fließender Strom in den durch die Pfeile dargestellten Richtungen fließt, dieses Trichtern des Stroms bewirkt, daß er durch einen vorgewählten Teil des aktiven Bereichs 20 auf eine im allgemeinen ähnliche Weise wie bei dem Stromweg in den oben beschriebenen vorbekannten Laserstrukturen fließt.
Unter weiterer Bezugnahme auf 2 wird, wenn der Teil der Laserstruktur, der sich über das Substrat 12 erstreckt, mehrere Schichten umfaßt, deren Ränder an den Seitenoberflächen der Struktur ausgesetzt werden, eine Einwirkung eines Oxidationsmittels selektiv die Bereiche ätzen, die aus einem Material bestehen, das eine Oxidation erfährt, und die Oxidation beginnt an den Rändern der Struktur. Durch Wählen eines geeigneten Oxidationsmittels, z. B. mit Wasserdampf mit 80°C gesättigtes Stickstoffgas, das über Wafer mit 400°C fließt, und durch Zeitsteuerung des Oxidationszeitraums kann eine ringförmige oxidierte Struktur mit unoxidierten zentralen Bereichen erzeugt werden, wie z. B. die durch die Bezugszahlen 101 und 105 in 2 identifizierten. Mit einer Struktur wie z. B. der in 2 dargestellten ist jedoch ein großes Herstellungsproblem verbunden. Es müssen bestimmte Einrichtungen vorgesehen werden, um einen elektrischen Kontakt zwischen einer Stromquelle 50 und den elektrischen Kontakten 14 und 26 herzustellen. Bei den meisten Strukturen dieses Typs kann man leicht einen elektrischen Kontakt zwischen der Stromquelle 50 und der leitfähigen Kontaktstelle 14 herstellen. Aufgrund der äußerst kleinen Größe der sich von dem Substrat 12 aufwärts erstreckenden Struktur ist die Verbindung zwischen einer Stromquelle 50 und dem oberen elektrischen Kontakt 26 jedoch schwierig. Diese Schwierigkeit ist ungeachtet der Methodologie, mit der die Stromblockierschichten 100 und 104 erzeugt werden, vorhanden. Die vorliegende Erfindung liefert eine Einrichtung, die die Verbindung zwischen der Stromquelle 50 und dem oberen elektrischen Kontakt 26 erleichtert.
3A ist eine Draufsicht einer gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung hergestellten Laserstruktur. Das Substrat 12 unterstützt eine vertikale Struktur, die drei Teile umfaßt. Ein Überbrückungsteil 118 verbindet einen Laserwirkungsteil 110 und einen Kontaktstützteil 114. 3B ist eine Seitenansicht der in 3A gezeigten Struktur.
In 3B sind die Ränder bestimmter Schichten der Laserstruktur gezeigt. Obwohl es sich versteht, daß der Laserwirkungsteil 110, der Kontaktstützteil 114 und der Überbrückungsteil 118 mehrere Schichten umfassen, die den aktiven Bereich, die oberen und unteren Spiegel, die Bereiche mit abgestuftem Index und die Kontakte bilden, ist 3B eine vereinfachte Darstellung, die nur die erste und die zweite Stromblockierschicht der vorliegenden Erfindung zeigt. Die erste und die zweite Stromblockierschicht 100 und 104 werden über und unter dem aktiven Bereich der Laserstruktur angeordnet.
4A und 4B zeigen dieselbe Struktur wie oben in Verbindung mit 3A und 3B beschrieben, aber nachdem die Stromblockierschichten selektiv oxidiert wurden.
4A ist eine Querschnittsansicht von 4B durch die obere oder erste Stromblockierschicht 100. Da die Oxidation der Stromblockierschichten an den Rändern der vertikalen Struktur auf dem Substrat 12 beginnt, schreitet die Oxidation von diesen Rändern aus nach innen voran, wenn die Ränder einem Oxidationsmittel ausgesetzt werden. Der oxidierte Bereich wächst von den äußeren Rändern aus und schreitet über die Zeit hinweg nach innen heran, um einen unoxidierten Teil, wie z. B. die oben in 2 durch die Bezugszahlen 101 und 105 identifizierten, zu umgeben. In 4A wird der unoxidierte Bereich des Laserwirkungsteils 110 durch die Bezugszahl 130 identifiziert. Da sich die Oxidation für gewöhnlich hier in allen Teilen der Struktur mit einer konstanten Rate bewegt, wird auch ein unoxidierter Teil 134 des Kontaktstützteils 114 bestehen. Der Überbrückungsteil 118, der weniger breit als die beiden anderen Teile ist, wird vollständig oxidiert. Der in 4A dargestellte Grad der Oxidation und Nichtoxidation ergibt sich dadurch, daß die Struktur für einen vorgewählten Zeitraum, der die Funktion sowohl des verwendeten Oxidationsmittels als auch der Temperatur, unter der der Oxidationsprozeß stattfindet, ist, dem Oxidationsmittel ausgesetzt wird. Für diese Zwecke sind viele verschiedene Möglichkeiten verfügbar. Der nicht oxidierte Teil 130 des Laserwirkungsteils 110 liefert einen Stromweg, der elektrischen Strom durch den vorgewählten Teil des aktiven Bereichs lenkt.
5A und 5B zeigen die Struktur von 4A und 4B, nachdem eine weitere Verarbeitung abgeschlossen ist. In 5A wird ein leitfähiges Material, wie z. B. Titan : Gold, auf der oberen Oberfläche des Laserwirkungsteils 110, des Kontaktstützteils 114 und des Überbrückungsteils 118 abgelagert. Das elektrisch leitfähige Material wird in einer ringförmigen Form 140 ausgebildet, um eine Apertur 144 bereitzustellen, durch die Licht aus dem Laserwirkungsteil 110 emittiert werden kann. Auf dem Kontaktstützteil 114 ist die elektrische Kontaktstelle 148 so geformt, daß sie groß genug ist, um eine durch bekannte Drahtbondtechniken hergestellte Verbindung zwischen der. Kontaktstelle 148 und einer Stromquelle, wie z. B. der in 2 durch die Bezugszahl 50 identifizierten, zu ermöglichen. Zwischen dem ringförmigen Kontakt 140 und der Verbindungskontaktstelle 148 erstreckt sich ein leitfähiger Streifen 150 über den Überbrückungsteil 118. Dies ermöglicht einen elektrischen Kontakt zwischen der größeren leitfähigen Kontaktstelle 148 und dem ringförmigen Leiter 140, der die Apertur 144 umgibt.
5B ist eine Querschnittsansicht von 5A durch die Mitte des Laserwirkungsteils 110, des Überbrückungsteils 118 und des Kontaktstützteils 114. Als Ergebnis sind die erste und die zweite Stromblockierschicht 100 und 104 mit dem elektrisch leitfähigen Teil gezeigt, der oben in Verbindung mit 4A beschrieben und durch die Bezugszahl 130 identifiziert wurde. Dieser elektrisch leitfähige Teil der Stromblockierschichten ermöglicht einen Stromfluß von dem oberen Kontakt 140 durch den aktiven Bereich 20, wie durch die Pfeile dargestellt. Obwohl der Laserwirkungsteil 110 extrem klein ist, ermöglicht der größere Kontaktstützteil 114 die Bereitstellung einer relativ großen Kontaktstelle 148, damit das Bauelement durch bekannte Drahtbondtechniken mit einer Stromquelle verbunden werden kann. Der Überbrückungsteil 118 liefert physischen Halt für den elektrischen Leiter 150, während er sich von dem Kontaktstützteil 114 zu dem Laserwirkungsteil 110 erstreckt. Ein zusätzlicher Schritt, wie z. B. Protonenimplantation in allen Bereichen mit Ausnahme eines kleinen Bereichs in und um den Laserbereich und eines kleinen Bereichs in der Kontaktstelle kann eine Isolation von Bauelement zu Bauelement bereitstellen und die Bauelementkapazität minimieren.
Die in 3A, 3B, 4A, 4B, 5A und 5B beschriebene Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschreiben eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Nachfolgend wird eine andere Ausführungsform beschrieben, die in bestimmten Anwendungen bevorzugt wird.
6A zeigt eine Draufsicht einer Laserstruktur, die die oben in Verbindung mit 1 beschriebenen bekannten Schichten umfaßt. Die Laserstruktur 160 besitzt eine obere Oberfläche, in die sich mehrere geätzte Öffnungen 171–174 erstrecken. 6B ist eine Querschnittsansicht von 6A und zeigt die beispielhafte Tiefe, bis auf die die Öffnungen geätzt werden. Der Schnitt von 6A wird durch die geätzten Öffnungen 173 und 174 genommen. Sie erstrecken sich nach unten durch die erste Stromblockierschicht 100, den aktiven Bereich 20 und die zweite Stromblockierschicht 104. Wenn eine einzige Stromblockierschicht 100 verwendet wird, müssen sich natürlich die elektrischen Öffnungen nur durch sie erstrecken. Das Vorhandensein der Öffnungen 171–174 legt einen Rand der Stromblockierschichten frei, wo sie sich mit den Öffnungen schneiden. Durch Anordnen eines Oxidationsmittels in den Öffnungen 171–174 kann eine Oxidation dieser Ränder der Stromblockierschichten eingeleitet werden.
7A und 7B zeigen den Effekt dieses Prozesses. In 7B sind die Stromblockierschichten 100 und 104 als oxidierte Bereiche 200 und 204 aufweisend gezeigt. Diese oxidierten Bereiche breiten sich von den Öffnungen 173 und 174 aus als Funktion der Zeit, während der sich das Oxidationsmittel in den Öffnungen befindet, aus. 7B ist eine Querschnittsansicht von 7A durch die Öffnungen 173 und 174. 7A zeigt wiederum einen Querschnitt des Bauelements durch einen Bereich, in dem die Stromblockierschicht 100 vorhanden ist. Dadurch wird das Wachstum der oxidierten Bereiche nach außen gezeigt, die in 7A als gestrichelte Kreise gezeigt und durch die Bezugszahlen 200–203 identifiziert werden. Es versteht. sich, daß nicht erwartet wird, daß das Wachsen nach außen von den Öffnungen in den meisten Fällen perfekt kreisförmig ist. Tatsächlich können verschiedene Oxidations- oder Ätzraten in verschiedenen Richtungen ausgenutzt werden, um die Geometrie der unoxidierten oder ungeätzten Bereiche zu modifizieren. Für den Zweck der Darstellung der Grundprinzipien der vorliegenden Erfindung sind die oxidierten Bereiche jedoch als gestrichelte Linien dargestellt, die in 7A im allgemeinen kreisförmig sind. Ein nicht oxidierter Bereich wird von vier oxidierten Kreisen 200–203 (siehe 7A) umgeben. Dieser zentrale unoxidierte Bereich wird durch die oxidierten Bereiche eingegrenzt und dient als der Stromweg, dem der eingegrenzte elektrische Strom folgen kann, während er durch den aktiven Bereich 20 nach unten fließt. Anders ausgedrückt sind die Grundprinzipien der Funktionsweise des in 6A, 6B, 7A und 7B gezeigten Bauelements mit den oben beschriebenen identisch, aber die Implementierung, die diese Betriebsart erzielt, ist verschieden. Anstatt äußere Ränder dieser Struktur freizulegen, um die Stromblockierschichten zu oxidieren, werden Löcher geätzt, um Ränder in den Löchern freizulegen, und die Oxidation wird durch Anordnen eines Oxidationsmittels in den geätzten Löchern erreicht. Vier oxidierte Muster werden positioniert, um wie in 7A gezeigt einen unoxidierten Teil zu umgeben. Das vorteilhafte Ergebnis ist in beiden Fällen ähnlich.
8A und 8B zeigen das Bauelement von 7A und 7B nach weiterer Verarbeitung. Ein elektrisch leitfähiges Material, wie z. B. Titan : Gold wird auf der oberen Oberfläche des Bauelements abgelagert. Dieses Material weist einen ringförmigen Teil 300 und eine kleinere Kontaktstelle 304 auf. Diese beiden Teile werden wie gezeigt durch einen Streifen 308 verbunden. Ein zusätzlicher Schritt, wie z. B. Protonenimplantation in allen Bereichen mit Ausnahme eines kleinen Bereichs in und um den Laserbereich und eines kleinen Bereichs in der Kontaktstelle kann Isolation von Bauelement zu Bauelement bereitstellen und die Bauelementekapazität minimieren. Die Kontakte auf der oberen Oberfläche ermöglichen die Verbindung mit einer elektrischen Quelle durch bekannte Drahtbondtechniken und liefert elektrischen Strom, der durch die Öffnungen in den oxidierten Bereichen der Stromblockierschichten nach unten fließt. Der Fluß wird durch Pfeile in 8B dargestellt, die eine Querschnittsansicht von 8A ist.
Obwohl die vorliegende Erfindung in konkretem Detail beschrieben wird, um zwei bevorzugte Ausführungsformen der vorliegende Erfindung darzustellen, versteht sich, daß auch alternative Ausführungsformen in ihren Schutzumfang fallen.

Claims

Laserstruktur, umfassend: einen aktiven Bereich (20); einen auf einer ersten Oberfläche der Laserstruktur angeordneten ersten elektrischen Kontakt (26); einen zweiten elektrischen Kontakt (14), wobei der aktive Bereich (20) zwischen dem ersten (26) und dem zweiten (14) elektrischen Kontakt angeordnet ist; eine erste Stromblockierschicht (100), wobei die erste Stromblockierschicht (100) eine physische Änderung erfährt, wenn sie einem vorgewählten Reaktionsmittel ausgesetzt wird; eine zweite Stromblockierschicht (104), wobei die zweite Stromblockierschicht (104) eine Änderung erfährt, wenn sie dem vorgewählten Reaktionsmittel ausgesetzt wird; und eine Einrichtung, die selektiv einen Teil der ersten und der zweiten Stromblockierschicht (100, 104) dem vorgewählten Reaktionsmittel aussetzt, um einen ersten unveränderten Bereich (101, 130) der ersten Stromblockierschicht (100) zu definieren, der von einem ersten veränderten Bereich (200) der ersten Stromblockierschicht (100) umgeben wird, und um einen zweiten unveränderten Bereich (105) der zweiten Stromblockierschicht (104) zu definieren, der von einem zweiten veränderten Bereich (204) der zweiten Stromblockierschicht (104) umgeben wird, wobei der erste unveränderte Bereich (101, 130) der ersten Stromblockierschicht (100) mit einem vorgewählten Bereich des aktiven Bereichs (20) ausgerichtet ist, wobei der erste veränderte Bereich (200) elektrisch isolierend ist, wobei der erste unveränderte Bereich (101, 130) elektrisch leitfähig ist und der zweite unveränderte Bereich (105) der zweiten Stromblockierschicht (104) mit dem vorgewählten Bereich des aktiven Bereichs (20) ausgerichtet ist, wobei der zweite veränderte Bereich (204) elektrisch isolierend ist, wobei der zweite unveränderte Bereich (105) elektrisch leitfähig ist, wobei der erste (101, 130) und der zweite (105) unveränderte Bereich miteinander ausgerichtet sind, um einen sich durch den vorgewählten Bereich des aktiven Bereichs (20) erstreckenden Stromkanal zu definieren; wobei die Einrichtung zum selektiven Aussetzen mindestens eine geätzte Vertiefung (171–174) enthält, die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierschicht (100) und durch die zweite Stromblockierschicht (104) erstreckt, um einen Teil der ersten Stromblockierschicht (100) und einen Teil der zweiten Stromblockierschicht (104) während der Herstellung der Laserstruktur dem vorgewählten Reaktionsmittel auszusetzen.
Laserstruktur nach Anspruch 1, weiterhin umfassend: eine Vielzahl von geätzten Vertiefungen (171–174), die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierschicht (100) erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der ersten Stromblockierschicht (100) während der Herstellung der Laserstruktur dem Oxidationsmittel auszusetzen.
Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die Einrichtung zum selektiven Aussetzen vier geätzte Vertiefungen (171–174) umfaßt, die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die erste Stromblockierschicht (100) erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der ersten Stromblockierschicht (100) während der Herstellung der Laserstruktur dem vorgewählten Reaktionsmittel auszusetzen.
Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die Laserstruktur ein Vertikalresonatoroberflächenemissionslaser ist.
Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die Laserstruktur einen Substratteil (12), einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Laserwirkungsteil (110), einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Kontaktstützteil (114) und einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Überbrückungsteil (118) umfaßt, wobei der Überbrückungsteil (118) zwischen den Laserwirkungsteil (110) und den Kontaktstützteil (114) geschaltet ist, wobei die erste Stromblockierschicht (100) an einer Oberfläche des Laserwirkungsteils (110) ausgesetzt wird.
Laserstruktur nach Anspruch 1, wobei die Laserstruktur einen Substratteil (12), einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Laserwirkungsteil (110), einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Kontaktstützteil (114) und einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Überbrückungsteil (118) umfaßt, wobei der Überbrückungsteil (118) zwischen den Laserwirkungsteil (110) und den Kontaktstützteil (114) geschaltet ist, wobei die erste (100) und die zweite (104) Stromblockierschicht an einer Oberfläche des Laserwirkungsteils (110) ausgesetzt werden.
Laserstruktur nach Anspruch 1, weiterhin umfassend: eine erste Spiegelstruktur (16), die eine erste Vielzahl von Schichten umfaßt; und eine zweite Spiegelstruktur (24), die eine zweite Vielzahl von Schichten umfaßt, wobei der aktive Bereich (20) zwischen der ersten (16) und der zweiten (24) Spiegelstruktur angeordnet ist.
Laserstruktur nach Anspruch 2, weiterhin umfassend: eine Vielzahl von geätzten Vertiefungen (171–174), die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die zweite Stromblockierschicht (104) erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der zweiten Stromblockierschicht (104) während der Herstellung der Laserstruktur dem Oxidationsmittel auszusetzen.
Laserstruktur nach Anspruch 2, wobei die Einrichtung zum selektiven Aussetzen eines Teils der zweiten Stromblockierschicht (104) vier geätzte Vertiefungen (171–174) umfaßt, die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die zweite Stromblockierschicht (104) erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der zweiten Stromblockierschicht (104) während der Herstellung der Laserstruktur dem vorgewählten Reaktionsmittel auszusetzen.
Laserstruktur nach Anspruch 9, weiterhin umfassend: eine Vielzahl von geätzten Vertiefungen (171–174), die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die erste (100) und die zweite (104) Stromblockierschicht erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der ersten (100) und der zweiten (104) Stromblockierschicht während der Herstellung der Laserstruktur dem Oxidationsmittel auszusetzen.
Laserstruktur nach Anspruch 9, wobei die Laserstruktur einen Substratteil (12), einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Laserwirkungsteil (110), einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Kontaktstützteil (114) und einen auf dem Substratteil (12) angeordneten Überbrückungsteil (118) umfaßt, wobei der Überbrückungsteil (118) zwischen den Laserwirkungsteil (110) und den Kontaktstützteil (114) geschaltet ist, wobei die erste (100) und die zweite (104) Stromblockierschicht an einer Oberfläche des Laserwirkungsteils (110) ausgesetzt werden.
Verfahren zur Herstellung einer Laserstruktur, die folgendes umfaßt: einen aktiven Bereich (20); einen auf einer ersten Oberfläche der Laserstruktur angeordneten ersten elektrischen Kontakt (26); einen zweiten elektrischen Kontakt (14), wobei der aktive Bereich (20) zwischen dem ersten (26) und dem zweiten (14) elektrischen Kontakt angeordnet ist; wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß man zwei Stromblockierschichten (100, 104) bereitstellt, wobei die Stromblockierschichten (100, 104) eine physische Änderung erfahren, wenn sie einem vorgewählten Reaktionsmittel ausgesetzt werden; einen Teil der Stromblockierschichten (100, 104) selektiv dem vorgewählten Reaktionsmittel aussetzt, um einen ersten unveränderten Bereich (101, 130) der Stromblockierschichten (100, 104) zu definieren, der von einem ersten veränderten Bereich (200) der Stromblockierschichten (100, 104) umgeben wird, wobei der erste unveränderte Bereich (101, 130) der Stromblockierschichten (100, 104) mit einem vorgewählten Bereich des aktiven Bereichs (20) ausgerichtet ist, wobei der erste veränderte Bereich (200) elektrisch isolierend und der erste unveränderte Bereich (101, 130) elektrisch leitfähig ist; wobei bei dem selektiven Aussetzen mindestens eine geätzte Vertiefung (171–174) ausgesetzt wird, die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die Stromblockierschichten (100, 104) erstreckt, um einen Teil der Stromblockierschichten (100, 104) dem vorgewählten Reaktionsmittel auszusetzen; und man das vorgewählte Reaktionsmittel in die Vertiefung einführt, bis der erste veränderte Bereich (200) definiert ist.
Verfahren nach Anspruch 12, weiterhin mit dem folgenden Schritt: Ätzen einer Vielzahl von geätzten Vertiefungen (171-174), die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die Stromblockierschichten (100, 104) erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der Stromblockierschichten (100, 104) während der Herstellung der Laserstruktur dem Oxidationsmittel auszusetzen.
Verfahren nach Anspruch 13, wobei bei dem Schritt des selektiven Aussetzens eines Teils der Stromblockierschichten (100, 104) vier geätzte Vertiefungen (171–174) geätzt werden, die sich von der ersten Oberfläche der Laserstruktur in den Grundkörper der Laserstruktur und durch die Stromblockierschichten (100, 104) erstrecken, um eine Vielzahl von Teilen der Stromblockierschichten (100, 104) während der Herstellung der Laserstruktur dem vorgewählten Reaktionsmittel auszusetzen.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das vorgewählte Reaktionsmittel ein Oxidationsmittel und die physische Änderung Oxidation ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Oxidationsmittel Wasserdampf ist.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei das vorgewählte Reaktionsmittel ein Ätzmittel ist.
Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Ätzmittel eine Säure ist.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei die Stromblockierschichten (100, 104) ein aluminiumhaltiges Material umfassen.