DE69802948T2

DE69802948T2 - Ein getaperter stegwellenleiter

Info

Publication number: DE69802948T2
Application number: DE69802948T
Authority: DE
Inventors: Mehdi Asghari; Peter Harpin; Jeremy Morris; George Rickman
Original assignee: Bookham Technology PLC
Current assignee: Lumentum Technology UK Ltd
Priority date: 1997-02-07
Filing date: 1998-02-06
Publication date: 2002-09-12
Anticipated expiration: 2018-02-07
Also published as: GB9702579D0; JP2001510589A; CA2274176A1; AU5998298A; CN1246928A; WO1998035250A1; CN1146736C; EP1015922B1; EP1015922A1; US6108478A; DE69802948D1; GB2317023B; GB2317023A

Description

TECHNISCHES GEBIET

Die Erfindung bezieht sich auf einen sich verjüngenden Stegwellenleiter, der einen Übergang von einem optischen Wellenleiter relativ großen Querschnitts auf einen optischen Wellenleiter kleineren Querschnitts bewirkt.

STAND DER TECHNIK

Eine integrierte optische Schaltung benutzt optische Wellenleiter, um Licht durch die Schaltung zu schicken und um eine Verbindung mit äußeren optischen Wellenleitern, beispielsweise optischen Fasern, herzustellen. Die integrierten optischen Wellenleiter und/oder die optischen Fasern können eine unterschiedliche Querschnittsfläche aufweisen, so daß die Notwendigkeit besteht, Mittel vorzusehen, die einen Übergang von einem Wellenleiter mit relativ großem Querschnitt auf einen Wellenleiter kleineren Querschnitts bewirken. Zu diesem Zweck sind verschiedene Vorrichtungen entwickelt worden, aber diese sind relativ komplex und/oder schwierig herzustellen.
Die US-A-5078516 beschreibt einen sich verjüngenden Monomode-Stegwellenleiter, bestehend aus einem Substrat mit niedrigem Brechungsindex und einem Steg mit hohem Brechungsindex. In dem breiten Abschnitt des Steges ist die optische Leistung, d. h. die Lichtleistung in dem Steg konzentriert, und in dem schmalen Abschnitt ist die Lichtleistung mehr lose in dem Substrat begrenzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen sich verjüngenden Stegwellenleiter zu schaffen, der eine relativ einfache Konstruktion aufweist, relativ einfach herzustellen ist und der einen Übergang von einem großen Querschnitt auf einen kleineren Querschnitt mit geringen Verlusten bewirkt.
In diesem Zusammenhang ist darauf hinzuweisen, daß die Ausdrücke "oben", "unten", "seitlich" usw., wie sie in der Erfindung benutzt werden, sich relativ auf die Orientierung der Anordnung beziehen, wie sie in der beiliegenden Zeichnung dargestellt ist. Die Ausdrücke haben jedoch keinen Bezug hinsichtlich ihrer Orientierung auf die Schwerkraft.

BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Gemäß einem ersten Merkmal der Erfindung betrifft diese einen sich verjüngenden Stegwellenleiter, der sich von einem großen optischen Multimode-Wellenleiter auf einen kleineren optischen Monomode-Wellenleiter verjüngt, wobei der sich verjüngende Stegwellenleiter wenigstens zwei Abschnitte aufweist, die aus dem gleichen Material bestehen, nämlich einem unteren Abschnitt, der sich seitlich nach innen in Richtung von dem großen Wellenleiter nach dem kleineren Wellenleiter erstreckt, und einem oberen Abschnitt, der auf dem unteren Abschnitt ausgebildet ist und sich nach innen nach einem Punkt oder einer anderen Endgestalt in Richtung von dem großen Wellenleiter nach dem kleineren Wellenleiter verjüngt, wobei die Dimensionen der beiden Abschnitte derart gestaltet sind, daß im wesentlichen die Gesamtheit einer Grundwelle, die in dem großen Multimode- Wellenleiter fortschreitet, in den kleineren Monomode-Wellenleiter eingekoppelt wird.
Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus der Unteransprüchen, aus der vorstehenden Beschreibung und der nachstehenden Figurenbeschreibung.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Nachstehend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung beschrieben. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines bevorzugten Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen sich verjüngenden Stegwellenleiters;
Fig. 2A ist eine schematische Grundrißansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines sich verjüngenden Stegwellenleiters gemäß der Erfindung; und Fig. 2B zeigt einen Querschnitt gemäß der Linie a-a nach Fig. 2A; und
Fig. 3A und 3B, 4A und 4B und 5A und 5B zeigen schematische Grundrißansichten und Seitenansichten von drei weiteren Ausführungsbeispielen eines erfindungsgemäßen sich verjüngenden Stegwellenleiters.

DIE BESTE FORM DER VERWIRKLICHUNG DER ERFINDUNG

Die Zeichnung zeigt einen sich verjüngenden Stegwellenleiter, der sich von einem großen Multimode-Wellenleiter von etwa 10 um · 10 um auf einen kleineren Monomode-Wellenleiter von etwa 4,3 um · 4 um verjüngt.
Die dargestellten Wellenleiter haben die Form von Stegen, die auf der oberen Oberfläche einer Siliziumschicht, z. B. auf einer Siliziumschicht auf einem Isolatorchip, ausgebildet sind. Die Siliziumschicht auf dem Isolatorchip wird vorzugsweise aus herkömmlichen Wafern hergestellt, beispielsweise aus solchen, wie sie in elektronischen Schaltungen der VSLI-Art (Very Large Scale Integration) benutzt werden. Die Druckschrift "Reduced defect density in silicon-on-insulator structures formed by oxygen implantation in two steps" von J. Margail et al. Appl.Phys.Lett, 54, Seite 526, 1989, beschreibt die Herstellung von geeigneten Wafern. Verfahren zur Herstellung von Stegwellenleitern auf einem Chip mit Siliziumschicht auf einem Isolator sind in dem Artikel "Low loss single mode optical waveguides with large cross-section in silicon-on-insulator" von J. Schmidtchen et al in Electronic Letters, 27, Seite 1486, 1991 beschrieben.
Die Zeichnung zeigt den Stegwellenleiter, der auf der Siliziumschicht 1 eines solchen Chips angeordnet ist, und die Zeichnung zeigt, wie die Oxidschicht 2 die Siliziumschicht 1 von einem Siliziumsubstrat 3 trennt. Über dem Steg ist außerdem üblicherweise ein Siliziumdioxid-Überzug (nicht dargestellt) angebracht.
Der in der Zeichnung dargestellte sich verjüngende Stegwellenleiter besteht aus zwei Abschnitten: einem unteren Abschnitt 4, der sich seitlich von einer Breite von etwa 10 um auf eine Breite von ungefähr 4 um über eine Länge von etwa 1000 um verjüngt und einem oberen Abschnitt 5, der auf dem unteren Abschnitt 4 ausgebildet ist und sich von einer Breite von etwa 10 um auf einen Punkt über eine Länge von etwa 800 um verjüngt. Der obere Abschnitt 5 verjüngt sich demgemäß schneller als der untere Abschnitt 4, und er besitzt bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine dreieckige keilartige Form von oben her betrachtet. Beide Abschnitte sind jedoch derart ausgebildet, daß sie eine im wesentlichen adiabatische Verjüngung bilden.
Gemäß einer weiteren nicht dargestellten Anordnung verjügen sich unterer Abschnitt 5 und oberer Abschnitt 4 unter dem gleichen Winkel, so daß die Seiten der beiden Abschnitte parallel zueinander verlaufen. In diesem Fall ist das breite Ende des oberen Abschnitts 5 schmaler als das breite Ende des unteren Abschnitts 4.
Der obere und der untere Abschnitt 5 und 4 verjügen sich vorzugsweise unter einem Winkel (gegenüber der Achse des Wellenleiters) von weniger als 1 Grad und vorzugsweise weniger als 0,5 Grad. Eine derartige graduelle Verjüngung gewährleistet, daß die durch die Verjüngung verursachten Verluste klein gehalten werden. Der obere Abschnitt 5 verjüngt sich nach einem Punkt oder nach einer anderen Endgestaltung. Bei der Anordnung gemäß Fig. 1 ist der sich verjüngende Teil des oberen Abschnitts 5 auf der Oberseite des sich verjüngenden Teils des unteren Abschnitts 4 angeordnet.
Die beiden Abschnitte 4 und 5 einschließlich der Eintrittsfacette 6 können zusammen durch herkömmliche lithographische und Trockenätzverfahren hergestellt werden, da sie durch vertikale Oberflächen definiert sind. Sie sind aus dem gleichen Material hergestellt und haben demgemäß den gleichen Brechungsindex. Die beiden Abschnitte können homogen auf dem Chip hergestellt sein. Stattdessen kann der obere Abschnitt 5 getrennt hergestellt und auf dem unteren Abschnitt 4 aufgebracht werden.
Die oberen Flächen des oberen und unteren Abschnitts 4 und 5 liegen im wesentlichen parallel zur Ebene des Chips, d. h. die oberen und unteren Abschnitte 4 und 5 haben jeweils eine im wesentlichen konstante Höhe über der Oberfläche des Chips (gemäß dem dargestellten Beispiel 7,2 um bzw. 1,5 um).
Der sich verjüngende Stegwellenleiter gemäß der Zeichnung schafft eine zweidimensionale Verjüngung, und die Verjüngung in seitlicher Richtung wird durch eine tatsächliche Verjüngung des Wellenleiters bewirkt, und die Verjüngung in Vertikalrichtung (d. h. senkrecht zur Ebene des Chips) wird durch den seitlich verjüngten oberen Abschnitt 5 bewirkt. Die Probleme, die mit der Formung eines vertikal verjüngten Wellenleiters verknüpft sind, d. h. nicht-vertikale Oberflächen gemäß bekannten Anordnungen, werden dadurch vermieden.
Die Gestalt und die Dimensionen des verjüngten Stegwellenleiters sind derart, daß bei Erregung des großen Multimode-Wellenleiters nur mit der Grundwelle diese Welle in den kleineren Monomode-Wellenleiter gezwängt wird, da die Querschnittsform des Wellenleiters sich graduell von dem größeren Wellenleiter nach dem kleineren Wellenleiter ändert. Der wirksame Brechungsindex im oberen Abschnitt 5 wird progressiv vermindert, da er sich verjüngt. Dies zwingt die Welle in den unteren Abschnitt 4 des Wellenleiters. Der verjüngte Stegwellenleiter erfordert keine Brechungsindex-Differenz zwischen den beiden Abschnitten, um die Monomode-Operation des größeren Wellenleiters aufrechtzuhalten. Wie oben erwähnt, ist der größere 10 um · 10 um -Wellenleiter ein Multimode-Wellenleiter, aber er wird durch eine Grundwelle auf seiner Achse erregt, z. B. aus einer optischen Faser. Die Leistung in den Moden höherer Ordnung ist vernachlässigbar.
Der große Brechnungsindex-Unterschied zwischen dem Silizium-Wellenleiter und dem Siliziumdioxid-Überzug (nicht dargestellt) trägt dazu bei zu gewährleisten, daß der effektive Brechungsindex des oberen Abschnitts 5 genügend unterdrückt wird, um die optische Welle im wesentlichen vollständig in den unteren Abschnitt 4 einzuführen, bevor der schmalste Abschnitt erreicht ist. Demgemäß braucht sich, wie oben erwähnt, der obere Abschnitt 5 nicht bis auf einen Punkt zu verjüngen, so daß die Schwierigkeiten der Erzeugung sehr schmaler Abschnitte am schmalen Ende des oberen Abschnitts 5 vermieden werden können.
Die Dimensionen der beiden Abschnitte 4 und 5 sind gemäß den herkömmlichen Erfordernissen der Stegwellenleiter gewählt, und unter Benutzung geeigneter Dimensionen wird im wesentlichen die gesamte Grundwelle, die in dem großen Multimode-Wellenleiter fortschreitet, in den kleineren Monomode-Wellenleiter eingekoppelt.
Ein typisches Beispiel mit den in der Zeichnung dargestellten Dimensionen liefert eine Einkopplung mit geringen Verlusten (im typischen Fall 0,1 dB oder weniger) zwischen den beiden Wellenleitern.
Der sich verjüngende Stegwellenleiter gemäß vorstehender Beschreibung kann benutzt werden, um einen Übergang zwischen einer Vielzahl von Größen von Wellenleitern zu bewirken, und insbesondere kann er einen Übergang von einer optischen Faser nach einem kleineren integrierten Wellenleiter herstellen. Der größere Wellenleiter hat im typischen Fall eine Querschnittsdimension im Bereich zwischen 7-12 um Breite · 7-12 um Tiefe (und ist demgemäß mit den herkömmlichen optischen Fasern kompatibel), und der kleinere Wellenleiter hat im typischen Fall Querschnittsabmessungen im Bereich zwischen 2 und 5 um Breite · 4-5 um Tiefe (und ist demgemäß kompatibel mit den herkömmlichen integrierten optischen Wellenleitern). Wie aus Fig. 1 ersichtlich, wird die Tiefe von der Oxidschicht 2 aus gemessen.
Wie oben angedeutet, kann die Eingangsfacette 6 durch Trockenätzung hergestellt werden, so daß keine Sägeschnitte und kein Polieren notwendig sind. Die Facette 6 kann senkrecht zur Achse des Wellenleiters 6 stehen, oder sie kann im Winkel dazu angestellt sein.
Es soll ferner darauf hingewiesen werden, daß der sich verjüngende Stegwellenleiter in beiden Richtungen benutzbar ist, d. h. von einem großen Wellenleiter auf einen kleinen Wellenleiter oder von einem kleinen Wellenleiter auf einen großen Wellenleiter.
Der oben beschriebene Stegwellenleiter kann auf einfache Weise mit anderen Komponenten einer integrierten optischen Schaltung integriert werden. Eine nicht dargestellte optische Faser, die Licht in die Facette 6 einleitet, kann in einer V-Nut (nicht dargestellt) angeordnet werden, die in dem Chip vorgesehen ist, der die Siliziumschicht auf einem Isolator aufweist. Die Lage der V-Nut und die Lage des sich verjüngenden Stegwellenleiters kann durch einen gemeinsamen lithographischen Schritt definiert werden, so daß diese Teile automatisch aufeinander ausgerichtet werden.
Eine parallel laufende Anmeldung PCT/GB96/01068 (Veröffentlichungs-Nr. WO97/42534) der Patentinhaberin beschreibt eine Verbindung zwischen einem integrierten optischen Wellenleiter und einer optischen Faser. Diese frühere Anmeldung beschreibt einen Stegwellenleiter, der auf einem Silizium-Isolator-Chip aufgeformt ist, wobei der Stegwellenleiter und die darunterliegende Schicht aus Siliziumdioxid über dem Ende einer V-Nut liegen, die im Chip ausgebildet ist und in der eine optische Faser so angeordnet wird, daß das Ende des Stegwellenleiters in unmittelbarer Nähe mit dem Ende der optischen Faser liegt, wobei der Überhang erforderlich ist, da das Ende der V-Nut nicht senkrecht zur Oberfläche des Chip verläuft.
Die sich verjüngende Stegwellenleiter-Struktur, die in dieser Anmeldung beschrieben ist, kann auf einem derartigen Überhang angeordnet werden, um einen Übergang zwischen einem großen Multimode-Wellenleiter, der Licht aus einer optischen Faser empfängt und einem kleineren integrierten Monomode-Wellenleiter zu bilden, der auf dem Chip ausgebildet ist.
Das dargestellte Ausführungsbeispiel umfaßt einen sich verjüngenden Stegwellenleiter, der als gerader Wellenleiter ausgebildet ist. In gewissen Fällen kann es jedoch erwünscht sein, eine ähnliche Struktur auf einem graduell gekrümmten Wellenleiter vorzusehen. Die sich verjüngenden Seiten von oberem Abschnitt 5 und unterem Abschnitt 4 brauchen nicht notwendigerweise gerade zu sein, sondern sie können auch gekrümmt ausgebildet sein, und sie brauchen auch nicht notwendigerweise symmetrisch zu liegen.
Wie oben erwähnt, sollte die Verjüngung graduell ausgebildet sein. Wenn die Verjüngung zu schnell verläuft, werden die Verluste höher. Wenn andererseits die Verjüngung zu graduell verläuft, kann die Einrichtung länger werden als dies erwünscht ist. Gewöhnlich ist ein Kompromiß zwischen diesen beiden Erfordernissen notwendig.
Zusätzlich zur Verjüngung des unteren Abschnitts 4 kann ein verjüngter Abschnitt auf der Siliziumplatte 7 ausgenommen sein, wie dies strichliert in Fig. 1 angegeben ist. Durch Ausnehmung der Platte 7 benachbart zum Stegwellenleiter wird die Brechungsindex-Differenz zwischen dem Wellenleiter und seiner Umgebung erhöht, und durch graduelle Verjüngung des Spaltes 7 wird die effektive Brechungsindex- Differenz graduell vermindert.
Das dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt einen sich verjüngenden Wellenleiter mit zwei Schichten, d. h. dem oberen Abschnitt 5 und dem unteren Abschnitt 4. Es ist jedoch klar, daß weitere Schichten vorgesehen werden können, beispielsweise ein zusätzlicher sich verjüngender Abschnitt auf der Oberseite des oberen Abschnitts 5, und daß die Verjüngung in zwei oder mehreren Stufen über unterschiedliche Stellen längs des Wellenleiters erfolgen kann.
Die Fig. 2A und 2B veranschaulichen schematische Darstellungen eines Beispiels eines mehrstufig verjüngten Stegwellenleiters. Ein 10 um hoher Steg 10 verjüngt sich anfänglich auf einen 7 um hohen Steg 11, der sich dann auf einen 4 um hohen Steg 12 verjüngt. Fig. 2B zeigt einen Querschnitt längs der Linie a-a gemäß Fig. 2A. Durch diese Einrichtung kann sich ein 10 um · 10 um - Wellenleiter in zwei Stufen auf einen 2 um · 4 um - Wellenleiter verjüngen, um z. B. mit einem Laser gekoppelt zu werden. Der sich verjüngende Abschnitt 10 überlappt den verjüngten Abschnitt 11, so daß Verluste vermindert werden, die eine Folge davon' sind, daß Licht divergiert, wenn es von dem Abschnitt 10 nach dem Abschnitt 11 gelangt, und in gleicher Weise überlappt der sich verjüngende Abschnitt 11 den sich verjüngenden Abschnitt 12.
Die Fig. 3 bis 5 zeigen weitere Ausführungsbeispiele verjüngt ausgebildeter Wellenleiter.
Die Anordnung gemäß Fig. 3A und 3B entspricht der Darstellung gemäß Fig. 1 mit dem Unterschied, daß der sich verjüngende Teil 13, der den oberen und den unteren Abschnitt 5 bzw. 4 bildet und ein Substrat 14, auf dem diese ausgebildet sind, ein getrennter Teil ist, der auf einem Silizium-Isolator-Chip 15 aufgebracht und auf einen Wellenleiter 16 darauf ausgerichtet ist. Dies schafft die Möglichkeit, daß der sich verjüngende Aufbau 13 aus einem anderen Material, z.B. Siliziumdioxid oder Siliziumnitrit, hergestellt werden kann, und es wird die Möglichkeit geschaffen, diese Teile getrennt von der übrigen optischen Schaltung herzustellen.
Der sich verjüngende Aufbau 13 ist auf einem Silizium-Isolator-Chip 15 dadurch aufgebracht, daß die Oberflächen 13A und 13B an entsprechende Oberflächen 15A und 15B in einer Ausnehmung oder einem Ausschnitt des Chip 15 montiert sind. Ein weiteres Paar aneinanderstoßender Oberflächen (nicht dargestellt) kann vorgesehen werden, um in seitlicher Richtung relativ zum Wellenleiter 16 angeordnet zu werden. Der sich verjüngende Aufbau 13 kann an Ort und Stelle mittels eines Klebers festgelegt werden.
Der zweistufig verjüngte Wellenleiter kann auch in der Weise hergestellt werden, wie dies in den Fig. 4A und 4B dargestellt ist. In diesem Fall ist ein getrennter verjüngter Aufbau 17 vorgesehen, der aus einem oberen verjüngten Abschnitt 5 auf einem nicht verjüngten Abschnitt 18 und einem Substrat 19 besteht. Der verjüngte Aufbau 17 ist auf dem Silizium-Isolator-Chip 15 in gleicher Weise wie oben beschrieben angeordnet und ausgerichtet.
Die Fig. 5A und 5B zeigen eine weitere Anordnung, bei der ein verjüngter Aufbau 20 aus einem unterschiedlichen Material direkt auf einem Silizium-Isolator-Chip 15 angeordnet ist. Die Fig. 5A und 5B sind ähnlich den Fig. 3A und 3B, aber in diesem Fall werden die oberen Abschnitte 5 und die unteren Abschnitte 4 und das Substrat 14 direkt auf dem Chip 15 erzeugt. Der sich verjüngende Aufbau 20 kann beispielsweise aus Siliziumdioxid bestehen, das auf dem Silizium-Isolator-Chip 15 abgelagert oder ausgewachsen ist, oder es kann ein Polymermaterial benutzt werden, das auf den Chip aufgezogen ist.
Da die sich verjüngenden Teile 13, 14 und 20 aus unterschiedlichem Material im Vergleich mit dem Wellenleiter 16 (und dem unteren Abschnitt 4 gemäß Fig. 4) bestehen, wird zweckmäßiger ein Antireflexbelag zwischen den beiden vorgesehen, um eine Rückreflexion des Lichtes zu unterdrücken, das von dem verjüngten Teil in den Silizium-Isolator-Chip gelangt.
Bei den vorbeschriebenen Ausführungsbeispielen wurde ein Silizium-Isolator-Chip benutzt, und dies hat die oben angegebenen Vorteile. Jedoch kann ein ähnlich verjüngt ausgebildeter Stegwellenleiter auch auf anderen Chips ausgebildet werden.

Claims

1. Sich verjüngender Stegwellenleiter, der sich von einem großen optischen Multimode-Wellenleiter zu einer kleineren optischen Monomodefaser verjüngt, wobei der sich verjüngende Stegwellenleiter wenigstens zwei Abschnitte (4, 5) umfaßt, die aus demselben Material gebildet sind: einem unteren Abschnitt (4), der sich seitlich einwärts in der Richtung von dem großen Wellenleiter zum kleineren Wellenleiter verjüngt, und einem oberen Abschnitt (5), der auf dem unteren Abschnitt (4) ausgebildet ist und sich einwärts zu einem Punkt oder einer anderen Endform in der Richtung vom großen Wellenleiter zum kleineren Wellenleiter verjüngt, wobei die Abmessungen der beiden Abschnitte (4, 5) derart gestaltet sind, daß im wesentlichen die Gesamtheit einer Grundwelle, die sich in dem großen Multimode- Wellenleiter ausbreitet, mit der kleineren Monomodefaser gekoppelt ist.

2. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach Anspruch 1, bei dem die Formen des oberen und des unteren Abschnittes (4, 5) durch vertikale Flächen definiert sind.

3. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach Anspruch 1 oder 2, bei dem eine sich verjüngende Sektion des oberen Abschnitts (4) mit einer sich verjüngenden Sektion des unteren Abschnitts (5) überlappt oder auf dieser ausgebildet ist.

4. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem der obere und der untere Abschnitt (4, 5) im wesentlichen eine konstante Höhe haben.

5. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der obere und der untere Abschnitt (4, 5) sich seitlich in einem Winkel von weniger als 1 Grad und vorzugsweise weniger als 0,5 Grad in bezug auf die Achse des Wellenleiters verjüngen.

6. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der große Wellenleiter Querschnittsabmessungen im Bereich von 7-12 um Breite und 7-12 um Tiefe hat.

7. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der kleinere Wellenleiter Querschnittsabmessungen im Bereich von 2-5 um Breite und 4-5 um Tiefe hat.

8. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der erste und der zweite Abschnitt (4, 5) homogen ausgebildet sind.

9. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche mit einem weiteren sich verjüngenden Abschnitt (11) zwischen dem oberen Abschnitt (10) und dem unteren Abschnitt (12), so daß die Verjüngung in Stufen von einem großen Wellenleiter zu einem Wellenleiter mit Zwischengröße auf einem niedrigeren Niveau und dann zu einem kleinen Wellenleiter auf einem noch niedrigeren Niveau erfolgt.

10. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem ein sich verjüngender Abschnitt (7) einer Platte neben dem unteren Abschnitt (4) des Stegwellenleiters ebenfalls entfernt wird.

11. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, der auf einem Silizium-auf-Isolator-Chip (1, 2, 3) ausgebildet ist.

12. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach Anspruch 11, der auf eine V-Nut zum Aufnehmen eines Lichtwellenleiters ausgerichtet ist.

13. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach den Ansprüchen 11 und 12, der auf einem Teil des Siliziumchips ausgebildet ist, der über ein Ende der in dem Chip ausgebildeten V-Nut überhängt.

14. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der obere Abschnitt (5) als Teil einer separaten Struktur ausgebildet ist, die in Übereinstimmung mit der kleineren Monomodefaser montiert ist.

15. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach Anspruch 14, bei dem der untere Abschnitt und der obere Abschnitt (5) als Teil einer separaten Struktur (14) ausgebildet sind, die in Übereinstimmung mit der kleineren Monomodefaser (16) montiert ist.

16. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der obere und/oder der untere Abschnitt (4, 5) aus einem anderen Material ausgebildet sind als die kleinere Monomodefaser.

17. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach Anspruch 16, bei dem der obere und der untere Abschnitt (4, 5) aus einem Material gebildet sind, das auf ein Substrat, auf dem die kleinere Monomodefaser ausgebildet ist aufgewachsen ist, aufgetragen oder aufgeschleudert wurde.

18. Sich verjüngender Stegwellenleiter nach einem der vorherigen Ansprüche, der eine Kopplung zwischen einer optischen Faser und einem integrierten Lichtwellenleiter bereitstellt.