JP2001510589A - 先細のリブ付き導波路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 大きい多重モードの光学的導波路から小さい単一モードの光学的導波路にして、先細のリブ付き導波路が、同じ材料で形成された二つの部分（４，５）；すなわち、大きい導波路から小さい導波路へ側方へ先細りしている下部分（４）と、点へ（または終端の他の形状）先細りしている下部分の上に形成された上部分（５）とから構成しており、二つの部分（４，５）の寸法は、大きい多重モードの導波路内で伝播した基本モードのほぼすべてが小さい単一モードの導波路へ接続されるように、なっている。

Description

【発明の詳細な説明】 先細のリブ付き導波路 技術分野 本発明は、比較的大きい断面の光学的導波路から小さい断面の光学的導波路へ の遷移部を備えた先細のリブ付き導波路に関する。背景の技術 光学的集積回路は、光を回路の回りに伝送するとともに、オプチカルファイバ などの外部光学的導波路へ接続する光学的導波路を採用している。光学的集積導 波路及び／又はオプチカルファイバは、断面の大きさが異なり、従って、比較的 大きい断面の導波路から小さい断面の導波路への遷移部を備えた手段が必要であ る。多様な素子がこのために提案されているが、比較的に複雑で、組立が困難に なる傾向がある。 本発明は、構造が比較的にシンプルな先細のリブ付き導波路を提供することが 目的であり、この導波路は、組立が比較的容易であり、大きい断面から小さい断 面への損失の小さい遷移部を備える。 ここに使用されている”上部”、”下部”、”側方”などの用語は、相対的意 味で、すなわち、付属図面に示された素子の向きに対して使用されており、重力 に対する向きを意味していないことに留意して戴きたい。発明の開示 本発明の第一面から、大きい多重モードの光学的導波路から小さい単一モード の光学的導波路へ先細になっている先細のリブ付き導波路が提示されており、先 細のリブ付き導波路は、同じ材料で形成された少なくとも二つの部分、すなわち 、大きい導波路から小さい導波路へ側方へ先細になっている下部分と、終端の点 又は他の形へ先細になっている、下部分の上に形成された上部分から構成してお り、二つの部分の大きさは、大きい多重モードの導波路内で伝播される基本モー ドのほぼすべてが、小さい単一モードの導波路へ接続されるように、構成されて いる。 本発明の好適な特徴は、本明細書の補足請求の範囲と以降の説明から明らかに なるであろう。図面の簡単な説明 本発明は、以降の付属図面に関し、単に実施例により詳細に説明されている。 図１は、本発明による先細のリブ付き導波路の好適な実施態様の見取り図であ る。 図２Ａは、本発明による先細のリブ付き導波路の他の実施熊様の見取り図であ り、図２Ｂは、その断面である。 図３Ａと３Ｂ、４Ａと４Ｂ、および５Ａと５Ｂは、本発明による先細のリブ付 き導波路のさらに他の三つの実施態様の平面図と側面図を示す。発明を実施する最良モード 図面は、約１０ミクロン×１０ミクロンの大きい多重モード導波路から約４． ３ミクロン×４ミクロンの小さい単一モード導波路へ先細になっている先細のリ ブ付き導波路を示している。 示された導波路は、例えば、ＳＯＩ(silicon-on-insulator)チップのシリコン 層の上面に形成されたリブの形を呈している。ＳＯＩは、好適に、超大規模集積 （ＶＳＬＩ）電子回路に使用されている従来のウェーハから製作される。ジェイ ・モーゲイルほか著の研究論文”二段階酸素移植により形成されたＳＯＩ構造の 低下した欠陥密度”、アプライド・フィジックス・レター、５４、頁５２６、１ ９８９年には、適切なウェーハの製造が述べられている。ＳＯＩチップにリブ付 き導波路を製作する方法は、ジェイ・シュミットヘンほか著の研究論文”ＳＯＩ の大きい断面を有する低損失の単一モード光学的導波路”、エレトロニツクス・ レター、２７、頁１４８６、１９９１年に述べられている。 図面は、チップなどのシリコン層１に形成されたリブ付き導波路を示しており 、シリコン層１をシリコン基板３から分離している酸化物層２を示している。シ リコン二酸化被覆層（示されていない）もまた、普通、リブ上に形成されている 。 図面に示された先細のリブ付き導波路は、二つの部分、すなわち、長さ約１０ ００ミクロンに亘って幅が約１０ミクロンから約４ミクロンに側方へ先細になっ ている下部分４と、長さ約８００ミクロンに亘って幅が約１０ミクロンから点に 先細になっている下部分４の上に形成された上部分５から構成している。従って 、上部分５は、下部分４より急激に先細になっており、示された実施態様では、 上から見て三角形の楔状の形状を有する。しかし、両方の部分は、ほ ぼ断熱的先細りであるように設計されている。 他の構成（示されていない）において、上部分５と下部分４の両方は、同じ角 度で先細っており、従って、二つの部分の側面は、互いに平行である。この場合 、上部分５の幅の端は、下部分４の幅の端より狭い。 上部分５と下部分４は、好適に、１度より、好適には、０．５度より小さい角 度（導波路の軸に対し）で先細りである。この様な緩やかな先細りにより、先細 りにより発生する損失は確実に少なく保持される。上部分４は、点または終端の 他の形へ先細りである。図１に示された構造において、上部分５の先細の部分は 、下部分４の先細の部分の上に形成されている。 入力面６を有する二つの部分４と５は、それらが垂直な面により形成されてい るので、従来のリソグラフィおよびドライエッチングにより一体に形成すること ができる。それらの面は、同じ材料で形成されているので、同一屈折率を有する 。この二つの部分は、チップ上に均質に形成される。あるいは、上部分５は、分 離して形成され、下部分４に取り付けられる。 上部分５と下部分４の上面は、チップの平面とほぼ平行であり、すなわち、上 部分５と下部分４は、それぞれ、チップの表面からほぼ一定の高さ（示された実 施例において７．２と１．５ミクロン）を有する。 従って、図面に示された先細のリブ付き導波路は、寸法上で二つのテーパーを 形成しており、側方向の先細りは、導波路の実際の先細りにより形成され、垂直 方向の先細り（チップの平面に直角な）は、側方向先細りの上部分５によ り形成される。従って、垂直に先細りの、すなわち、従来技術の幾つかに使用さ れているような非垂直面により形成された導波路に伴う問題は、避けられる。 大きい多重モードの導波路が基本モードにおいてのみ励起されるならば、導波 路の断面形状が大きい導波路の形状から小さい導波路の形状へ徐々に変化するの で、このモードは小さい単一モードの導波路へ押し込められるように、先細のリ ブ付き導波路の形状と寸法は、設定されている。上部分５の有効な屈折率は、先 細りであるので、緩やかに減少する。これは、モードを導波路の下部分４へ押し 込める。先細のリブ付き導波路は、二つの部分の間の屈折率の差又は大きい導波 路の単一モード動作の維持を必要としないことに注目して戴きたい。上述のよう に、大きい１０ミクロン×１０ミクロンの導波路は、単一モード導波路であるが 、その軸上の、例えば、オプチカルファイバからの基本モードにより励起される ならば、高次モードの出力は無視される。 シリコン導波路とシリコン二酸化被膜層（示されていない）との間の大きい屈 折率の差は、上部分５の有効な屈折率が十分に抑制されて、最も狭い部分に到達 する前に、光学的モードがほぼ完全に下部分４へ確実に誘導されるのに役に立つ 。従って、上述のように、上部分５は点へ先細りする必要はないので、上部分５ の狭い端において非常に狭い部分を組み付ける問題は、避けられる。 二つの部分４と５の寸法は、リブ付き導波路の従来の条件と適切な寸法に従っ て選択され、大きい多重モード導波路内で伝播される基本モードのほぼすべては 、小さい単一モードの導波路へ接続される。 図面に示された寸法を有する代表的実施例は、二つの導波路の間の低損失の 接合（一般に０．１ｄＢ以下）を行う。 ここに述べた先細のリブ付き導波路は、多様な大きさの導波路の間の遷移部、 特にオプチカルファイバから小さい集積された導波路への遷移部を備えるのに使 用される。大きい導波路は、一般に、幅７−１２ミクロン、深さ７−１２ミクロ ンの範囲の断面の大きさを有しており（従って、従来の一体化光学的導波路と併 用できる）、小さい導波路は、一般に、幅２−５ミクロン、深さ４−５ミクロン の断面の大きさを有する（従って、従来の集積光学的導波路と併用できる）。図 １に示されているように、深さは酸化層２から測定されている。 上述のように、入力面６はドライエッチングにより形成され、鋸歯切断または 研磨は必要ではない。入力面６は、導波路の軸に垂直であるか、または傾斜して いる。 先細のリブ付き導波路は、どの方向にも、即ち、大きい導波路から小さい導波 路へ、または、小さい導波路から大きい導波路へ使用出来ることもお分かりであ ろう。 上述の先細のリブ付き導波路は、光学的集積回路の他の構成要素と容易に一体 化される。光を入力面６へ入力するオプチカルファイバ（示されていない）は、 シリコン−オン−絶縁体チップに形成されたＶ溝（示されていない）に配置され ている。Ｖ溝と先細のリブ付き導波路の位置は、一般的リソグラフィ段階により 形成され、従って、それらは自動的に相互に一直線に並んでいる。 出願者の同時係属出願Ｎｏ．ＰＣＴ／ＧＢ９６／０１０６８（公報Ｎｏ． ＷＯ９７／４５２３４）は、光学的集積導波路とオプチカルファイバとの間の接 続が、これによりここに取り入れられていることを述べている。この初期の出願 は、ＳＯＩチップの上に形成されたリブ付き導波路を説明しており、リブ付き導 波路と二酸化シリコンの基板層は、オプチカルファイバが配置されている、チッ プに形成されたＶ溝の端から突き出ており、従って、リブ付き導波路の端はオプ チカルファイバの端に接近して置かれている。 ここに説明されている先細のリブ付き導波路は、この様な突き出しの上に形成 され、光をオプチカルファイバから受光する大きい多重モード導波路と、チップ 上に形成された単一モードの集積導波路との間の転移を行う。 示された実施態様は、真っ直ぐな導波路として形成された先細のリブ付き導波 路から成っている。しかし、ある環境では、徐々に曲がっている導波路に同様な 構造を形成することが望ましい。上部分５と下部分４の先細の側面は、真っ直ぐ であることは必要でないが、曲げられているか、または、それらが必ずしも対称 である必要はない。 上述のように、先細りは緩やかでなければならない。先細りが急激であると、 損失が高い。他方、先細りが余り緩やか過ぎると、素子は希望しているより大き くなる。これら二つの条件の間の折衷は、普通必要である。 下部分４を先細りにするほかに、厚いシリコンの先細の部分７もまた、図１に 破線により示されているように、取り去ることもできる。リブ付き導波路に隣接 している厚い部分７を取り去ると、導波路とその周囲との間の屈折率の差を増大 し、その間隙７を徐々に狭くすることにより、有効な屈折率の差が次第 に減少する。 示された実施態様は、二つの層、すなわち、上部分５と下部分４を有する先細 のリブ付き導波路を示している。しかし、別の層、例えば、上部分５の上部分５ に別の先細部分、をさらに設けることができ、先細りは、導波路に沿って二段以 上に生成することができることは、理解されるであろう。 図２Ａと２Ｂは、多段に先細りしたリブ付き導波路の実施例を示す説明図であ る。高さ１０ミクロンのリブ１０は、最初に、高さ７ミクロンのリブ１１へ先細 り、次に、高さ４ミクロンのリブ１２へ先細る。図２Ｂは、図２Ａの線ａ−ａに 沿った断面を示す。これにより、１０×１０ミクロンの導波路が、二段で、例え ば、レーザーとの接続のために、２×４ミクロンの導波路へ先細る。光が部分１ ０から部分１１へ押し込まれる時、光を発散することによる損失を低減するか、 または、最小にするように、先細の部分１０は、先細の部分１１と重なり合って おり、同様に、先細の部分１１は、先細の部分１２と重なり合っている。 図３と５は、先細の導波路のさらに他の実施態様を示す。 図３Ａと３Ｂに示された構造は、図１に示された構造と似ているが、上部分５ と下部分４、およびそれらが取り付けられている基板から成っており、ＳＯＩチ ップ１５に取り付けられ、導波路１６と位置合わせられた分離した構成要素であ る点で異なる。この構造により、先細の構造体１３は、異なる材料、例えば、二 酸化シリコンまたは窒化シリコンで形成され、かつ、光学的回路の残りの部分か ら分離して組み付けることが出来る。 先細の構造体１３は、面１３Ａと３Ｂを、チップ１５の凹みまたは切断部分の 面１５Ａと１５Ｂに突き当てて配置することにより、ＳＯＩチップ１５に取り付 けられる。導波路１６に対し側方向に配置するために、他の一組の突き当て面（ 示されていない）を設けることもできる。先細の構造体１３は、接着剤により所 定の位置に固定される。 二段先細の導波路はまた、図４Ａと４Ｂに示されたように、同様な方法で製作 することも出来る。この場合、分離した先細の構造体１７が示されており、この 構造体は、先細っていない部分１８と基板１９上の先細の上部分５から成ってい る。下部分４は、ＳＯＩチップ１５の上に形成されている。先細の部分１７は、 上述と同様な方法で、ＳＯＩチップ１５に取り付けられ、これと位置が合わせら れている。 図５Ａと５Ｂは、異なる材料の先細の構造体２０が、ＳＯＩチップ１５へ直接 に組み付けられているさらに他の構造を示している。図５Ａと５Ｂは、図３Ａと ３Ｂと似ているが、この場合、上部分５、下部分４および基板１４は、チップ１ ５へ直接に組み付けられている。例えば、先細の構造体２０は、ＳＯＩチップ１ ５上に蒸着または成長した二酸化シリコンで形成されているか、または、チップ 上にスピン塗布された重合体材で形成されている。 先細の構造体１３，１７および２０は、導波路１６（および図４の下部分４） と比較して、異なる材料で形成されているので、反射防止被膜が、先細の構造体 からＳＯＩ素子へ通過する光の後方反射を低減するのに役立つように、この二つ の間に好適に施されている。 上述の実施例は、ＳＯＩチップ上に形成され、上記に関連した利点を有するが 、同様な先細のリブ付き導波路は、他のタイプのチップに形成することができる 。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１１年１月１４日（１９９９．１．１４） 【補正内容】 補正明細書 先細のリブ付き導波路 技術分野 本発明は、比較的大きい断面の光学的導波路から小さい断面の光学的導波路へ の遷移部を備えた先細のリブ付き導波路に関する。背景の技術 光学的集積回路は、光を回路の回りに伝送するとともに、オプチカルファイバ などの外部光学的導波路へ接続している光学的導波路を採用している。光学的集 積導波路及び／又はオプチカルファイバは、断面の大きさが異なり、従って、比 較的大きい断面の導波路から小さい断面の導波路への遷移部を備えた手段が必要 である。多様な素子がこのために提案されているが、比較的に複雑で、組立が困 難になる傾向がある。 米国特許５０７８５１６は、低屈折率の基板と高屈折率のリブから成っている 。リブの広い部分において、光学的出力はリブと狭い部分に集中され、光学的出 力は、基板に散漫に限定される。 本発明は、構造が比較的にシンプルな先細のリブ付き導波路を提供することが 目的であり、この導波路は、組立が比較的容易であり、大きい断面から小さい断 面への損失の小さい遷移部を備える。 ここに使用されている”上部”、”下部”、”側方”などの用語は、相対的 意味で、すなわち、付属図面に示された素子の向きに対して使用されており、重 力に対する向きを意味していないことに留意して戴きたい。発明の開示 本発明の第一面から、大きい多重モードの光学的導波路から小さい単一モード の光学的導波路へ先細になっている先細のリブ付き導波路が提示されており、先 細のリブ付き導波路は、同じ材料で形成された少なくとも二つの部分、すなわち 、大きい導波路から小さい導波路への方向に、側方を内方へ先細になっている下 部分と、大きい導波路から小さい導波路への方向に、終端の点又は他の形へ内方 に先細になっている、下部分の上に形成された上部分から構成しており、二つの 部分の大きさは、大きい多重モードの導波路内で伝播される基本モードのほぼす べてが、小さい単一モードの導波路へ接続されるように、構成されている。 本発明の好適な特徴は、本明細書の補足請求の範囲と以降の説明から明らかに なるであろう。図面の簡単な説明 本発明は、以降の付属図面に関し、単に実施例により詳細に説明されている。 図１は、本発明による先細のリブ付き導波路の好適な実施態様の見取り図であ る。 図２Ａは、本発明による先細のリブ付き導波路の他の実施態様の見取り図であ り、図２Ｂは、その断面である。 図３Ａと３Ｂ、４Ａと４Ｂ、および５Ａと５Ｂは、本発明による先細のリブ付 き導波路のさらに他の三つの実施態様の平面図と側面図を示す。発明を実施する最良モード 図面は、約１０ミクロン×１０ミクロンの大きい多重モード導波路から約４． ３ミクロン×４ミクロンの小さい単一モード導波路へ先細になっている先細のリ ブ付き導波路を示している。 示された導波路は、例えば、ＳＯＩ(silicon-on-insulator)チップのシリコン 層の上面に形成されたリブの形を呈している。ＳＯＩは、好適に、超大規模集積 （ＶＳＬＩ）電子回路に使用されている従来のウェーハから製作される。 補正された請求の範囲 １．大きい多重モードの光学的導波路から小さい単一モード光学的導波路へ先細 りしている先細のリブ付き導波路において：同じ材料で形成された少なくとも二 つの部分、すなわち、大きい導波路から小さい導波路への方向に、側方を内方へ 先細っている下部分と、大きい導波路から小さい導波路への方向に、点又は終端 の他の形状へ内方に先細っている、下部分の上に形成された上部分とを含んでお り、大きい多重モードの導波路内で伝播する基本モードのほぼすべてが小さい単 一モードの導波路へ接続されるように二つの部分の寸法が、構成されていること を特徴とする先細のリブ付き導波路。 ２．請求項１に記載の先細のリブ付き導波路において：上部分と下部分の形状が 、垂直面により形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ３．請求項１又は２に記載の先細のリブ付き導波路において：上部分の先細り部 分が、下部分の先細り部分の上に形成されていることを特徴とする先細のリブ付 き導波路。 ４．請求項１乃至３のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上部分 と下部分が、それぞれほぼ一定の高さであることを特徴とする先細のリブ付き導 波路。 ５．請求項１乃至４のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上部分 と下部分が、１度より小さく、好適には０．５度より小さく傾斜して（導波路の 軸に関して）側方に先細っていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ６．請求項１乃至５のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：大きい 導波路が、幅７〜１２ミクロン、深さ７〜１２ミクロンの範囲の断面寸法を有す ることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ７．請求項１乃至６のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：小さい 導波路が、幅２〜５ミクロン、深さ４〜５ミクロンの範囲の断面寸法を有するこ とを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ８．請求項１乃至７のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：第一部 分と第二部分が、均質に形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路 。 ９．請求項１乃至８のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：さらに 、上部分と下部分との中間に先細り部分を有し、これにより、先細りが、大きい 導波路から、中間の導波路へ、次に小さい導波路への段階で生成していることを 特徴とする先細のリブ付き導波路。 １０．請求項１乃至９のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：リブ 付き導波路の下部分に隣接している厚板状の導波路の先細り部分もまた、取り除 かれていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １１．請求項１乃至１０のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：シ リコン−オン−絶縁体に形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路 。 １２．請求項１１に記載の先細のリブ付き導波路において：オプチカルファイバ を受け止めるＶ字状の溝と一直線に位置していることを特徴とする先細のリブ付 き導波路。 １３．請求項１１又は１２に記載の先細のリブ付き導波路において：チップに形 成されたＶ字状の溝の端に突き出ているシリコンチップの一部として形成されて いることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １４．請求項１乃至１３のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上 部分が、小さい単一モードの導波路と一直線に取り付けられた分離した構造体の 部分として形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハーピン，アーノルド，ピーター，ロスコ ー イギリス国，オーエックス４ １エスダブ リュ，オックスフォード，ストラトフォー ド ストリート 58 (72)発明者 モーリス，ロビン，ジェレミー，リチャー ド イギリス国，オーエックス４ １イーエ ス，オックスフォード，ヘンリー ストリ ート 43 (72)発明者 アズガーリ，メーディ イギリス国，エスエヌ５ ８アールエヌ, スウィンドン，フレッシュブルック，ゴド ルフィン クロース 53

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．大きい多重モードの光学的導波路から小さい単一モード光学的導波路へ先細 りしている先細のリブ付き導波路において：同じ材料で形成された少なくとも二 つの部分、すなわち、大きい導波路から小さい導波路へ側方へ先細っている下部 分と、点または終端の他の形状へ先細っている下部分の上に形成された上部分と を含んでおり、大きい多重モードの導波路内で伝播する基本モードのほぼすべて が小さい単一モードの導波路へ接続されるように二つの部分の寸法が、構成され ていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ２．請求項１に記載の先細のリブ付き導波路において：上部分と下部分の形状が 、垂直面により形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ３．請求項１又は２に記載の先細のリブ付き導波路において：上部分の先細り部 分が、下部分の先細り部分の上に形成されていることを特徴とする先細のリブ付 き導波路。 ４．請求項１乃至３のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上部分 と下部分が、それぞれほぼ一定の高さであることを特徴とする先細のリブ付き導 波路。 ５．請求項１乃至４のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上部分 と下部分が、１度より小さく、好適には０．５度より小さく傾斜して（導波路の 軸に関して）側方に先細っていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ６．請求項１乃至５のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：大きい 導波路が、幅７〜１２ミクロン、深さ７〜１２ミクロンの範囲の断面寸法を有す ることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ７．請求項１乃至６のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：小さい 導波路が、幅２〜５ミクロン、深さ４〜５ミクロンの範囲の断面寸法を有するこ とを特徴とする先細のリブ付き導波路。 ８．請求項１乃至７のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：第一部 分と第二部分が、均質に形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路 。 ９．請求項１乃至８のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：さらに 、先細り部分を有し、これにより、先細りが、大きい導波路から、中間の導波路 へ、次に小さい導波路への段階で生成していることを特徴とする先細のリブ付き 導波路。 １０．請求項１乃至９のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：リブ 付き導波路に隣接している厚板状の導波路の先細り部分もまた、取り除かれてい ることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １１．請求項１乃至１０のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：シ リコン−オン−絶縁体に形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路 。 １２．請求項１１に記載の先細のリブ付き導波路において：オプチカルファイバ を受け止めるＶ字状の溝と一直線に位置していることを特徴とする先細のリブ付 き導波路。 １３．請求項１１又は１２に記載の先細のリブ付き導波路において：チップに形 成されたＶ字状の溝の端に突き出ているシリコンチップの一部として形成されて いることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １４．請求項１乃至１３のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上 部分が、小さい単一モードの導波路と一直線に取り付けられた分離した構造体の 部分として形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １５．請求項１４に記載の先細のリブ付き導波路において：下部分と上部分が、 小さい単一モードの導波路と一直線に取り付けられた分離した構造体の部分とし て形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １６．請求項１乃至１５のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：上 部分及びまたは下部分が、小さい単一モードの導波路と異なる材料で形成されて いることを特徴とする先細のリブ付き導波路。 １７．請求項１６に記載の先細のリブ付き導波路において：上部分と下部分が、 小さい単一モードの導波路が形成されている基板上に成長され、蒸着され、また はスピン塗布された材料で形成されていることを特徴とする先細のリブ付き導波 路。 １８．請求項１乃至１７のいずれかに記載の先細のリブ付き導波路において：オ プチカルファイバと光学的集積導波路との問に接合を形成していることを特徴と する先細のリブ付き導波路。 １９．これまでに、付属図面の図１と図２に関し述べた実質的先細のリブ付き導 波路。