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GEBIET DER
ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung betrifft
Speicherelemente und insbesondere ein Verfahren zum Ausbilden eines
Doppeldiffusionsimplantatübergangs
in einer FLASH EPROM-Vorrichtung.
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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Ein typischer Speicherchip weist
mehrere Speicherzellen auf. Eine spezielle Zelle weist einen Source-Übergang
("Übergang"), ein Drain und
ein Gate auf. Der Bereich zwischen dem Übergang und dem Drain ist der
Kanal. Zwischen mindestens einem Teil des Gates und des Kanal befindet
sich ein Tunneloxid.
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Bei einem herkömmlichen Verfahren zum Herstellen
des Übergangs
einer Zelle wird ein einziges Implantat, typischerweise Arsen, verwendet.
Dieses Verfahren führt
jedoch zu einem abrupten Übergang.
Aufgrund des abrupten Übergangs
ist das elektrische Feld an der Ecke des Gates während des Löschens außerordentlich stark. Dieses
starke elektrische Feld bewirkt eine Band-zu-Band-Tunnelung von Elektronen
von dem Valenzband zu dem Leitungsband des Siliziums, wodurch Löcher verbleiben,
die zu zahlreichen Problemen führen.
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Erstens erzeugen die Löcher einen
großen Substratstrom.
Zweitens können
sich die Löcher
aufgrund des nahe am Übergang
befindlichen lateralen elektrischen Felds ebenfalls in Lateralrichtung
bewegen. Diese Lateralbewegung kann das Interface beschädigen. Schließlich können die
Löcher
auch zu dem Gate wandern. Zu dem Gate wandernde Löcher können ein
versehentliches Löschen
der Zelle bewirken.
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Zur Lösung der durch die Band-zu-Band-Tunnelung
von Elektronen hervorgerufenen Probleme wird bei typischen Zellen
ein Doppeldiffusionsimplantat implementiert. Dieses Doppeldiffusionsimplantat
ermöglicht
einen allmählichen Übergang.
Dadurch wird die Band-zu-Band-Tunnelung reduziert. Das Implantat
weist typischerweise Phosphor auf. Bei der herkömmlichen Halbleiterbearbeitung
wird das Doppeldiffusionsimplantat vor dem Übergangsimplantat ausgeführt. Das Übergangsimplantat
weist typischerweise Arsen ("As") auf. Da Phosphor
nach einem Temperaturwechsel schneller diffundiert als As, ist der
As-Übergang
flach, während das
Doppeldiffusionsimplantat tiefer ist. Das Doppeldiffusionsimplantat
erstreckt sich auch weiter unter das Gate, wodurch die Kanallänge verkürzt wird.
Ferner begrenzt die Diffusionsrate des Doppeldiffusionsimplantats
den bei der Bearbeitung des Übergangs genutzten
Temperaturwechsel.
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In US-A-5 502 321 sind eine FLASH EPROM-Vorrichtung
mit einem Doppeldiffusionsimplantat und ein Verfahren zum Herstellen
derselben beschrieben.
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Da eine hohe Dichte der Speicherzellen
erwünscht
ist, ist es erforderlich, die Speicherelemente kleiner auszuführen. Wenn
die Zelle kleiner wird, beschränkt
die verkürzte
Kanallänge
die Funktionsfähigkeit
der Vorrichtung. Folglich gibt es hinsichtlich einer sehr kleinen
Kanallänge
oder einer hohen Dichte bei den Vorrichtungen widersprüchliche
Beschränkungen.
Ein allmählicher Übergang
ist wünschenswert,
um eine Band-zu-Band-Tunnelung zu reduzieren. Die effektive Kanallänge muss
jedoch die Mindestgröße übersteigen,
damit die Vorrichtung funktionieren kann.
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Bei FLASH EPROM-Vorrichtungen besteht eine
Möglichkeit
zum Erhöhen
der Dichte in der Anwendung einer Selbstjustier-Source-Ätztechnik ("SAS"). Ein Beispiel für diese
Technik ist im US Pat. Nr. 5,120,671 mit dem Titel "PRO- CESS FOR SELF ALIGNING
A SOURCE REGION WITH A FIELD OXIDE REGION AND A POLY-SILICON GATE" beschrieben. Durch
die SAS-Technik kann jedoch das Tunneloxid beschädigt und der Bereich, in dem
der Übergang
ausgebildet ist, ausgehöhlt
werden. Eine Beschreibung der Probleme mit der SAS-Technik und eines
Verfahrens zum Behandeln dieser Probleme findet sich im US Pat.
Nr. 5,470,773 mit dem Titel "METHOD
PROTECTING A STACKED GATE EDGE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FROM SELF
ALIGNED SOURCE (SAS) ETCH".
Obwohl diese Patente SAS-Techniken behandeln, beschreibt keines
davon, wie diese Techniken in Zusammenhang mit einer FLASH EPROM-Vorrichtung
mit sehr kurzem Kanal angewendet werden können.
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Entsprechend wird ein Verfahren zur
Anwendung bei einer Zelle mit einem allmählichen Übergang benötigt, bei dem die effektive
Kanallänge
nicht wesentlich reduziert wird. Ferner ist es, da jeder Schritt
bei der Halbleiterbearbeitung komplex ist, wünschenswert, eine solche Vorrichtung
ohne eine beträchtliche
Anzahl an zusätzlichen
Verfahrensschritten herzustellen. Schließlich ist es hinsichtlich FLASH
EPROM-Vorrichtungen vorteilhaft, wenn die SAS-Technik während des Bearbeitens der FLASH-Zellen
mit sehr kurzem Kanal, die einen Doppeldiffusionsimplantatübergang
aufweisen, angewandt wird. Die vorliegende Erfindung trägt diesem Bedarf
Rechnung.
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ZUSAMMENFASSENDER ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
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Es wird ein Verfahren zum Ausbilden
einer Speicherzelle mit einem Doppeldiffusionsimplantatübergang
offenbart. Das erfindungsgemäße Verfahren ist
in Anspruch 1 definiert und umfasst die sequentiellen Schritte des
Ausbildens eines Übergangsimplantats,
des Ausbildens eines Abstandshalters und des Ausbildens eines Doppeldiffusionsimplantats.
Da das Doppeldiffusionsimplantat nach dem Ausbilden des Abstandshalters
ausgebildet wird, erstreckt sich das Doppelimplantat nach der Bearbeitung
nicht bis unter das Gate einer Speicherzelle. Somit weist die Speicherzelle
einen allmählichen Übergang
auf, der die effektive Länge
des Kanals nicht wesentlich verkürzt.
Die Speicherzelle ist daher sogar funktionsfähig, wenn die Größe der Speicherzelle
reduziert ist. Ferner kann der Temperaturwechsel des Doppeldiffusionsimplantats
von dem des Übergangsimplantats abgekoppelt
werden. Dabei wird die Verarbeitung nicht wesentlich verkompliziert.
Folglich wird die Leistungsfähigkeit
der Speicherzelle verbessert.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1a zeigt
eine schematische Darstellung einer typischen FLASH-Zelle;
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1b zeigt
eine schematische Darstellung einer typischen FLASH-Zelle mit einem
allmählichen Übergang,
die unter Anwendung der SAS-Technik hergestellt
worden ist;
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1c zeigt
ein vereinfachtes Ablaufdiagramm eines typischen Prozesses zum Herstellen
eines Speicherelements unter Anwendung der SAS-Technik;
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2a zeigt
eine schematische Darstellung einer FLASH-Zelle, bei der der geschichtete Gate-Rand
gegen Selbstjustier-Source-Ätzen
geschützt
ist;
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2b zeigt
ein vereinfachtes Ablaufdiagramm eines Prozesses zum Herstellen
einer FLASH-Zelle, bei der der geschichtete Gate-Rand gegen Selbstjustier-Source-Ätzen geschützt ist;
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3 zeigt
ein vereinfachtes Ablaufdiagramm des Prozesses zum Ausbilden eines
Speicherelements gemäß dem Verfahren;
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4 zeigt
ein detailliertes Ablaufdiagramm des Prozesses zum Ausbilden des
Speicherelements gemäß dem Verfahren;
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5a zeigt
eine schematische Darstellung einer gemäß einer Ausführungsform
des Verfahrens ausgebildeten FLASH-Zelle;
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5b zeigt
eine schematische Darstellung einer gemäß einer zweiten Ausführungsform
des Verfahrens ausgebildeten FLASH-Zelle;
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5c zeigt
eine schematische Darstellung einer gemäß einer zweiten Ausführungsform
des Verfahrens ausgebildeten FLASH-Zelle nach dem SAS-Ätzen und
dem Entfernen der SAS-Maske.
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BESCHREIBUNG
DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung betrifft
eine Verbesserung binärer
Speicherelemente. Die folgende Beschreibung soll es Fachleuten auf
dem Sachgebiet ermöglichen,
die Erfindung zu verwenden und wird im Rahmen einer Patentanmeldung
und deren Erfordernisse vorgelegt. Verschiedene Modifikationen der bevorzugten
Ausführungsform
sind für
Fachleute auf dem Sachgebiet offensichtlich, und die generischen Prinzipien
sind auf andere Ausführungsformen
anwendbar. Somit darf die vorliegende Erfindung nicht als Einschränkung auf
die dargestellte Ausführungsform
angesehen werden, sondern muss in Übereinstimmung mit den hier
beschriebenen Prinzipien und Merkmalen im weitesten Umfang betrachtet
werden. Obwohl die Ausführungsformen
anhand von FLASH EPROM-Zellen und der Selbstjustier-Source- (SAS-) Technik
beschrieben worden sind, ist die vorliegende Erfindung nicht auf
diese Arten von Zellen oder auf die Anwendung nur bei dieser Bearbeitungstechnik beschränkt.
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1a zeigt
eine schematische Darstellung einer typischen Speicherzelle 40.
Die Speicherzelle 40 weist ein Steuer-Gate 42,
ein Floating-Gate 44, einen Übergang 46, ein Drain 48 und
einen Kanal 49 auf. Die Speicherzelle 40 ist mit
einer SAS-Maske 45 dargestellt. Der Übergang ist abrupt, da er eine schnelle
Veränderung
der Dotiermittelkonzentration zwischen dem n+-dotierten Übergang 46 und
dem Kanal 49 aufweist. Somit hat die Speicherzelle 40 Probleme
hinsichtlich der Band-zu-Band-Tunnelung von Elektronen.
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1b zeigt
eine schematische Darstellung einer typischen FLASH-Zelle 10 mit
einem Doppeldiffusionsimplantatübergang,
wobei ein herkömmlicher SAS-Prozess angewandt
wird. Die FLASH-Zelle 10 weist ein Steuer-Gate 12,
ein Floating-Gate 14, ein Tunneloxid 16, ein Übergangsimplantat 18,
ein Doppeldiffusionsimplantat ("DDI") 20, ein
Drain 22 und einen Kanal 24 auf. Die FLASH-Zelle 10 ist
mit einer SAS-Maske 11 dargestellt. Da das DDI 20 vorgesehen
ist, vollzieht sich der Übergang
allmählich.
Durch die Anwendung der SAS-Technik tritt jedoch eine Beschädigung,
die generell unter 25 dargestellt ist, in dem Tunneloxid 16 und
der Übergangsimplantatregion 18 auf.
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1c zeigt
ein vereinfachtes Ablaufdiagramm der wichtigsten Schritte bei der
Bearbeitung einer typischen FLASH-Zelle 10. Erstens wird
das DDI in Schritt 30 ausgeführt. Nach dem DDI-Schritt 30 wird
das Übergangsimplantat
in Schritt 32 ausgeführt.
Nach der Ausführung
sowohl des DDI als auch des Übergangsimplantats
wird die SAS-Technik in Schritt 34 durchgeführt.
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2a zeigt
eine FLASH-Zelle 50, die gemäß der im US Pat. Nr. 5,470,773
beschriebenen Technik hergestellt worden ist. Bei dieser Technik wird
die Beschädigung
der FLASH-Zelle 50 während der
Anwendung der SAS-Technik minimiert. Die FLASH-Zelle 50 weist
ein Steuer-Gate 52, ein Floating-Gate 54, ein
Tunneloxid 56, ein Drain 58, ein Übergangsimplantat 60,
ein DDI 62, einen Abstandshalter 64 und einen
Kanal 66 auf. Die FLASH-Zelle 50 ist mit einer
SAS-Maske 68 gezeigt. Wegen des DDI 62 vollzieht
sich der Übergang
allmählich.
Ferner ist die FLASH-Zelle 50 nicht durch die während der Bearbeitung
angewandte SAS-Technik beschädigt worden.
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2b zeigt
ein vereinfachtes Ablaufdiagramm des zum Ausbilden einer FLASH-Zelle 50 angewandten
Prozesses. Erstens wird der DDI-Implantier-Schritt 70 durchgeführt. Das Übergangsimplantat wird
dann in Schritt 72 ausgeführt. Als nächstes wird der Abstandshalter
in Schritt 74 ausgebildet. Schließlich wird der SAS-Prozess
in Schritt 70 angewandt. Da der Abstandshalterausbildungs-Schritt 74 vor dem
SAS-Implantier-Schritt 76 durchgeführt wird, wird bei dem in 2b gezeigten Prozess die FLASH-Zelle 50 nicht
in dem Tunneloxid 56 und dem Übergang 60 beschädigt.
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Obwohl die in 1b und 2a gezeigten FLASH-Zellen
die gewünschten
Funktionen ausführen,
erkennen Fachleute auf dem Sachgebiet, dass diese Zellen bei sehr
kurzen Kanallängen
oder hohen FLASH-Zellen-Dichten nicht funktionieren. Gemäß 1a ist der Übergang 46 zwar
abrupt, der Kanal 49 ist jedoch nicht verkürzt worden.
Gemäß 1b führt das DDI 20 zwar
zu einem allmählichen Übergang,
das DDI 20 hat jedoch die effektive Länge des Kanals 24 reduziert. Ähnlich ist
auch der in 2a gezeigte
Kanal 66 durch das DDI 62 verkürzt worden. Somit ermöglichen
zwar die zum Herstellen der FLASH-Zellen 10 und 50 angewandten
SAS-Techniken eine höhere
Dichte, da die FLASH-Zellen kleiner werden, die Zellen sind jedoch
nicht mehr funktionsfähig.
Da das DDI-Dotiermittel vor dem Übergangsimplantat
implantiert wird und typischerweise schneller diffundiert als das Übergangsimplantat,
beschränkt
die Diffusion des DDI-Dotiermittels ferner den Temperaturwechsel
des Übergangs.
Schließlich ist
es wünschenswert,
dass diese Probleme bei der Verarbeitung und bei einer FLASH-Zelle
gelöst
werden können,
ohne dass die Bearbeitung der FLASH-Zelle signifikant verkompliziert
wird.
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Die vorliegende Erfindung betrifft
eine Speicherzelle mit einem allmählichen Übergang. Das Verfahren wird
anhand einer FLASH-Zelle beschrieben, die unter Anwendung einer
SAS-Technik bearbeitet worden ist. Ferner wird das Verfahren anhand
der Verwendung eines Arsen- ("As"-) Übergangsimplantats
und eines Phosphor- ("P-)
DDI beschrieben. Es ist für
Fachleute auf dem Sachgebiet jedoch offensichtlich, dass das Verfahren
und das System nicht auf diesen Zellentyp, diese Bearbeitungstechniken oder
diese Dotiermittel beschränkt
sind.
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Die vorliegende Erfindung bietet
die Vorteile des herkömmlichen
DDI ohne die starke Reduzierung der effektiven Kanallänge. 3 zeigt ein vereinfachtes
Ablaufdiagramm einer Ausführungsform des
Verfahrens. Erstens wird in Schritt 200 der As-Übergang
der Zelle ausgebildet. Nach der Ausbildung des As-Übergangs
wird in Schritt 300 ein Abstandshalter an der Zelle platziert.
Vor oder nach Beendigung der Ausbildung des Abstandshalters wird
in Schritt 400 das DDI in der Zelle ausgeführt. Schließlich wird
in Schritt 500 der SAS-Prozess
an der Zelle durchgeführt.
Bei dem Verfahren wird die Reihenfolge der Implantation der Übergangs-
und DDI-Dotiermittel gegenüber
den in 1c und 2b gezeigten herkömmlichen
Verfahren umgekehrt.
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4 zeigt
ein detaillierteres Ablaufdiagramm einer Ausführungsform des Prozesses gemäß dem Verfahren.
Gemäß 3 erfolgt die Ausbildung 200 des
Speicherzellenübergangs
in Schritten 202–208 des
in 4 gezeigten Ablaufdiagramms. Erstens
wird in Schritt 202 das Selbstjustier-Ätzen zum Ausbilden des Speicherzellenübergangs,
der ein Kern-Source-/Drain-Implantat aufweist, durchgeführt. Der
Vor-Implantatoxidations-Schritt ist in Schritt 204 gezeigt.
Als nächstes
erfolgt in Schritt 206 die Ausführung des Kern-Source-/Drain("Kern-S/D"-) Implantats einschließlich eines
Source-Implantats nahe dem Kanal. Bei der bevorzugten Ausführungsform handelt
es sich bei dem Kern-S/D-Implantat
um As. Das Kern-S/D-Tempern erfolgt in Schritt 208. Somit werden
das As-Übergangsimplantat
und der Temperaturwechsel in den Schritten 202–208 vor
dem DDI ausgeführt.
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Der Abstandshalter wird in Schritten 302–304 aus 4 bereitgestellt. Erstens
wird in Schritt 302 der Abstandshalter nahe dem Speicherzellenübergang
aufgebracht. Bei einer Ausführungsform
der Erfindung erfolgt in Schritt 304 ein Ätzen des Abstandshalters.
Dieser Schritt ist optional. Ferner kann der Abstandshalterätz-Schritt 304 nach
dem DDI-Implantier-Schritt 402 ausgeführt werden, wie nachstehend
beschrieben. Bei einer Ausführungsform,
bei der der Abstandshalterätz-Schritt 304 nach dem
DDI-Implantier-Schritt 402 erfolgt, wird der Schritt 402 des
Implantierens von DDI nahe dem Source-Implantat und dem Kanal vor
Beendigung der Ausbildung des Abstandshalters ausgeführt.
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Die SAS-Maske wird in Schritt 502 aufgebracht.
Das DDI-Implantieren nahe dem Source-Implantat und dem Kanal erfolgt
dann in Schritt 402. Bei der bevorzugten Ausführungsform
handelt es sich bei dem DDI-Implantat um Phosphor. Als nächstes wird
der SAS-Prozess in dem SAS-Ätz-Schritt 504 und
dem SAS-Implantier-Schritt 506 fortgesetzt, wodurch das
Source-Implantat ausgebildet wird. Es sei darauf hingewiesen, dass
einige herkömmliche Schritte
ausgelassen worden sein können.
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Da das DDI-Implantieren, Schritt 402 aus 4, nach dem Ausbilden und
Tempern des Übergangsimplantats,
Schritt 202–208 aus 4, durchgeführt wird,
wird die Diffusion des Phosphors beim Tempern des Übergangs
(As) nicht berücksichtigt. Da
der SAS-Prozess nach dem Bereitstellen des Abstandshalters ausgeführt wird,
wird der geschichtete Gate-Rand geschützt und führt der SAS-Prozess zum Ausbilden
des Source-Implantats nicht zu einer Beschädigung bei der herkömmlichen
SAS-Bearbeitung. Schließlich
kann gesagt werden, dass keine zusätzlichen Schritte bei der Bearbeitung
durchgeführt werden.
Dies macht die Bearbeitung einfacher.
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Zur genaueren Erläuterung des Verfahrens wird
nun auf 5a und 5b verwiesen. 5a zeigt eine gemäß einer
Ausführungsform
des Verfahrens ausgebildete FLASH-Zelle 100. Die FLASH-Zelle 100 weist
ein Steuer-Gate 102, ein Floating-Gate 104, ein
Tunneloxid 106, einen Abstandshalter 108, ein Übergangsimplantat 110,
ein DDI 112, ein Drain 114 und einen Kanal 116 auf.
Die FLASH-Zelle 100 ist mit einer SAS-Maske 118 dargestellt.
Bei der bevorzugten Ausführungsform
handelt es sich bei den für
das Übergangsimplantat 110 und
DDI 112 verwendeten Dotiermitteln um As bzw. P. Da der
Ab standshalter 108 vor dem DDI 112 ausgebildet
wird, wird das DDI 112 während der Implantation durch den
Abstandshalter 108 von dem Gate 104 versetzt. Das
als Dotiermittel für
das DDI 112 verwendete Phosphor diffundiert während des
anschließenden Temperaturwechsels
nicht unter das Gate 104. Somit ist selbst nach der Diffusion
das DDI 112 von dem Gate 104 versetzt. Anders
als bei herkömmlichen DDI-Speicherelementen
ist die effektive Länge
des Kanals 116 in der Zelle nicht wesentlich reduziert worden.
Somit kann eine sehr kleine FLASH-Zelle 100 mit einem allmählichen Übergang
bereitgestellt werden. Ferner kann, da das Ausbilden und Tempern des
As-Übergangsimplantats
vor dem Implantieren des DDI erfolgen, ein optimaler As-Übergang
ohne Einschränkungen
durch die Diffusion des Phosphors ausgebildet werden.
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Eine weitere Ausführungsform einer gemäß dem Verfahren
ausgebildete FLASH-Zelle 150 ist in 5b gezeigt. Die FLASH-Zelle 150 wird
ausgebildet, wenn der Abstandshalterätz-Schritt 304 aus 4 weggelassen wird. Die
FLASH-Zelle 150 weist ein Steuer-Gate 152, ein
Floating-Gate 154, einen Abstandshalter 158, ein Übergangsimplantat 160,
ein DDI 162, ein Drain 164 und einen Kanal 166 auf.
Der Übergang 160 befindet
sich nahe dem Kanal 166, und das DDI 162 befindet
sich nahe dem Übergang 160 und
dem Kanal 166. Die FLASH-Zelle 150 ist mit einer
SAS-Maske 118 dargestellt. 5c zeigt
eine FLASH-Zelle 150 nach der Beendigung des SAS-Ätzens und
dem Entfernen der SAS-Maske 118.
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Bei der bevorzugten Ausführungsform
handelt es sich bei den für
das Übergangsimplantat 160 und
DDI 162 verwendeten Dotiermitteln um As bzw. P. Gemäß 5b wird, da der Abstandshalter 158 vor
dem DDI 162 ausgebildet wird, das DDI 162 während der
Implantation durch den Abstandshalter 158 von dem Gate 154 versetzt.
Das als Dotiermittel für das
DDI 162 verwendete Phosphor diffundiert während des
anschließenden
Temperaturwechsels der Zelle nicht unter das Gate 154.
Somit ist selbst nach der Diffusion das DDI 162 von dem
Gate 154 versetzt. Anders als bei herkömmlichen DDI-Speicherelementen
ist die effektive Länge
des Kanals 166 der Zelle nicht wesentlich reduziert worden.
Folglich kann eine sehr kleine FLASH-Zelle mit einem allmählichen Übergang
bereitgestellt werden. Wie bei der FLASH-Zelle 100 ist
die Bearbeitung des As-Übergangs 160 von
der des DDI 162 abgekoppelt.
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5c zeigt
eine FLASH-Zelle 150 nach der Beendigung des SAS-Ätzens und
dem Entfernen der SAS-Maske 118. Es sei darauf hingewiesen,
dass der Abstandshalter 158 jetzt zwei Teile aufweist.
Ein Teil des Abstandshalters befindet sich auf der gleichen Seite
des Gates 154 wie der As-Übergang 160. Der andere
Teil des Abstandshalters 158 befindet sich auf der gleichen
Seite des Gates 154 wie das Drain 164.
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Es ist ein Verfahren für eine Speicherzelle mit
einem DDI-Übergang
offenbart worden. Bei einer bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens wird das
DDI nach dem Ausführen
des Übergangsimplantats,
dem Tempern des Übergangs
und dem Ausbilden des Abstandshalters ausgeführt. Somit sind das Ausführung des Übergangsimplantats
und der Temperaturwechsel von denen des DDI abgekoppelt. Da der
Abstandshalter vor dem DDI ausgebildet wird, ist das DDI von dem
Gate versetzt. Folglich wird die effektive Kanallänge nicht
reduziert. Das Verfahren bietet somit einen allmählichen Übergang in einer sehr kleinen
Speicherzelle, wie z. B. einer FLASH-Zelle.
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Obwohl die vorliegende Erfindung
anhand der dargestellten Ausführungsformen
beschrieben worden ist, ist es für
Fachleute auf dem Sachgebiet offensichtlich, dass es Variationen
in den Ausführungsformen
geben kann und diese Variationen in den Umfang der vorliegenden
Erfindung fallen. Entsprechend können
zahlreiche Modifikationen von Fachleuten auf dem Sachgebiet durchgeführt werden,
ohne dass dadurch vom Umfang der Erfindung, wie er in den beliegenden
Patentansprüchen
definiert ist, abgewichen wird.