DE69704580T2 - Dielektrische keramische Zusammmensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator - Google Patents
Dielektrische keramische Zusammmensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen KondensatorInfo
- Publication number
- DE69704580T2 DE69704580T2 DE69704580T DE69704580T DE69704580T2 DE 69704580 T2 DE69704580 T2 DE 69704580T2 DE 69704580 T DE69704580 T DE 69704580T DE 69704580 T DE69704580 T DE 69704580T DE 69704580 T2 DE69704580 T2 DE 69704580T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- oxide
- layers
- nickel
- internal electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 53
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 52
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 33
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 14
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 11
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical group [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 30
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 9
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N oxo(oxocobaltiooxy)cobalt Chemical compound O=[Co]O[Co]=O UPWOEMHINGJHOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003074 TiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N barium nitrate Inorganic materials [Ba+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O IWOUKMZUPDVPGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft eine dielektrische Keramikzusammensetzung und ihre Verwendung für einen monolithischen Keramikkondensator, insbesondere für einen monolithischen Keramikkondensator mit Innenelektroden aus Nickel oder Nickellegierung.
- Bei herkömmlichen, hauptsächlich aus Bariumtitanat bestehenden dielektrischen Materialien, die für Keramikkondensatoren verwendet werden, besteht das Problem, dass sie als Folge der Reduktion beim Brennen in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre bei geringem Sauerstoffpartialdruck in einen Halbleiter umgewandelt werden. Deshalb ist es notwendig, die Innenelektroden aus Edelmetall (wie Palladium und Platin) zu fertigen, das bei der Sintertemperatur der dielektrischen Keramikmaterialien beim Brennen in einer Atmosphäre mit hohem Sauerstoffpartialdruck nicht schmilzt, durch den sichergestellt ist, dass sich das dielektrische Keramikmaterial nicht zum Halbleiter. umwandelt. Das stellt ein starkes Hindernis bei der Kostensenkung monolithischer Keramikkondensatoren dar.
- Eine Möglichkeit, das oben genannte Problem zu lösen, besteht darin, die Innenelektroden aus einem preisgünstigen unedlen Metall, wie Nickel, zu fertigen. Leider oxidieren diese Innenelektroden beim Brennen unter herkömmlichen Bedingungen (und werden somit nutzlos). Um dieses Problem zu vermeiden ist es notwendig, eine dielektrische Keramikzusammensetzung zu verwenden, die sich, auch wenn sie in neutraler oder reduzierender Atmosphäre mit einem geringen Sauerstoffpartialdruck gebrannt wird, nicht in einen Halbleiter umwandelt sondern zu einer dielektrischen Keramik wird, die einen ausreichend hohen spezifischen Widerstand und gute dielektrische Eigenschaften hat.
- Folgende diese Bedingungen erfüllende Materialien wurden vorgeschlagen:
- - Eine auf BaTiO&sub3;-CaZrO&sub3;-MnO-MgO basierende Zusammensetzung, wie sie in der japanischen Patent-Offenlegungsschrift Nr. 256422/1987 offenbart ist.
- - Eine auf einem BaTiOy-MnO-MgO-Seltenerdoxid basierende Zusammensetzung, wie sie in der japanischen PatentOffenlegungsschrift Nr. 103861/1985 offenbart ist.
- - Eine auf BaTiO&sub3;-(Mg, Zn, Sr, Ca)O-Li&sub2;O-SiO&sub2;-MO basierende Zusammensetzung (wobei MO BaO, SrO oder CaO angibt), wie sie in der japanischen Patentschrift Nr. 14610/1986 offenbart ist.
- JP-A-07 272 973 beschreibt eine dielektrische Keramikzusammensetzung, deren Hauptbestandteil Bariumtitanat ist, und die wenigstens ein Element aus der aus Skandiumoxid und Yttriumoxid bestehenden Gruppe, wenigstens ein Element aus der aus Samariumoxid und Europiumoxid bestehenden Gruppe, und ein Phosphat oder ein Vanadat von Mangan oder Nickel aufweist. MgO und/oder ZnO sowie CaO und/oder SrO können beigemischt sein und Li&sub2;O und SiO&sub2; können als Zusätze vorliegen.
- Die erste oben genannte Zusammensetzung (die eine nicht reduzierbare dielektrische Keramikzusammensetzung ist) hat den Nachteil, dass sich CaZrO&sub3; und CaTiO&sub2; (die sich während des Brennens bilden) mit Mn verbinden und Heterogenität bewirken. Das führt zu dem Problem, dass die Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen geringer wird.
- Die zweite oben genannte Zusammensetzung (die eine nicht reduzierbare dielektrische Keramikzusammensetzung ist) hat den Nachteil, dass ihr Isolationswiderstand und ihre Kapazität durch die Körnchengröße des BaTiO&sub3; als Hauptbestandteil stark beeinflusst werden. Das erschwert das Erzeugen stabiler Kennwerte. Außerdem weist sie einen ungünstig niedrigen CR- Wert (Produkt aus Isolationswiderstand und elektrostatischer Kapazität) von 1000-2000 Ω · F auf:
- Die dritte oben genannte Zusammensetzung hat den Nachteil, dass sie zu einem dielektrischen Material mit einer Dielektrizitätskonstanten von 2000-2800 führt, die niedriger ist als bei herkömmlichen Zusammensetzungen, die Edelmetall (wie Palladium) enthalten und eine Dielektrizitätskonstante von 3000-3500 aufweisen. Somit wird die Forderung nach Kondensatoren mit geringen Abmessungen und hoher Kapazität nicht erfüllt, wenn diese Zusammensetzung lediglich zur Kostensenkung als Ersatz für herkömmliche Materialien verwendet wird.
- Ferner haben die oben vorgeschlagenen nicht reduzierbaren dielektrischen Keramikzusammensetzungen den Nachteil, dass sich ihr Widerstand bei hohen Temperaturen stark verringert (obwohl sie bei Raumtemperatur einen hohen Isolationswiderstand aufweisen). Die Verringerung des Widerstands ist in einem starken elektrischen Feld besonders ausgeprägt. Das steht einer Verringerung der Dicke der dielektrischen Schichten besonders entgegen.
- Das ist der Grund dafür, dass es noch keine praktikablen aus dünnen Schichten laminierten Kondensatoren gibt, die aus nicht reduzierbaren dielektrischen Keramikzusammensetzungen bestehen.
- Ferner weisen sie im Vergleich mit der Technologie des Standes der Technik, die Innenelektroden aus Edelmetall (wie Palladium) verwendet, bei hohen Temperaturen und gleichzeitig hoher Feuchtigkeit eine geringe Zuverlässigkeit (oder sogenannte Feuchtigkeitswiderstandsfähigkeitsbelastungskennwerte) auf.
- Zur Lösung der oben genannten Probleme haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung in den japanischen Offenlegungsschriften 9066-9068/1993 einige neue nicht reduzierbare dielektrische Keramikzusammensetzungen vorgeschlagen. Die jüngsten Forderungen nach einer verbesserten Leistung bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit machten es notwendig, neue Zusammensetzungen mit besseren Kennwerten vorzustellen.
- Es ist Aufgabe der Erfindung eine dielektrische Keramikzusammensetzung bereitzustellen, die gesintert werden kann, ohne dass die Möglichkeit besteht, dass sie sich zu einem Halbleiter umwandelt, auch wenn sie in einer Atmosphäre mit geringem Sauerstoffpartialdruck gesintert wird, die eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 3000 aufweist und deren Isolationswiderstand und elektrostatische Kapazität so ausgebildet sind, dass deren Produkt (CR) größer als 6000 Ω · F ist. Es ist eine andere Aufgabe der Erfindung einen monolithischen Keramikkondensator mit folgenden Eigenschaften bereitzustellen:
- - geringe Abnahmerate des Isolationswiderstandes in einem starken elektrischen Feld,
- - hohe Zuverlässigkeit trotz dünner dielektrischer Schichten,
- - hohe Nennspannung,
- - Temperaturkennwerte der elektrostatischen Kapazität, die den in den JIS-Normen vorgeschriebenen B-Kennwert und den in der EIA-Norm vorgeschriebenen X7R-Kennwert erfüllen,
- - gute Belastungskennwerte bei hohen Temperaturen und gleichzeitig hoher Feuchtigkeit,
- - geringe Abmessungen und hohe Kapazität.
- Die Erfindung schlägt eine dielektrische Keramikzusammensetzung vor, die einen Primärbestandteil und einen Sekundärbestandteil in einem Molverhältnis von 100/0,5 bis 100/5,0 sowie einen Nebenbestandteil in eine Menge von 0,2 bis 0,3 Gewichtsteile zu insgesamt 100 Gewichtsteilen des Primär- und Sekundärbestandteils enthält, wobei der Primärbestandteil aus Bariumtitanat, das weniger als 0,02 Gew.-% Alkalimetalloxid als Unreinheit aufweist, aus wenigstens einem der Bestandteile Skandiumoxid und Yttriumoxid, aus wenigstens einem der Bestandteile Samariumoxid und Europiumoxid, und aus Manganoxid besteht und wahlweise Kobaltoxid und/oder Nickeloxid enthält, wie es in nachstehender Zusammensetzungsformel angegeben ist:
- (1-α-β-γ) {BaO}m · TiO&sub2; + αM&sub2;O&sub3; + βRe&sub2;O&sub3; + γ(Mn-x-yNixCoy)O
- worin M&sub2;O&sub3; So&sub2;O&sub3; oder Y&sub2;O&sub3; oder beide angibt, Re&sub2;O&sub3; Sm&sub2;O&sub3; oder Eu&sub2;O&sub3; oder beide bezeichnet und α, β, γ, m, x, und y definiert sind durch
- 0,00250 ≤ α + β ≤ 0,025
- 0 < β ≤ 0,0075
- 0,0025 ≤ y ≤ 0,05
- γ / (α + β) ≤ 4
- 0 ≤ x < 1,0
- 0 ≤ y < 1,0
- 0 ≤ x + y < 1,0
- 1,0000 < m ≤ 1,035,
- wobei der Sekundärbestandteil Magnesiumoxid (MgO) und der Nebenbestandteil ein Oxid ist, das durch Li&sub2;O- (S1, Ti)O&sub2;-Al&sub2;O&sub3;- ZrO&sub2; angegeben ist.
- Die Erfindung schlägt ferner eine dielektrische Keramikzusammensetzung vor, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Nebenbestandteil durch die allgemeine Formel pLi&sub2;O-q(SizTi&sub1;&submin; z)O&sub2;-rM angegeben ist (wobei p, q und r die Mol-% der jeweiligen Bestandteile angeben, z durch 0,30 ≤ z ≤ 1,0 angegeben ist, M für Al&sub2;O&sub3; oder ZrO&sub2; oder beides steht und p, q und r sich innerhalb des Bereichs befinden, der durch ein Vieleck begrenzt wird, dessen Eckpunkte im Dreieckskoordinatensystem wie folgt angegeben sind:
- A (20, 80, 0)
- B (10, 80, 10)
- C (10, 70, 20)
- D (35, 45, 20)
- E (45, 45, 10)
- F (45, 55, 0),
- vorausgesetzt, dass für die Zusammensetzung die der Linie A-F entspricht gilt, dass 0,3 ≤ z < 1,0 ist.
- Die Erfindung stellt ferner die Verwendung der oben beschriebenen dielektrischen Keramikzusammensetzungen für einen monolithischen Keramikkondensator vor, der mehrere aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung bestehende dielektrische Keramikschichten und mehrere zwischen den dielektrischen Keramikschichten liegende Innenelektroden aus Nickel oder Nickellegierung aufweist.
- In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Kanten der oben beschriebenen Innenelektroden an den Enden der dielektrischen Keramikschichten sichtbar und die Außenelektroden elektrisch mit den Kanten dieser Innenelektroden verbunden.
- In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind die oben beschriebenen Außenelektroden aus gesinterten Schichten elektrisch leitenden Metallpulvers mit oder ohne Glasfritte gebildet.
- In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform liegt über den oben beschriebenen gesinterten Schichten eine plattierte Schicht.
- Fig. 1 ist ein Diagramm (Dreieckskoordinatensystem), das die zueinander in Bezug gesetzten Variablen dreier Komponenten zeigt, die das in der dielektrischen Keramikzuammensetzung enthaltene Oxidglas bilden.
- Fig. 2 ist eine Schnittansicht des die erfindungsgemäße Zusammensetzung verwendenden monolithischen Keramikkondensators.
- Wie in Tabelle 1 dargestellt ist, wurden vier Arten Bariumtitanat (BaTiO&sub3;) aus TiCl&sub4; und Ba(NO&sub3;)&sub2; (beide mit unterschiedlichem Reinheitsgrad) in vorbestimmten Mengen durch Ausfällen in Form von Titanylbariumoxalat (BaTiO(C&sub2;O&sub4;) 4H&sub2;O) mit Oxalsäure hergestellt und dann bei 1000ºC oder darüber pyrolisiert. Tabelle 1
- Ein Pulver wurde aus Oxiden, Karbonaten und Hydroxiden der entsprechenden Bestandteile gemäß der Zusammensetzungsformel 0,25 Li&sub2;O-0,65 (0,30 TiO&sub2; · 0,70 SiO&sub2;)-0,10 Al&sub2;O&sub3; (im Molverhältnis) durch Mischen, Zerkleinern, Verdunsten und Trocknen hergestellt. Dieses Pulver wurde durch Schmelzen bei 1300ºC, Abschrecken und Zerkleinern zu einem Oxidglaspulver mit einer mittleren Körnchengröße von weniger als 1 um verarbeitet.
- Jede pulverförmige Probe erzeugte man durch Vermischen von Bariumtitanat (das wie oben beschrieben hergestellt wurde), BaCO&sub3; (zur Einstellung des Molverhältnisses Ba/Ti im Bariumtitanat) sowie Sc&sub2;O&sub3;, Y&sub2;O&sub3;, Sm&sub2;O&sub3;, Eu&sub2;O&sub3;, MnCO&sub3;, NiO, Co&sub2;O&sub3; und MgO, wobei alle diese Bestandteile einen Reinheitsgrand von über 99% aufweisen, in den der in Tabelle 2 angegebenen Zusammensetzungsformel entsprechenden Mengen. Tabelle 2
- Die Pulvermischung, die man wie oben beschrieben herstellt, wurde mit einem Bindemittel (Polyvinylbutyral) und einem organischen Lösungsmittel (Ethanol) durch Mahlen in der Nasskugelmühle zu einem Keramikbrei vermischt.
- Unter Anwendung des Rakelverfahrens wurde aus dem Keramikbrei ein 11 um dickes Keramikrohblatt geformt. Auf das Rohblatt wurde eine auf Nickel basierende leitende Paste aufgedruckt, so dass eine Schicht aus leitender Paste gebildet wurde, die dann die Innenelektrode bildete.
- Mehrere Rohblätter, von denen jedes eine Schicht aus leitender Paste aufwies, wurden zur Bildung eines Laminats so übereinander gestapelt, dass sie abwechselnd an einer Seite des Laminats sichtbar waren. Das so hergestellte Laminat wurde zum Ausbrennen des Bindemittels in Stickstoffatmosphäre auf eine Temperatur von 350ºC erhitzt und dann in einer reduzierenden Gasatmosphäre, die H&sub2;, O&sub2; und H&sub2;O enthielt und einen Sauerstoffpartialdruck von 10&supmin;&sup9; bis 10&supmin;¹² MPa aufwies, bei einer in Tabelle 3 aufgeführten Temperatur zwei Stunden lang gebrannt. Auf diese Weise wurde ein gesinterter Körper hergestellt.
- Die beiden Enden des gesinterten Körpers wurden mit Silberpaste beschichtet, die anschließend bei 600ºC in Stickstoffatmosphäre gebrannt wurde. Durch diesen Schritt wurden die Außenelektroden (die mit den Innenelektroden elektrisch verbunden sind) gebildet. Auf diese Weise wurde ein monolithischer Keramikkondensator hergestellt.
- Der so hergestellte monolithische Keramikkondensator ist 1,6 mm breit, 3,2 mm lang und 1,2 mm dick, und die zwischen den Innenelektroden liegende dielektrische Keramikkschicht ist 8 um dick.
- Der monolithische Keramikkondensator enthält 19 wirksame dielektrische Keramikschichten und die Fläche der einander gegenüberliegend angeordneten Elektroden jeder Schicht beträgt 2,1 mm²
- Bei dem monolithischen Keramikkondensator wurden folgende Kennwerte geprüft.
- - Die elektrostatische Kapazität (C) und der dielektrische Verlustfaktor (tanδ) wurden bei 1 kHz, 1 Veff und einer Temperatur von 20ºC mit einer automatischen Messbrücke gemessen. Die Dielektrizitätskonstante (s) wurde aus der elektrostatischen Kapazität berechnet.
- - Der Isolationswiderstand (R) wurde zwei Minuten lang mit einem Isolationswiderstandsmesser bei 25ºC und 125ºC unter Anlegen einer Gleichspannung von 16 V und 160 Volt gemessen. Die Produkte CR für die verschiedenen Temperaturen und Spannungen wurden aus der elektrostatischen Kapazität (C) und dem Isolationswiderstand (R) ermittelt.
- - Die Veränderungsraten für den Temperaturgang der elektrostatischen Kapazität wurden mit ΔC/C20ºC und ΔC/C25ºC angegeben, wobei ersteres die Veränderungsrate bei -25ºC und 85ºC auf der Grundlage der elektrostatischen Kapazität bei 20ºC und letzteres die Veränderungsrate bei -55ºC und 125ºC auf der Grundlage der elektrostatischen Kapazität bei 25ºC angibt.
- Die maximale Veränderungsrate ( ΔC max) als absoluter Wert im Bereich von -55ºC bis 125ºC.
- Die Lebensdauer wurde in einem Belastungstest bei hoher Temperatur (an 36 Proben pro Test) so bestimmt, dass die Zeitspanne gemessen wurde, während der eine Veränderung des Isolationswiderstandes auftrat, wenn eine Gleichspannung von 100 V bei 150ºC angelegt wurden. Die Zeitspanne, die verstrich bis der Isolationswiderstand (R) bei jeder Probe auf 10&sup6; Ω oder weniger gesunken war, wurde als Lebensdauer dieser Probe bestimmt. Die Ergebnisse werden als durchschnittliche Lebensdauer angegeben.
- Die Feuchtigkeitswiderstandsfähigkeit wurde in einem Belastungstest (an 72 Proben pro Test) bestimm, indem die Zeitspanne gemessen wurde, während der eine Veränderung des Isolationswiderstandes auftrat, wenn eine Gleichspannung von 16 V bei 121ºC und 2 Atm. Druck (100% RH) angelegt wurde. Die Ergebnisse sind als Anzahl der fehlerhaften Proben angegeben, deren Isolationswiderstand (R) unter 10&sup6; Ω innerhalb von 250 Stunden abnahm.
- Die Ergebnisse der oben genannten Tests sind in Tabelle 3 aufgeführt. In den Tabellen 2 und 3 sind die Proben, die außerhalb des Bereichs der Erfindung liegen, mit einem Sternchen versehen. Tabelle 3
- Aus den Tabellen 1 bis 3 ist ersichtlich, dass die erfindungsgemäßen monolithischen Keramikkondensatoren eine Dielektrizitätskonstante (ε) von mehr als 3000, einen dielektrischen Verlustfaktor (tanδ) von unter 2,5% und eine temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität, die im Temperaturbereich von = 25ºC bis 85ºC den in der JIS-Norm festgelegten B-Kennwert und im Temperaturbereich von -55ºC bis 125ºC den in der EIA-Norm festgelegten X7R- Kennwert erfüllt
- Ferner weisen die erfindungsgemäßen Proben bei 16 V und 160 V bei 25ºC einen hohen Isolationswiderstand auf, wie die entsprechenden Produkte CR von 6000 Ω · F und 2000 Ω · F zeigen. Auch bei einer Temperatur von 125ºC weisen sie bei 16 V und 160 V einen hohen Isolationswiderstand auf, wie die entsprechenden Produkte CR von 2000 Ω · F und 500 Ω · F zeigen. Die Proben haben eine durchschnittliche Lebensdauer von über 500 Stunden und bestehen den Feuchtigkeitsbelastungstest. Sie können durch Sintern bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen (1300ºC oder niedriger) hergestellt werden.
- Die Variablen der Zusammensetzung, die in der Erfindung spezifiziert sind, stützen sich auf die folgenden experimentellen Fakten.
- Probe Nr. 1, bei der die Menge (α+β) an (M&sub2;O&sub3; + Re&sub2;O&sub3;) unter 0,0025 liegt, weist eine Dielektrizitätskonstante (ε) unter 3000, einen dielektrischen Verlustfaktor (tanδ) über 2,5% eine hohe temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität und eine äußerst kurze Lebensdauer auf.
- Probe Nr. 19, bei der die Menge (α+β) an (M&sub2;O&sub3; + Re&sub2;O&sub3;) über 0,025 liegt, weist eine Dielektrizitätskonstante (c) unter 3000, einen geringen Isolationswiderstand und eine kurze Lebensdauer auf. Ferner benötigt sie eine hohe Sintertemperatur und verursacht verschiedene Fehler beim Feuchtigkeitsbelastungstest.
- Probe Nr. 2, bei der die Menge (y) an (Mn, Ni, Co)O unter 0,0025 liegt, wird beim Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre reduziert. Durch diese Reduktion werden die Keramiken in einen Halbleiter umgewandelt, wodurch sich ihr Isolationswiderstand (unerwünschterweise) verringert. Probe Nr. 20, bei der die Menge (γ) an (Mn, Ni, Co)O über 0,05 liegt, weist bei 25ºC (bei 160 V) und bei 125ºC einen geringen Isolationswiderstand auf und ihre mittlere Lebensdauer liegt unter 500 Stunden. Die Proben Nr. 23 und 25, die überhaupt kein Mn enthalten, haben einen geringen Isolationswiderstand und eine mittlere Lebensdauer von kürzer als 500 Stunden.
- Probe Nr. 3, bei der der Wert für β 0 ist, hat eine Lebensdauer unter 500 Stunden. Probe Nr. 22, bei der der Wert für β über 0,0075 liegt, weist eine hohe temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität auf. Somit erfüllt Sie den B-Kennwert der JIS-Norm und den X7R-Kennwert der EIA-Norm nicht.
- Probe Nr. 21, bei der das Verhältnis γ / (α+β) 4 übersteigt, weist eine hohe temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität auf (was nicht erwünscht ist). Die Proben Nr. 4 und 5, bei denen das Molverhältnis (m) von Bariumtitanat kleiner oder gleich 1000 ist, wandeln sich in Halbleiter um und haben eine durchschnittliche Lebensdauer von unter 500 Stunden. Probe Nr. 26, bei der das Molverhältnis (m) über 1,035 liegt, kann nicht einmal bei 1350ºC gesintert werden.
- Probe Nr. 6, bei der die Menge an MgO weniger als 0,5 Mol ausmacht, weist einen Isolationswiderstand unter 2000 Ω · F (bei 25ºC und 160 V) und eine durchschnittliche Lebensdauer unter 500 Stunden auf. Ferner weist sie eine temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität auf, die den β-Kennwert der JIS-Norm und den X7R-Kennwert der EIA-Norm nicht erfüllt.
- Im Gegensatz dazu benötigt die Probe Nr. 27, bei der die Menge an MgO über 5 Mol liegt, eine hohe Sintertemperatur, weist eine Dielektrizitätskonstante unter 3000 sowie einen schlechten Isolationswiderstand auf und besteht den Feuchtigkeitsbelastungstest nicht.
- Probe Nr. 7, bei der der Anteil an Oxidglas unter 0,2 Gew.- Teilen liegt, wird auch bei 1350ºC nicht vollständig gesintert. Im Gegensatz dazu weist Probe Nr. 28, bei der der Anteil an Oxidglas über 3,0 Gew.-Teileh liegt, eine niedrige Dielektrizitätskonstante und eine hohe temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität auf.
- Probe Nr. 29, bei der der Anteil an Alkalimetall (als Unreinheit im Bariumtitanat) mehr als 0,02 Gew.-Teile beträgt, weist eine niedrige Dielektrizitätskonstante auf.
- Obwohl der Wert des Verhältnisses β/α nicht genauer spezifiziert ist, sollte er bevorzugterweise kleiner oder gleich 1 sein, so dass die Proben eine temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität aufweisen, die die Kennwerte mit einem gewissen Spielraum erfüllen.
- Ein Pulver aus dielektrischem Material wurde aus Bariumtitanat (in Tabelle 1 als A gekennzeichnet) und entsprechenden Anfangsmaterialien in den unten angegebenen Mengen bereitet:
- 97,3{BaO}1,010 · TiO&sub2;+O, 6Y&sub2;O&sub3;+O, 1Sm&sub2;O&sub3;+O, 6MnO+O, 6NiO+0,8coO
- (Molverhältnis). Diesem Pulver wurde 1,2 Mol MgO zugegeben. Dem so bereiteten Rohmaterial wurde Oxidglas (mit einer durchschnittlichen Körnchengröße von kleiner 1 um, wie in Tabelle 4 dargestellt ist) zugegeben. Dieses Oxidglas wurde genauso hergestellt, wie in Beispiel 1. Die so bereitete dielektrische Keramikzusammensetzung wurde auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1 in monolithische Keramikkondensatoren eingebracht. (Der monolithische Keramikkondensator weist Innenelektroden und mit diesen elektrisch verbundene Außenelektroden aus Silber auf). Außerdem wurde die Schmelztemperatur für das Glas entsprechend der Zusammensetzung des Glases im Bereich von 1200-1500ºC gewählt. Tabelle 4
- Die Zusammensetzung des Oxidglases wird durch das in Fig. 1 gezeigte Dreieckskoordinatensystem bestimmt.
- Die monolithischen Keramikkondesatoren dieses Beispiels weisen dieselben Abmessungen wie die aus Beispiel 1 auf. Bei den monolithischen Keramikkondensatoren wurden folgende Kennwerte geprüft:
- - Die elektrostatische Kapazität (C) und der dielektrische Verlustfaktor (tanδ) wurden bei 1 kHz, 1 Veff und einer Temperatur vor 20ºC mit einer automatischen Messbrücke gemessen. Die Dielektrizitätskonstante (s) wurde aus der elektrostatischen Kapazität berechnet.
- - Der Isolationswiderstand (R) wurde zwei Minuten lang mit einem Isolationswiderstandsmesser bei 25ºC und 125ºC unter Anlegen einer Gleichspannung von 16 V und 160 Volt gemessen. Die Produkte CR für die Verschiedenen Temperaturen und Spannungen wurden aus der elektrostatischen Kapazität (C) und dem Isolationswiderstand (R) ermittelt.
- - Die Veränderungsraten für den Temperaturgang der elektrostatischen Kapazität wurden mit ΔC/C20ºC und ΔC/C25ºC angegeben, wobei ersteres die Veränderungsrate bei -25ºC und 85ºC auf der Grundlage der elektrostatischen Kapazität bei 20ºC und letzteres die Veränderungsrate bei -55ºC und 125ºC auf der Grundlage der elektrostatischen Kapazität bei 25ºC angibt.
- - Die maximale Veränderungsrate ( ΔC max) als absoluter Wert im Bereich von -55ºC bis 125ºC.
- Die Lebensdauer wurde in einem Belastungstest bei hoher Temperatur (an 36 Proben pro Test) so bestimmt, dass die Zeitspanne gemessen wurde, während der eine Veränderung des Isolationswiderstandes auftrat, wenn eine Gleichspannung von 100 V bei 150ºC angelegt wurden. Die Zeitspanne, die verstrich bis der Isolationswiderstand (R) bei jeder Probe unter 10&sup6; Ω gesunken war, wurde als Lebensdauer dieser Probe bestimmt. Die Ergebnisse sind als mittlere Lebensdauer angegeben.
- Die Feuchtigkeitswiderstandsfähigkeit wurde in einem Belastungstest (an 72 Proben pro Test) bestimmt, indem die Zeitspanne gemessen wurde, während der eine Veränderung des Isolationswiderstandes auftrat, wenn eine Gleichspannung von 16 V bei 121ºC und 2 Atm. Druck (100% RH) angelegt wurden. Die Ergebnisse werden als Anzahl der fehlerhaften Proben angegeben, bei denen der Isolationswiderstand (R) innerhalb von 250 Stunden unter 10&sup6; Ω sank.
- Die Ergebnisse der oben genannten Tests sind in Tabelle 5 aufgeführt. In den Tabellen 4 und 5 sind die Proben, die außerhalb des Bereichs des Anspruchs 2 der Erfindung liegen, mit einem Sternchen versehen. Tabelle 5
- Aus den Tabellen 4 und 5 ist ersichtlich, dass die erfindungsgemäßen monolithischen Keramikkondensatoren, die die dielektrischen Keramikschichten aufweisen, die das in der Erfindung spezifiziertes Oxidglas enthalten, eine Dielektrizitätskonstante (ε) über 3000, einen dielektrischen Verlustfaktor (tanδ) unter 2,5% und eine temperaturabhängige Veränderungsrate der elektrostatischen Kapazität aufweisen, die im Temperaturbereich von -55ºC bis 125ºC den in der EIA- Norm festgelegten X7R-Kennwert erfüllt.
- Ferner weisen die erfindungsgemäßen Proben bei 16 V und 160 V bei 25ºC einen hohen Isolationswiderstand auf, wie die entsprechenden Produkte CR von 6000 Ω · F und 2000 Ω · F zeigen. Auch bei einer Temperatur von 125ºC weisen sie bei 16 V und 160 V einen hohen Isolationswiderstand auf, wie die entsprechenden Produkte CR von 2000 Ω · F und 500 Ω · F zeigen. Die Proben haben eine durchschnittliche Lebensdauer von über 500 Stunden und bestehen den Feuchtigkeitsbelastungstest. Sie können durch Sintern bei vergleichsweise niedrigen Temperaturen (1300ºC oder niedriger) hergestellt werden.
- Die Zusammensetzung des Oxidglases wird, wie oben beschrieben, durch den Bereich, der von sechs Geraden im Dreieckskoordinatensystem begrenzt ist, bestimmt. Das ist durch die Tatsache gerechtfertigt, dass die Proben Nr. 13 bis 17 eine schlechte Sinterfähigkeit aufweisen und oft den Feuchtigkeitsbelastungstest nicht bestehen. Die Zusammensetzung, die der Strecke A-F (wobei z = 1,0 ist) entspricht, liegt außerhalb des Bereichs der Erfindung. Das ist durch die Tatsache gerechtfertigt, dass die Probe Nr. 19 eine hohe Sintertemperatur benötigt und den Feuchtigkeitsbelastungstest nicht besteht. Die Zusammensetzung, bei der der Wert z kleiner als 0,3 ist, liegt ebenfalls außerhalb des Bereichs der Erfindung. Das ist durch die Tatsache gerechtfertigt, dass die Probe Nr. 22 eine hohe Sintertemperatur benötigt und den Feuchtigkeitsbelastungstest nicht besteht.
- Fig. 2 ist eine Schnittansicht des erfindungsgemäßen monolithischen Keramikkondensators. Der monolithische Keramikkondensator 1 besteht aus dielektrischen Keramikschichten 3 und Innenelektroden 2a, 2b, 2c und 2d, die abwechselnd eine über der anderen angeordnet sind. Der monolithische Keramikkondensator 1 weist Außenelektroden 4a und 4b auf, die elektrisch mit den Innenelektroden 2a, 2b, 2c und 2d verbunden sind. Die Außenelektroden 4a und 4b weisen weitere Außenelektrodenschichten 5a und 5b aus Nickel oder Kupfer auf, die durch Plattieren auf diese aufgebracht sind. Die Außenelektrodenschichten 5a und 5b weisen weitere Außenelektrodenschichten 6a und 6b aus Lötmetall oder Zinn auf, die durch Plattieren auf diese aufgebracht sind. Der monolithische Keramikkondensator 1 kann durch das in Beispiel 1 oder 2 beschriebene Verfahren hergestellt werden. Der in Fig. 2 gezeigte monolithische Keramikkondensator weist Außenelektroden auf, die aus drei Schichten bestehen, der Aufbau der Außenelektroden kann aber auch, je nach Verwendung des Kondensators, nur aus einer Schicht oder aus vielen Schichten bestehen.
- Obwohl in den oben genannten Beispielen pulverförmiges Bariumtitanat verwendet wird, das im Oxalsäureverfahren synthetisiert wurde, kann auch Bariumtitanat verwendet werden, das im Alkoxidverfahren oder durch Hydrothermalsynthese, synthetisiert wurde, um die Kennwerte des monolithischen Keramikkondensators zu verbessern. Außerdem kann man anstelle des Oxidpulvers ohne negativen Auswirkungen auf die Kennwerte auch Yttrium, Kobalt und Nickel in Form einer Alkoxidlösung oder einer organo-metallischen Lösung verwenden, so lange man sich an die festgelegten Mengen für die dielektrische Keramikzusammensetzung hält.
- Die Innenelektroden können durch Siebdruck, Vakuumverdampfung und Plattieren hergestellt werden.
- Die Außenelektroden können aus demselben Material wie die Innenelektroden bestehen. Sie können auch aus Silber, Palladium oder einer Silber-Palladiumlegierung bestehen, wobei die Auswahl des Materials entsprechend der Verwendung des monolithischen Keramikkondensators vorgenommen werden kann.
- In den oben beschriebenen Beispielen wurden die Außenelektroden durch Beschichten mit einer Metallpulverpaste und anschließendem Brennen nach dem Erhitzen hergestellt. Alternativ körnen sie auch so hergestellt werden, dass sie vor dem Erhitzen beschichtet und anschließend gleichzeitig mit dem Erhitzen des monolithischen Keramikkondensators gebrannt werden.
- Die Außenelektroden aus Silber können auch anschließend mit einer Plattierschicht aus Nickel oder Kupfer und einer Plattierschicht aus Lötmetall oder Zinn beschichtet werden.
- Erfindungsgemäß kann der die Zusammensetzung verwendende dielektrische Keramikkondensator durch Erhitzen auf 1260- 1300ºC in neutraler oder reduzierender Atmosphäre hergestellt werden. Dennoch sind seine Werte für den Isolationswiderstand und die elektrostatische Kapazität so, dass deren Produkt (Produkt CR) größer ist als 6000 Ω · F. Dieser Wert ändert sich auch in einem starken elektrischen Feld nur wenig. Der monolithische Kondensator weist eine Nennspannung von hoher Zuverlässigkeit auf und zeigt eine Dielektrizitätskonstante über 3000 auch wenn dünnere dielektrischen Keramikschichten verwendet werden.
- Die erfindungsgemäße dielektrische Keramikzusammensetzung kann für monolithische Keramikkondensatoren verwendet werden, die die oben beschriebenen Kennwerte aufweisen, und deren temperaturbedingte elektrostatische Kapazität den B-Kennwert der JIS-Norm und den X7R-Kennwert der EIA-Norm erfüllt. Diese herausragenden Eigenschaften ändern sich auch bei hohen Temperaturen und bei hoher Feuchtigkeit nicht.
- Der die erfindungsgemäße Zusammensetzung verwendende dielektrische monolithische Keramikkondensator weist Innenelektroden aus Nickel oder Nickellegierung auf. Daher ist er preisgünstiger als der herkömmliche, dessen Innenelektroden aus Edelmetall, wie Palladium, bestehen. Dennoch zeigt er eine gute Widerstandsfähigkeit gegen Witterungseinflüsse, z. B. gute Belastungskennwerte bei hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit.
Claims (6)
1. Dielektrische Keramikzusammensetzung, die einen
Primärbestandteil und einen Sekundärbestandteil in einem
Molverhältnis von 100/0,5 bis 100/5,0 sowie einen
Nebenbestandteil in einer Menge von 0,2 bis 0,3 Gewichtsteile
zu insgesamt 100 Gewichtsteilen des Primär- und
Sekundärbestandteils zusammen enthält, wobei der Primärbestandteil
aus Bariumtitanat, das weniger als 0,02 Gew.-%
Alkalimetalloxid als Unreinheit aufweist; aus wenigstens
einem der Bestandteile Skandiumoxid und Yttriumoxid, aus
wenigstens einem der Bestandteile Samariumoxid und
Europiumoxid, und aus Manganoxid besteht und wahlweise
Kobaltoxid und/oder Nickeloxid enthält, wie es in
nachstehender Zusammensetzungsformel angegeben ist:
(1-α-β-γ) {BaO}m · TiO&sub2; + αM&sub2;O&sub3; + βRe&sub2;O&sub3; + γ(Mn1-x-yNixCoy)O
worin M&sub2;O&sub3; Sc&sub2;O&sub3; oder Y&sub2;O&sub3; oder beide, Re&sub2;O&sub3; Sm&sub2;O&sub3; oder Eu&sub2;O&sub3;
oder beide bezeichnen und α, β, γ, m, x, und y angegeben sind
durch
0,00250 ≤ α + β ≤ 0,025
0 < β ≤ 0,0075
0,0025 ≤ y ≤ 0,05
γ / (α + β) ≤ 4
0 ≤ x < 1,0
0 ≤ y < 1,0
0 ≤ x + y < 1,0
1,0000 < m ≤ 1,035,
wobei der Sekundärbestandteil Magnesiumoxid (MgO) und der
Nebenbestandteil ein Oxid ist, das durch Li&sub2;O- (Si, Ti)O&sub2;-Al&sub2;O&sub3;-
ZrO&sub2; angegeben ist.
2. Dielektrische Keramikzusammensetzung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass der Nebenbestandteil durch die
allgemeine Formel pLi&sub2;O-q (SizTi1-z)O&sub2;-rM angegeben ist, worin
p, q und r die Mol-% der jeweiligen Bestanteile angeben, z
durch 0,30 ≤ z ≤ 1,0 angegeben ist, M für Al&sub2;O&sub3; oder ZrO&sub2; oder
beides steht und p, q und r sich innerhalb des Bereichs,
befinden, der durch ein Vieleck begrenzt wird, dessen
Eckpunkte im Dreieckskoordinatensystem wie folgt angegeben
sind:
A (20, 80, 0)
B (10, 80, 10)
C (10, 70, 20)
D (35, 45, 20)
E (45, 45, 10)
F (45, 55, 0),
vorausgesetzt, dass für die Zusammensetzung, die der Linie A-
F entspricht gilt, dass 0,3 ≤ z < 1,0 ist.
3. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung
nach Anspruch 1 oder 2 für einen monolithischen
Keramikkondensator (1), der
mehrere aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung
bestehende dielektrische Keramikschichten (3),
mehrere Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) aufweist, die
aus Nickel oder Nickellegierung bestehen und zwischen den
dielektrischen Keramikschichten (3) gebildet sind.
4. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung
nach Anspruch 1 oder 2 für einen Keramikkondensator (1), der
mehrere aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung
bestehende dielektrische Keramikschichten (3),
mehrere Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d), die aus Nickel
oder Nickellegierung bestehen und so zwischen den
dielektrischen Keramikschichten (3) gebildet sind, dass ihre Kanten an
den Enden der dielektrischen Keramikschichten (3) sichtbar
sind, und
Außenelektroden (4a, 4b) aufweist, die elektrisch mit
den Kanten dieser Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) verbunden
sind.
5. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung
nach Anspruch 1 oder 2 für einen monolithischen
Keramikkondensator (1), der
mehrere aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung
bestehende dielektrische Keramikschichten (3),
mehrere Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) aufweist, die
aus Nickel oder Nickellegierung bestehen und so zwischen den
dielektrischen Keramikschichten (3) gebildet sind, dass ihre
Kanten an den Enden der dielektrischen Keramikschichten (3)
sichtbar sind, und
Außenelektroden (4a, 4b) aufweist, die elektrisch mit
den Kanten der Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) verbunden
sind,
wobei die Außenelektroden (4a, 4b) aus gesinterten
Schichten elektrisch leitenden Metallpulvers mit oder ohne
Glasfritte gebildet sind.
6. Verwendung der dielektrischen Keramikzusammensetzung
nach Anspruch 1 oder 2 für einen monolithischen
Keramikkondensator (1), der
mehrere aus der dielektrischen Keramikzusammensetzung
bestehende dielektrische Keramikschichten (3),
mehrere Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d), die aus Nickel
oder Nickellegierung bestehen und so zwischen den
dielektrischen Keramikschichten (3) gebildet sind, dass ihre
Kanten von den Enden der dielektrischen Keramikschichten (3)
aus sichtbar sind, und
Außenelektroden (4a, 4b) aufweist, die elektrisch mit
den Kanten der Innenelektroden (2a, 2b, 2c, 2d) verbunden
sind,
wobei die Außenelektroden (4a, 4b) aus gesinterten
Schichten elektrisch leitenden Metallpulvers mit oder ohne
Glasfritte gebildet sind und über diesen gesinterten
Schichten eine plattierte Schicht liegt.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP653096 | 1996-01-18 | ||
JP6135796 | 1996-03-18 | ||
JP8291998A JP3039397B2 (ja) | 1996-01-18 | 1996-11-01 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69704580D1 DE69704580D1 (de) | 2001-05-23 |
DE69704580T2 true DE69704580T2 (de) | 2001-08-09 |
Family
ID=27277204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69704580T Expired - Lifetime DE69704580T2 (de) | 1996-01-18 | 1997-01-16 | Dielektrische keramische Zusammmensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5801111A (de) |
EP (1) | EP0785561B1 (de) |
JP (1) | JP3039397B2 (de) |
KR (1) | KR100231798B1 (de) |
CN (1) | CN1090371C (de) |
DE (1) | DE69704580T2 (de) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG48535A1 (en) * | 1996-08-05 | 1998-04-17 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the same |
JP3039417B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
WO1998044523A1 (fr) * | 1997-03-31 | 1998-10-08 | Tdk Corporation | Materiau ceramique dielectrique non reducteur |
JP3334606B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2002-10-15 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
SG65086A1 (en) * | 1997-07-23 | 1999-05-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
JP4253869B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2009-04-15 | 日本ケミコン株式会社 | 誘電体磁器組成物、積層セラミクスコンデンサとその製造方法 |
JP3644235B2 (ja) * | 1998-03-03 | 2005-04-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
JP3334607B2 (ja) | 1998-05-12 | 2002-10-15 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
US6243254B1 (en) * | 1998-08-11 | 2001-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic capacitor using the same |
JP2000072540A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体材料 |
US6074971A (en) * | 1998-11-13 | 2000-06-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ceramic ferroelectric composite materials with enhanced electronic properties BSTO-Mg based compound-rare earth oxide |
GB2384502B (en) * | 1998-11-16 | 2004-10-13 | Shell Oil Co | Coupling an expandable tubular member to a preexisting structure |
JP2000208380A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-07-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの選別方法 |
JP3606079B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2005-01-05 | 株式会社村田製作所 | 非直線性誘電体磁器、パルス発生用コンデンサ、高圧蒸気放電灯回路および高圧蒸気放電灯 |
JP2000357624A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
US6556422B2 (en) * | 2000-07-05 | 2003-04-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition, multi-layer ceramic capacitor using the same, and manufacturing method therefor |
JP2002050536A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
JP4392821B2 (ja) * | 2000-10-24 | 2010-01-06 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
JP3864114B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2006-12-27 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 積層型誘電体の製造方法 |
JP5153288B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2013-02-27 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
KR100495210B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2005-06-14 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 저온소성 유전체 자기조성물, 이를 이용한적층세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
KR100471155B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-03-10 | 삼성전기주식회사 | 저온소성 유전체 자기조성물과 이를 이용한 적층세라믹커패시터 |
US6828266B1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-12-07 | Ferro Corporation | X7R dielectric composition |
CN100403467C (zh) * | 2003-08-08 | 2008-07-16 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 多层陶瓷电容器及其制备方法与所用的介电陶瓷材料 |
JP2005136132A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
JP5297011B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2013-09-25 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
JP4798231B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2011-10-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
TW201107267A (en) * | 2009-08-21 | 2011-03-01 | Darfon Electronics Corp | Ceramic powder composition, ceramic material and laminated ceramic capacitor made of the same |
US8178458B2 (en) * | 2009-12-01 | 2012-05-15 | National Taiwan University Technology | Dielectric ceramic composition |
JP6093797B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-03-08 | 株式会社アールシーコア | 屋根の防湿構造 |
CN106007672B (zh) * | 2016-05-18 | 2018-07-31 | 湖南圣瓷科技有限公司 | 一种电力用绝缘陶瓷的制备方法及其绝缘陶瓷和应用 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0618403B2 (ja) | 1983-11-11 | 1994-03-09 | 松下電器産業株式会社 | テレビ電話 |
JPS6114610A (ja) | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 光コネクタ部品と光フアイバの接続方法 |
WO1991015023A1 (en) * | 1990-03-28 | 1991-10-03 | Taiyo Yuden Kabusikigaisha | Ceramic capacitor and production thereof |
JP2958819B2 (ja) | 1991-06-27 | 1999-10-06 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
JP2958817B2 (ja) | 1991-06-27 | 1999-10-06 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
JP3269910B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2002-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-01 JP JP8291998A patent/JP3039397B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-16 DE DE69704580T patent/DE69704580T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-16 CN CN97102285A patent/CN1090371C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-16 EP EP97100644A patent/EP0785561B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-17 KR KR1019970001289A patent/KR100231798B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-01-21 US US08/785,783 patent/US5801111A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69704580D1 (de) | 2001-05-23 |
KR100231798B1 (ko) | 1999-12-01 |
CN1163464A (zh) | 1997-10-29 |
EP0785561A2 (de) | 1997-07-23 |
JPH09312233A (ja) | 1997-12-02 |
US5801111A (en) | 1998-09-01 |
JP3039397B2 (ja) | 2000-05-08 |
EP0785561B1 (de) | 2001-04-18 |
KR19980041667A (ko) | 1998-08-17 |
EP0785561A3 (de) | 1997-09-24 |
CN1090371C (zh) | 2002-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69704580T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammmensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
DE69807366T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69602578T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und deren Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
DE69720168T2 (de) | Keramische Zusammensetzung und diese verwendender keramischer Kondensator | |
DE10035612B4 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithischer Keramikkondensator | |
DE69710259T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und ihre Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator | |
DE10024236B4 (de) | Keramisches Dielektrikum und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE69835044T2 (de) | Dielektrische Keramik und monolitischer keramischer Kondensator diese enthaltend | |
DE69725068T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69710265T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und diese verwendender monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69728721T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und dieselbe benutzender monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69913284T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69700235T2 (de) | Monolithischer keramischer Kondensator | |
DE69928873T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und keramischer Vielschichtkondensator | |
DE69609119T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzungen | |
DE112006001440B4 (de) | Dielektrische Keramik und Vielschicht-Keramikkondensator | |
DE60014225T2 (de) | Keramischer Vielschichtkondensator mit hoher Zuverlässigkeit, kompatibel mit Nickelelektroden | |
DE69619947T2 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung und ihre Verwendung für einen monolithischen Kondensator | |
DE69604510T2 (de) | Monolithische keramische Kondensatoren | |
DE102012109362B4 (de) | Dielektrische Zusammensetzung und diese enthaltendes keramisches Elektronikbauteil | |
DE69209417T2 (de) | Nichtreduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung | |
DE19906582B4 (de) | Dielektrische keramische Zusammensetzung, laminierter Keramikkondensator und Verfahren zur Herstellung des laminierten Keramikkondensators | |
DE10043882B4 (de) | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil | |
DE69601822T2 (de) | Nichtreduzierte, dielektrische, keramische Zusammensetzungen | |
US6829137B2 (en) | Dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor including same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |