DE694313C

DE694313C - Vorrichtung zur gleichzeitigen Herstellung von mehreren Kristallplatten

Info

Publication number: DE694313C
Application number: DE1937A0085264
Authority: DE
Inventors: Dr-Ing Ernst Burkhardt
Original assignee: AEG AG
Current assignee: AEG AG
Priority date: 1937-12-22
Filing date: 1937-12-22
Publication date: 1940-07-29

Description

Vorrichtung zur gleichzeitigen Herstellung von mehreren Kristallplatten Es ist bekannt, Kristallplatten dadurch herzustellen, daß ein Mu.tterkristall in eine kristallbildende Lösung zwischen das Wachstum des Kristalls begrenzende Glasplatten gelegt wird. Dabei sind bei der Herstellung von piezoelektrischen Kristallen z.B. beim Einlegen der Mutterkristalle die Achsenverhältnisse zu beachten, d. h. es wird der Keim von z. 13. Seignettesalz mit einer a-Fiäche (im folgenden wird die Fläche, zu der die a-Achse Normale ist, als s-Fläche und entsprechend die anderen FLächen als b- und c-Flächen bezeichnet) auf die Glasplatte gelegt. Bei dieser bekannten Verfahrensweise ist es notwendig, für jede Kristallplatte einen eigenen Mutterkristall zu verwenden.
Es wurde nun gefunden, daß das bekannte Verfahren wesentlich vereinfacht werden kann durch gleichzeitige Züchtung von vielen Kristallplatten aus einem einzigen Mutterkristall in einer Vorrichtung gemäß der Erfindung.
Die Homogenität eines Seignettesalzkristalles z.B. ist in der c-Richtung besser als in der b Richtung. Diese Tatsache wird nun so ausgenutzt, daß der Mutterkristall so in senkrecht übereinanderliegende Bohrungen mehrerer horizontaler, mit Abstand der gewünschten Kristallplatten voneinander angeordneter Glasplatten eingebracht wird, daß die a-Fläche parallel den Glasplatten ist und die b-Fläche durch Distanzstücke begrenzt wird, so daß der Mutterkristall nur in der c-Richtung wachsen kann.
In der Abbildung ist eine beispielsweise Vorrichtung näher erläutert. In dem Gefäß G befindet sich eine gesättigte Seignettesalzlösung L, in die sechs durch fünf Distanzsrücke D1 bis D5 in dem gewünschten Abstand voneinander gehaltene Glasplatten Pr...P6 eingesetzt sind. Die vier mittleren Platten besitzen eine Bohrung, in die der Mutterkristalls so eingesetzt ist, daß die Platten P1 und P6 eine v-Fläche des Kristalls begrenzen, während die Distanzstücke die b-Fläche begrenzen, so daß die Platte nur in der c-Richtung wachsen kann.
Es ist naturgemäß nicht notwendig, daß aus den Glasplattgn, den Distanzstücken und dem Muttierkristall bestehende System in der dargestellten Weise in die Lösung einzusetzen oder einzuhängen. Auch braucht die Bohrung bei Züchtung von anderen Kristallen als Seignettesalzkristallen nicht senkrecht zu den Glasplatten zu liegen, es ist jeweils nur auf die Besonderheiten des Kristallsystems zu achten, in dem der Mutterkristall wächst.
Die Vorrichtung ist zur Herstellung von Kristallplatten der verschiedensten Kristalls arten geeignet, hat jedoch besondere praktische Bedeutung für die Züchtung vonpiezoelektrischen Kristallplatten.

Claims

PATENTANSPRUC15: Vorrichtung zur gleichzeitigen Herstellung von mehreren Kristallplatten, bei der die Kristallplatten in einer kristallbildenden Lösung von einem Mutterkristall zwischen das Wachstum des Kristalls begrenzenden, parallel übereinander angeordneten Platten wachsen, dadurch gekennzeichnet, daß die Platten (Pg und P5), ausgenommen die oberste und unterste Platte (P1 und P6), jeweils mit einer Öffnung (M) für die Aufnahme des Mutterkristalls versehen sind und an zwei gegenüb-erliegenden Seiten durch Platten (D1 bis Dl5) begrenzt sind, die als Distanzstücke zwischen den übereinander angeordneten Platten dienen.