DE69426487D1 - Verfahren und Schaltung zur Referenzsignalerzeugung zur Differentialauswertung des Inhalts von nichtflüchtigen Speicherzellen - Google Patents
Verfahren und Schaltung zur Referenzsignalerzeugung zur Differentialauswertung des Inhalts von nichtflüchtigen SpeicherzellenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP94830143A EP0676768B1 (de) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | Verfahren und Schaltung zur Referenzsignalerzeugung zur Differentialauswertung des Inhalts von nichtflüchtigen Speicherzellen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69426487D1 true DE69426487D1 (de) | 2001-02-01 |
DE69426487T2 DE69426487T2 (de) | 2001-06-07 |
Family
ID=8218407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69426487T Expired - Fee Related DE69426487T2 (de) | 1994-03-28 | 1994-03-28 | Verfahren und Schaltung zur Referenzsignalerzeugung zur Differentialauswertung des Inhalts von nichtflüchtigen Speicherzellen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5541880A (de) |
EP (1) | EP0676768B1 (de) |
JP (1) | JP3141102B2 (de) |
DE (1) | DE69426487T2 (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5487045A (en) * | 1994-09-16 | 1996-01-23 | Philips Electroics North America Corporation | Sense amplifier having variable sensing load for non-volatile memory |
US5537358A (en) * | 1994-12-06 | 1996-07-16 | National Semiconductor Corporation | Flash memory having adaptive sensing and method |
US5747890A (en) * | 1995-06-05 | 1998-05-05 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Power supply switch reference circuitry |
DE69633912D1 (de) * | 1996-03-29 | 2004-12-30 | St Microelectronics Srl | Anordnung zum Generieren einer Spannung als Funktion der Leitfähigkeit einer Elementarzelle, insbesondere für nichtflüchtige Speicher |
DE69629669T2 (de) * | 1996-06-18 | 2004-07-08 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Leseverfahren und -schaltung für nichtflüchtige Speicherzellen mit Entzerrerschaltung |
EP0814482B1 (de) * | 1996-06-18 | 2003-08-27 | STMicroelectronics S.r.l. | Verfahren und Schaltung zum Erzeugen eines Lesereferenzsignals für nichtflüchtige Speicherzellen |
US5793228A (en) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Noise-tolerant dynamic circuits |
US5805500A (en) * | 1997-06-18 | 1998-09-08 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Circuit and method for generating a read reference signal for nonvolatile memory cells |
EP1071094B1 (de) * | 1999-06-25 | 2005-11-23 | STMicroelectronics S.r.l. | Lesungsschaltung für einen Halbleiterspeicher |
ITRM20010282A1 (it) * | 2001-05-24 | 2002-11-25 | St Microelectronics Srl | Circuito di lettura per memoria non volatile. |
US7057935B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Erase verify for non-volatile memory |
US7474582B2 (en) * | 2006-12-12 | 2009-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for managing power |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60167197A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Toshiba Corp | 半導体記憶回路 |
US4943948A (en) * | 1986-06-05 | 1990-07-24 | Motorola, Inc. | Program check for a non-volatile memory |
JPH0196897A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH0770235B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ回路装置 |
US5003203A (en) * | 1989-06-12 | 1991-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Adaptive reference voltage generation circuit for PLA sense amplifiers |
JPH0371495A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Sony Corp | 紫外線消去型不揮発性メモリ装置 |
DE3942363A1 (de) * | 1989-12-21 | 1991-06-27 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung einer polypropylen-formmasse |
IT1246241B (it) * | 1990-02-23 | 1994-11-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito per la lettura dell'informazione contenuta in celle di memoria non volatili |
IT1244293B (it) * | 1990-07-06 | 1994-07-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo di lettura per celle eprom con campo operativo indipendente dal salto di soglia delle celle scritte rispetto alle celle vergini |
EP0487808B1 (de) * | 1990-11-19 | 1997-02-19 | STMicroelectronics S.r.l. | Speichern mit ungleichen Lasten und mit Kompensation |
FR2688952B1 (fr) * | 1992-03-18 | 1994-04-29 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif de generation de tension de reference. |
JPH05282881A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPH0696591A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH06176583A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR940017214A (ko) * | 1992-12-24 | 1994-07-26 | 가나이 쓰토무 | 기준전압 발생회로 |
-
1994
- 1994-03-28 EP EP94830143A patent/EP0676768B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-28 DE DE69426487T patent/DE69426487T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-28 US US08/411,904 patent/US5541880A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-28 JP JP6942595A patent/JP3141102B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5541880A (en) | 1996-07-30 |
EP0676768B1 (de) | 2000-12-27 |
JPH0855486A (ja) | 1996-02-27 |
EP0676768A1 (de) | 1995-10-11 |
DE69426487T2 (de) | 2001-06-07 |
JP3141102B2 (ja) | 2001-03-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |