DE69514802D1 - Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung - Google Patents

Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung

Info

Publication number
DE69514802D1
DE69514802D1 DE69514802T DE69514802T DE69514802D1 DE 69514802 D1 DE69514802 D1 DE 69514802D1 DE 69514802 T DE69514802 T DE 69514802T DE 69514802 T DE69514802 T DE 69514802T DE 69514802 D1 DE69514802 D1 DE 69514802D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
corresponding circuit
memory words
parallel programming
programming
parallel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69514802T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69514802T2 (de
Inventor
Mauro Sali
Caser Fabio Tassan
Stefan Schippers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Publication of DE69514802D1 publication Critical patent/DE69514802D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69514802T2 publication Critical patent/DE69514802T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/24Bit-line control circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/30Accessing single arrays
    • G11C29/34Accessing multiple bits simultaneously
DE69514802T 1995-09-29 1995-09-29 Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung Expired - Fee Related DE69514802T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP95830406A EP0766255B1 (de) 1995-09-29 1995-09-29 Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69514802D1 true DE69514802D1 (de) 2000-03-02
DE69514802T2 DE69514802T2 (de) 2000-05-31

Family

ID=8222021

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69514802T Expired - Fee Related DE69514802T2 (de) 1995-09-29 1995-09-29 Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5781474A (de)
EP (1) EP0766255B1 (de)
JP (1) JPH09115294A (de)
DE (1) DE69514802T2 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69628908D1 (de) * 1996-04-05 2003-08-07 St Microelectronics Srl Spannungsregler zum Programmieren nichtflüchtiger Speicherzellen
US5969986A (en) * 1998-06-23 1999-10-19 Invox Technology High-bandwidth read and write architectures for non-volatile memories
US6606267B2 (en) * 1998-06-23 2003-08-12 Sandisk Corporation High data rate write process for non-volatile flash memories
EP0971361B1 (de) 1998-06-23 2003-12-10 SanDisk Corporation Hochdatenrateschreibverfahren für nicht-flüchtige FLASH-Speicher
KR100376262B1 (ko) * 2000-12-29 2003-03-17 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 전압 레귤레이션 회로
ITRM20020148A1 (it) * 2002-03-18 2003-09-18 Micron Technology Inc Programmazione di memorie flash.
US7414891B2 (en) * 2007-01-04 2008-08-19 Atmel Corporation Erase verify method for NAND-type flash memories
US7882405B2 (en) * 2007-02-16 2011-02-01 Atmel Corporation Embedded architecture with serial interface for testing flash memories
US20080232169A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Atmel Corporation Nand-like memory array employing high-density nor-like memory devices

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4412309A (en) * 1981-09-28 1983-10-25 Motorola, Inc. EEPROM With bulk zero program capability
US5263000A (en) 1992-10-22 1993-11-16 Advanced Micro Devices, Inc. Drain power supply
US5357463A (en) * 1992-11-17 1994-10-18 Micron Semiconductor, Inc. Method for reverse programming of a flash EEPROM
US5537350A (en) * 1993-09-10 1996-07-16 Intel Corporation Method and apparatus for sequential programming of the bits in a word of a flash EEPROM memory array
KR0142510B1 (ko) * 1993-10-29 1998-08-17 가네꼬 히사시 비휘발성 반도체 메모리 장치
EP0661716B1 (de) * 1993-12-31 1999-07-21 STMicroelectronics S.r.l. Spannungsregler für nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnungen

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09115294A (ja) 1997-05-02
EP0766255A1 (de) 1997-04-02
US5781474A (en) 1998-07-14
EP0766255B1 (de) 2000-01-26
DE69514802T2 (de) 2000-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69527120D1 (de) Elektronisches Verfahren und System zum Suchen von Bezugsquellen
DE69404674D1 (de) Speicherkarte und verfahren zum betrieb
DE69416907T2 (de) Verfahren zum Verbinden von Elementen und Verbindungsanordnung
DE19781829T1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Schützen von Flash-Speicher
ATE251627T1 (de) Verfahren und kristallformen von 2- methylthienobenzodiazepinen
DE69633983D1 (de) Inhibitoren von mikrosomalem triglycerid-transfer-protein und verfahren
DE69625690T2 (de) Verfahren zur vorbeugung und behandlung von allergien
DE69723105D1 (de) Speicher und verfahren zum lesen von speicherelementenuntergruppen
DE69621165D1 (de) Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung
DE69222877D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Speicherzugriff
DE69429239D1 (de) Verfahren und Schaltung zum Löschen von Flash-EEPROMs
DE69624155T2 (de) Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung
DE59608912D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Programmieren von Zeitzündern von Geschossen
DE19681321T1 (de) Radiometer und Verfahren zum Anzeigen von Wasser
DE69600963T2 (de) Verfahren und Schaltkreis zum Programmieren und Löschen eines Speichers
DE69602984D1 (de) Verfahren zum Schützen nichtflüchtiger Speicherbereiche
DE69514802D1 (de) Verfahren zum Parallel-Programmieren von Speicherwörtern und entsprechende Schaltung
DE69629540D1 (de) Verfahren und Gerät zum Sortieren von Elementen
DE59601109D1 (de) Verfahren zum behandeln von hausmüll
DE69414744T2 (de) Verfahren und Schaltung zum Konfigurieren von Eingang/Ausgangsanordnungen
DE69717401D1 (de) Schaltung und Verfahren zum Erzeugen von Taktsignalen
DE69428423D1 (de) Regelschaltung und Verfahren zum Löschen von nichtflüchtigen Speicherzellen
DE69620654T2 (de) Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung
DE69629867D1 (de) Verfahren zum Zuführen und Auffangen von Lösungen
DE69423170T2 (de) System und Verfahren zum Schaltungsentwurf

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee