DE69624155T2 - Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung - Google Patents

Ferroelektrischer Speicher und Verfahren für seine Betriebswirkung

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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3186485B2 (ja) * 1995-01-04 2001-07-11 日本電気株式会社 強誘電体メモリ装置およびその動作制御方法
JP3629099B2 (ja) * 1996-06-28 2005-03-16 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP3758054B2 (ja) * 1996-08-23 2006-03-22 ローム株式会社 半導体記憶装置
JPH10163451A (ja) * 1996-12-02 1998-06-19 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US5815431A (en) * 1997-02-19 1998-09-29 Vlsi Technology, Inc. Non-volatile digital circuits using ferroelectric capacitors
NO972803D0 (no) * 1997-06-17 1997-06-17 Opticom As Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte
NO309500B1 (no) 1997-08-15 2001-02-05 Thin Film Electronics Asa Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme
US5880989A (en) * 1997-11-14 1999-03-09 Ramtron International Corporation Sensing methodology for a 1T/1C ferroelectric memory
US5986919A (en) * 1997-11-14 1999-11-16 Ramtron International Corporation Reference cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5969980A (en) * 1997-11-14 1999-10-19 Ramtron International Corporation Sense amplifier configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US20050122765A1 (en) * 1997-11-14 2005-06-09 Allen Judith E. Reference cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5892728A (en) * 1997-11-14 1999-04-06 Ramtron International Corporation Column decoder configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US6002634A (en) * 1997-11-14 1999-12-14 Ramtron International Corporation Sense amplifier latch driver circuit for a 1T/1C ferroelectric memory
US6028783A (en) * 1997-11-14 2000-02-22 Ramtron International Corporation Memory cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5978251A (en) * 1997-11-14 1999-11-02 Ramtron International Corporation Plate line driver circuit for a 1T/1C ferroelectric memory
US5995406A (en) * 1997-11-14 1999-11-30 Ramtron International Corporation Plate line segmentation in a 1T/1C ferroelectric memory
US5956266A (en) * 1997-11-14 1999-09-21 Ramtron International Corporation Reference cell for a 1T/1C ferroelectric memory
JP2002083495A (ja) * 2000-06-30 2002-03-22 Seiko Epson Corp 半導体集積回路の情報記憶方法、半導体集積回路、その半導体集積回路を多数備えた半導体装置、及びその半導体装置を用いた電子機器
KR20020007792A (ko) * 2000-07-19 2002-01-29 박종섭 패키지에 따른 강유전체 메모리 소자 열화 감소 방법
US10403389B2 (en) 2016-06-16 2019-09-03 Micron Technology, Inc. Array plate short repair
US9941021B2 (en) * 2016-06-16 2018-04-10 Micron Technology, Inc. Plate defect mitigation techniques

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4873664A (en) * 1987-02-12 1989-10-10 Ramtron Corporation Self restoring ferroelectric memory
US4888733A (en) * 1988-09-12 1989-12-19 Ramtron Corporation Non-volatile memory cell and sensing method
JPH088339B2 (ja) * 1988-10-19 1996-01-29 株式会社東芝 半導体メモリ
US5270967A (en) * 1991-01-16 1993-12-14 National Semiconductor Corporation Refreshing ferroelectric capacitors
JPH04345992A (ja) * 1991-05-24 1992-12-01 Fujitsu Ltd スタティックram
JPH05160378A (ja) * 1991-12-10 1993-06-25 Nippon Sheet Glass Co Ltd 2次元イメージセンサ
KR970000870B1 (ko) * 1992-12-02 1997-01-20 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 반도체메모리장치
US5430671A (en) * 1993-04-09 1995-07-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device
JP3186485B2 (ja) * 1995-01-04 2001-07-11 日本電気株式会社 強誘電体メモリ装置およびその動作制御方法

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DE69624155D1 (de) 2002-11-14
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US5668753A (en) 1997-09-16
JP3127751B2 (ja) 2001-01-29
EP0721189A2 (de) 1996-07-10
JPH08185697A (ja) 1996-07-16

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