DE69416454D1 - Speichermodul mit einem DRAM-Speicher und Verfahren zur Auffrischung dieses Speichermoduls - Google Patents

Speichermodul mit einem DRAM-Speicher und Verfahren zur Auffrischung dieses Speichermoduls

Info

Publication number
DE69416454D1
DE69416454D1 DE69416454T DE69416454T DE69416454D1 DE 69416454 D1 DE69416454 D1 DE 69416454D1 DE 69416454 T DE69416454 T DE 69416454T DE 69416454 T DE69416454 T DE 69416454T DE 69416454 D1 DE69416454 D1 DE 69416454D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory module
memory
refreshing
dram
module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69416454T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69416454T2 (de
Inventor
Wada Manabu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Melco Holdings Inc
Original Assignee
Melco Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Melco Inc filed Critical Melco Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69416454D1 publication Critical patent/DE69416454D1/de
Publication of DE69416454T2 publication Critical patent/DE69416454T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
DE69416454T 1993-05-27 1994-05-27 Speichermodul mit einem DRAM-Speicher und Verfahren zur Auffrischung dieses Speichermoduls Expired - Fee Related DE69416454T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5151465A JPH06338187A (ja) 1993-05-27 1993-05-27 Ｄｒａｍを用いたメモリ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69416454D1 true DE69416454D1 (de) 1999-03-25
DE69416454T2 DE69416454T2 (de) 1999-07-22

Family

ID=15519130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69416454T Expired - Fee Related DE69416454T2 (de) 1993-05-27 1994-05-27 Speichermodul mit einem DRAM-Speicher und Verfahren zur Auffrischung dieses Speichermoduls

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5475645A (de)
EP (1) EP0626695B1 (de)
JP (1) JPH06338187A (de)
DE (1) DE69416454T2 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5737748A (en) * 1995-03-15 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Microprocessor unit having a first level write-through cache memory and a smaller second-level write-back cache memory
KR0172001B1 (ko) * 1995-12-05 1999-03-30 윤종용 바이오스 메모리의 재프로그램 장치 및 그 방법
US5689677A (en) * 1995-06-05 1997-11-18 Macmillan; David C. Circuit for enhancing performance of a computer for personal use
US5654929A (en) * 1995-09-14 1997-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Refresh strategy for DRAMs
US5619468A (en) * 1995-12-07 1997-04-08 Advanced Micro Devices, Inc. Two-stage memory refresh circuit
US5890198A (en) * 1996-10-22 1999-03-30 Micron Technology, Inc. Intelligent refresh controller for dynamic memory devices
US6118719A (en) * 1998-05-20 2000-09-12 International Business Machines Corporation Self-initiated self-refresh mode for memory modules
KR100295060B1 (ko) * 1999-06-30 2001-07-12 윤종용 메모리 영역을 열방향으로 분할하여 리프레쉬 동작이 필요치 않는 그래픽 메모리 장치
US6345002B1 (en) * 2000-09-22 2002-02-05 Oki Electric Industry Co., Ltd. RAS monitor circuit and field memory using the same
US6449203B1 (en) * 2001-03-08 2002-09-10 Micron Technology, Inc. Refresh controller and address remapping circuit and method for dual mode full/reduced density DRAMs
US20020178207A1 (en) * 2001-03-22 2002-11-28 Mcneil Donald H. Ultra-modular processor in lattice topology
JP4768163B2 (ja) * 2001-08-03 2011-09-07 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ
US6751159B2 (en) 2001-10-26 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Memory device operable in either a high-power, full-page size mode or a low-power, reduced-page size mode
US7159059B2 (en) * 2002-03-01 2007-01-02 Mcneil Donald H Ultra-modular processor in lattice topology
US6838331B2 (en) * 2002-04-09 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Method and system for dynamically operating memory in a power-saving error correction mode
US6751143B2 (en) * 2002-04-11 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Method and system for low power refresh of dynamic random access memories
US7143298B2 (en) * 2002-04-18 2006-11-28 Ge Fanuc Automation North America, Inc. Methods and apparatus for backing up a memory device
DE10306062B3 (de) * 2003-02-13 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Speichermodul mit einer Mehrzahl von integrierten Speicherbauelementen und einer Refresh-Steuerschaltung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS542030A (en) * 1977-06-07 1979-01-09 Toshiba Corp Protection unit for volatile ic memory
JPS59148195A (ja) * 1983-02-14 1984-08-24 Hitachi Ltd 記憶装置のリフレツシユ方式
JPS63140490A (ja) * 1986-12-03 1988-06-13 Sharp Corp ダイナミツクｒａｍ
JPS63239681A (ja) * 1987-03-26 1988-10-05 Nec Corp 記憶装置
US4887240A (en) * 1987-12-15 1989-12-12 National Semiconductor Corporation Staggered refresh for dram array
US4977537A (en) * 1988-09-23 1990-12-11 Dallas Semiconductor Corporation Dram nonvolatizer
JP2898016B2 (ja) * 1989-06-23 1999-05-31 新日本製鐵株式会社 メモリ装置
JPH0391194A (ja) * 1989-09-04 1991-04-16 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US5247655A (en) * 1989-11-07 1993-09-21 Chips And Technologies, Inc. Sleep mode refresh apparatus
JPH0478093A (ja) * 1990-07-13 1992-03-12 Fuji Xerox Co Ltd メモリ制御装置
US5229970A (en) * 1991-04-15 1993-07-20 Micron Technology, Inc. Circuit for synchronizing refresh cycles in self-refreshing drams having timing circuit shutdown
JPH04318390A (ja) * 1991-04-18 1992-11-09 Nec Corp 半導体メモリ
US5262998A (en) * 1991-08-14 1993-11-16 Micron Technology, Inc. Dynamic random access memory with operational sleep mode
US5365487A (en) * 1992-03-24 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated DRAM power management with self-refresh

Also Published As

Publication number Publication date
EP0626695B1 (de) 1999-02-10
US5475645A (en) 1995-12-12
EP0626695A2 (de) 1994-11-30
DE69416454T2 (de) 1999-07-22
JPH06338187A (ja) 1994-12-06
EP0626695A3 (de) 1995-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69416454D1 (de) Speichermodul mit einem DRAM-Speicher und Verfahren zur Auffrischung dieses Speichermoduls
DE69417281D1 (de) Verfahren und Schaltung zur Verbesserung von Steuerzeit- und Störabstand in einem DRAM Speicher
DE69707752T2 (de) Verfahren und System zur Klassenspeicherung in einem Festspeicher
DE69429901T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung von unterirdischen Speichern
DE69417963T2 (de) Gerät und Verfahren zur Verwaltung von Bilderspeichern
DE69313785T2 (de) Nicht-flüchtiger ferroelektrischer Speicher mit gefalteten Bitleitungen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69424053D1 (de) Verankerungsvorrichtung zur verwendung in einem bohrlochverrourung
DE69126382D1 (de) Dynamischer Typ-Halbleiterspeicher mit einer Auffrischungsfunktion und Verfahren zu seiner Auffrischung
DE69621042D1 (de) Verfahren und vorrichtung mit bedingtem zugang
EP0635842A3 (de) Verfahren zur Verwendung von inhaltadressierbaren Speichern und ein inhaltadressierbarer Speicher.
DE69427209T2 (de) Anordnung und Verfahren zum Lesen von Mehrpegeldatensignalen in einem Halbleiterspeicher
DE69410071T2 (de) Gewindeelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4495101T1 (de) Speicherelemente, nichtflüchtige Speicher, nichtflüchtige Speichervorrichtungen und darauf basierende Verfahren zur Informationsspeicherung
DE69422254D1 (de) Dynamische Speicheranordnung mit mehreren internen Speisespannungen
DE69615637T2 (de) Verfahren zur objektorientierten Programmierung mit dynamischer Schnittstelle
DE69321812D1 (de) Verfahren und Gerät zur Kodierung mit adaptivem Dynamikbereich
KR0121803B1 (en) Semiconductor memory and redundant-address writing method
DE69218048D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speicherzelle und dadurch hergestellte Speicherzelle
DE69421370T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Datenspeicherung
GB2285156B (en) Memory addressing method and memory device
DE69325992T2 (de) Adaptives Verfahren zur Zuweisung von Speicher mit wahlfreiem Zugriff an Prozeduren mit unterschiedlichen Prioritäten
DE69421753T2 (de) Halbleiter Speicheranordnung mit einem Prüfmodus zur Ausführung einer automatischen Auffrischungsfunktion
DE69427454D1 (de) Verfahren zur verwaltung von speichern eines rechnersystems sowie rechnersystem und speicher zur durchführung des verfahrens
EP0586069A3 (en) Memory module and packing method
DE69841302D1 (de) Halbleiteranordnung mit einem speicherkondensator und verfahren zur herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MELCO HOLDINGS INC., NAGOYA, AICHI, JP

8339 Ceased/non-payment of the annual fee