JPS63140490A - ダイナミツクram - Google Patents
ダイナミツクramInfo
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- JPS63140490A JPS63140490A JP61288255A JP28825586A JPS63140490A JP S63140490 A JPS63140490 A JP S63140490A JP 61288255 A JP61288255 A JP 61288255A JP 28825586 A JP28825586 A JP 28825586A JP S63140490 A JPS63140490 A JP S63140490A
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- Japan
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- dynamic ram
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 102100030310 5,6-dihydroxyindole-2-carboxylic acid oxidase Human genes 0.000 description 1
- 101000773083 Homo sapiens 5,6-dihydroxyindole-2-carboxylic acid oxidase Proteins 0.000 description 1
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- 101000761220 Streptomyces clavuligerus Clavaminate synthase 2 Proteins 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はダイナミックRAMに関するものである0
〈従来の技術、発明が解決しようとする問題点〉一般に
ダイナミックRAMはリフレッシュが必要である。すな
わち、ダイナミックRAMでは記憶情報を電荷の形でメ
モリセルに保持しているので、そのままでは蓄えられた
電荷はリーク電流等により減少する。そのため、電荷を
増幅し、再びメモリセルに書き込む作業を一定期間内に
全メモリセルに対して周期的に行う必要がある。この作
業をリフレッシュと言い、RASオンリー・リフの2方
式が一般的である。
ダイナミックRAMはリフレッシュが必要である。すな
わち、ダイナミックRAMでは記憶情報を電荷の形でメ
モリセルに保持しているので、そのままでは蓄えられた
電荷はリーク電流等により減少する。そのため、電荷を
増幅し、再びメモリセルに書き込む作業を一定期間内に
全メモリセルに対して周期的に行う必要がある。この作
業をリフレッシュと言い、RASオンリー・リフの2方
式が一般的である。
RASオンリー・リフレッシュ方式では、リフレッシュ
するべき行アドレスを指定し、RAS人カタカクロック
常通り入力し、CAS入カクロンクツクH#に保持する
。この時のタイミングチャートを第2図に示す。また、
RASオンリー・リフレッシュ時のシステム構成を第3
図に示す。この方式ではリフレッシュアドレスを指定す
るためにダイナミックRAM7の外部にリフレッシュ用
アドレスカウンタ4が必要であり、システムの内でダイ
ナミックRAM7の制御に必要な部分は第3図のように
複雑になる。すなわち、リード・ライト/リフレッシュ
判定回路3、クロック発生回路2、アドレス中マルチプ
レクサ5、アドレス・マルチプレクサ■6およびリフレ
ッシュ用アドレスカウンタ4より構成される0リード・
ライト/リフレッシュ判定回路3はCPUIからのアド
レス等の信号により、CPUIがダイナミックRAM7
をアクセスしているか否かを判定する。同判定回路3は
アドレス・マルチプレクサI5を制御して、CPUIが
ダイナミックRAM7をアクセスしている場合にはCP
UIからのアドレスを選択し、それ以外の場合にはリフ
レッシュ用アドレスカウンタ4のアドレスを選択する0
また、リフレッシュ用アドレスカウンタ4のインクリメ
ント等の制御も行う。クロック発生回路2はダイナミッ
クを発生する。アドレス・マルチプレクサロ6は行アド
レスと列アドレスを時分割して入力するために用いる。
するべき行アドレスを指定し、RAS人カタカクロック
常通り入力し、CAS入カクロンクツクH#に保持する
。この時のタイミングチャートを第2図に示す。また、
RASオンリー・リフレッシュ時のシステム構成を第3
図に示す。この方式ではリフレッシュアドレスを指定す
るためにダイナミックRAM7の外部にリフレッシュ用
アドレスカウンタ4が必要であり、システムの内でダイ
ナミックRAM7の制御に必要な部分は第3図のように
複雑になる。すなわち、リード・ライト/リフレッシュ
判定回路3、クロック発生回路2、アドレス中マルチプ
レクサ5、アドレス・マルチプレクサ■6およびリフレ
ッシュ用アドレスカウンタ4より構成される0リード・
ライト/リフレッシュ判定回路3はCPUIからのアド
レス等の信号により、CPUIがダイナミックRAM7
をアクセスしているか否かを判定する。同判定回路3は
アドレス・マルチプレクサI5を制御して、CPUIが
ダイナミックRAM7をアクセスしている場合にはCP
UIからのアドレスを選択し、それ以外の場合にはリフ
レッシュ用アドレスカウンタ4のアドレスを選択する0
また、リフレッシュ用アドレスカウンタ4のインクリメ
ント等の制御も行う。クロック発生回路2はダイナミッ
クを発生する。アドレス・マルチプレクサロ6は行アド
レスと列アドレスを時分割して入力するために用いる。
では、リフレッシュするべき行アドレスの外部指定が不
要であるが、リフレッシュ時に第4図のタイミングの入
力が必要である0この方式でH+Jフレッシュ用アドア
ドレスカウンタイナミックRAMに内蔵しているため外
部にアドレスカウンタが不要である。CASビフォアR
ASリフレンシュ時のシステム構成を第5図に示す。第
3図に比べてリフレッシュ用アドレスカウンタ17とア
ドレス・マルチプレクサ118がダイナミックRAM1
5に内蔵されており、外部のシステムが簡単になってい
る。ただし、CPUIIがダイナミックRAM15をア
クセスしていない場合には第4図のCASビフォアRA
Sの夕・fミンクをダイナミックRA M2Sの外部で
作る必要があり、その分だけクロック発生回路12の構
成が複雑になる。また、リード・ライト/リフレッシュ
判定回路13がダイナミックRAM15の外部に必要で
ある。さらに、ダイナミンクRAMI 5の内部にも、
第4図のタイミングが入力されたときにリフレッシュで
あることを判定するために、リード・ライト/リフレッ
シュ判定回路16が必要である。なお、アドレス・マル
チプレクサII 141”t、第3図と同様、行アドレ
スと列アドレスを時分割して入力するために用いられて
いるものである。
要であるが、リフレッシュ時に第4図のタイミングの入
力が必要である0この方式でH+Jフレッシュ用アドア
ドレスカウンタイナミックRAMに内蔵しているため外
部にアドレスカウンタが不要である。CASビフォアR
ASリフレンシュ時のシステム構成を第5図に示す。第
3図に比べてリフレッシュ用アドレスカウンタ17とア
ドレス・マルチプレクサ118がダイナミックRAM1
5に内蔵されており、外部のシステムが簡単になってい
る。ただし、CPUIIがダイナミックRAM15をア
クセスしていない場合には第4図のCASビフォアRA
Sの夕・fミンクをダイナミックRA M2Sの外部で
作る必要があり、その分だけクロック発生回路12の構
成が複雑になる。また、リード・ライト/リフレッシュ
判定回路13がダイナミックRAM15の外部に必要で
ある。さらに、ダイナミンクRAMI 5の内部にも、
第4図のタイミングが入力されたときにリフレッシュで
あることを判定するために、リード・ライト/リフレッ
シュ判定回路16が必要である。なお、アドレス・マル
チプレクサII 141”t、第3図と同様、行アドレ
スと列アドレスを時分割して入力するために用いられて
いるものである。
本発明の目的は、ダイナミックRAMを制御するために
必要な部分をダイナミックRAMに内蔵し、全体として
システムを簡単にすることである。
必要な部分をダイナミックRAMに内蔵し、全体として
システムを簡単にすることである。
く問題点を解決するための手段〉
外部システムから供給されるアドレス信号により、外部
システムによるアクセス時か否かを判定する論理回路(
リード・ライト/リフレッシュ判定回路)、リフレッシ
ュ用アドレスカウンタ及び上記リード・ライト/リフレ
ッシュ判定回路の出力により、外部システムによるアク
セス時には外部のアドレスを選択出力し、それ以外の時
には上記リフレッシュ用アドレスカウンタのアドレスを
選択出力するアドレス・マルチプレクサをダイナミック
RAMに内蔵させる。
システムによるアクセス時か否かを判定する論理回路(
リード・ライト/リフレッシュ判定回路)、リフレッシ
ュ用アドレスカウンタ及び上記リード・ライト/リフレ
ッシュ判定回路の出力により、外部システムによるアク
セス時には外部のアドレスを選択出力し、それ以外の時
には上記リフレッシュ用アドレスカウンタのアドレスを
選択出力するアドレス・マルチプレクサをダイナミック
RAMに内蔵させる。
く作 用〉
上記リード・ライト/リフレッシュ判定回路は、外部か
ら供給されるアドレス入力により、システムがダイナミ
ックRAMをアクセスしているか否かを判定するため、
CASビフォアRAS等の複雑なタイミング制御が不必
要であり、クロック発生回路の構成が複雑化することが
ない。また、外部にリード、ライト/リフレッシュ判定
回路が不要である。
ら供給されるアドレス入力により、システムがダイナミ
ックRAMをアクセスしているか否かを判定するため、
CASビフォアRAS等の複雑なタイミング制御が不必
要であり、クロック発生回路の構成が複雑化することが
ない。また、外部にリード、ライト/リフレッシュ判定
回路が不要である。
〈実施例〉
本発明のダイナミックRA Mを用いた場合のシステム
構成を第1図に示す。
構成を第1図に示す。
図に於いて、21はCPU、22はクロック発生回路、
23は行アドレスと列アドレスを時分割して入力するた
めのアドレス・マルチプレクサI、24はダイナミック
RAM、25は外部よりのアドレス入力により、CPU
21がダイナミックRAM24をアクセスしているか否
かを判定するリード・ライト/リフレッシュ判定回路、
26はリフレッシュ用アドレスカウンタ、27はリード
・ライト/リフレッシュ判定回路25よりの判定出力に
よって制御され、アクセス時は外部より入力される行ア
ドレス及び列アドレスを、それぞれ行アドレスバッファ
28及び列アドレスバッファ29に入力し、リフレッシ
ュ時はリフレ・ノシュ用アドレスカウンタ26のアドレ
スを行アドレスバッファ28に入力するためのアドレス
・マルチプレクサ■、30は行アドレスデコーダ、31
は列アドレスデコーダ、32はメモリセル・アレイであ
る。
23は行アドレスと列アドレスを時分割して入力するた
めのアドレス・マルチプレクサI、24はダイナミック
RAM、25は外部よりのアドレス入力により、CPU
21がダイナミックRAM24をアクセスしているか否
かを判定するリード・ライト/リフレッシュ判定回路、
26はリフレッシュ用アドレスカウンタ、27はリード
・ライト/リフレッシュ判定回路25よりの判定出力に
よって制御され、アクセス時は外部より入力される行ア
ドレス及び列アドレスを、それぞれ行アドレスバッファ
28及び列アドレスバッファ29に入力し、リフレッシ
ュ時はリフレ・ノシュ用アドレスカウンタ26のアドレ
スを行アドレスバッファ28に入力するためのアドレス
・マルチプレクサ■、30は行アドレスデコーダ、31
は列アドレスデコーダ、32はメモリセル・アレイであ
る。
メモリセル・アレイの構成図を第6図に示す。
図に於いて、321はメモリセル、322はダミーセル
、32:ljセンスアン7’、324はデータ入出カラ
インである。325はダミーセルのディスチャージ用ト
ランジスタであり、このトランジスタによりプリチャー
ジ期間に■点をGNDレベルにする。
、32:ljセンスアン7’、324はデータ入出カラ
インである。325はダミーセルのディスチャージ用ト
ランジスタであり、このトランジスタによりプリチャー
ジ期間に■点をGNDレベルにする。
CPU 21が2進16桁のアドレス空間を有する場合
を想定する。すなわち、アドレスnAo〜Assである
。Ao を最下位アドレス、A15を最上位アドレスと
する。簡単のために、アドレスを16進で表わすと、ア
ドレス空間は0000〜FFFFとなる。ここで、CP
U21がダイナミックRA Mg2に印1り当てている
アドレスを6000〜DFFFとする。すなわち、CP
、U21はアドレス6000〜DFFFでダイナミック
RAM24に読み書きを行い°、それ以外のアドレス0
000〜5FFF。
を想定する。すなわち、アドレスnAo〜Assである
。Ao を最下位アドレス、A15を最上位アドレスと
する。簡単のために、アドレスを16進で表わすと、ア
ドレス空間は0000〜FFFFとなる。ここで、CP
U21がダイナミックRA Mg2に印1り当てている
アドレスを6000〜DFFFとする。すなわち、CP
、U21はアドレス6000〜DFFFでダイナミック
RAM24に読み書きを行い°、それ以外のアドレス0
000〜5FFF。
EOOO〜FFFFでプログラムROM等のアクセス及
びダイナミックRAM24のリフレッシュを行う場合を
仮定する0この場合、リード・ライトかりフレッシュか
は上位アドレス3桁A 131A141AI5のみによ
って下記第1表のように決定される。
びダイナミックRAM24のリフレッシュを行う場合を
仮定する0この場合、リード・ライトかりフレッシュか
は上位アドレス3桁A 131A141AI5のみによ
って下記第1表のように決定される。
第1表
したがって、上位アドレス3桁A131 A141 A
LSを入力として、第7図のリード・ライト/リフレッ
シュ判定回路をダイナミックRAMに内蔵すれば、外部
にリード・ライト/リフレッシュ判定回路が不要になる
。第7図に於いて、アドレス6000〜DFFFではR
FSH出力がlH#になる(RFSH出力はL”になる
)。上記以外のアドレスではRFSH出力が“H”にな
る(RFSH出力ばL“になる)0 リフレッシュ用アドレスカウンタの一例ヲ第8図ンζ、
アドレス・マルチプレクサIの例を第9図に示す。リフ
レッシュ用アドレスカウンタHDフリップフロップ、R
Sフリップフロップ及びJKフリップフロップ等を用い
て構成したものであり、ARo。〜AR0nがカウンタ
出力となる。また、このときのタイミングチャートを第
10図に示す。
LSを入力として、第7図のリード・ライト/リフレッ
シュ判定回路をダイナミックRAMに内蔵すれば、外部
にリード・ライト/リフレッシュ判定回路が不要になる
。第7図に於いて、アドレス6000〜DFFFではR
FSH出力がlH#になる(RFSH出力はL”になる
)。上記以外のアドレスではRFSH出力が“H”にな
る(RFSH出力ばL“になる)0 リフレッシュ用アドレスカウンタの一例ヲ第8図ンζ、
アドレス・マルチプレクサIの例を第9図に示す。リフ
レッシュ用アドレスカウンタHDフリップフロップ、R
Sフリップフロップ及びJKフリップフロップ等を用い
て構成したものであり、ARo。〜AR0nがカウンタ
出力となる。また、このときのタイミングチャートを第
10図に示す。
リード・ライト/リフレッシュ判定回路の出力RFSH
,RFSHにより、アドレス・マルチプレクサ■を制御
して、外部アドレスAi(i=o〜n)、!:I’[l
JフレッシュアドレスAR0i(i=0〜n)とを選択
している。
,RFSHにより、アドレス・マルチプレクサ■を制御
して、外部アドレスAi(i=o〜n)、!:I’[l
JフレッシュアドレスAR0i(i=0〜n)とを選択
している。
なお、アドレス・マルチプレクサnの構成例及びタイミ
ングチャートを第11図に示す。図に於いて、AE、j
(j=0〜2n+1)はCPUからのアドレスである。
ングチャートを第11図に示す。図に於いて、AE、j
(j=0〜2n+1)はCPUからのアドレスである。
また、SR及びSCは、それぞれクロック発生回路より
の行アドレス選択信号及び列アドレス選択信号である。
の行アドレス選択信号及び列アドレス選択信号である。
行アドレス選択信号SR及び列アドレス選択信号SCに
よって行アドレスと列アドレスを時分割して出力してい
る。
よって行アドレスと列アドレスを時分割して出力してい
る。
上記説明に於いては、CPU21からリード・ライト/
リフレッシュ判定回路25に直接入っているアドレス入
力について特に触へなかったが、これは以下のような場
合に必要となる。
リフレッシュ判定回路25に直接入っているアドレス入
力について特に触へなかったが、これは以下のような場
合に必要となる。
8ビツトのCPUで16KX1ピツト構成のD RA
M (ダイナミックRA M )を16個使用した場合
を想定する。CPUが2進16惜のアドレス空間を有す
る場合、アドレス1dAo −Atsである。Aoを最
下位アドレス、Al1を最上位アドレスとする。16K
X 1ビツト構成のDRAMiま、マルチプレクサされ
たアドレスAD、o〜A9.6を入力とする。
M (ダイナミックRA M )を16個使用した場合
を想定する。CPUが2進16惜のアドレス空間を有す
る場合、アドレス1dAo −Atsである。Aoを最
下位アドレス、Al1を最上位アドレスとする。16K
X 1ビツト構成のDRAMiま、マルチプレクサされ
たアドレスAD、o〜A9.6を入力とする。
システム構成を¥!J12図に示す。
図に於いて、41はCPU、42はクロック発生回路、
43はアドレス拳マルチプレクサ、441〜4416は
DRAMである。
43はアドレス拳マルチプレクサ、441〜4416は
DRAMである。
16個のDRAMを第1グループAの8個と第2グルー
プBの8個に分割する。アドレスを16進で表わすと、
CPUのアドレス空間は0000〜FFFFとなる。ア
ドレスの割り当てを以下のように設定する。
プBの8個に分割する。アドレスを16進で表わすと、
CPUのアドレス空間は0000〜FFFFとなる。ア
ドレスの割り当てを以下のように設定する。
第1グループA・・・0000〜3FFF第2グループ
B・・・4000〜7FFFROM、周辺等(DRAM
以外)・・・8000〜FF F この場合、第1グループAと第2グループBの選択iA
+4.Axsによって行う必要がある。ところが、DR
AMの側にはA141 Atsの入力がないため、一般
には外付は回路によりRAS、CAS等のクロックをチ
ップ選択信号として用いることにより第1グループAと
第2グループBの選択を実現している。
B・・・4000〜7FFFROM、周辺等(DRAM
以外)・・・8000〜FF F この場合、第1グループAと第2グループBの選択iA
+4.Axsによって行う必要がある。ところが、DR
AMの側にはA141 Atsの入力がないため、一般
には外付は回路によりRAS、CAS等のクロックをチ
ップ選択信号として用いることにより第1グループAと
第2グループBの選択を実現している。
いた場合を第13図に示す。
このシステムに本発明の方式を適用した場合には、I)
’RAMにはマルチプレクサされたアドレス人力A
−A の他に、CPUがらの1接り、Q
D拳6 アドレス入力A141AI5が必要である。すなわち、
アドレスがoooo〜3FFFのとき、%2グループB
のD RA MはAl4−Al5人力により自身が選択
されていないことを判定してリフレッシュを行う。
’RAMにはマルチプレクサされたアドレス人力A
−A の他に、CPUがらの1接り、Q
D拳6 アドレス入力A141AI5が必要である。すなわち、
アドレスがoooo〜3FFFのとき、%2グループB
のD RA MはAl4−Al5人力により自身が選択
されていないことを判定してリフレッシュを行う。
第14図に本発明のDRAMを用いた場合のシステム構
成を示す。図に於いて、51はCPU、52はクロック
発生回路、53はアドレス・マルチプレクサ、541〜
5416ばDRAMである。
成を示す。図に於いて、51はCPU、52はクロック
発生回路、53はアドレス・マルチプレクサ、541〜
5416ばDRAMである。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、システム
構成の簡単化をはかることができる極めて有用なダイナ
ミックRA Mを提供することができるものである。
構成の簡単化をはかることができる極めて有用なダイナ
ミックRA Mを提供することができるものである。
第1図は本発明のダイナミックRAMを用いた場合のシ
ステム構成図、第2図はRASオンリ−リフレッシュの
タイミングチャート、第3図はRASオンリー・リフレ
ッシュ時のシステム構成のタイミングチャート、第5図
はCASビフォアRASIJフレッシュ時のシステム構
成図、第6図はダイナミックRAMに於けるメモリセル
・アレイ部分の構成図、第7図は本発明の実施例に於け
るリード・ライト/リフレッシュ判定回路の構成図、第
8図はリフレッシュ用アドレスカウンタの一例の構成図
、第9図はアドレス・マルチプレクサ■の一例の構成図
、第10図は本発明の実施例のタイミングチャート、第
11図(a)はアドレス・マルチプレクサ口の一例の構
成図、同図(b) hそのタイミングチャート、%12
図(は8ビツトのCPUで16KX1ピツト構成のDR
AMを16個使用した場合のシステム構成図、第13図
1dcAs1及びCAS2をチップ選択信号として用い
た場合のタイミングチャート、第14図は本発明のD
RA Mを用いた場合のシステム構成図である。 符号の説明 24:ダイナミックRAM、25:リード・ライト/リ
フレッシュ判定回路、26:リフレッシュ用アドレスカ
ウンタ、27:アドレス・マルチプレクサI0 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)灰 第2 a 纂4 図
ステム構成図、第2図はRASオンリ−リフレッシュの
タイミングチャート、第3図はRASオンリー・リフレ
ッシュ時のシステム構成のタイミングチャート、第5図
はCASビフォアRASIJフレッシュ時のシステム構
成図、第6図はダイナミックRAMに於けるメモリセル
・アレイ部分の構成図、第7図は本発明の実施例に於け
るリード・ライト/リフレッシュ判定回路の構成図、第
8図はリフレッシュ用アドレスカウンタの一例の構成図
、第9図はアドレス・マルチプレクサ■の一例の構成図
、第10図は本発明の実施例のタイミングチャート、第
11図(a)はアドレス・マルチプレクサ口の一例の構
成図、同図(b) hそのタイミングチャート、%12
図(は8ビツトのCPUで16KX1ピツト構成のDR
AMを16個使用した場合のシステム構成図、第13図
1dcAs1及びCAS2をチップ選択信号として用い
た場合のタイミングチャート、第14図は本発明のD
RA Mを用いた場合のシステム構成図である。 符号の説明 24:ダイナミックRAM、25:リード・ライト/リ
フレッシュ判定回路、26:リフレッシュ用アドレスカ
ウンタ、27:アドレス・マルチプレクサI0 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)灰 第2 a 纂4 図
Claims (1)
- 1、外部システムから供給されるアドレス信号により、
外部システムによるアクセス時か否かを判定する論理回
路を内蔵し、該論理回路の出力により、外部システムに
よるアクセス時には外部のアドレスを選択し、それ以外
の時には内蔵のリフレッシュ用アドレスカウンタのアド
レスを選択する構成としたことを特徴とするダイナミッ
クRAM。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61288255A JPS63140490A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ダイナミツクram |
US07/759,640 US5129073A (en) | 1986-12-03 | 1991-09-12 | Dynamic RAM with read-write/refresh mode judging capability |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61288255A JPS63140490A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ダイナミツクram |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63140490A true JPS63140490A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17727829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61288255A Pending JPS63140490A (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | ダイナミツクram |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5129073A (ja) |
JP (1) | JPS63140490A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06338187A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Melco:Kk | Dramを用いたメモリ装置 |
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