JPS63140490A - ダイナミツクram - Google Patents

ダイナミツクram

Info

Publication number
JPS63140490A
JPS63140490A JP61288255A JP28825586A JPS63140490A JP S63140490 A JPS63140490 A JP S63140490A JP 61288255 A JP61288255 A JP 61288255A JP 28825586 A JP28825586 A JP 28825586A JP S63140490 A JPS63140490 A JP S63140490A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
refresh
dynamic ram
write
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61288255A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukichi Murakami
村上 祐吉
Keiichi Miyata
宮田 慶一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP61288255A priority Critical patent/JPS63140490A/ja
Publication of JPS63140490A publication Critical patent/JPS63140490A/ja
Priority to US07/759,640 priority patent/US5129073A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はダイナミックRAMに関するものである0 〈従来の技術、発明が解決しようとする問題点〉一般に
ダイナミックRAMはリフレッシュが必要である。すな
わち、ダイナミックRAMでは記憶情報を電荷の形でメ
モリセルに保持しているので、そのままでは蓄えられた
電荷はリーク電流等により減少する。そのため、電荷を
増幅し、再びメモリセルに書き込む作業を一定期間内に
全メモリセルに対して周期的に行う必要がある。この作
業をリフレッシュと言い、RASオンリー・リフの2方
式が一般的である。
RASオンリー・リフレッシュ方式では、リフレッシュ
するべき行アドレスを指定し、RAS人カタカクロック
常通り入力し、CAS入カクロンクツクH#に保持する
。この時のタイミングチャートを第2図に示す。また、
RASオンリー・リフレッシュ時のシステム構成を第3
図に示す。この方式ではリフレッシュアドレスを指定す
るためにダイナミックRAM7の外部にリフレッシュ用
アドレスカウンタ4が必要であり、システムの内でダイ
ナミックRAM7の制御に必要な部分は第3図のように
複雑になる。すなわち、リード・ライト/リフレッシュ
判定回路3、クロック発生回路2、アドレス中マルチプ
レクサ5、アドレス・マルチプレクサ■6およびリフレ
ッシュ用アドレスカウンタ4より構成される0リード・
ライト/リフレッシュ判定回路3はCPUIからのアド
レス等の信号により、CPUIがダイナミックRAM7
をアクセスしているか否かを判定する。同判定回路3は
アドレス・マルチプレクサI5を制御して、CPUIが
ダイナミックRAM7をアクセスしている場合にはCP
UIからのアドレスを選択し、それ以外の場合にはリフ
レッシュ用アドレスカウンタ4のアドレスを選択する0
また、リフレッシュ用アドレスカウンタ4のインクリメ
ント等の制御も行う。クロック発生回路2はダイナミッ
クを発生する。アドレス・マルチプレクサロ6は行アド
レスと列アドレスを時分割して入力するために用いる。
では、リフレッシュするべき行アドレスの外部指定が不
要であるが、リフレッシュ時に第4図のタイミングの入
力が必要である0この方式でH+Jフレッシュ用アドア
ドレスカウンタイナミックRAMに内蔵しているため外
部にアドレスカウンタが不要である。CASビフォアR
ASリフレンシュ時のシステム構成を第5図に示す。第
3図に比べてリフレッシュ用アドレスカウンタ17とア
ドレス・マルチプレクサ118がダイナミックRAM1
5に内蔵されており、外部のシステムが簡単になってい
る。ただし、CPUIIがダイナミックRAM15をア
クセスしていない場合には第4図のCASビフォアRA
Sの夕・fミンクをダイナミックRA M2Sの外部で
作る必要があり、その分だけクロック発生回路12の構
成が複雑になる。また、リード・ライト/リフレッシュ
判定回路13がダイナミックRAM15の外部に必要で
ある。さらに、ダイナミンクRAMI 5の内部にも、
第4図のタイミングが入力されたときにリフレッシュで
あることを判定するために、リード・ライト/リフレッ
シュ判定回路16が必要である。なお、アドレス・マル
チプレクサII 141”t、第3図と同様、行アドレ
スと列アドレスを時分割して入力するために用いられて
いるものである。
本発明の目的は、ダイナミックRAMを制御するために
必要な部分をダイナミックRAMに内蔵し、全体として
システムを簡単にすることである。
く問題点を解決するための手段〉 外部システムから供給されるアドレス信号により、外部
システムによるアクセス時か否かを判定する論理回路(
リード・ライト/リフレッシュ判定回路)、リフレッシ
ュ用アドレスカウンタ及び上記リード・ライト/リフレ
ッシュ判定回路の出力により、外部システムによるアク
セス時には外部のアドレスを選択出力し、それ以外の時
には上記リフレッシュ用アドレスカウンタのアドレスを
選択出力するアドレス・マルチプレクサをダイナミック
RAMに内蔵させる。
く作 用〉 上記リード・ライト/リフレッシュ判定回路は、外部か
ら供給されるアドレス入力により、システムがダイナミ
ックRAMをアクセスしているか否かを判定するため、
CASビフォアRAS等の複雑なタイミング制御が不必
要であり、クロック発生回路の構成が複雑化することが
ない。また、外部にリード、ライト/リフレッシュ判定
回路が不要である。
〈実施例〉 本発明のダイナミックRA Mを用いた場合のシステム
構成を第1図に示す。
図に於いて、21はCPU、22はクロック発生回路、
23は行アドレスと列アドレスを時分割して入力するた
めのアドレス・マルチプレクサI、24はダイナミック
RAM、25は外部よりのアドレス入力により、CPU
21がダイナミックRAM24をアクセスしているか否
かを判定するリード・ライト/リフレッシュ判定回路、
26はリフレッシュ用アドレスカウンタ、27はリード
・ライト/リフレッシュ判定回路25よりの判定出力に
よって制御され、アクセス時は外部より入力される行ア
ドレス及び列アドレスを、それぞれ行アドレスバッファ
28及び列アドレスバッファ29に入力し、リフレッシ
ュ時はリフレ・ノシュ用アドレスカウンタ26のアドレ
スを行アドレスバッファ28に入力するためのアドレス
・マルチプレクサ■、30は行アドレスデコーダ、31
は列アドレスデコーダ、32はメモリセル・アレイであ
る。
メモリセル・アレイの構成図を第6図に示す。
図に於いて、321はメモリセル、322はダミーセル
、32:ljセンスアン7’、324はデータ入出カラ
インである。325はダミーセルのディスチャージ用ト
ランジスタであり、このトランジスタによりプリチャー
ジ期間に■点をGNDレベルにする。
CPU 21が2進16桁のアドレス空間を有する場合
を想定する。すなわち、アドレスnAo〜Assである
。Ao を最下位アドレス、A15を最上位アドレスと
する。簡単のために、アドレスを16進で表わすと、ア
ドレス空間は0000〜FFFFとなる。ここで、CP
U21がダイナミックRA Mg2に印1り当てている
アドレスを6000〜DFFFとする。すなわち、CP
、U21はアドレス6000〜DFFFでダイナミック
RAM24に読み書きを行い°、それ以外のアドレス0
000〜5FFF。
EOOO〜FFFFでプログラムROM等のアクセス及
びダイナミックRAM24のリフレッシュを行う場合を
仮定する0この場合、リード・ライトかりフレッシュか
は上位アドレス3桁A 131A141AI5のみによ
って下記第1表のように決定される。
第1表 したがって、上位アドレス3桁A131 A141 A
LSを入力として、第7図のリード・ライト/リフレッ
シュ判定回路をダイナミックRAMに内蔵すれば、外部
にリード・ライト/リフレッシュ判定回路が不要になる
。第7図に於いて、アドレス6000〜DFFFではR
FSH出力がlH#になる(RFSH出力はL”になる
)。上記以外のアドレスではRFSH出力が“H”にな
る(RFSH出力ばL“になる)0 リフレッシュ用アドレスカウンタの一例ヲ第8図ンζ、
アドレス・マルチプレクサIの例を第9図に示す。リフ
レッシュ用アドレスカウンタHDフリップフロップ、R
Sフリップフロップ及びJKフリップフロップ等を用い
て構成したものであり、ARo。〜AR0nがカウンタ
出力となる。また、このときのタイミングチャートを第
10図に示す。
リード・ライト/リフレッシュ判定回路の出力RFSH
,RFSHにより、アドレス・マルチプレクサ■を制御
して、外部アドレスAi(i=o〜n)、!:I’[l
JフレッシュアドレスAR0i(i=0〜n)とを選択
している。
なお、アドレス・マルチプレクサnの構成例及びタイミ
ングチャートを第11図に示す。図に於いて、AE、j
(j=0〜2n+1)はCPUからのアドレスである。
また、SR及びSCは、それぞれクロック発生回路より
の行アドレス選択信号及び列アドレス選択信号である。
行アドレス選択信号SR及び列アドレス選択信号SCに
よって行アドレスと列アドレスを時分割して出力してい
る。
上記説明に於いては、CPU21からリード・ライト/
リフレッシュ判定回路25に直接入っているアドレス入
力について特に触へなかったが、これは以下のような場
合に必要となる。
8ビツトのCPUで16KX1ピツト構成のD RA 
M (ダイナミックRA M )を16個使用した場合
を想定する。CPUが2進16惜のアドレス空間を有す
る場合、アドレス1dAo −Atsである。Aoを最
下位アドレス、Al1を最上位アドレスとする。16K
X 1ビツト構成のDRAMiま、マルチプレクサされ
たアドレスAD、o〜A9.6を入力とする。
システム構成を¥!J12図に示す。
図に於いて、41はCPU、42はクロック発生回路、
43はアドレス拳マルチプレクサ、441〜4416は
DRAMである。
16個のDRAMを第1グループAの8個と第2グルー
プBの8個に分割する。アドレスを16進で表わすと、
CPUのアドレス空間は0000〜FFFFとなる。ア
ドレスの割り当てを以下のように設定する。
第1グループA・・・0000〜3FFF第2グループ
B・・・4000〜7FFFROM、周辺等(DRAM
以外)・・・8000〜FF F この場合、第1グループAと第2グループBの選択iA
+4.Axsによって行う必要がある。ところが、DR
AMの側にはA141 Atsの入力がないため、一般
には外付は回路によりRAS、CAS等のクロックをチ
ップ選択信号として用いることにより第1グループAと
第2グループBの選択を実現している。
いた場合を第13図に示す。
このシステムに本発明の方式を適用した場合には、I)
’RAMにはマルチプレクサされたアドレス人力A  
 −A    の他に、CPUがらの1接り、Q   
  D拳6 アドレス入力A141AI5が必要である。すなわち、
アドレスがoooo〜3FFFのとき、%2グループB
のD RA MはAl4−Al5人力により自身が選択
されていないことを判定してリフレッシュを行う。
第14図に本発明のDRAMを用いた場合のシステム構
成を示す。図に於いて、51はCPU、52はクロック
発生回路、53はアドレス・マルチプレクサ、541〜
5416ばDRAMである。
〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、システム
構成の簡単化をはかることができる極めて有用なダイナ
ミックRA Mを提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のダイナミックRAMを用いた場合のシ
ステム構成図、第2図はRASオンリ−リフレッシュの
タイミングチャート、第3図はRASオンリー・リフレ
ッシュ時のシステム構成のタイミングチャート、第5図
はCASビフォアRASIJフレッシュ時のシステム構
成図、第6図はダイナミックRAMに於けるメモリセル
・アレイ部分の構成図、第7図は本発明の実施例に於け
るリード・ライト/リフレッシュ判定回路の構成図、第
8図はリフレッシュ用アドレスカウンタの一例の構成図
、第9図はアドレス・マルチプレクサ■の一例の構成図
、第10図は本発明の実施例のタイミングチャート、第
11図(a)はアドレス・マルチプレクサ口の一例の構
成図、同図(b) hそのタイミングチャート、%12
図(は8ビツトのCPUで16KX1ピツト構成のDR
AMを16個使用した場合のシステム構成図、第13図
1dcAs1及びCAS2をチップ選択信号として用い
た場合のタイミングチャート、第14図は本発明のD 
RA Mを用いた場合のシステム構成図である。 符号の説明 24:ダイナミックRAM、25:リード・ライト/リ
フレッシュ判定回路、26:リフレッシュ用アドレスカ
ウンタ、27:アドレス・マルチプレクサI0 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)灰 第2 a 纂4 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、外部システムから供給されるアドレス信号により、
    外部システムによるアクセス時か否かを判定する論理回
    路を内蔵し、該論理回路の出力により、外部システムに
    よるアクセス時には外部のアドレスを選択し、それ以外
    の時には内蔵のリフレッシュ用アドレスカウンタのアド
    レスを選択する構成としたことを特徴とするダイナミッ
    クRAM。
JP61288255A 1986-12-03 1986-12-03 ダイナミツクram Pending JPS63140490A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61288255A JPS63140490A (ja) 1986-12-03 1986-12-03 ダイナミツクram
US07/759,640 US5129073A (en) 1986-12-03 1991-09-12 Dynamic RAM with read-write/refresh mode judging capability

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61288255A JPS63140490A (ja) 1986-12-03 1986-12-03 ダイナミツクram

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63140490A true JPS63140490A (ja) 1988-06-13

Family

ID=17727829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61288255A Pending JPS63140490A (ja) 1986-12-03 1986-12-03 ダイナミツクram

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5129073A (ja)
JP (1) JPS63140490A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06338187A (ja) * 1993-05-27 1994-12-06 Melco:Kk Dramを用いたメモリ装置
US5469559A (en) * 1993-07-06 1995-11-21 Dell Usa, L.P. Method and apparatus for refreshing a selected portion of a dynamic random access memory
US5764907A (en) * 1994-10-17 1998-06-09 Chrysler Corporation Computer to microcomputer interface
US5920898A (en) * 1996-08-16 1999-07-06 Unisys Corporation Memory control unit providing optimal timing of memory control sequences between different memory segments by optimally selecting among a plurality of memory requests
JPH10187600A (ja) * 1996-12-26 1998-07-21 Canon Inc バスアービタ
US20030097519A1 (en) * 2001-11-21 2003-05-22 Yoon Ha Ryong Memory subsystem

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442944A (en) * 1977-08-12 1979-04-05 Fujitsu Ltd Refresh address control system for memory
JPS554797A (en) * 1978-06-26 1980-01-14 Texas Instruments Inc Semiconductor memory device
JPS5873096A (ja) * 1981-10-27 1983-05-02 Nec Corp 半導体メモリ
JPS5952495A (ja) * 1982-09-17 1984-03-27 Hitachi Ltd Mos−ram装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3009872C2 (de) * 1980-03-14 1984-05-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Regenerieren von in einem dynamischen MOS-Speicher gespeicherten Daten unter Berücksichtigung von Schreib- und Lesezyklen und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
US4368515A (en) * 1981-05-07 1983-01-11 Atari, Inc. Bank switchable memory system
JPS58155596A (ja) * 1982-03-10 1983-09-16 Hitachi Ltd ダイナミツク型mosram
JPS58192148A (ja) * 1982-05-07 1983-11-09 Hitachi Ltd 演算処理装置
US4542454A (en) * 1983-03-30 1985-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for controlling access to a memory
US4701843A (en) * 1985-04-01 1987-10-20 Ncr Corporation Refresh system for a page addressable memory
US4710903A (en) * 1986-03-31 1987-12-01 Wang Laboratories, Inc. Pseudo-static memory subsystem

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5442944A (en) * 1977-08-12 1979-04-05 Fujitsu Ltd Refresh address control system for memory
JPS554797A (en) * 1978-06-26 1980-01-14 Texas Instruments Inc Semiconductor memory device
JPS5873096A (ja) * 1981-10-27 1983-05-02 Nec Corp 半導体メモリ
JPS5952495A (ja) * 1982-09-17 1984-03-27 Hitachi Ltd Mos−ram装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5129073A (en) 1992-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000011640A (ja) 半導体記憶装置
JPS62149099A (ja) メモリアクセス制御回路
KR960012013A (ko) 동기형 반도체 기억 장치
JP2000132964A (ja) 同期型半導体記憶装置
US6009036A (en) Memory device
JPS63140490A (ja) ダイナミツクram
US6693838B2 (en) Semiconductor memory device equipped with refresh timing signal generator
JPH0528756A (ja) 半導体記憶装置
JPS6227476B2 (ja)
JPH02260195A (ja) リフレッシュコントロール回路
JPH1186557A (ja) 同期型記憶装置および同期型記憶装置におけるデータ読み出し方法
JP3765452B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH1145570A (ja) 半導体記憶装置
JPH10255468A (ja) Dramのリフレッシュ装置
JPH0512859A (ja) メモリへのデータ書込み用データ処理装置
JPH0713860B2 (ja) 半導体記憶装置
JPS6031040B2 (ja) メモリ用集積回路装置
JP3318125B2 (ja) Dram制御回路
KR910003602B1 (ko) 액세스 판정회로를 구비한 다이나믹 램
JPH0520173A (ja) キヤツシユメモリ回路
JPH0955082A (ja) 半導体記憶装置
KR100455372B1 (ko) 자동 리프레쉬 수행시간이 감소될 수 있는 싱크로너스 디램
JPH087562A (ja) ダイナミックランダムアクセスメモリ
JPH04153984A (ja) ダイナミックメモリの制御方法
JPH05242696A (ja) 半導体メモリ装置