DE69222393T2 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Widerstandsschicht aus polykristallinem Silizium - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Widerstandsschicht aus polykristallinem SiliziumInfo
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29294491A JPH05198747A (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
JP3292945A JP3067340B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69222393D1 DE69222393D1 (de) | 1997-10-30 |
DE69222393T2 true DE69222393T2 (de) | 1998-04-02 |
Family
ID=26559187
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69222393T Expired - Fee Related DE69222393T2 (de) | 1991-11-08 | 1992-11-06 | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Widerstandsschicht aus polykristallinem Silizium |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5462889A (de) |
EP (1) | EP0541122B1 (de) |
DE (1) | DE69222393T2 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0846139A (ja) * | 1994-05-06 | 1996-02-16 | Texas Instr Inc <Ti> | ポリシリコン抵抗器とその作成法 |
EP1017092A1 (de) * | 1998-12-29 | 2000-07-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Herstellung eines in einer integrierten Schaltung verwendeten Widerstands |
JP4014423B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2007-11-28 | 株式会社マーレ フィルターシステムズ | シリンダヘッドカバーにおける点火栓チューブ挿入部のシール装置 |
FR2846146A1 (fr) * | 2002-10-18 | 2004-04-23 | St Microelectronics Sa | Procede et installation de dopage d'un motif d'elements resistifs grave |
US20060057813A1 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-16 | Cheng-Hsiung Chen | Method of forming a polysilicon resistor |
DE102005039666B3 (de) * | 2005-08-22 | 2007-05-31 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur mit selektiven Dotierstoffbereichen |
JP7092534B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2022-06-28 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4225877A (en) * | 1978-09-05 | 1980-09-30 | Sprague Electric Company | Integrated circuit with C-Mos logic, and a bipolar driver with polysilicon resistors |
US4370798A (en) * | 1979-06-15 | 1983-02-01 | Texas Instruments Incorporated | Interlevel insulator for integrated circuit with implanted resistor element in second-level polycrystalline silicon |
JPS5640269A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Toshiba Corp | Preparation of semiconductor device |
JPH0654795B2 (ja) * | 1986-04-07 | 1994-07-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
US4727045A (en) * | 1986-07-30 | 1988-02-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plugged poly silicon resistor load for static random access memory cells |
KR900008868B1 (ko) * | 1987-09-30 | 1990-12-11 | 삼성전자 주식회사 | 저항성 접촉을 갖는 반도체 장치의 제조방법 |
JPH03201555A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Matsushita Electron Corp | ポリシリコン抵抗の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-06 EP EP92119084A patent/EP0541122B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-06 DE DE69222393T patent/DE69222393T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-06-02 US US08/253,223 patent/US5462889A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69222393D1 (de) | 1997-10-30 |
EP0541122A1 (de) | 1993-05-12 |
US5462889A (en) | 1995-10-31 |
EP0541122B1 (de) | 1997-09-24 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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