DE69219816D1 - Supraleitende Dünnschicht mit mindestens einer isolierten Region, gebildet aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Supraleitende Dünnschicht mit mindestens einer isolierten Region, gebildet aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number
DE69219816D1
DE69219816D1 DE69219816T DE69219816T DE69219816D1 DE 69219816 D1 DE69219816 D1 DE 69219816D1 DE 69219816 T DE69219816 T DE 69219816T DE 69219816 T DE69219816 T DE 69219816T DE 69219816 D1 DE69219816 D1 DE 69219816D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
production
thin film
isolated region
oxide superconducting
superconducting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69219816T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69219816T2 (de
Inventor
So Tanaka
Michitomo Iiyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP3070671A external-priority patent/JPH04282877A/ja
Priority claimed from JP3070672A external-priority patent/JPH04282878A/ja
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE69219816D1 publication Critical patent/DE69219816D1/de
Publication of DE69219816T2 publication Critical patent/DE69219816T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/70High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
    • Y10S505/701Coated or thin film device, i.e. active or passive

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
DE69219816T 1991-03-11 1992-03-11 Supraleitende Dünnschicht mit mindestens einer isolierten Region, gebildet aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu ihrer Herstellung Expired - Fee Related DE69219816T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3070671A JPH04282877A (ja) 1991-03-11 1991-03-11 集積化が容易な超電導素子およびその作製方法
JP3070672A JPH04282878A (ja) 1991-03-11 1991-03-11 集積化が容易な超電導素子の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69219816D1 true DE69219816D1 (de) 1997-06-26
DE69219816T2 DE69219816T2 (de) 1997-10-23

Family

ID=26411801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69219816T Expired - Fee Related DE69219816T2 (de) 1991-03-11 1992-03-11 Supraleitende Dünnschicht mit mindestens einer isolierten Region, gebildet aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5571777A (de)
EP (1) EP0508844B1 (de)
CA (1) CA2062709C (de)
DE (1) DE69219816T2 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU599223B2 (en) * 1987-04-15 1990-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Superconducting ceramic pattern and its manufacturing method
EP0612114B1 (de) * 1993-02-15 1997-05-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Verfahren zum Erzeugen einer strukturierten oxydsupraleitenden Dünnschicht
WO1994027329A1 (en) * 1993-05-14 1994-11-24 The University Of British Columbia Fabrication of oxide superconductor devices by impurity ion implantation
EP0790655B1 (de) * 1995-09-29 1999-04-14 Sumitomo Electric Industries, Limited Supraleitende Feldeffektanordnung mit supraleitendem Kanal und Verfahren zur Herstellung
US5912503A (en) * 1997-01-02 1999-06-15 Trw Inc. Planar in-line resistors for superconductor circuits
DE60236881D1 (de) * 2001-09-06 2010-08-12 Japan Science & Tech Agency Hochtemperatursupraleiter und herstellungsverfahren dafür

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164037A (ja) * 1986-12-26 1988-07-07 Toshiba Corp 光情報記録媒体
JPS63258082A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 酸化物超電導材料
JPS63314850A (ja) * 1987-06-18 1988-12-22 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5079216A (en) * 1987-09-04 1992-01-07 Henty David L Composite high temperature superconductor and substrate structure
JPH02390A (ja) * 1987-11-04 1990-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導体層を有する半導体基板
US5084438A (en) * 1988-03-23 1992-01-28 Nec Corporation Electronic device substrate using silicon semiconductor substrate
DE68904588T2 (de) * 1988-03-31 1993-08-19 Mitsui Mining & Smelting Co Duenne supraleitende keramische schichten und verfahren zu ihrer herstellung.
JP2646683B2 (ja) * 1988-08-02 1997-08-27 日本電気株式会社 電子デバイス用基板
FR2638569B1 (fr) * 1988-10-25 1992-11-20 Seiko Epson Corp Transistor josephson du type a effet de champ et procede de fabrication d'une jonction josephson
JPH0355889A (ja) * 1989-07-25 1991-03-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 超電導多層回路の製造方法
US5135908A (en) * 1989-08-07 1992-08-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method of patterning superconducting films
JPH04214097A (ja) * 1990-12-13 1992-08-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導薄膜の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0508844A2 (de) 1992-10-14
EP0508844B1 (de) 1997-05-21
US5571777A (en) 1996-11-05
CA2062709C (en) 1997-06-24
CA2062709A1 (en) 1992-09-12
DE69219816T2 (de) 1997-10-23
EP0508844A3 (en) 1993-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69202801D1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von supraleitenden Oxydschichten durch MOCVD-Verfahren.
DE3854208D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus supraleitendem Oxidmaterial.
DE69115092T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleiters aus Wismutoxyd.
DE69219816T2 (de) Supraleitende Dünnschicht mit mindestens einer isolierten Region, gebildet aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69112520D1 (de) Supraleitende Dünnschicht-Oxydverbindung und Verfahren zu deren Herstellung.
DE69300940T2 (de) Josephson-Übergangseinrichtung aus oxidischem Supraleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69017112T2 (de) Supraleitende Dünnschicht aus Oxid und Verfahren zu deren Herstellung.
DE3853905D1 (de) Verfahren zur Herstellung monokristalliner dünner Schichten aus LnA2Cu307-x mit einer Perovskit-Struktur mit 3 Ebenen.
DE59009800D1 (de) Verbundumhüllung aus mindestens einer wärmeschrumpfbaren Folie mit Verstärkung und Verfahren zu deren Herstellung.
DE69205911D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus Oxydverbindungen.
DE69328537D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus hoch-temperatur-supraleitenden-Oxid
DE69200984T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Drahtes aus supraleitendem Oxid.
DE69109054D1 (de) Supraleitende Einrichtung mit extrem kurzer supraleitender Kanallänge aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu deren Herstellung.
DE68912792T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines hochtemperaturoxid supraleitenden Werkstoffs.
DE69315736D1 (de) Verfahren zur Herstellung von supraleitenden dünnen Schichten aus supraleitendem Oxidmaterial
DE69006351D1 (de) Verfahren zur Herstellung des Y-Ba-Cu-O-Supraleiters in Bulkform mit hoher, kritischer Stromdichte.
DE69201384D1 (de) Dünne, supraleitende Schicht, aus Bi-Sr-Ca-Cu-O Typ-Oxid und Verfahren zur ihrer Herstellung.
DE69324085D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden dünnen Oxydschicht
DE69103853D1 (de) Oxidische Supraleiter und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE69219192T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur mit mindestens einer dünnen Schicht aus Supraleiteroxyd
DE69108430T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus supraleitendem Oxyd.
DE69203294T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus einer oxidverbindung.
DE69131611D1 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus Oxyd-Supraleiter
DE68922919D1 (de) Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten aus Hochtemperatur-Supraleiteroxyd.
DE69114164D1 (de) Supraleitendes Oxyd und Verfahren zu seiner Herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee