JP2646683B2 - 電子デバイス用基板 - Google Patents
電子デバイス用基板Info
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- JP2646683B2 JP2646683B2 JP63193816A JP19381688A JP2646683B2 JP 2646683 B2 JP2646683 B2 JP 2646683B2 JP 63193816 A JP63193816 A JP 63193816A JP 19381688 A JP19381688 A JP 19381688A JP 2646683 B2 JP2646683 B2 JP 2646683B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体、絶縁体層、誘電体層及び超伝導体層
とからなる電子デバイス用基板に関するものである。
とからなる電子デバイス用基板に関するものである。
（従来の技術） Y1Ba2Cu3O７−δ、Bi（Tl）2Sr2Ca1Cu2Ox、Bi（Tl）2
Sr2Ca2Cu3Oxに代表される層状ペロブスカイト構造を有
する超伝導セラミックスは超伝導状態となる臨界温度Tc
が液体窒素温度以上を示す高温超伝導材料で工業的実用
化材料として注目されている。
Sr2Ca2Cu3Oxに代表される層状ペロブスカイト構造を有
する超伝導セラミックスは超伝導状態となる臨界温度Tc
が液体窒素温度以上を示す高温超伝導材料で工業的実用
化材料として注目されている。
これら高温超伝導材料を電子デバイスへ応用する場合
にはバルク並みのTcを有し、かつ特性の信頼性を高める
ために欠陥の少ない膜が必要である。これらの要求を満
たすには、単結晶膜を作製する事が望ましい。単結晶膜
を得る方法としては適当な単結晶基板上へエピタキシャ
ル成長させる方法があり、従来、ジャパニーズジャーナ
ルオブアプライドフィジクス（Japanese Journal of Ap
plied Physics）第27巻１号L91〜L93頁に約90Kのゼロ抵
抗温度を有するY1Ba2Cu3O７−δ単結晶膜を作製した報
告がある。
にはバルク並みのTcを有し、かつ特性の信頼性を高める
ために欠陥の少ない膜が必要である。これらの要求を満
たすには、単結晶膜を作製する事が望ましい。単結晶膜
を得る方法としては適当な単結晶基板上へエピタキシャ
ル成長させる方法があり、従来、ジャパニーズジャーナ
ルオブアプライドフィジクス（Japanese Journal of Ap
plied Physics）第27巻１号L91〜L93頁に約90Kのゼロ抵
抗温度を有するY1Ba2Cu3O７−δ単結晶膜を作製した報
告がある。
更に、Si基板上にこれらの単結晶膜を作製することに
より、従来のSiデバイスと超伝導体との融合が可能とな
り、応用面での用途が拡大される。
より、従来のSiデバイスと超伝導体との融合が可能とな
り、応用面での用途が拡大される。
この融合を可能とする技術としてシリコン単結晶基板
上にMgAl2O4絶縁体膜が形成され、その絶縁体膜上にBaT
iO3あるいはSrTiO3で示されるペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体膜が形成され、その誘電体膜上に一般
式がY1Ba2Cu3O７−δで表わされる層状ペロブスカイト
型結晶構造を有する超伝導化合物が形成されている構造
を提案されている（特願昭62−208708）。
上にMgAl2O4絶縁体膜が形成され、その絶縁体膜上にBaT
iO3あるいはSrTiO3で示されるペロブスカイト型結晶構
造を有する誘電体膜が形成され、その誘電体膜上に一般
式がY1Ba2Cu3O７−δで表わされる層状ペロブスカイト
型結晶構造を有する超伝導化合物が形成されている構造
を提案されている（特願昭62−208708）。
又、臨界温度が80K〜130Kを示す材料としてジャパニ
ーズジャーナルオブアプライドフィジクス（Japanese J
ournal of Applied Physics）第27巻３号L365〜L368頁
所載の論文にあるごとくBi2Sr2Ca1Cu2Ox、Bi2Sr2Ca2Cu3
Ox、Tl2BaCa1Cu2Ox、Tl2Ba2Ca2Cu3Ox、が知られている
が、単結晶薄膜化の公知例は未だない。
ーズジャーナルオブアプライドフィジクス（Japanese J
ournal of Applied Physics）第27巻３号L365〜L368頁
所載の論文にあるごとくBi2Sr2Ca1Cu2Ox、Bi2Sr2Ca2Cu3
Ox、Tl2BaCa1Cu2Ox、Tl2Ba2Ca2Cu3Ox、が知られている
が、単結晶薄膜化の公知例は未だない。
（発明が解決しょうとする問題点） 従来シリコン単結晶基板上にMgAl2O4絶縁体膜が形成
され、その絶縁体膜上にBaTiO3あるいはSrTiO3で示され
る誘電体膜形成され、その誘電体膜上にY1Ba2Cu3O
７−δ超伝導体膜がエピタキシャル成長によって形成さ
れている。しかし、誘電体膜としてBaTiO3を用いた場合
BaTiO3とY1Ba2Cu3O７−δ超伝導膜との格子定数のずれ
により、又誘電体膜としてSrTiO3を用いた場合MgAl2O4
絶縁体膜とSrTiO3との格子定数のずれによりY1Ba2Cu3O
７−δ超伝導体膜の結晶性、表面平坦性に問題が生じ
る。本発明は上記従来技術の問題を解決するもので、良
好な結晶性、表面平坦性を有するエピタキシャル成長し
た層状ペロブスカイト型結晶構造の超伝導膜を具備せる
電子デバイス用基板を提供することを目的とする。
され、その絶縁体膜上にBaTiO3あるいはSrTiO3で示され
る誘電体膜形成され、その誘電体膜上にY1Ba2Cu3O
７−δ超伝導体膜がエピタキシャル成長によって形成さ
れている。しかし、誘電体膜としてBaTiO3を用いた場合
BaTiO3とY1Ba2Cu3O７−δ超伝導膜との格子定数のずれ
により、又誘電体膜としてSrTiO3を用いた場合MgAl2O4
絶縁体膜とSrTiO3との格子定数のずれによりY1Ba2Cu3O
７−δ超伝導体膜の結晶性、表面平坦性に問題が生じ
る。本発明は上記従来技術の問題を解決するもので、良
好な結晶性、表面平坦性を有するエピタキシャル成長し
た層状ペロブスカイト型結晶構造の超伝導膜を具備せる
電子デバイス用基板を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） すなわち本発明は、シリコン単結晶基板上にMgAl2O4
絶縁体膜が形成され、該絶縁体膜上にBaSr1-xTiO3で示
されるペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜形成
され、該誘電体膜上に層状ペロブスカイト型結晶構造を
有する超伝導化合物層が形成されている構造において、
該誘電体膜BaxSr1-xTiO3のBa組成ｘが該絶縁体膜との界
面で１とし連続的に減少し該超伝導化合物との界面で０
となる事を特徴とする電子デバイス用基板である。
絶縁体膜が形成され、該絶縁体膜上にBaSr1-xTiO3で示
されるペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜形成
され、該誘電体膜上に層状ペロブスカイト型結晶構造を
有する超伝導化合物層が形成されている構造において、
該誘電体膜BaxSr1-xTiO3のBa組成ｘが該絶縁体膜との界
面で１とし連続的に減少し該超伝導化合物との界面で０
となる事を特徴とする電子デバイス用基板である。
（作用） 従来シリコン単結晶基板上にMgAl2O4絶縁体膜が形成
され、その絶縁体膜上にBaTiO3あるいはSrTiO3で示され
る誘電体膜が形成され、その誘電体膜上にY1Ba2Cu3O
７−δ超伝導体膜がエピタキシャル成長によって形成さ
れる。しかし誘電体膜としてBaTiO3を用いた場合、BaTi
O3膜の結晶性、表面平坦性は良好であるが超伝導膜の結
晶性、表面平坦性はBaTiO3誘電体膜のそれらと比べかな
り劣る事がＸ線回折法、反射電子線回折法、走査型電子
顕微鏡により確認された。一方誘電体膜としてSrTiO3を
用いた場合SrTiO3の結晶性、表面平坦性は良好ではない
が、超伝導膜の結晶性、表面平坦性は、SrTiO3誘電体膜
のそれらと同等である事が上記評価手法により確認され
た。
され、その絶縁体膜上にBaTiO3あるいはSrTiO3で示され
る誘電体膜が形成され、その誘電体膜上にY1Ba2Cu3O
７−δ超伝導体膜がエピタキシャル成長によって形成さ
れる。しかし誘電体膜としてBaTiO3を用いた場合、BaTi
O3膜の結晶性、表面平坦性は良好であるが超伝導膜の結
晶性、表面平坦性はBaTiO3誘電体膜のそれらと比べかな
り劣る事がＸ線回折法、反射電子線回折法、走査型電子
顕微鏡により確認された。一方誘電体膜としてSrTiO3を
用いた場合SrTiO3の結晶性、表面平坦性は良好ではない
が、超伝導膜の結晶性、表面平坦性は、SrTiO3誘電体膜
のそれらと同等である事が上記評価手法により確認され
た。
これらの事実は、下地に用いた膜とその上にエピタキ
シャル成長した膜の格子定数のミスマッチにより説明で
きる。MgAl2O4、BaTiO3、SrTiO3、Y1Ba2Cu3O７−δの格
子定数ｄは、それぞれ8.06Å（d/2＝4.03Å）、3.99〜
4.01Å、3.90Å、3.82〜3.90Åである。誘電体膜として
BaTiO3を用いた場合BaTiO3膜とY1Ba2Cu3O７−δ膜との
格子定数のミスマッチが大きく又誘電体膜としてSrTiO3
を用いた場所MgAl2O4膜とSrTiO3膜との格子定数のミス
マッチが大きくそれらの界面での結晶性の乱れが超伝導
膜の結晶性、表面平坦性の劣化を引き起こしていると考
えられる。
シャル成長した膜の格子定数のミスマッチにより説明で
きる。MgAl2O4、BaTiO3、SrTiO3、Y1Ba2Cu3O７−δの格
子定数ｄは、それぞれ8.06Å（d/2＝4.03Å）、3.99〜
4.01Å、3.90Å、3.82〜3.90Åである。誘電体膜として
BaTiO3を用いた場合BaTiO3膜とY1Ba2Cu3O７−δ膜との
格子定数のミスマッチが大きく又誘電体膜としてSrTiO3
を用いた場所MgAl2O4膜とSrTiO3膜との格子定数のミス
マッチが大きくそれらの界面での結晶性の乱れが超伝導
膜の結晶性、表面平坦性の劣化を引き起こしていると考
えられる。
本発明では、BaxSr1-xTiO3膜が全域固溶する事を利用
しその誘電体膜をMgAl2O4膜との界面においてはBaTiO3
に又Y1Ba2Cu3O７−δとの界面においてSrTiO3にそれぞ
れし絶縁体膜及び超伝導体膜と誘電体膜との界面で格子
定数の一致をはかり、又誘電体膜内部においては、膜内
部にひずみが残留しない様に徐々にBaとSrとの比率を変
化させた。
しその誘電体膜をMgAl2O4膜との界面においてはBaTiO3
に又Y1Ba2Cu3O７−δとの界面においてSrTiO3にそれぞ
れし絶縁体膜及び超伝導体膜と誘電体膜との界面で格子
定数の一致をはかり、又誘電体膜内部においては、膜内
部にひずみが残留しない様に徐々にBaとSrとの比率を変
化させた。
本発明においてMgAl2O4単結晶膜の膜厚は1000Å程度
でよく、かつ、基板として良質で大口径のものが安価に
入手できるSiを用いるために、SrTiO3などの各種単結晶
基板を用いる場合に比べてデバイス作製コストを低く抑
える事ができる。しかもSi基板を用いて良質な超伝導膜
を形成していることからSi半導体集積回路技術との融合
化が計れ、高い機能を持つ超伝導デバイスを作製でき
る。例えば、超伝導膜をソース電極とドレイン電極に用
いた電界効果型超伝導トランジスタや超伝導配線による
LSIの開発が可能となる等、本発明の波及効果は甚大で
ある。
でよく、かつ、基板として良質で大口径のものが安価に
入手できるSiを用いるために、SrTiO3などの各種単結晶
基板を用いる場合に比べてデバイス作製コストを低く抑
える事ができる。しかもSi基板を用いて良質な超伝導膜
を形成していることからSi半導体集積回路技術との融合
化が計れ、高い機能を持つ超伝導デバイスを作製でき
る。例えば、超伝導膜をソース電極とドレイン電極に用
いた電界効果型超伝導トランジスタや超伝導配線による
LSIの開発が可能となる等、本発明の波及効果は甚大で
ある。
（実施例１） 面方位が（100）のSi単結晶基板上にMgAl2O4をエピタ
キシャル成長し、その上にBaxSr1-xTiO3をエピタキシャ
ル成長し、その上にY1Ba2Cu3O７−δをスパッタ法によ
って形成した。第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本実施
例の説明図で１はSi（100）単結晶基板、２は気相成長
法で成長したMgAl2O4エピタキシャル膜、３は反応性蒸
着法で成長したBaxSr1-xTiO3エピタキシャル膜である。
４はスパッタ法で作製したY1Ba2Cu3O７−δ単結晶膜で
ある。MgAl2O4の気相成長はすでに提案（特願昭57−136
051）されている方法で成長させた。すなわちMgAl2、Al
とHClガスを反応させて生成したAlCl3,CO2,H2ガスの反
応ガスとH2ガスのキャリアを用い、 MgCl2＋2AlOl3＋4CO2＋4H2 →MgAl2O4＋4CO＋8HCl なる反応でMgAl2O4の生成が起こる。成長温度950℃で成
長し膜厚は0.1μｍとした。Ｘ線回折法で（100）方位の
MgAl2O4がエピタキシャル成長している事を確認した。B
axSr1-xTiO3のエピタキシャル膜は反応性共蒸着法によ
り基板付近での酸素分圧１〜４×10-3（Torr）、基板温
度600℃で行った。その誘電体膜作製初期には、Sr蒸着
用のセルは用いずBa蒸着用のセル及びTi蒸着用Ｅ−gun
のみで蒸着を行い、時間の経過とともにTi蒸着速度は一
定に保ったまま徐々にSrの蒸着速度をはやめ、又Baの蒸
着温度をおそくし、成膜終了時にBa蒸着用のセルは用い
ずSr蒸着用のセル及びTi蒸着用Ｅ−gunのみで蒸着が行
なわれている様、各元素の蒸着速度を制御した。膜厚は
0.4μｍとした。MgAl2O4と同様にＸ線回折法及び電子線
回折法により（100）方位にエピタキシャル成長した良
質な結晶性の膜である事を確認した。Y1Ba2Cu3O７−δ
エピタキシャル膜は高周波マグネトロンスパッタ法で膜
厚0.5μｍのものを作製した。上記Y1Ba2Cu3O７−δ組成
の膜を得る為にY1Ba2.5Cu5.0Ox組成の950℃で焼結させ
たセラミックターゲットを用いO2−Ar混合ガス中で基板
温度640℃で行った。Ｘ線回折法、電子線回折法及び走
査型電子顕微鏡により（001）方位に配向した層状ペロ
ブスカイト構造を有する結晶性、表面平坦性にすぐれた
良質なエピタキシャル膜であることを確認した。又この
膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定することによりゼ
ロ抵抗温度が86kであることがわかった。又Ｙの代わり
に他の希土類元素を用いた場合でも同様なエピタキシャ
ル成長することを確認した。
キシャル成長し、その上にBaxSr1-xTiO3をエピタキシャ
ル成長し、その上にY1Ba2Cu3O７−δをスパッタ法によ
って形成した。第１図（ａ），（ｂ），（ｃ）は本実施
例の説明図で１はSi（100）単結晶基板、２は気相成長
法で成長したMgAl2O4エピタキシャル膜、３は反応性蒸
着法で成長したBaxSr1-xTiO3エピタキシャル膜である。
４はスパッタ法で作製したY1Ba2Cu3O７−δ単結晶膜で
ある。MgAl2O4の気相成長はすでに提案（特願昭57−136
051）されている方法で成長させた。すなわちMgAl2、Al
とHClガスを反応させて生成したAlCl3,CO2,H2ガスの反
応ガスとH2ガスのキャリアを用い、 MgCl2＋2AlOl3＋4CO2＋4H2 →MgAl2O4＋4CO＋8HCl なる反応でMgAl2O4の生成が起こる。成長温度950℃で成
長し膜厚は0.1μｍとした。Ｘ線回折法で（100）方位の
MgAl2O4がエピタキシャル成長している事を確認した。B
axSr1-xTiO3のエピタキシャル膜は反応性共蒸着法によ
り基板付近での酸素分圧１〜４×10-3（Torr）、基板温
度600℃で行った。その誘電体膜作製初期には、Sr蒸着
用のセルは用いずBa蒸着用のセル及びTi蒸着用Ｅ−gun
のみで蒸着を行い、時間の経過とともにTi蒸着速度は一
定に保ったまま徐々にSrの蒸着速度をはやめ、又Baの蒸
着温度をおそくし、成膜終了時にBa蒸着用のセルは用い
ずSr蒸着用のセル及びTi蒸着用Ｅ−gunのみで蒸着が行
なわれている様、各元素の蒸着速度を制御した。膜厚は
0.4μｍとした。MgAl2O4と同様にＸ線回折法及び電子線
回折法により（100）方位にエピタキシャル成長した良
質な結晶性の膜である事を確認した。Y1Ba2Cu3O７−δ
エピタキシャル膜は高周波マグネトロンスパッタ法で膜
厚0.5μｍのものを作製した。上記Y1Ba2Cu3O７−δ組成
の膜を得る為にY1Ba2.5Cu5.0Ox組成の950℃で焼結させ
たセラミックターゲットを用いO2−Ar混合ガス中で基板
温度640℃で行った。Ｘ線回折法、電子線回折法及び走
査型電子顕微鏡により（001）方位に配向した層状ペロ
ブスカイト構造を有する結晶性、表面平坦性にすぐれた
良質なエピタキシャル膜であることを確認した。又この
膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定することによりゼ
ロ抵抗温度が86kであることがわかった。又Ｙの代わり
に他の希土類元素を用いた場合でも同様なエピタキシャ
ル成長することを確認した。
（実施例２） 実施例１においてY1Ba2Cu3O７−δの代わりにBi2Sr2C
a1Cu2Ox膜をエピタキシャル成長した。成長は実施例１
と同様にマグネトロンスパッタ法により行った。基板温
度は700℃とした。Ｘ線回折法及び電子線回折法により
（001）方向に配向した層状ペロブスカイト構造を有す
る結晶性、平坦性にすぐれた良質なエピタキシャル膜で
あることを確認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子
法で測定する事によりゼロ抵抗温度が85kである事がわ
かった。又Bi2Sr2Ca1Cu2Oxの代わりにTl2Ba2Ca1Cu2Oxを
用いた場合も同様なエピタキシャル成長することを確認
した。
a1Cu2Ox膜をエピタキシャル成長した。成長は実施例１
と同様にマグネトロンスパッタ法により行った。基板温
度は700℃とした。Ｘ線回折法及び電子線回折法により
（001）方向に配向した層状ペロブスカイト構造を有す
る結晶性、平坦性にすぐれた良質なエピタキシャル膜で
あることを確認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子
法で測定する事によりゼロ抵抗温度が85kである事がわ
かった。又Bi2Sr2Ca1Cu2Oxの代わりにTl2Ba2Ca1Cu2Oxを
用いた場合も同様なエピタキシャル成長することを確認
した。
（実施例３） 実施例１においてY1Ba2Cu3O７−δの代わりにBi2Sr2C
a2Cu3Ox膜をエピタキシャル成長した。成長は実施例１
と同様にマグネトロンスパッタ法により行った。基板温
度は750℃とした。Ｘ線回折法及び電子回折法により（0
01）方向に配向した層状ペトブスカイト構造を有する結
晶性、表面平坦性にすぐれた良質なエピタキシャル膜で
あることを確認した。この膜の抵抗−温度特性４端子法
で測定することによりゼロ抵抗−温度特性を４端子で測
定することによりゼロ抵抗温度が107kであることがわか
った。又Bi2Sr2Ca2Cu3Oxの代わりにTl2Ba2Ca2Cu3Oxを用
いた場合も同様なエピタキシャル成長することを確認し
た。
a2Cu3Ox膜をエピタキシャル成長した。成長は実施例１
と同様にマグネトロンスパッタ法により行った。基板温
度は750℃とした。Ｘ線回折法及び電子回折法により（0
01）方向に配向した層状ペトブスカイト構造を有する結
晶性、表面平坦性にすぐれた良質なエピタキシャル膜で
あることを確認した。この膜の抵抗−温度特性４端子法
で測定することによりゼロ抵抗−温度特性を４端子で測
定することによりゼロ抵抗温度が107kであることがわか
った。又Bi2Sr2Ca2Cu3Oxの代わりにTl2Ba2Ca2Cu3Oxを用
いた場合も同様なエピタキシャル成長することを確認し
た。
（発明の効果） 以上の様に本発明によって層状ペロブスカイト構造を
有する良質なエピタキシャル超伝導膜を容易にSi単結晶
基板上に形成することが可能となった。超伝導体機能素
子とシリコンICとを一体化できるという利点を考えれば
本発明の工業的価値は大きい。
有する良質なエピタキシャル超伝導膜を容易にSi単結晶
基板上に形成することが可能となった。超伝導体機能素
子とシリコンICとを一体化できるという利点を考えれば
本発明の工業的価値は大きい。
第１図は本発明の実施例を説明する図。図において、 １……Si単結晶基板 ２……MgAl2O4膜 ３……BaxSr1-xTiO3膜 ４……Y1Ba2Cu3O７−δ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正畑 伸明 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−279515（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン単結晶基板上にMgAl2O4絶縁体膜
が形成され、該絶縁体膜上にBaxSr1-xTiO3で示されるペ
ロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜が形成され、
該誘電体上に一般式がA1Ba2Cu3O７−δで表わされ、Ａ
としてＹ及び希土類元素の群から選ばれる一種の元素を
含む層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導化合
物層が形成されている構造を備えた電子デバイス用基板
において、該誘電体膜BaxSr1-xTiO3のBa組成ｘが該絶縁
体膜との界面で１とし連続的に減少し該超伝導化合物と
の界面で０となることを特徴とする電子デバイス用基
板。 - 【請求項２】シリコン単結晶基板上にMgAl2O4絶縁体膜
が形成され、該絶縁体膜上にBaxSr1-xTiO3で示されるペ
ロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜が形成され、
該誘電体膜上に一般式がA2B2Ca1Cu2Oxで表わされ、Ａと
してBi及びTlから選ばれる一種の元素、ＢとしてSr及び
Baから選ばれる一種の元素を含む層状ペロブスカイト型
結晶構造を有する超伝導化合物層が形成されている構造
を備えた電子デバイス用基板において、該誘電体膜BaxS
r1-xTiO3のBa組成ｘが該絶縁体膜との界面で１とし連続
的に減少し該超伝導化合物との界面で０となることを特
徴とする電子デバイス用基板。 - 【請求項３】シリコン単結晶基板上にMgAl2O4絶縁体膜
が形成され、該絶縁体膜上にBaxSr1-xTiO3で示されるペ
ロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜が形成され、
該誘電体膜上に一般式がA2B2Ca2Cu3Oxで表わされ、Ａと
してBi及びTlから選ばれる一種の元素、ＢとしてSr及び
Baから選ばれる一種の元素を含む層状ペロブスカイト型
結晶構造を有する超伝導化合物層が形成されている構造
を備えた電子デバイス用基板において、該誘電体膜BaxS
r1-xTiO3のBa組成ｘが該絶縁体膜との界面で１とし連続
的に減少し該超伝導化合物との界面で０となることを特
徴とする電子デバイス用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193816A JP2646683B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 電子デバイス用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193816A JP2646683B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 電子デバイス用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242787A JPH0242787A (ja) | 1990-02-13 |
| JP2646683B2 true JP2646683B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16314236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193816A Expired - Lifetime JP2646683B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 電子デバイス用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646683B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0494580B1 (en) * | 1991-01-07 | 2002-04-03 | International Business Machines Corporation | Superconducting field-effect transistor with inverted MISFET structure and method for making the same |
| EP0508844B1 (en) * | 1991-03-11 | 1997-05-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting thin film having at least one isolated superconducting region formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same |
| JPH08125415A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 可変型超伝導遅延線 |
| AU3580897A (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-21 | Superconducting Core Technologies, Inc. | Near resonant cavity tuning devices |
| JP2007243118A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193816A patent/JP2646683B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0242787A (ja) | 1990-02-13 |
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