JP3145799B2 - 電子デバイス用基板及びその製造方法 - Google Patents
電子デバイス用基板及びその製造方法Info
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- JP3145799B2 JP3145799B2 JP22094592A JP22094592A JP3145799B2 JP 3145799 B2 JP3145799 B2 JP 3145799B2 JP 22094592 A JP22094592 A JP 22094592A JP 22094592 A JP22094592 A JP 22094592A JP 3145799 B2 JP3145799 B2 JP 3145799B2
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- Japan
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサファイア単結晶基板、
誘電体層および超伝導体層からなる電子デバイス用基板
及びその製造方法に関する。
誘電体層および超伝導体層からなる電子デバイス用基板
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx、Ｂｉ2（Ｔｌ）2Ｓｒ
2Ｃａ1Ｃｕ2ＯxおよびＢｉ2（Ｔｌ）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3
Ｏxに代表される層状ペロブスカイト構造を有する超伝
導セラミックスは、超伝導状態となる臨界温度（Ｔｃ）
が液体窒素温度以上を示す高温超伝導材料であり、工業
的実用化材料として注目されている。これら高温超伝導
材料を電子デバイスへ応用する場合には、バルク並みの
Ｔｃを有し、かつ特性の信頼性を高めるために欠陥の少
ない膜とすることが必要であり、これらの要求を満たす
ためには、単結晶膜を作製することが望ましい。単結晶
膜を得る方法としては、適当な単結晶基板上へエピタキ
シャル成長させる方法があり、従来、ジャパニーズ・ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Japanese
Journal of Applied Physics）第27巻，1号，L91〜L93
頁に約９０Ｋのゼロ抵抗温度を有するＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx
単結晶膜を作製した報告がある。さらにこれらの単結晶
膜をサファイア基板上に作製すれば、高性能なフィル
タ、共振器等の作製が可能となり、マイクロ波素子とし
ての超伝導材料の用途が拡大される。これを可能とする
技術として、アプライド・フィジックス・レターズ（Ap
plied Physics Letters）第57巻，pp409〜411に、サフ
ァイア単結晶基板上にＳｒＴｉＯ3誘電体膜を形成し、
その誘電体膜上に一般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxで表される
層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導薄膜を作
製した報告がある。また、フィジカ・Ｃ（Physica C）
第162〜第164巻，659〜660頁には、サファイア単結晶基
板上にＭｇＯ誘電体膜を形成し、その誘電体膜上に、一
般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxで表される層状ペロブスカイト
型結晶構造を有する超伝導薄膜を作製した報告がある。
2Ｃａ1Ｃｕ2ＯxおよびＢｉ2（Ｔｌ）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3
Ｏxに代表される層状ペロブスカイト構造を有する超伝
導セラミックスは、超伝導状態となる臨界温度（Ｔｃ）
が液体窒素温度以上を示す高温超伝導材料であり、工業
的実用化材料として注目されている。これら高温超伝導
材料を電子デバイスへ応用する場合には、バルク並みの
Ｔｃを有し、かつ特性の信頼性を高めるために欠陥の少
ない膜とすることが必要であり、これらの要求を満たす
ためには、単結晶膜を作製することが望ましい。単結晶
膜を得る方法としては、適当な単結晶基板上へエピタキ
シャル成長させる方法があり、従来、ジャパニーズ・ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Japanese
Journal of Applied Physics）第27巻，1号，L91〜L93
頁に約９０Ｋのゼロ抵抗温度を有するＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx
単結晶膜を作製した報告がある。さらにこれらの単結晶
膜をサファイア基板上に作製すれば、高性能なフィル
タ、共振器等の作製が可能となり、マイクロ波素子とし
ての超伝導材料の用途が拡大される。これを可能とする
技術として、アプライド・フィジックス・レターズ（Ap
plied Physics Letters）第57巻，pp409〜411に、サフ
ァイア単結晶基板上にＳｒＴｉＯ3誘電体膜を形成し、
その誘電体膜上に一般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxで表される
層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導薄膜を作
製した報告がある。また、フィジカ・Ｃ（Physica C）
第162〜第164巻，659〜660頁には、サファイア単結晶基
板上にＭｇＯ誘電体膜を形成し、その誘電体膜上に、一
般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxで表される層状ペロブスカイト
型結晶構造を有する超伝導薄膜を作製した報告がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、サファイア単結
晶基板上に例えばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx超伝導薄膜をエピタ
キシャル成長させる場合、中間層としてＳｒＴｉＯ3、
ＭｇＯが検討されてきた。しかし、ＳｒＴｉＯ3はＧＨ
ｚ周波数帯での誘電損失が大きいので、酸化物超伝導体
をマイクロ波の受動素子に応用しようとすると誘電損失
による性能の低下が問題となる。一方、中間層としてＭ
ｇＯを用いた場合、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3ＯxとＭｇＯの結晶構
造が異なっているため、上部Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx膜のエピ
タキシャル性が悪くなり、酸化物超伝導体をマイクロ波
の受動素子に応用しようとすると膜質の劣化による性能
の低下が問題となる。本発明は、上記従来技術の問題を
解決するもので、誘電損失が少なく、かつペロブスカイ
ト型結晶構造を有する中間層を介して、エピタキシャル
成長した層状ペロブスカイト型結晶構造の超伝導薄膜を
有する電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
晶基板上に例えばＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx超伝導薄膜をエピタ
キシャル成長させる場合、中間層としてＳｒＴｉＯ3、
ＭｇＯが検討されてきた。しかし、ＳｒＴｉＯ3はＧＨ
ｚ周波数帯での誘電損失が大きいので、酸化物超伝導体
をマイクロ波の受動素子に応用しようとすると誘電損失
による性能の低下が問題となる。一方、中間層としてＭ
ｇＯを用いた場合、Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3ＯxとＭｇＯの結晶構
造が異なっているため、上部Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx膜のエピ
タキシャル性が悪くなり、酸化物超伝導体をマイクロ波
の受動素子に応用しようとすると膜質の劣化による性能
の低下が問題となる。本発明は、上記従来技術の問題を
解決するもので、誘電損失が少なく、かつペロブスカイ
ト型結晶構造を有する中間層を介して、エピタキシャル
成長した層状ペロブスカイト型結晶構造の超伝導薄膜を
有する電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、サファイア単
結晶基板上に誘電体膜と超伝導化合物層とを順次積層形
成してなる電子デバイス用基板において、誘電体膜は一
般式がＡＢＯ3（式中、ＡはＢａ，ＭｇおよびＣａから
選定される一種の元素を示し、ＢはＮｂ，Ｍｇ，Ｔａ，
Ｓｎ，Ｚｎ，ＴｉおよびＺｒから選定される一種以上の
元素を示す。）で表されるペロブスカイト型結晶構造を
有する材料よりなり、超伝導化合物層は層状ペロブスカ
イト型結晶構造を有する材料よりなることを特徴とする
電子デバイス用基板である。本発明において、層状ペロ
ブスカイト型結晶構造を有する材料は、一般式がＡ2Ｂ2
Ｃａ1Ｃｕ2ＯxあるいはＡ2Ｂ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx（式中、Ａ
はＢｉ及びＴｌから選ばれる一種の元素、ＢはＳｒおよ
びＢａから選ばれる一種の元素を示す。）で表される材
料であることを好適とする。
結晶基板上に誘電体膜と超伝導化合物層とを順次積層形
成してなる電子デバイス用基板において、誘電体膜は一
般式がＡＢＯ3（式中、ＡはＢａ，ＭｇおよびＣａから
選定される一種の元素を示し、ＢはＮｂ，Ｍｇ，Ｔａ，
Ｓｎ，Ｚｎ，ＴｉおよびＺｒから選定される一種以上の
元素を示す。）で表されるペロブスカイト型結晶構造を
有する材料よりなり、超伝導化合物層は層状ペロブスカ
イト型結晶構造を有する材料よりなることを特徴とする
電子デバイス用基板である。本発明において、層状ペロ
ブスカイト型結晶構造を有する材料は、一般式がＡ2Ｂ2
Ｃａ1Ｃｕ2ＯxあるいはＡ2Ｂ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx（式中、Ａ
はＢｉ及びＴｌから選ばれる一種の元素、ＢはＳｒおよ
びＢａから選ばれる一種の元素を示す。）で表される材
料であることを好適とする。
【０００５】
【作用】サファイア単結晶基板はＧＨz周波数での誘電
損失が低く、９０Ｋにおいてｔａｎδ＜１０-6，４．２
Ｋにおいてｔａｎδ＜１０-8が報告されており、マイク
ロ波受動素子用基板として注目されている。本発明で
は、サファイア単結晶基板上に上部酸化物超伝導体と類
似の結晶構造を有する前述したような誘電体薄膜がエピ
タキシャル成長することを利用し、その誘電体膜を中間
層として用いる。本発明においては、サファイア単結晶
基板を用いて超伝導薄膜を形成していることから、マイ
クロ波集積回路技術、実装回路技術との融合化を図るこ
とができ、かつ中間層として低誘電損失の材料を用いて
いることから、高性能なフィルター、共振器等の開発が
可能になる等、本発明の波及効果は甚大である。
損失が低く、９０Ｋにおいてｔａｎδ＜１０-6，４．２
Ｋにおいてｔａｎδ＜１０-8が報告されており、マイク
ロ波受動素子用基板として注目されている。本発明で
は、サファイア単結晶基板上に上部酸化物超伝導体と類
似の結晶構造を有する前述したような誘電体薄膜がエピ
タキシャル成長することを利用し、その誘電体膜を中間
層として用いる。本発明においては、サファイア単結晶
基板を用いて超伝導薄膜を形成していることから、マイ
クロ波集積回路技術、実装回路技術との融合化を図るこ
とができ、かつ中間層として低誘電損失の材料を用いて
いることから、高性能なフィルター、共振器等の開発が
可能になる等、本発明の波及効果は甚大である。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。参考例 １ 図１は、本発明の参考例１を示す断面図である。図にお
いて面方位がＲ面のサファイア単結晶基板１にＢａ（Ｓ
ｎ0.1Ｍｇ0.3Ｔａ0.6）Ｏ3膜２をスパッタ法によりエピ
タキシャル成長させ、その上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx（単結
晶）膜３を反応性蒸着法によって形成した。Ｂａ（Ｓｎ
0.1Ｍｇ0.3Ｔａ0.6）Ｏ3のエピタキシャル膜２は、反応
性スパッタ法により、アルゴン，酸素混合ガスを用い、
酸素分圧１×１０-1（Ｔｏｒｒ），基板温度６００℃で
行った。その膜厚は０．２μｍとした。Ｘ線回折法およ
び電子線回折法で（１００）方位のＢａ（Ｓｎ0.1Ｍｇ
0.3Ｔａ0.6）Ｏ3膜２がエピタキシャル成長した良質な
結晶性の膜であることを確認した。Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxエ
ピタキシャル膜３は、反応性蒸着法により基板付近の酸
素分圧１〜４×１０-2（Ｔｏｒｒ），基板温度６４０℃
で行った。膜厚は０．５μｍとした。Ｘ線回折法、電子
線回折法および走査型電子顕微鏡により（００１）方位
に配向した層状ペロブスカイト構造を有する結晶性、表
面平坦性に優れた良質なエピタキシャル膜であることを
確認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定す
ることにより、ゼロ抵抗温度が９０Ｋであることがわか
った。また、コープラナー共振器を試作し、液体窒素温
度，４ＧＨｚでＱ値を測定すると、５０００であり、良
好な値を示した。
いて面方位がＲ面のサファイア単結晶基板１にＢａ（Ｓ
ｎ0.1Ｍｇ0.3Ｔａ0.6）Ｏ3膜２をスパッタ法によりエピ
タキシャル成長させ、その上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx（単結
晶）膜３を反応性蒸着法によって形成した。Ｂａ（Ｓｎ
0.1Ｍｇ0.3Ｔａ0.6）Ｏ3のエピタキシャル膜２は、反応
性スパッタ法により、アルゴン，酸素混合ガスを用い、
酸素分圧１×１０-1（Ｔｏｒｒ），基板温度６００℃で
行った。その膜厚は０．２μｍとした。Ｘ線回折法およ
び電子線回折法で（１００）方位のＢａ（Ｓｎ0.1Ｍｇ
0.3Ｔａ0.6）Ｏ3膜２がエピタキシャル成長した良質な
結晶性の膜であることを確認した。Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxエ
ピタキシャル膜３は、反応性蒸着法により基板付近の酸
素分圧１〜４×１０-2（Ｔｏｒｒ），基板温度６４０℃
で行った。膜厚は０．５μｍとした。Ｘ線回折法、電子
線回折法および走査型電子顕微鏡により（００１）方位
に配向した層状ペロブスカイト構造を有する結晶性、表
面平坦性に優れた良質なエピタキシャル膜であることを
確認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定す
ることにより、ゼロ抵抗温度が９０Ｋであることがわか
った。また、コープラナー共振器を試作し、液体窒素温
度，４ＧＨｚでＱ値を測定すると、５０００であり、良
好な値を示した。
【０００７】参考例２参考例 １においてＢａ（Ｓｎ0.1Ｍｇ0.3Ｔａ0.6）Ｏ3の
代わりにＢａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）
Ｏ3膜をエピタキシャル成長した。成長は参考例１と同
様に反応性スパッタ法により行った。基板温度は６００
℃とした。Ｘ線回折法および電子線回折法で（１００）
方位のＢａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3
膜がエピタキシャル成長した良質な結晶性の膜であるこ
とを確認した。さらにその上に参考例１と同様にしてＹ
1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx膜を形成した。この膜はＸ線回折法、電
子線回折法および走査型電子顕微鏡により（００１）方
位に配向した層状ペロブスカイト構造を有する結晶性、
表面平坦性に優れた良質なエピタキシャル膜であること
を確認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定
することにより、ゼロ抵抗温度が８９Ｋであることがわ
かった。また、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚｎ，
Ｔａ）Ｏ3の代わりにＢａ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚ
ｎ，Ｔａ）Ｏ3，Ｂａ（Ｚｒ，Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3，ＭｇＴ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を中間層として用いた場合も同様な
エピタキシャル成長した薄膜が得られることを確認し
た。
代わりにＢａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）
Ｏ3膜をエピタキシャル成長した。成長は参考例１と同
様に反応性スパッタ法により行った。基板温度は６００
℃とした。Ｘ線回折法および電子線回折法で（１００）
方位のＢａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3
膜がエピタキシャル成長した良質な結晶性の膜であるこ
とを確認した。さらにその上に参考例１と同様にしてＹ
1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx膜を形成した。この膜はＸ線回折法、電
子線回折法および走査型電子顕微鏡により（００１）方
位に配向した層状ペロブスカイト構造を有する結晶性、
表面平坦性に優れた良質なエピタキシャル膜であること
を確認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定
することにより、ゼロ抵抗温度が８９Ｋであることがわ
かった。また、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚｎ，
Ｔａ）Ｏ3の代わりにＢａ（Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ3−Ｂａ（Ｚ
ｎ，Ｔａ）Ｏ3，Ｂａ（Ｚｒ，Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ3，ＭｇＴ
ｉＯ3−ＣａＴｉＯ3を中間層として用いた場合も同様な
エピタキシャル成長した薄膜が得られることを確認し
た。
【０００８】実施例１ 参考例 １においてＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxの代わりにＢｉ2Ｓ
ｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏx膜をエピタキシャル成長した。成長は
参考例１と同様に反応性蒸着法により行った。基板温度
は６８０℃とした。Ｘ線回折法および電子線回折法によ
り（００１）方向に配向した層状ペロブスカイト構造を
有する結晶性、表面平坦性に優れた良質なエピタキシャ
ル膜であることを確認した。この膜の抵抗−温度特性を
４端子法で測定することにより、ゼロ抵抗温度が８５Ｋ
であることがわかった。また、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏ
xの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏxを用いた場合も同
様なエピタキシャル成長した薄膜が得られることを確認
した。
ｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏx膜をエピタキシャル成長した。成長は
参考例１と同様に反応性蒸着法により行った。基板温度
は６８０℃とした。Ｘ線回折法および電子線回折法によ
り（００１）方向に配向した層状ペロブスカイト構造を
有する結晶性、表面平坦性に優れた良質なエピタキシャ
ル膜であることを確認した。この膜の抵抗−温度特性を
４端子法で測定することにより、ゼロ抵抗温度が８５Ｋ
であることがわかった。また、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏ
xの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏxを用いた場合も同
様なエピタキシャル成長した薄膜が得られることを確認
した。
【０００９】実施例２ 参考例 １においてＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏxの代わりにＢｉ2Ｓ
ｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx膜をエピタキシャル成長した。成長は
参考例１と同様に反応性蒸着法により行った。基板温度
は７３０℃とした。Ｘ線回折法および電子線回折法によ
り（００１）方向に配向した層状ペロブスカイト構造を
有する結晶性、表面平坦性に優れた良質なエピタキシャ
ル膜であることを確認した。この膜の抵抗−温度特性を
４端子法で測定することにより、ゼロ抵抗温度が１０７
Ｋであることがわかった。また、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3
Ｏxの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏxを用いた場合も
同様なエピタキシャル成長した薄膜が得られることを確
認した。なお、本発明における誘電体膜および超伝導化
合物層は上記実施例記載のものに限定されず、請求項に
記載の材料であればすべて同様の結果が得られる。
ｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx膜をエピタキシャル成長した。成長は
参考例１と同様に反応性蒸着法により行った。基板温度
は７３０℃とした。Ｘ線回折法および電子線回折法によ
り（００１）方向に配向した層状ペロブスカイト構造を
有する結晶性、表面平坦性に優れた良質なエピタキシャ
ル膜であることを確認した。この膜の抵抗−温度特性を
４端子法で測定することにより、ゼロ抵抗温度が１０７
Ｋであることがわかった。また、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3
Ｏxの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏxを用いた場合も
同様なエピタキシャル成長した薄膜が得られることを確
認した。なお、本発明における誘電体膜および超伝導化
合物層は上記実施例記載のものに限定されず、請求項に
記載の材料であればすべて同様の結果が得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば層
状ペロブスカイト構造を有する良質なエピタキシャル超
伝導薄膜を容易にサファイア単結晶基板上に形成するこ
とが可能となった。このため、超伝導機能素子と実装技
術とを一体化させることができ、本発明の工業的価値は
大きい。
状ペロブスカイト構造を有する良質なエピタキシャル超
伝導薄膜を容易にサファイア単結晶基板上に形成するこ
とが可能となった。このため、超伝導機能素子と実装技
術とを一体化させることができ、本発明の工業的価値は
大きい。
【図１】本発明の電子デバイス用基板の一参考例の断面
図である。
図である。
１ サファイア単結晶基板 ２ Ｂａ（Ｓｎ0.1Ｍｇ0.3Ｔａ0.6）Ｏ3膜 ３ Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏx膜
Claims (2)
- 【請求項１】 面方位がＲ面のサファイア単結晶基板表
面にスパッタ法で形成された誘電体膜と反応性蒸着法で
形成された超伝導化合物層とを順次積層形成してなる電
子デバイス用基板において、誘電体膜は一般式がＡＢＯ
3（式中、ＡはＢａ，ＭｇおよびＣａから選定される一
種の元素を示し、ＢはＮｂ，Ｍｇ，Ｔａ，Ｓｎ，Ｚｎ，
ＴｉおよびＺｒから選定される一種以上の元素を示
す。）で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する材
料よりなり、超伝導化合物層は一般式がＡ2Ｂ2Ｃａ1Ｃ
ｕ2ＯxあるいはＡ2Ｂ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx（式中、ＡはＢｉ
及びＴｌから選ばれる一種の元素、ＢはＳｒおよびＢａ
から選ばれる一種の元素を示す。）で表される層状ペロ
ブスカイト型結晶膜であることを特徴とする電子デバイ
ス用基板。 - 【請求項２】 面方位がＲ面のサファイア単結晶基板表
面にスパッタ法で一般式がＡＢＯ3（式中、ＡはＢａ，
ＭｇおよびＣａから選定される一種の元素を示し、Ｂは
Ｎｂ，Ｍｇ，Ｔａ，Ｓｎ，Ｚｎ，ＴｉおよびＺｒから選
定される一種以上の元素を示す。）誘電体膜を形成する
工程と、その後、反応性蒸着法で超伝導化合物層を順次
積層形成する工程とを有し、前記超伝導化合物層は一般
式がＡ2Ｂ2Ｃａ1Ｃｕ2ＯxあるいはＡ2Ｂ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏx
（式中、ＡはＢｉ及びＴｌから選ばれる一種の元素、Ｂ
はＳｒおよびＢａから選ばれる一種の元素を示す。）で
表される層状ペロブスカイト型結晶膜であることを特徴
とする電子デバイス用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22094592A JP3145799B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 電子デバイス用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22094592A JP3145799B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 電子デバイス用基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653556A JPH0653556A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3145799B2 true JP3145799B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=16759017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22094592A Expired - Fee Related JP3145799B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 電子デバイス用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3145799B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3475779B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2003-12-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
| DE69419594T2 (de) * | 1994-03-31 | 2000-01-20 | Council Scient Ind Res | Keramiksubstrate für supraleitende Schichten |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22094592A patent/JP3145799B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653556A (ja) | 1994-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991102 |
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