JP3250227B2 - 電子デバイス用基板 - Google Patents
電子デバイス用基板Info
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- JP3250227B2 JP3250227B2 JP05393091A JP5393091A JP3250227B2 JP 3250227 B2 JP3250227 B2 JP 3250227B2 JP 05393091 A JP05393091 A JP 05393091A JP 5393091 A JP5393091 A JP 5393091A JP 3250227 B2 JP3250227 B2 JP 3250227B2
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- Japan
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- film
- substrate
- dielectric film
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体層，絶縁体層，誘
電体層とからなる電子デバイス用基板に関するものであ
る。
電体層とからなる電子デバイス用基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ，Ｂｉ2（Ｔｌ）2Ｓ
ｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ，Ｂｉ2（Ｔｌ）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ
ｘに代表される層状ペロブスカイト構造を有する超伝導
セラミックスは、超伝導状態となる臨界温度Ｔｃが液体
窒素温度以上を示す高温超伝導材料で工業的実用化材料
として注目されている。
ｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ，Ｂｉ2（Ｔｌ）2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ
ｘに代表される層状ペロブスカイト構造を有する超伝導
セラミックスは、超伝導状態となる臨界温度Ｔｃが液体
窒素温度以上を示す高温超伝導材料で工業的実用化材料
として注目されている。
【０００３】これら高温超伝導材料を電子デバイスへ応
用する場合には、バルク並みのＴｃを有し、かつ特性の
信頼性を高めるために欠陥の少ない膜が必要である。こ
れらの要求を満たすためには、単結晶膜を作製すること
が望ましい。単結晶膜を得る方法としては、適当な単結
晶基板上へエピタキシャル成長させる方法があり、従来
ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ・Ｊｏｕｒｎａｌ・ｏｆ・Ａ
ｐｐｌｉｅｄ・Ｐｈｙｓｉｃｓ）第２７巻，１号Ｌ９１
〜Ｌ９３頁に約９０Ｋのゼロ抵抗温度を有するＹ1Ｂａ2
Ｃｕ3Ｏｘ単結晶膜を作製した報告がある。
用する場合には、バルク並みのＴｃを有し、かつ特性の
信頼性を高めるために欠陥の少ない膜が必要である。こ
れらの要求を満たすためには、単結晶膜を作製すること
が望ましい。単結晶膜を得る方法としては、適当な単結
晶基板上へエピタキシャル成長させる方法があり、従来
ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ・Ｊｏｕｒｎａｌ・ｏｆ・Ａ
ｐｐｌｉｅｄ・Ｐｈｙｓｉｃｓ）第２７巻，１号Ｌ９１
〜Ｌ９３頁に約９０Ｋのゼロ抵抗温度を有するＹ1Ｂａ2
Ｃｕ3Ｏｘ単結晶膜を作製した報告がある。
【０００４】さらにこれらの単結晶膜をＳｉ基板上に作
製することにより、従来のＳｉデバイスと超伝導体との
融合が可能となり、配線等の応用面での用途が拡大され
る。
製することにより、従来のＳｉデバイスと超伝導体との
融合が可能となり、配線等の応用面での用途が拡大され
る。
【０００５】この融合を可能とする技術としてシリコン
単結晶基板上にＭｇＡｌ2Ｏ4絶縁体膜が形成され、その
絶縁体膜上にＢａＴｉＯ3あるいはＳｒＴｉＯ3で示され
るペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜が形成さ
れ、その誘電体膜上に一般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘで表
わされる層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導
化合物層が形成されている構造が提案されている（特願
昭６２−２０８７０８号）。またアプライド・フィジッ
クス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ・Ｐｈｙｓｉｃｓ・Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ）第５７巻，１１６１〜１１６３頁にシリ
コン単結晶基板上にＺｒＯ2誘電体膜を形成し、その誘
電体膜上に、一般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘで表わされる
層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導薄膜を作
製した報告がある。
単結晶基板上にＭｇＡｌ2Ｏ4絶縁体膜が形成され、その
絶縁体膜上にＢａＴｉＯ3あるいはＳｒＴｉＯ3で示され
るペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体膜が形成さ
れ、その誘電体膜上に一般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘで表
わされる層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導
化合物層が形成されている構造が提案されている（特願
昭６２−２０８７０８号）。またアプライド・フィジッ
クス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ・Ｐｈｙｓｉｃｓ・Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ）第５７巻，１１６１〜１１６３頁にシリ
コン単結晶基板上にＺｒＯ2誘電体膜を形成し、その誘
電体膜上に、一般式がＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘで表わされる
層状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導薄膜を作
製した報告がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来シリコン単結晶基
板上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ超伝導薄膜をエピタキシャル
成長させる場合、中間層としてＺｒＯ2，ＭｇＡｌ2Ｏ4
／ＢａＴｉＯ3，ＭｇＡｌ2Ｏ4／ＳｒＴｉＯ3が検討され
てきた。しかし、ＺｒＯ2，ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3
はＧＨｚ周波数での誘電損失が大きく、酸化物超伝導体
を配線等に応用しようとすると、信号の波形ひずみに問
題が生じる。
板上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ超伝導薄膜をエピタキシャル
成長させる場合、中間層としてＺｒＯ2，ＭｇＡｌ2Ｏ4
／ＢａＴｉＯ3，ＭｇＡｌ2Ｏ4／ＳｒＴｉＯ3が検討され
てきた。しかし、ＺｒＯ2，ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3
はＧＨｚ周波数での誘電損失が大きく、酸化物超伝導体
を配線等に応用しようとすると、信号の波形ひずみに問
題が生じる。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るもので、誘電損失の少ない中間層を用い、エピタキシ
ャル成長した層状ペロブスカイト型結晶構造の超伝導薄
膜を具備せる電子デバイス用基板を提供することを目的
とする。
るもので、誘電損失の少ない中間層を用い、エピタキシ
ャル成長した層状ペロブスカイト型結晶構造の超伝導薄
膜を具備せる電子デバイス用基板を提供することを目的
とする。
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】 前記目的を達成するた
め、本発明に係る電子デバイス用基板においては、 下層
ＺｒＯ2誘電体膜と、上層誘電体膜と、超伝導化合物層
とをシリコン単結晶基板上に積層形成してなる電子デバ
イス用基板であって、下層ＺｒＯ2誘電体膜は、シリコ
ン単結晶基板上の最下層に形成されたものであり、上層
誘電体膜は、下層ＺｒＯ2誘電体膜上に形成され、ペロ
ブスカイト型結晶構造を有するものであり、ペロブスカ
イト型結晶構造は、一般式がＡＢＯ3で表わされ、Ａと
してＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選定される一種の元素
と、ＢとしてＡｌ及びＧａから選定される一種の元素と
を含むものであり、超伝導化合物層は、上層誘電体膜上
に形成され、層状ペロブスカイト型結晶構造を有するも
のである。
め、本発明に係る電子デバイス用基板においては、 下層
ＺｒＯ2誘電体膜と、上層誘電体膜と、超伝導化合物層
とをシリコン単結晶基板上に積層形成してなる電子デバ
イス用基板であって、下層ＺｒＯ2誘電体膜は、シリコ
ン単結晶基板上の最下層に形成されたものであり、上層
誘電体膜は、下層ＺｒＯ2誘電体膜上に形成され、ペロ
ブスカイト型結晶構造を有するものであり、ペロブスカ
イト型結晶構造は、一般式がＡＢＯ3で表わされ、Ａと
してＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選定される一種の元素
と、ＢとしてＡｌ及びＧａから選定される一種の元素と
を含むものであり、超伝導化合物層は、上層誘電体膜上
に形成され、層状ペロブスカイト型結晶構造を有するも
のである。
【００１０】また、前記層状ペロブスカイト型結晶構造
を有する超伝導化合物層は、一般式Ａ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ
で表わされ、ＡとしてＹ及び希土類元素の群から選ばれ
る一種の元素を含む材料である。
を有する超伝導化合物層は、一般式Ａ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ
で表わされ、ＡとしてＹ及び希土類元素の群から選ばれ
る一種の元素を含む材料である。
【００１１】また、前記層状ペロブスカイト型結晶構造
を有する超伝導化合物層は、一般式Ａ2Ｂ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏ
ｘあるいはＡ2Ｂ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏｘで表わされ、Ａとして
Ｂｉ及びＴｌから選ばれる一種の元素、ＢとしてＳｒ及
びＢａから選ばれる一種の元素を含む材料である。
を有する超伝導化合物層は、一般式Ａ2Ｂ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏ
ｘあるいはＡ2Ｂ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏｘで表わされ、Ａとして
Ｂｉ及びＴｌから選ばれる一種の元素、ＢとしてＳｒ及
びＢａから選ばれる一種の元素を含む材料である。
【００１２】
【作用】従来Ｓｉ単結晶基板上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ超
伝導薄膜をエピタキシャル成長によって形成する場合、
中間層としてＺｒＯ2，ＭｇＡｌ2Ｏ4／ＢａＴｉＯ3，Ｍ
ｇＡｌ2Ｏ4／ＳｒＴｉＯ3が検討されてきた。しかし、
ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3は、ともに室温の誘電率３０
０以上で誘電損失も大きい。またＺｒＯ2も液体窒素温
度での誘電損失は、１０ＧＨｚで１０-3と決して低い値
ではない。
伝導薄膜をエピタキシャル成長によって形成する場合、
中間層としてＺｒＯ2，ＭｇＡｌ2Ｏ4／ＢａＴｉＯ3，Ｍ
ｇＡｌ2Ｏ4／ＳｒＴｉＯ3が検討されてきた。しかし、
ＢａＴｉＯ3，ＳｒＴｉＯ3は、ともに室温の誘電率３０
０以上で誘電損失も大きい。またＺｒＯ2も液体窒素温
度での誘電損失は、１０ＧＨｚで１０-3と決して低い値
ではない。
【００１３】本発明ではＺｒＯ 2 上にペロブスカイト型
結晶構造を有する誘電体薄膜がエピタキシャル成長する
ことを利用し、その誘電体膜を下地との格子整合が良
く、かつ低誘電損失の材料とした。
結晶構造を有する誘電体薄膜がエピタキシャル成長する
ことを利用し、その誘電体膜を下地との格子整合が良
く、かつ低誘電損失の材料とした。
【００１４】
【００１５】また、ＺｒＯ2は、フッ化カルシウム型構
造といった単純な構造をとり、格子定数も５．４ÅとＳ
ｉの格子定数５．４３Å並びに誘電体の格子定数の√２
倍に近く良好なヘテロエピタキシャル膜が形成可能であ
る。
造といった単純な構造をとり、格子定数も５．４ÅとＳ
ｉの格子定数５．４３Å並びに誘電体の格子定数の√２
倍に近く良好なヘテロエピタキシャル膜が形成可能であ
る。
【００１６】本発明においては、Ｓｉ基板を用いて超伝
導薄膜を形成していることから、Ｓｉ半導体集積回路技
術との融合化が図れ、かつ中間層として低誘電損失の材
料を用いていることから超伝導配線によるＬＳＩの開発
が可能になる等、本発明の波及効果は甚大である。
導薄膜を形成していることから、Ｓｉ半導体集積回路技
術との融合化が図れ、かつ中間層として低誘電損失の材
料を用いていることから超伝導配線によるＬＳＩの開発
が可能になる等、本発明の波及効果は甚大である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明について図により説明する。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】（実施例１）図１は、本発明の他の実施例
を示す断面図である。図において、面方位が（１００）
のＳｉ単結晶基板１上にＺｒＯ 2 膜２を反応性蒸着法に
よりエピタキシャル成長させ、その上にＬａＡｌＯ3膜
３を反応性蒸着法によりエピタキシャル成長させ、その
上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ膜４を反応性蒸着法によって形
成した。
を示す断面図である。図において、面方位が（１００）
のＳｉ単結晶基板１上にＺｒＯ 2 膜２を反応性蒸着法に
よりエピタキシャル成長させ、その上にＬａＡｌＯ3膜
３を反応性蒸着法によりエピタキシャル成長させ、その
上にＹ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ膜４を反応性蒸着法によって形
成した。
【００２３】ＺｒＯ 2 薄膜２は、反応性蒸着により成膜
を行った。成膜中の酸素分圧は１×１０-4（Ｔｏｒ
ｒ），基板温度７００℃で行った。膜厚は０．１μｍと
した。Ｘ線回折法及び電子線回折法で（１００）方位の
ＭｇＡｌ2Ｏ4がエピタキシャル成長していることを確認
した。ＬａＡｌＯ3のエピタキシャル膜は反応性蒸着法
により基板付近での酸素分圧１〜４×１０-3（Ｔｏｒ
ｒ），基板温度６００℃で行った。膜厚は０．２μｍと
した。ＺｒＯ2と同様にＸ線回折法及び電子線回折法に
より（１００）方位にエピタキシャル成長した良質な結
晶性の膜であることを確認した。Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘエ
ピタキシャル膜は、反応性蒸着法により基板付近での酸
素分圧１〜４×１０-3（Ｔｏｒｒ），基板温度６４０℃
で行った。膜厚は０．５μｍとした。Ｘ線回折法，電子
線回折法及び走査型電子顕微鏡により（００１）方位に
配向した層状ペロブスカイト構造を有する結晶性，表面
平坦性に優れた良質なエピタキシャル膜であることを確
認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定する
ことによりゼロ抵抗温度が９０Ｋであることがわかっ
た。またコープラナートランスミッションライン共振器
を試作しＱ値を測定すると、２０００であり、この値は
同一構造での銅の共振器の２０倍の値を示した。
を行った。成膜中の酸素分圧は１×１０-4（Ｔｏｒ
ｒ），基板温度７００℃で行った。膜厚は０．１μｍと
した。Ｘ線回折法及び電子線回折法で（１００）方位の
ＭｇＡｌ2Ｏ4がエピタキシャル成長していることを確認
した。ＬａＡｌＯ3のエピタキシャル膜は反応性蒸着法
により基板付近での酸素分圧１〜４×１０-3（Ｔｏｒ
ｒ），基板温度６００℃で行った。膜厚は０．２μｍと
した。ＺｒＯ2と同様にＸ線回折法及び電子線回折法に
より（１００）方位にエピタキシャル成長した良質な結
晶性の膜であることを確認した。Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘエ
ピタキシャル膜は、反応性蒸着法により基板付近での酸
素分圧１〜４×１０-3（Ｔｏｒｒ），基板温度６４０℃
で行った。膜厚は０．５μｍとした。Ｘ線回折法，電子
線回折法及び走査型電子顕微鏡により（００１）方位に
配向した層状ペロブスカイト構造を有する結晶性，表面
平坦性に優れた良質なエピタキシャル膜であることを確
認した。この膜の抵抗−温度特性を４端子法で測定する
ことによりゼロ抵抗温度が９０Ｋであることがわかっ
た。またコープラナートランスミッションライン共振器
を試作しＱ値を測定すると、２０００であり、この値は
同一構造での銅の共振器の２０倍の値を示した。
【００２４】（実施例２）実施例１においてＹ1Ｂａ2Ｃ
ｕ3Ｏｘの代わりに、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ膜をエ
ピタキシャル成長した。成長は反応性蒸着法により行っ
た。基板温度は６８０℃とした。Ｘ線回折法及び電子線
回折法により（００１）方向に配向した層状ペロブスカ
イト構造を有する結晶性，表面平坦性に優れた良質なエ
ピタキシャル膜であることを確認した。この膜の抵抗−
温度特性を４端子法で測定することにより、ゼロ抵抗温
度が８５Ｋであることがわかった。またＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ
1Ｃｕ2Ｏｘの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘを用い
た場合も同様なエピタキシャル成長することを確認し
た。
ｕ3Ｏｘの代わりに、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ膜をエ
ピタキシャル成長した。成長は反応性蒸着法により行っ
た。基板温度は６８０℃とした。Ｘ線回折法及び電子線
回折法により（００１）方向に配向した層状ペロブスカ
イト構造を有する結晶性，表面平坦性に優れた良質なエ
ピタキシャル膜であることを確認した。この膜の抵抗−
温度特性を４端子法で測定することにより、ゼロ抵抗温
度が８５Ｋであることがわかった。またＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ
1Ｃｕ2Ｏｘの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘを用い
た場合も同様なエピタキシャル成長することを確認し
た。
【００２５】（実施例３）実施例１においてＹ1Ｂａ2Ｃ
ｕ3Ｏｘの代わりに、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏｘ膜をエ
ピタキシャル成長した。成長は反応性蒸着法により行っ
た。基板温度は７３０℃とした。Ｘ線回折法及び電子線
回折法により（００１）方向に配向した層状ペロブスカ
イト構造を有する結晶性，表面平坦性に優れた良質なエ
ピタキシャル膜であることを確認した。この膜の抵抗−
温度特性を４端子法で測定することによりゼロ抵抗温度
が１０７Ｋであることがわかった。またＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ
2Ｃｕ3Ｏｘの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏｘを用い
た場合も同様なエピタキシャル成長することを確認し
た。
ｕ3Ｏｘの代わりに、Ｂｉ2Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏｘ膜をエ
ピタキシャル成長した。成長は反応性蒸着法により行っ
た。基板温度は７３０℃とした。Ｘ線回折法及び電子線
回折法により（００１）方向に配向した層状ペロブスカ
イト構造を有する結晶性，表面平坦性に優れた良質なエ
ピタキシャル膜であることを確認した。この膜の抵抗−
温度特性を４端子法で測定することによりゼロ抵抗温度
が１０７Ｋであることがわかった。またＢｉ2Ｓｒ2Ｃａ
2Ｃｕ3Ｏｘの代わりにＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏｘを用い
た場合も同様なエピタキシャル成長することを確認し
た。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によって、層状ペロ
ブスカイト構造を有する良質なエピタキシャル超伝導膜
を容易にＳｉ単結晶基板上に形成することが可能となっ
た。超伝導体機能素子とシリコンＩＣとを一体化できる
という利点を考えれば本発明の工業的価値は大きい。
ブスカイト構造を有する良質なエピタキシャル超伝導膜
を容易にＳｉ単結晶基板上に形成することが可能となっ
た。超伝導体機能素子とシリコンＩＣとを一体化できる
という利点を考えれば本発明の工業的価値は大きい。
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。
１ Ｓｉ単結晶基板 ２ ＺｒＯ 2 膜 ３ ＬａＡｌＯ3膜 ４ Ｙ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘ膜
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−50575（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−91982（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−320224（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−135618（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−300580（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241876（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−241877（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−276799（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/36 H01L 39/00 - 39/02 H01L 39/22 - 39/24 C30B 29/22
Claims (3)
- 【請求項１】 下層ＺｒＯ2誘電体膜と、上層誘電体膜
と、超伝導化合物層とをシリコン単結晶基板上に積層形
成してなる電子デバイス用基板であって、 下層ＺｒＯ2誘電体膜は、シリコン単結晶基板上の最下
層に形成されたものであり、 上層誘電体膜は、下層ＺｒＯ2誘電体膜上に形成され、
ペロブスカイト型結晶構造を有するものであり、 ペロブスカイト型結晶構造は、一般式がＡＢＯ3で表わ
され、ＡとしてＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍから選定される
一種の元素と、ＢとしてＡｌ及びＧａから選定される一
種の元素とを含むものであり、 超伝導化合物層は、上層誘電体膜上に形成され、層状ペ
ロブスカイト型結晶構造を有するものであることを特徴
とする電子デバイス用基板。 - 【請求項２】 前記層状ペロブスカイト型結晶構造を有
する超伝導化合物層は、一般式Ａ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏｘで表
わされ、 ＡとしてＹ及び希土類元素の群から選ばれる一種の元素
を含む材料であることを特徴とする請求項１に記載の電
子デバイス用基板。 - 【請求項３】 前記層状ペロブスカイト型結晶構造を有
する超伝導化合物層は、一般式Ａ２Ｂ2Ｃａ1Ｃｕ2Ｏｘ
あるいはＡ２Ｂ2Ｃａ１Ｃｕ３Ｏｘで表わされ、 ＡとしてＢｉ及びＴｌから選ばれる一種の元素、Ｂとし
てＳｒ及びＢａから選ばれる一種の元素を含む材料であ
ることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス用基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05393091A JP3250227B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 電子デバイス用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05393091A JP3250227B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 電子デバイス用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04269838A JPH04269838A (ja) | 1992-09-25 |
| JP3250227B2 true JP3250227B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=12956453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05393091A Expired - Fee Related JP3250227B2 (ja) | 1991-02-26 | 1991-02-26 | 電子デバイス用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250227B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7984341B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-07-19 | International Business Machines Corporation | Method, system and computer program product involving error thresholds |
-
1991
- 1991-02-26 JP JP05393091A patent/JP3250227B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7984341B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-07-19 | International Business Machines Corporation | Method, system and computer program product involving error thresholds |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04269838A (ja) | 1992-09-25 |
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