JP2641865B2 - 電子デバイス用基板 - Google Patents
電子デバイス用基板Info
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- JP2641865B2 JP2641865B2 JP62137274A JP13727487A JP2641865B2 JP 2641865 B2 JP2641865 B2 JP 2641865B2 JP 62137274 A JP62137274 A JP 62137274A JP 13727487 A JP13727487 A JP 13727487A JP 2641865 B2 JP2641865 B2 JP 2641865B2
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- mgal
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- epitaxial film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming superconductor layers
- H10N60/0408—Processes for depositing or forming superconductor layers by sputtering
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体層と絶縁体層、及び超伝導体層とから
なる電子デバイス用基板に関するものである。
なる電子デバイス用基板に関するものである。
（従来の技術） Ba−Ｙ−Cu−Ｏ系あるいはSr−La−Cu−Ｏ系に代表さ
れる多層状ペロブスカイト構造を有する超伝導体セラミ
ックスは超伝導状態となる臨海温度Tcが従来用いられて
いるNb系合金のTcに比べて極めて高く、Ba−Ｙ−Cu−Ｏ
系セラミックスはTcが液体窒素温度以上示す高温超伝導
材料で工業的実用化材料として注目されている。これら
高温超伝導材料を電子デバイスへ応用する場合にはバル
ク並みのTcを有し、かつ特性の信頼性を高めるために欠
陥の少ない膜が必要である。これらの要求を満たすには
単結晶膜を作製することが望ましい。単結晶膜を得る方
法としては適当な単結晶基板上へエピタキシャル成長さ
せる方法があり、従来、ジャパニーズジャーナルオブア
プライトフィジクス（Japanese Journal of Applied Ph
ysics）第26巻４号L524〜L525頁に約20KのTcを有する
（La1-xSrx）2CuO4の単結晶膜を作製した報告がある。
れる多層状ペロブスカイト構造を有する超伝導体セラミ
ックスは超伝導状態となる臨海温度Tcが従来用いられて
いるNb系合金のTcに比べて極めて高く、Ba−Ｙ−Cu−Ｏ
系セラミックスはTcが液体窒素温度以上示す高温超伝導
材料で工業的実用化材料として注目されている。これら
高温超伝導材料を電子デバイスへ応用する場合にはバル
ク並みのTcを有し、かつ特性の信頼性を高めるために欠
陥の少ない膜が必要である。これらの要求を満たすには
単結晶膜を作製することが望ましい。単結晶膜を得る方
法としては適当な単結晶基板上へエピタキシャル成長さ
せる方法があり、従来、ジャパニーズジャーナルオブア
プライトフィジクス（Japanese Journal of Applied Ph
ysics）第26巻４号L524〜L525頁に約20KのTcを有する
（La1-xSrx）2CuO4の単結晶膜を作製した報告がある。
また、転移温度が80K〜90Kを示す材料として、1987年
３月発行のフィジカル・レビューレターズ誌第58巻第90
8ページ〜第910ページ所載の論文にあるごとく、Ｙ−Ba
−Cu−Ｏ化合物が知られてはいるが、薄膜化の公知例は
未だない。
３月発行のフィジカル・レビューレターズ誌第58巻第90
8ページ〜第910ページ所載の論文にあるごとく、Ｙ−Ba
−Cu−Ｏ化合物が知られてはいるが、薄膜化の公知例は
未だない。
（発明が解決しようとする問題点） （La1-xSrx）2CuO4膜は（100）方位のSrTiO3単結晶基
板上にエピタキシャル成長によって形成されている。し
かし、良質のSrTiO3単結晶基板を大口径かつ安価に製造
することは極めて困難であり、SrTiO3単結晶基板を用い
るとデバイス作製コストが高くなる問題がある。より安
価で大面積の基板で容易に入手できるものとして、シリ
コン基板がある。
板上にエピタキシャル成長によって形成されている。し
かし、良質のSrTiO3単結晶基板を大口径かつ安価に製造
することは極めて困難であり、SrTiO3単結晶基板を用い
るとデバイス作製コストが高くなる問題がある。より安
価で大面積の基板で容易に入手できるものとして、シリ
コン基板がある。
シリコン基板上には、種々の電子デバイスが作成され
実用になっており、超伝導体が薄膜状で作成できれば、
これらのデバイスと共存させて使用でき実用上の価値は
極めて高い。しかしながら、衆知のように、シリコン基
板上に、酸化物の薄膜を作製すると、シリコン基板と酸
化物との熱膨張差により剥離してしまう、かつ、単結晶
膜としてシリコン上に成膜することが困難である等の問
題があった。
実用になっており、超伝導体が薄膜状で作成できれば、
これらのデバイスと共存させて使用でき実用上の価値は
極めて高い。しかしながら、衆知のように、シリコン基
板上に、酸化物の薄膜を作製すると、シリコン基板と酸
化物との熱膨張差により剥離してしまう、かつ、単結晶
膜としてシリコン上に成膜することが困難である等の問
題があった。
また、シリコン上に形成した半導体デバイス同志の配
線を超伝導材料によって行うことを考えると、シリコン
基板と、超伝導配線層との間の絶縁を行う必要がある
が、これまでその方法は明らかにされていなかった。
線を超伝導材料によって行うことを考えると、シリコン
基板と、超伝導配線層との間の絶縁を行う必要がある
が、これまでその方法は明らかにされていなかった。
本発明者は特開昭60−161635号公報（特願昭59−1735
8号明細書）においてシリコン単結晶基板上に絶縁体膜
が形成され、該絶縁体膜上にペロブスカイト構造を有す
る誘電体層が形成された電子デバイス用基板を報告して
おり、本発明ははそれをさらに発展応用したものであ
る。
8号明細書）においてシリコン単結晶基板上に絶縁体膜
が形成され、該絶縁体膜上にペロブスカイト構造を有す
る誘電体層が形成された電子デバイス用基板を報告して
おり、本発明ははそれをさらに発展応用したものであ
る。
本発明は上記従来技術の問題を解決するもので、多層
状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導体薄膜を具
備する電子デバイス用基板を提供することを目的とす
る。
状ペロブスカイト型結晶構造を有する超伝導体薄膜を具
備する電子デバイス用基板を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段） すなわち本発明はシリコン単結晶基板上に絶縁体膜が
形成され、該絶縁体膜上に一般式がA2BO4およびA3B3O
７−δで表わされ、Ａとして、Ba,Sr及び希土類元素の
群から選ばれる一種以上の元素、ＢとしてCuを含む層状
ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物エピタキシャ
ル層が形成されている構造を有する基板であって、該絶
縁体膜が、マグネシウムアルミネートスピネル（MgAl2O
4）エピタキシャル膜、あるいはマグネシウムアルミネ
ートスピネル（MgAl2O4）エピタキシャル膜の上にマグ
ネシア（MgO）エピタキシャル膜が形成された積層エピ
タキシャル膜、あるいは該シリコン基板表面に形成され
る二酸化シリコン（SiO2）層の上に該マグネシウムアル
ミネートスピネル（MgAl2O4）エピタキシャル膜または
該積層エピタキシャル膜が形成された積層絶縁体膜のい
ずれかであることを特徴とする電子デバイス用基板であ
る。
形成され、該絶縁体膜上に一般式がA2BO4およびA3B3O
７−δで表わされ、Ａとして、Ba,Sr及び希土類元素の
群から選ばれる一種以上の元素、ＢとしてCuを含む層状
ペロブスカイト型結晶構造を有する化合物エピタキシャ
ル層が形成されている構造を有する基板であって、該絶
縁体膜が、マグネシウムアルミネートスピネル（MgAl2O
4）エピタキシャル膜、あるいはマグネシウムアルミネ
ートスピネル（MgAl2O4）エピタキシャル膜の上にマグ
ネシア（MgO）エピタキシャル膜が形成された積層エピ
タキシャル膜、あるいは該シリコン基板表面に形成され
る二酸化シリコン（SiO2）層の上に該マグネシウムアル
ミネートスピネル（MgAl2O4）エピタキシャル膜または
該積層エピタキシャル膜が形成された積層絶縁体膜のい
ずれかであることを特徴とする電子デバイス用基板であ
る。
（作用） シリコン単結晶基板上に形成する絶縁体単結晶膜とし
て、マグネシアスピルネル（MgAl2O3）、マグネシア（M
gO）が考えられる。この場合、MgOは本出願人が特開昭5
9−123245号公報（特願昭57−229033号明細書）にて提
案しているようにシリコン単結晶基板に直接成長するよ
りもシリコン基板上に成長したMgAl2O3を介して形成し
た方が良質の単結晶が形成できる。従って絶縁体単結晶
膜として２層構造のものでも良い。また、本出願人はSi
基板上に形成したMgAl2O3エピタキシャル膜は成長後MgA
l2O3膜を通してSi基板を熱酸化し、MgAl2O4/SiO2/Si構
造にすることによってその結晶性を改善できることをす
でに特開昭58−6147号公報（特願昭56−103967号明細
書）にて提案している。従って絶縁体単結晶膜としてSi
単結晶基板上に非晶質SiO2を介したような構造のもので
も良い。
て、マグネシアスピルネル（MgAl2O3）、マグネシア（M
gO）が考えられる。この場合、MgOは本出願人が特開昭5
9−123245号公報（特願昭57−229033号明細書）にて提
案しているようにシリコン単結晶基板に直接成長するよ
りもシリコン基板上に成長したMgAl2O3を介して形成し
た方が良質の単結晶が形成できる。従って絶縁体単結晶
膜として２層構造のものでも良い。また、本出願人はSi
基板上に形成したMgAl2O3エピタキシャル膜は成長後MgA
l2O3膜を通してSi基板を熱酸化し、MgAl2O4/SiO2/Si構
造にすることによってその結晶性を改善できることをす
でに特開昭58−6147号公報（特願昭56−103967号明細
書）にて提案している。従って絶縁体単結晶膜としてSi
単結晶基板上に非晶質SiO2を介したような構造のもので
も良い。
このように良質な結晶性を有する絶縁体単結晶膜上に
一般式がそれぞれA2BO4,A3B3O７−δで表わされる層状
ペロブスカイト構造を有する高温超伝導体単結晶膜をエ
ピタキシャル成長することができる。これら異種構造の
材料がエピタキシャル成長する原因は明らかではない
が、結晶を構成するイオンの配置の周期性が類似してい
ることが考えられる。
一般式がそれぞれA2BO4,A3B3O７−δで表わされる層状
ペロブスカイト構造を有する高温超伝導体単結晶膜をエ
ピタキシャル成長することができる。これら異種構造の
材料がエピタキシャル成長する原因は明らかではない
が、結晶を構成するイオンの配置の周期性が類似してい
ることが考えられる。
前述の如く、本発明者は特開昭60−161635号公報（特
願昭59−17358号明細書）においてシリコン単結晶基板
上に絶縁体膜が形成され、該絶縁体膜上にペロブスカイ
ト構造を有する誘導体層が形成された電子デバイス用基
板をすでに報告している。しかしながら、同じペロブス
カイト構造を有しても本発明におけるA2BO4,A3B3O
７−δ型化合物のように構成元素が異なり、特殊な規則
構造を有する場合には、通常同種の基板上に単結晶膜は
ほとんど得られないのが当業者の常識である。
願昭59−17358号明細書）においてシリコン単結晶基板
上に絶縁体膜が形成され、該絶縁体膜上にペロブスカイ
ト構造を有する誘導体層が形成された電子デバイス用基
板をすでに報告している。しかしながら、同じペロブス
カイト構造を有しても本発明におけるA2BO4,A3B3O
７−δ型化合物のように構成元素が異なり、特殊な規則
構造を有する場合には、通常同種の基板上に単結晶膜は
ほとんど得られないのが当業者の常識である。
本発明者は前記化合物単結晶をマグネシアピネルなど
の上に成長せしめることを初めて試み、これに成功し、
良好な結果を得た。
の上に成長せしめることを初めて試み、これに成功し、
良好な結果を得た。
本発明においてMgAl2O4,MgO単結晶膜の膜厚は1000Å
程度でよく、かつ、基板として良質で大口径のものが安
価に入手できるSiを用いているために、SrTiO3単結晶基
板を用いる場合に比べてデバイス作製コストを低く抑え
ることができる。しかも、Si基板を用いていることか
ら、熟成したSi半導体集積回路技術を用いることによっ
て高い機能を超伝導デバイスに持たせることができる。
例えば、超伝導膜をソース電極とドレイン電極に用いた
電解効果型の超伝導トランジスタや超伝導配線によるLS
Iの開発が可能となる等、本発明の波及効果は甚大であ
る。
程度でよく、かつ、基板として良質で大口径のものが安
価に入手できるSiを用いているために、SrTiO3単結晶基
板を用いる場合に比べてデバイス作製コストを低く抑え
ることができる。しかも、Si基板を用いていることか
ら、熟成したSi半導体集積回路技術を用いることによっ
て高い機能を超伝導デバイスに持たせることができる。
例えば、超伝導膜をソース電極とドレイン電極に用いた
電解効果型の超伝導トランジスタや超伝導配線によるLS
Iの開発が可能となる等、本発明の波及効果は甚大であ
る。
（実施例１） 面方位が（100）のSi単結結晶基板上にマグネシアス
ピネルをエピタキシャル成長し、その上に（La0.97Sr
0.03）2CuO4をスパッター法において形成した。第１図
（ａ），（ｂ）は本発明の説明図で１は（100）Si単結
晶基板２は気相成長法で成長したMgAl2O3エピタキシャ
ル膜である。３はスパッタ法で作成した（La,Sr）2CuO4
の単結晶膜である。MgAl2O4の気相成長は本出願人がす
に提案（特願昭57−136051）している方法で成長した。
すなわち反応ガスとしてMgCl2,AlにHClガスを反応させ
て生成したAlCl3,CO2,H2ガスを用い、キャリアガスとし
てN2ガスを用いた。MgAl2O4の生成反応は MgCl2＋2AlCl3＋4CO2＋4H2→MgAl2O4＋4CO＋8HClで表わ
される。成長温度950℃で成長し、Ｘ線回折及び電子線
回折で（100）方位のMgAl2O4がエピタキシャル成長して
いることを確認した。（La0.97Sr0.03）2CuO4エピタキ
シャル膜は高周波マグネトロンスパッタリング法で作製
した。上記（La0.97Sr0.03）2CuO4となるように、各酸
化物ないし炭酸の形で混合し、更に酸化銅（CuO）を５
モル％だけ過剰に含ませ95℃で予焼した粉末をターゲッ
トに用い、Ar−O2混合ガス中で、基板温度700℃で行な
った。MgAl2O4と同様にＸ線回折と電子回折によって（0
01）方向に配向したエピタキシャル膜であることを確認
した。また、Laの代わりに他の希土類元素を用いた場合
でも同様に多層状ペロブスカイト構造を有する膜が同様
にエピタキシャル成長することを確認した。
ピネルをエピタキシャル成長し、その上に（La0.97Sr
0.03）2CuO4をスパッター法において形成した。第１図
（ａ），（ｂ）は本発明の説明図で１は（100）Si単結
晶基板２は気相成長法で成長したMgAl2O3エピタキシャ
ル膜である。３はスパッタ法で作成した（La,Sr）2CuO4
の単結晶膜である。MgAl2O4の気相成長は本出願人がす
に提案（特願昭57−136051）している方法で成長した。
すなわち反応ガスとしてMgCl2,AlにHClガスを反応させ
て生成したAlCl3,CO2,H2ガスを用い、キャリアガスとし
てN2ガスを用いた。MgAl2O4の生成反応は MgCl2＋2AlCl3＋4CO2＋4H2→MgAl2O4＋4CO＋8HClで表わ
される。成長温度950℃で成長し、Ｘ線回折及び電子線
回折で（100）方位のMgAl2O4がエピタキシャル成長して
いることを確認した。（La0.97Sr0.03）2CuO4エピタキ
シャル膜は高周波マグネトロンスパッタリング法で作製
した。上記（La0.97Sr0.03）2CuO4となるように、各酸
化物ないし炭酸の形で混合し、更に酸化銅（CuO）を５
モル％だけ過剰に含ませ95℃で予焼した粉末をターゲッ
トに用い、Ar−O2混合ガス中で、基板温度700℃で行な
った。MgAl2O4と同様にＸ線回折と電子回折によって（0
01）方向に配向したエピタキシャル膜であることを確認
した。また、Laの代わりに他の希土類元素を用いた場合
でも同様に多層状ペロブスカイト構造を有する膜が同様
にエピタキシャル成長することを確認した。
（実施例２） （100）Si単結晶基板上にエピタキシャル成長したMgA
l2O4膜を通してSi基板を熱酸化し、MgAl2O4膜とSi基板
の間にSiO2を形成したあとでMgAl2O4エピタキシャル膜
上に（La,Sr）2CuO4をエピタキシャル成長させた。
l2O4膜を通してSi基板を熱酸化し、MgAl2O4膜とSi基板
の間にSiO2を形成したあとでMgAl2O4エピタキシャル膜
上に（La,Sr）2CuO4をエピタキシャル成長させた。
第２図は本実施例の工程図である。４はSi基板、５は
（MgAl2O4エピタキシャル膜、６はSiO27は（La,Sr）2Cu
O4をエピタキシャル膜で（ａ）はMgAl2O4のエピタキシ
ャル成長工程（ｂ）は熱酸化によるSiO2bの形成（ｃ）
は（La,Sr）2CuO47のエピタキシャル成長工程を示す。
熱酸化の条件は1100℃での水蒸気酸化である。熱酸化に
よってMgAl2O4の単結晶性は害なわれなかった。むし
ろ、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は30％ほど減少し結
晶性は改善されたMgAl2O4及び（La,Sr）2CuO4のエピタ
キシャル成長は実施例１と同様の方法によった。
（MgAl2O4エピタキシャル膜、６はSiO27は（La,Sr）2Cu
O4をエピタキシャル膜で（ａ）はMgAl2O4のエピタキシ
ャル成長工程（ｂ）は熱酸化によるSiO2bの形成（ｃ）
は（La,Sr）2CuO47のエピタキシャル成長工程を示す。
熱酸化の条件は1100℃での水蒸気酸化である。熱酸化に
よってMgAl2O4の単結晶性は害なわれなかった。むし
ろ、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅は30％ほど減少し結
晶性は改善されたMgAl2O4及び（La,Sr）2CuO4のエピタ
キシャル成長は実施例１と同様の方法によった。
（実施例３） 実施例１において、（La,Sr）2CuO4の代わりに（Y,B
a）3Cu3O7膜をエピタキシャル成長した。ＹとBaの比が
1:2となるものを成長した。成長は実施例１と同様にマ
グネトロンスパッター法により行なった。ターゲットは
セラミックス粉末原料を用いた。またＹの代わりに希土
類元素を用いた場合にも同様の結果が得られた。
a）3Cu3O7膜をエピタキシャル成長した。ＹとBaの比が
1:2となるものを成長した。成長は実施例１と同様にマ
グネトロンスパッター法により行なった。ターゲットは
セラミックス粉末原料を用いた。またＹの代わりに希土
類元素を用いた場合にも同様の結果が得られた。
（実施例４） （100）Si単結晶基板上に膜厚800ÅのMgAl2O4をエピ
タキシャル成長しその上さらに膜厚0.5μｍのMgOをエピ
タキシャル成長したのち実施例１と同様に膜厚２μｍの
（La,Sr）2CuO4をエピタキシャル成長した。エピタキシ
ャル温度は700℃であった。第３図に本実施によって成
るエピタキシャル膜の構成を示す。８はSi単結晶基板、
９はMgAl2O4エピタキシャル膜、10はMgOエピタキシャル
膜、11は（La,Sr）2CuO4エピタキシャル膜である。
タキシャル成長しその上さらに膜厚0.5μｍのMgOをエピ
タキシャル成長したのち実施例１と同様に膜厚２μｍの
（La,Sr）2CuO4をエピタキシャル成長した。エピタキシ
ャル温度は700℃であった。第３図に本実施によって成
るエピタキシャル膜の構成を示す。８はSi単結晶基板、
９はMgAl2O4エピタキシャル膜、10はMgOエピタキシャル
膜、11は（La,Sr）2CuO4エピタキシャル膜である。
以上のように本発明によって、層状ペロブスカイト構
造を有する膜を容易にシリコン単結晶基板上に形成する
ことが可能となった。シリコン単結晶基板は大口径で良
質のものが低価格に入手できること、及び超伝導体機能
素子とシリコンICとを一体化できるという利点を考えれ
ば本発明の工業的価値は大きい。
造を有する膜を容易にシリコン単結晶基板上に形成する
ことが可能となった。シリコン単結晶基板は大口径で良
質のものが低価格に入手できること、及び超伝導体機能
素子とシリコンICとを一体化できるという利点を考えれ
ば本発明の工業的価値は大きい。
第１〜３図は本発明による基板の製造プロセスを示す
図。 1,4,8……Si単結晶基板、2,5,9……MgAl2O4エピタキシ
ャル膜、3,7,11……（La,Sr）2CuO4エピタキシャル膜、
６……SiO2、10……MgOエピタキシャル膜。
図。 1,4,8……Si単結晶基板、2,5,9……MgAl2O4エピタキシ
ャル膜、3,7,11……（La,Sr）2CuO4エピタキシャル膜、
６……SiO2、10……MgOエピタキシャル膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 正畑 伸明 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−161635（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−52069（ＪＰ，Ａ) 電子情報通信学会技術研究報告ＳＣＥ 87−４ 87〔29〕（1987）Ｐ．19−23 （昭62−５−20電子情報通信学会発行)
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン単結晶基板上に絶縁体膜が形成さ
れ、該絶縁体膜上に一般式がA2BO4で表され、ＡとしてB
a,Sr,Yおよび希土類元素の群から選ばれる一種以上の元
素、ＢとしてCuを含む層状ペロブスカイト型結晶構造を
有する化合物エピタキシャル層が形成されている構造を
有する基板であって、該絶縁体膜が、マグネシウムアル
ミネートスピネル（MgAl2O4）エピタキシャル膜、ある
いはマグネシウムアルミネートスピネル（MgAl2O4）エ
ピタキシャル膜の上にマグネシア（MgO）エピタキシャ
ル膜が形成された積層エピタキシャル膜、あるいは該シ
リコン基板表面に形成される二酸化シリコン（SiO2）層
の上に該マグネシウムアルミネートスピネル（MgAl
2O4）エピタキシャル膜または該積層エピタキシャル膜
が形成された積層絶縁体膜のいずれかであることを特徴
とする電子デバイス用基板。 - 【請求項２】シリコン単結晶基板上に絶縁体膜が形成さ
れ、該絶縁体膜上に一般式がA3B3O７−δで表され、Ａ
としてBa,Sr,Yおよび希土類元素の群から選ばれる一種
以上の元素、ＢとしてCuを含む層状ペロブスカイト型結
晶構造を有する化合物エピタキシャル層が形成されてい
る構造を有する基板であって、該絶縁体膜が、マグネシ
ウムアルミネートスピネル（MgAl2O4）エピタキシャル
膜、あるいはマグネシウムアルミネートスピネル（MgAl
2O4）エピタキシャル膜の上にマグネシア（MgO）エピタ
キシャル膜が形成された積層エピタキシャル膜、あるい
は該シリコン基板表面に形成される二酸化シリコン（Si
O2）層の上に該マグネシウムアルミネートスピネル（Mg
Al2O4）エピタキシャル膜または該積層エピタキシャル
膜が形成された積層絶縁体膜のいずれかであることを特
徴とする電子デバイス用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62137274A JP2641865B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 電子デバイス用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62137274A JP2641865B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 電子デバイス用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300580A JPS63300580A (ja) | 1988-12-07 |
| JP2641865B2 true JP2641865B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=15194842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62137274A Expired - Fee Related JP2641865B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 電子デバイス用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2641865B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2506798B2 (ja) * | 1987-07-29 | 1996-06-12 | 松下電器産業株式会社 | 超電導体 |
| JPH01125958A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 超電導体装置 |
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1987
- 1987-05-29 JP JP62137274A patent/JP2641865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子情報通信学会技術研究報告ＳＣＥ８７−４ ８７〔２９〕（１９８７）Ｐ．１９−２３（昭６２−５−２０電子情報通信学会発行） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63300580A (ja) | 1988-12-07 |
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