DE69207031T2 - CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung - Google Patents

CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung

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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft allgemein CCD(ladungsgekoppeltes Bau teil)-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtungen sowie ein Verfahren zum Herstellen einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung, und spezieller ist sie auf den Aufbau eines photoempfindlichen Abschnitts gerichtet, der durch einen pn-Übergang eines Halbleiters gebildet wird.
    • Beschreibung des Stands der Technik
  • Im allgemeinen besteht ein photoempfindlicher Abschnitt einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung aus einer Photodiode in Form eines pn-Übergangs eines Halbleiters.
  • Fig. 1 zeigt ein Beispiel eines photoempfindlichen Abschnitts gemäß dem Stand der Technik, bei dem ein n-Fremdstoffdiffusionsbereich 22 an der Oberfläche eines p-Siliziumsubstrats ausgebildet ist und eine Photodiode PD durch einen pn-Übergang J zwischen dem Siliziumsubstrat 21 und dem n-Fremdstoffdiffusionsbereich 22 gebildet ist.
  • Fig. 2 zeigt ein Beispiel eines photoempfindlichen Abschnitts gemäß dem Stand der Technik, bei dem ein n-Fremdstoffdiffusionsbereich 22 an der Oberfläche eines p-Wannenbereichs 24 ausgebildet ist, der auf einem n-Siliziumsubstrat 23 hergestellt ist, wobei die Photodiode PD durch den pn-Übergang J zwischen dem p-Wannenbereich 24 und dem n- Fremdstoffdiffusionsbereich 22 gebildet wird. Die vorstehend genannte Photodiode PD bildet einen photoempfindlichen Abschnitt 25 einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung.
  • Außerdem wird beim Stand der Technik der vorstehend genannte n-Fremdstoffdiffusionsbereich 22 durch eine Ionenimplantationstechnik mittels Phosphor (P) hergestellt.
  • Jedoch besteht bei der herkömmlichen CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung, jedoch besteht bei der herkömmlichen CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung, da der den photoempfindlichen Abschnitt 25 bildende n-Diffusionsbereich 22 durch eine Ionenimplantationstechnik mit Phosphor (P) hergestellt wird, der Nachteil, daß die Tendenz besteht, daß Gitterverzerrungen und Spannungen in der Ebene J des pn-Übergangs auftreten, der durch den Kontakt des n-Diffusionsbereichs 22 mit dem p-Siliziumsubstrat 21 oder dem p-Wannenbereich 24 gebildet ist.
  • Dies ist ein Effekt, der wahrscheinlich auftritt, da der Atomradius bei einem Kristall aus Phosphor (P) klein ist im Vergleich zu dem von Silizium Si. Dieser Effekt übt Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften der hergestellten CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung aus. Genauer gesagt, nimmt wegen der Gitterverzerrungen und der Spannungen der Leckstrom in Rückwärtsrichtung in der Ebene des pn-Übergangs J zu und örtlich steigt der Dunkelstrom an (d.h., es liegt eine sogenannte Dunkelstromschwankung vor) . Es besteht dann die Schwierigkeit, daß die Tendenz besteht, daß weißes Rauschen auftritt, wobei es sich um einen der Mängel handelt, die bei einem Abbildungsschirm auftreten.
  • Ferner ist im Fall von Phosphor (P) der Diffusionskoeffizient groß, so daß Phosphor (P) durch eine Aktivierungsbehandlung (Wärmebehandlung) nach dem Ionenimplantationsprozeß von Phosphor (P) über einen weiteren Bereich diffundiert. Infolgedessen kann die Größe des n-Fremdstoffdiffusionsbereichs 22 nicht verringert werden, was zu einem Nachteil führt, wenn die CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung kompakt hergestellt werden soll.
    • AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Daher ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der die vorstehend genannten Mängel und Nachteile im Stand der Technik beseitigt werden können, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Genauer gesagt, ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der Gitterverzerrungen und Spannungen gelindert werden können, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, eine CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der das Auftreten eines Leckstroms verringert werden kann, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Noch eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, eine CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der der Dunkelstrom verringert werden kann, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, durch die eine helle Fehlerstelle, bei der es sich um einen der Fehler handelt, wie sie auf einem Bildaufnahmeschirm auftreten, verkleinert werden kann, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Eine noch weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der die Größe eines einen pn-Übergang bildenden n-Fremdstoffdiffusionsbereichs verkleinert werden kann, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Eine noch weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung zu schaffen, bei der der Festkörper-Bildsensor selbst mit kompakter Größe hergestellt werden kann, sowie ein Herstellverfahren hierfür zu schaffen.
  • Gemäß einer ersten Erscheinungsform der Erfindung ist diese auf eine CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gerichtet, in der ein aus einem n-Fremdstoffdiffusionsbereich hergestellter photoempfindlicher Abschnitt innerhalb eines p-Substrats oder innerhalb eines p-Fremdstoffdiffusionsbereichs entsprechend einem Pixel ausgebildet ist. In diesem Fall ist die CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung dadurch gekennzeichnet, daß die einzige Fremstoffsubstanz im n-Fremdstoffdiffusionsbereich Arsen ist.
  • Gemäß einer zweiten Erscheinungsform der Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung die folgenden Schritte auf:
  • Herstellen einer ersten Isolierschicht aus SiO&sub2; auf einem p-Substrat oder einem p-Fremdstoffdiffusionsbereich; Herstellen einer zweiten Isolierschicht aus Si&sub3;N&sub4; auf der ersten Isolierschicht; Herstellen einer dritten Isolierschicht aus SiO&sub2; auf der zweiten Isolierschicht; Entfernen der auf dem photoempfindlichen Abschnitt hergestellten zweiten und dritten Isolierschicht; Herstellen einer Übertragungselektrode auf der dritten Isolierschicht; Implantieren nur von Arsen in das p-Substrat oder in den p-Fremdstoffdiffusionsbereich, entsprechend Pixeln, unter Verwendung der Übertragungselektrode als Maske; und Ausführen einer Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre, um den n-Fremdstoffdiffusionsbereich auszubilden.
  • Gemäß dem Aufbau der Erfindung sind Gitterverzerrungen und Spannungen in der pn-Übergangsebene gelindert, das Auftreten eines Leckstroms in Sperrichtung in der pn-Übergangsebene wird verringert und der Dunkelstrom wird verringert, was zu einer Verringerung eines hellen Fehlers führt, der einer der Mängel ist, wie sie auf dem Bilderfassungsschirm auftreten, wobei diese Vorteile erzielt werden, da der den pn-Übergang des photoempfindlichen Abschnitts bildende n-Fremdstoffdiffusionsbereich durch einen Fremdstoffdiffusionsprozeß von nur Arsen (As) hergestellt wird, dessen Atomradius größer als der von Phosphor (P) ist, wobei er im wesentlichen, gesehen vom Kristallgesichtspunkt her, derselbe wie der von Silizium (Si) ist, d.h., daß der n-Fremdstoffdiffusionsbereich durch einen Aktivierungsprozeß hergestellt wird, nachdem das Arsen (As) durch eine Ionenimplantationstechnik in die Oberfläche des ersten p-Wannenbereichs injiziert wurde. Ferner kann die Größe des den pn-Übergang bildenden n-Fremdstoffdiffusionsbereichs vergrößert werden und auch die Größe der CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung selbst kann kompakt ausgebildet werden.
  • Die vorstehend genannten und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung eines veranschaulichenden Ausführungsbeispiels derselben deutlich, wenn diese in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen gelesen wird, in denen gleiche Bezugszahlen dazu verwendet sind, dieselben oder ähnliche Teile in den mehreren Ansichten zu kennzeichnen.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist ein schematisches Diagramm, das den Aufbau eines photoempfindlichen Abschnitts eines Beispiels einer CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 2 ist ein schematisches Diagramm, das den Aufbau eines photoempfindlichen Abschnitts eines anderen Beispiels einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gemäß dem Stand der Technik zeigt;
  • Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm, das den Aufbau eines Hauptteils einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt;
  • Fig. 4A bis 4C sind jeweilige Prozeßdiagramme, die ein Verfahren zum Herstellen der CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigen; und
  • Fig. 5A und 5B sind jeweilige Prozeßdiagramme, die ein Verfahren zum Herstellen der CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigen.
    • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
  • Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 3 bis Fig. 5A und 5B beschrieben.
  • Fig. 3 ist ein schematisches Diagramm, das den Aufbau eines Hauptteils einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung A gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung zeigt.
  • In der CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung A sind, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, ein n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3, ein Vertikalregister 4 und ein p-Kanalstopperbereich 5 innerhalb eines ersten p-Wannenbereichs 2 ausgebildet, der in einem n-Siliziumsubstrat 1 hergestellt ist. Ein p-Speicherbereich 6 für positive Ladungen ist im n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 ausgebildet, und unter dem Vertikalregister 4 ist ein zweiter p-Wannenbereich 7 ausgebildet. Ein photoempfindlicher Abschnitt (photoelektrischer Wandlerabschnitt) 8 besteht aus einer Photodiode PD, die durch den pn-Übergang J zwischen dem n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 und dem ersten p-Wannenbereich 2 gebildet wird. Dieser photoempfindliche Abschnitt 4 wird in Übereinstimmung mit einem Pixel hergestellt.
  • Eine aus SiO&sub2; bestehende Oxidschicht 9 wird über der gesamten Oberfläche mit dem Kanalstopperbereich 5, dem Vertikalregister 4 und dem Ladungsbereich 6 für positive Ladungen im ersten p-Wannenbereich 2 hergestellt. Ferner werden der Reihe nach auf das Vertikalregister 4 und den Kanalstopperbereich 5 über der Oxidschicht 9 eine Si&sub3;N&sub4;-Schicht 10 und eine SiO&sub2;-Schicht 11 auflaminiert. Die Oxidschicht 9, die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 10 und die SiO&sub2;-Schicht 11, wie sie auf dem Vertikairegister 4 und dem Kanalstopperbereich 5 ausgebildet sind, bilden eine Gateisolierschicht 12 mit dreilagigem Aufbau.
  • Eine aus polykristallinem Silizium bestehende Übertragungselektrode 13 wird auf der vorstehend genannten Gateisolierschicht 12 auf dem ersten p-Wannenbereich 2 hergestellt, und eine aus PSG (Phosphorsilikatglas) oder dergleichen bestehende Zwischenschicht 14 wird auf die Übertragungselektrode 13 und die Oxidschicht 9 im Speicherbereich 6 für positive Ladungen auflaminiert. Ferner wird auf der Übertragungselektrode 13 vermittels der Zwischenschicht 14 eine Al-Lichtabschirmungsschicht 15 selektiv ausgebildet. Ein Auslesetor 17 wird zwischen dem photoempfindlichen Abschnitt 8 und dem Vertikalregister 4 ausgebildet.
  • Gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird der n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 durch Ionenimplantation von Arsen (As) hergestellt. Beim Prozeß zum Herstellen des n-Fremdstoffdiffusionsbereichs 3 sind die Atomradien von Phosphor (P), wie beim Stand der Technik verwendet, von Arsen (As), wie bei diesem Ausführungsbeispiel verwendet, und von Silizium (Si), das das Substrat 1 bildet, 0,11 mm (1,10 Å), 0,118 mm (1,18 Å) bzw. 0,117 mm (1,17 Å), gesehen von Kristallgesichtspunkt her. Wie es aus den vorstehend angegebenen Atomradien ersichtlich ist, liegen die Atomradien von Arsen (As) und Silizium (Si) sehr nahe beieinander. Demgemäß können dann, wenn ein n-Fremdstoffbereich 3 gemäß diesem Ausführungsbeispiel durch Ionenimplantation von Arsen (As) hergestellt wird, Gitterverzerrungen und Spannungen in der pn-Übergangsebene J abweichend vom Fall, bei dem Phosphor (P) verwendet wird, gelindert werden.
  • Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Prozeßdiagramme gemäß den Fig. 4A bis 4C und den Fig. 5A, 5B ein Verfahren zum Herstellen der CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung gemäß dem Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. In den ganzen Fig. 4A bis 4C und den Fig. 5A, 5B sind gleiche Teile, die solchen von Fig. 3 entsprechen, mit denselben Bezugszeichen versehen und müssen daher nicht im einzelnen beschrieben werden.
  • Wie es in Fig. 4A dargestellt ist, werden, nachdem die aus SiO&sub2; bestehende Oxidschicht 9 auf dem im n-Siliziumsubstrat 1 ausgebildeten ersten p-Wannenbereich 2 hergestellt wurde, n- und p-Fremdstoffe selektiv durch Ioneninjektion in den ersten p-Wannenbereich 2 eingebracht, wodurch das n-Vertikalregister 4, der p-Kanalstopperbereich 5 und der zweite p-Wannenbereich 7 hergestellt werden.
  • Dann werden, wie es in Fig. 4B dargestellt ist, nachdem die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 10 und die SiO&sub2;-Schicht 11 sequentiell auf die gesamte Oberfläche der auf dem ersten p-Wannenbereich 2 ausgebildeten Oxidschicht 9 auflaminiert wurden, diese Si&sub3;N&sub4;- Schicht 10 und diese SiO&sub2;-Schicht 11 selektiv durch einen Ätzprozeß in ihren Bereichen abgeätzt, die später den photoempfindlichen Abschnitt 8 bilden. Die Oxidschicht 9, die Si&sub3;N&sub4;-Schicht 10 und die SiO&sub2;-Schicht 11 auf dem Vertikalregister 4 und dem Kanalstopperbereich 5 bilden die Gateisolierschicht 12. Danach wird die Übertragungselektrode 13 aus der polykristallinen Siliziumschicht auf der Gateisolierschicht 12 hergestellt.
  • Wie in Fig. 4C dargestellt, wird danach bei diesem Ausführungsbeispiel als n-Fremdstoff Arsen (As) selektiv in den ersten p-Wannenbereich 2 injiziert, insbesondere mit relativ tiefer Position wie mit einer Tiefe von 0,3 µm bis 0,4 µm ausgehend von der Oberfläche des Substrats 1, d.h. mittels einer Ionenimplantationstechnik im ersten p-Wannenbereich 2 unter Verwendung der Übertragungselektrode 13 als Maske, und in Stickstoffatmosphäre wird eine Wärmebehandlung ausgeführt, um dadurch den n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 auszubilden. Dabei bildet die durch den pn-Übergang J zwischen dem n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 und dem ersten p-Wannenbereich 2 ausgebildete Photodiode PD den photoempfindlichen Abschnitt 8. Die vorstehend genannte Wärmebehandlung wird durch eine kurzzeitige Temperbehandlung ausgeführt, bei der die Temperatur 1.000 ºC oder mehr beträgt, wobei die Heizzeit im Bereich von ungefähr 10 Sekunden bis zu einigen 10 Sekunden liegt. Insbesondere wird bei diesem Ausführungsbeispiel die vorstehend genannte Wärmebehandlung durch eine kurzzeitige Tempertechnik (z.B. Lampentemperung) ausgeführt, bei der die Temperatur 1.050 ºC und die Zeit 10 Sekunden be trägt.
  • Dann wird, wie es in Fig. SA dargestellt ist, die Übertragungselektrode 13 als Maske verwendet, und ein p-Fremdstoff, z.B. Bor (B) wird selektiv durch eine lonenimplantationstechnik in die Oberfläche des photoempfindlichen Abschnitts 8 injiziert. Dann wird das Erzeugnis in Stickstoffatmosphäre wärmebehandelt und der so injizierte p-Fremdstoff wird diffundiert und aktiviert, wodurch an der Oberfläche des photoempfindlichen Abschnitts 8 der Speicherbereich 6 für positive Ladungen ausgebildet wird.
  • Dann wird, wie es in Fig. 5D dargestellt ist, nachdem die Zwischenschicht 14 aus PSG oder dergleichen auf der gesamten Oberfläche einschließlich der Übertragungselektrode 13 hergestellt wurde, die Al-Lichtabschirmungsschicht 15 selektiv auf der Übertragungselektrode 13 vermittels der Zwischenschicht 14 hergestellt, wodurch die CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung A gemäß diesem Ausführungsbeispiel erhalten wird.
  • Wie vorsßehend beschrieben, sind bei diesem Ausführungsbeispiel, da der den pn-Übergang J des photoempfindlichen Abschnitts 8 bildende n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 durch einen Fremdstoffdiffusionsprozeß von nur Arsen (As) ausgebildet wird, dessen Atomradius größer als der von Phosphor (P) ist, wobei er im wesentlichen mit dem von Silizium (Si), vom Kristallgesichtspunkt her übereinstimmt, d.h., daß der n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 durch einen Aktivierungsprozeß hergestellt wird, nachdem Arsen (As) durch eine lonenimplantationstechnik in die Oberfläche des ersten p-Wannenbereichs 2 injiziert wurde, Gitterverzerrungen und Spannungen in der pn-Übergangsebene J gelindert, das Auftreten eines Leckstroms in Sperrichtung in der pn-Übergangsebene J wird verringert und demgemäß wird der Dunkelstrom verringert, was zu einer Verringerung einer hellen Fehlerstelle auf dem Bildaufnahmeschirm führt, wobei es sich um einen der Mängel handelt, wie sie bei einem Bildaufnahmeschirm auftreten.
  • Ferner kann, da Arsen (As) einen niedrigen Diffusionskoeffizient aufweist, verhindert werden, daß der As-Fremdstoff bei der anschließenden Wärmebehandlung über einen großen Bereich diffundiert, wodurch der den pn-Übergang J bildende n-Fremdstoffbereich 3 verkleinert wird. Außerdem kann die CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung A selbst mit kompakter Größe hergestellt werden.
  • Insbesondere können bei diesem Ausführungsbeispiel örtliche Restdefekte durch die Ionenimplantation von Arsen (As) wirkungsvoll verringert werden, da das Arsen (As) durch eine Ionenimplantationstechnik injiziert wird und dann der n- Fremdstoffdiffusionsbereich 3 durch einen kurzzeitigen Temperprozeß in Stickstoffatmosphäre ausgebildet wird, wobei die Temperatur 1.000 ºC oder mehr beträgt und die Zeit im Bereich von 10 bis zu einigen 10 Sekunden liegt. Infolgedessen kann ein Anstieg des örtlichen Dunkelstroms aufgrund von Restdefekten verhindert werden, weswegen helle Fehlerstellen auf dem Bilderfassungsschirm wirkungsvoll verringert werden können. Ferner kann, da der Temperprozeß innerhalb einer kurzen Zeitspanne ausgeführt wird und auch der Diffusionskoeffizient von Arsen (As) klein ist, der n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 wirkungsvoll verringert werden und die CCD- Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung A selbst kann wirkungsvoll mit kompakter Größe hergestellt werden.
  • Während wie vorstehend beschrieben der n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3, der den photoempfindlichen Abschnitt 8 bildet, im ersten p-Wannenbereich 2 hergestellt wird, der im n-Siliziumsubstrat 1 ausgebildet ist, ist die Erfindung nicht hierauf beschränkt, sondern es kann ein p-Siliziumsubstrat verwendet werden, wobei der n-Fremdstoffdiffusionsbereich 3 direkt im p-Siliziumsubstrat ausgebildet wird. Ferner kann beim vorstehend angegebenen Ausführungsbeispiel der an der Oberfläche des photoempfindlichen Abschnitts 8 ausgebildete Speicherbereich 6 für p-Löcher weggelassen werden.
  • Bei der erfindungsgemäßen CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung kann eine helle Fehlerstelle auf dem Bilderfasungsschirm, die einen der Mängel darstellt, wie sie bei einem Bildaufnahmeschirm auftreten, verkleinert werden. Auch kann der den pn-Übergang bildende n-Fremdstoffdiffusionsbereich verkleinert werden und auch die CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung selbst kann mit kompakter Größe hergestellt werden.

Claims (3)

1. CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung (A), in der ein aus einem n-Fremdstoffdiffusionsbereich (3) bestehender photoempfindlicher Abschnitt innerhalb eines p-Substrats (2) oder eines p-Fremdstoffdiffusionsbereichs einem Pixel entsprechend ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die einzige Fremdstoffsubstanz im n-Fremdstoffdiffusionsbereich (3) Arsen ist.
2 Verfahren zum Herstellen einer CCD-Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung, umfassend die folgenden Schritte:
(a) Herstellen einer ersten Isolierschicht (9) aus SiO&sub2; auf einem p-Substrat (2) oder einem p-Fremdstoffdiffusionsbereich;
(b) Herstellen einer zweiten Isolierschicht (10) aus Si&sub3;N&sub4; auf der ersten Isolierschicht;
(c) Herstellen einer dritten Isolierschicht (11) aus SiO&sub2; auf der zweiten Isolierschicht;
(d) Entfernen der auf dem photoempfindlichen Abschnitt hergestellten zweiten und dritten Isolierschicht;
(e) Herstellen einer Übertragungselektrode (13) auf der dritten Isolierschicht;
(f) Implantieren nur von Arsen in das p-Substrat oder in den p-Fremdstoffdiffusionsbereich, entsprechend einem Pixel, unter Verwendung der Übertragungselektrode (13) als Maske; und
(g) Ausführen einer Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre, um den n-Fremdstoffdiffusionsbereich (3) auszubilden.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Arsen mit einer Tiefe von 0,3 bis 0,4 µm ausgehend von der Substratoberfläche implantiert wird.
DE69207031T 1991-03-15 1992-03-13 CCD Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung Expired - Lifetime DE69207031T2 (de)

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