JP2867227B2 - 光電変換半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光電変換半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2867227B2 JP2867227B2 JP7081592A JP8159295A JP2867227B2 JP 2867227 B2 JP2867227 B2 JP 2867227B2 JP 7081592 A JP7081592 A JP 7081592A JP 8159295 A JP8159295 A JP 8159295A JP 2867227 B2 JP2867227 B2 JP 2867227B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity region
- gate
- type impurity
- photoelectric conversion
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 86
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/1124—Devices with PN homojunction gate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
およびその製造方法に関するものである。
装置としては図15に模式断面図として示すようにN型
半導体基板1の一方の面にはP+ 型不純物領域3と周辺
からの暗電流を吸収するためのP+ 型不純物領域である
ガードリング17が、もう一方の面(裏面と称す)には
N型半導体基板1より不純物濃度の高いN+ 型不純物領
域4が形成され、N型半導体基板1の面の、P+ 型不純
物領域3とガードリング17とN+ 型不純物領域4以外
の部分は、フィールドSiO2 2が形成され、P + 型不
純物領域3上には、ゲートSiO2 5、ゲートSi3 N
4 6、上部SiO 2 7、ゲート電極としてたとえばゲー
トポリシリコン8が順に形成され、ゲートSi3 N4
6、上部SiO2 7は、フィールドSiO2 2上にゲー
トポリシリコン8の張り出し分以上に張り出して形成さ
れていた。
が形成されゲートSiO2 5、ゲートSi3 N4 6、上
部SiO2 7の3層を誘電体とする容量読出しが行われ
る。この場合誘電体は3層である必要は必ずしもなくS
iO2 単独あるいはSiO 2 とSi3 N4 の2層でもか
まわないが、SiO2 、Si3 N4 、SiO2 の3層が
特に信頼性、耐久性に優れている。
よりなる抵抗要素であるポリシリコン抵抗9を介して逆
電圧印加電極13が接続されている。図3はこのような
光電変換半導体装置のP+ 型不純物領域4の配置を示す
模式平面図である。図15は図3ののP+ 型不純物領域
3をストリップ1本につき長手方向に点線A1からA2
を1部途中を省略してみたものである。このような光電
変換半導体装置は高い逆電圧を印加し空乏層を深く延ば
すことにより高エネルギーの放射線の検出などに使用さ
れ、ストリップの方向が直交するようにこの光電変換半
導体装置を2個重ねることにより2次元の位置検出機能
をもたせることができる。
純物領域5の配置を模式平面図として示すようにN+ 型
不純物領域4をもP+ 型不純物領域3同様にストリップ
化しかつP+ 型不純物領域と直交する(両面ストリップ
化)ようにすることで1個の光電変換半導体装置で2次
元の位置検出機能をもたせることができる。
域のある面をもP+ 型不純物領域のある面と同様の構造
とするものである。図16は図4のP+ 型不純物領域ス
トリップを1本につき長手方向に点線A1からA2を1
部途中を省略してみたものである。
ップ化した光電変換半導体装置の製造方法の工程図を図
17から図26に示す。図15に示したような光電変換
半導体装置の製造方法の工程も片面だけのプロセスをお
こなうだけで基本的には同じである。
型不純物領域3とガードリング17が、裏面にはN型半
導体基板1より不純物濃度の高いN+ 型不純物領域4が
形成されている。N型半導体基板1の、P+ 型不純物領
域3とN+ 型不純物領域4以外の面にはフィールドSi
O2 2が形成されており、P+ 型不純物領域3とN+型
不純物領域4の上には、ゲートSiO2 5、が形成され
ている。
1の両面にLPCVD法でゲートSi3 N4 膜14をそ
の上に上部SiO2 膜15をその上にポリシリコン膜1
6を順番に両面に形成し、所定の形状にゲートポリシリ
コンのレジスト22を形成する。また、裏面は保護する
ために全面にレジスト26をコートする。
たレジストをマスクにして、ポリシリコン膜16をエッ
チングし、所定の形状のゲート電極としてのゲートポリ
シリコン8を形成する。そのあと図20に示すように、
所定のゲートSi3 N4 の形状にレジスト20、レジス
ト24を形成する。また、裏面は保護するために全面に
レジスト26をコートする。ここで、レジスト20はマ
スクの合わせ精度の分、ゲートポリシリコンより大きく
しておかねばならない。そうしないとの後の上部SiO
2 やゲートSi3 N4 のエッチング時にゲートポリシリ
コンがエッチングされてしまう可能性がある。
15とゲートSi3 N4 膜14をエッチングし、上部S
iO2 7とゲートSi3 N4 6を形成する。同様のプロ
セスをN+ 型不純物領域3が形成されている面にも行う
ことにより図22のように両面にゲートポリシリコン
8、上部SiO2 7、ゲートSi3 N 4 6、が形成され
る。
0を形成し次に図24に示すように抵抗要素形成のため
ポリシリコン膜18を形成しついで図25に示すように
抵抗要素となる部分にレジスト21、裏面には保護のた
めレジスト26を形成し他の部分はイオン注入により低
抵抗化をはかり、ポリシリコン抵抗9が形成される。
ポリシリコン膜をエッチングしこのプロセスをN+ 型不
純物領域の面にも行う。更に図27に示すように層間絶
縁膜10を両面に形成しそのあとコンタクトを形成しA
lなどの金属電極で図28に示すように読出し電極1
1、逆電圧印加電極13などをし最後にパシベーション
膜25を形成することで図16に示す両面ストリップ化
した光電変換半導体装置が完成する。
場合P+ 型不純物領域とN+ 型不純物領域の読出しは互
いに直交する方向から行うことになり不都合な場合があ
る。そのときは図11に模式平面図で示すようにN+ 型
不純物領域に直交して第2金属電極としての読出しライ
ン19を形成すればよい。
読出しラインとしての第2金属電極との層間絶縁膜とし
て静電容量の小さなポリイミド膜を使用することがこの
ましい。
装置においては、前記のようにゲート電極たとえばゲー
トポリシリコンとゲートSi3 N4 膜それぞれについて
フォトリソグラフィーの工程が必要であり、また、フォ
トリソグラフィーの合わせ精度の点から、ゲートSi3
N4 膜は、ゲート電極より充分広く形成される必要があ
った。従って、製造工程は多くなり、かつゲート電極の
張り出し分以上にSi3 N4 膜が存在せざるをえず、そ
のためPNジャンクションの逆バイアスリークが多くな
ってしまうという課題があった。
をフォトリソグラフィープロセス操作をしているあいだ
反対側の面が装置の支持機構などに接触し、その影響で
レジストや汚れがとれにくくなりリーク増の原因とな
る。またポリイミド膜に形成したAl金属電極は接着力
が弱くワイヤボンディングなどではがれやすいという欠
点がある。
に、この発明では、第1の手段としてP+型不純物領域
上の誘電体層は、フィールドSiO2 の上には、ゲート
電極の張り出し分以上に誘電体層が存在しない構造とし
た。
N4 、上部SiO2 よりなる構造とした。第3の手段と
してN+型不純物領域上にもゲートSiO2 、誘電体
層、ゲート電極を形成しそのとき誘電体層は、フィール
ドSiO2 の上には、ゲート電極の張り出し分以上に誘
電体層が存在しない構造とした。
のゲートポリシリコン形成時のレジストまたは、形成さ
れたゲート電極をマスクとして誘電体層をエッチングし
て形成することにした。次に第5の手段としてN+ 型不
純物領域上にもゲートSiO2 、誘電体層、ゲート電極
を形成しそのときゲートポリシリコン形成時のレジスト
または、形成されたゲート電極をマスクとして誘電体層
をエッチングして形成することにした。
た場合、フォトリソグラフィープロセスでのレジストの
除去に硫酸と過酸化水素水の混合溶媒あるいは硝酸によ
る除去工程を有することとした。次に第7の手段として
逆電圧印加電極に接続した抵抗要素とゲート電極が同一
ポリシリコン膜より形成することとした。
の第2金属電極のワイヤボンディング等による外部接続
部(パッド部)の周辺で読出し電極などの金属電極と重
ならない部分を部分的にポリイミド層間絶縁膜を形成し
ないようにする。
アスリークが減少する。第2の手段により誘電体層の耐
久性が向上する。第3の手段によりPNジャンクション
の逆バイアスリークが減少する。
が減り、かつPNジャンクションの逆バイアスリークが
減少する。第6の手段により装置の支持機構などにより
裏面のレジストの汚染に起因する逆バイアスリークが減
少する。
3 N4 、上部SiO2 が容易に同一形状となりかつ製造
工程を減らすことができる。第8の手段によりワイヤボ
ンディング部のAl電極がポリイミド層に形成されない
ため接着力が向上し、かつ読出しラインとしての第2金
属電極などと読出電極の層間絶縁膜として静電容量の小
さなポリイミドが問題なく使用できる。
明する。図1は本発明の第1の実施例を示す半導体装置
の模式断面図であり、図3のP + 型不純物領域3をスト
リップ1本につき長手方向に点線A1からA2を1部途
中を省略してみたものである。
ガードリング17が形成され、N型半導体基板1のP+
型不純物領域3のある面の反対側の面(裏面)には、N
型半導体基板1より不純物濃度の高いN+ 型不純物領域
4が形成されている。N型半導体基板1の面の、P+ 型
不純物領域3とガードリング17とN+型不純物領域4
以外の部分は、フィールドSiO2 2が形成されてい
る。
O2 5、誘電体層としてゲートSi 3 N4 6と上部Si
O2 7、ゲート電極としてゲートポリシリコン8が順に
形成されており、そのゲートSi3 N4 6、上部SiO
2 7は、ゲートポリシリコン8と同じ形状に形成されて
いる。
電圧印加電極13によりバイアス電圧が加えられ、ゲー
トポリシリコン8とP+ 型不純物領域3の間の容量成分
により読出し電極11により容量読みだしが行われるこ
とになる。なお本発明は誘電体は3層である必要は必ず
しもなくSiO2 単独あるいはSiO2 とSi3 N4 の
2層でもかまわないが、SiO2 、Si3 N4 、SiO
2の3層が特に信頼性、耐久性に優れており本実施例で
は3層の構造について述べるがもちろん単独あるいは2
層についても当てはまる。
上部SiO2 7は、ゲートポリシリコン8と同じ形状に
形成されているため、フィールドSiO2 2の上には、
ゲートポリシリコン8の張り出し分しかSi3 N4 膜が
存在しない。このことにより、PNジャンクションの逆
バイアスリークが減少するという利点がある。
物領域もストリップ化された両面ストリップの2次元の
半導体装置の模式断面図であり、図4ののP+ 型不純物
領域3をストリップ1本につき長手方向に点線A1から
A2を1部途中を省略してみたものである。
5、ゲートSi3 N4 6、上部SiO 2 7、ゲート電極
としてゲートポリシリコン8が順に形成されており、そ
のゲートSi3 N4 6、上部SiO2 7は、ゲートポリ
シリコン8と同じ形状に形成されている 図5は、本発明の製造方法の第2の実施例を示す工程順
断面図である。
スを片面についてだけ行うものであるから以下の説明で
容易に理解できるので省略する。本発明も最初は従来例
と同じプロセスとなり図17に示すようにN型半導体基
板1にP+ 型不純物領域3とガードリング17が、裏面
にはN型半導体基板1より不純物濃度の高いN+ 型不純
物領域4が形成されている。
とN+ 型不純物領域4以外の面にはフィールドSiO2
2が形成されており、P+ 型不純物領域3とN+ 型不純
物領域4の上には、ゲートSiO2 5が形成されてい
る。次にN型半導体基板1の両面にLPCVD法でゲー
トSi3 N4 膜14をその上に上部SiO2 膜15をそ
の上にポリシリコン膜16を順番に両面に形成しそのあ
と図5に示すように所定の形状にポリシリコン抵抗のレ
ジスト21を形成し、裏面は保護するために全面にレジ
スト26をコートする。
膜16をレジスト21の部分を除いて低抵抗化しポリシ
リコン抵抗9が形成される。前記の工程は、N型半導体
基板1の両面に同時にゲートSi3 N4 膜14、上部S
iO2 膜15、ポリシリコン膜16を形成するほうが良
い。そうすると、片面ずつ膜を形成する場合に比較して
工程が半分になり、かつ、片面ずつ膜を形成する場合に
膜を形成しない面に装置のホルダー等で傷がつく等の不
具合を防止できる。
6からゲート電極としてのゲートポリシリコン等を形成
し余分なポリシリコンを除去形成するためレジスト22
およびレジスト23が形成され裏面には保護のためのレ
ジスト26が形成される。これらレジストをもとにエッ
チングを行いそのあとレジストを除去することにより図
7に示すように所定のゲートSi3 N4 6、上部SiO
2 7、ゲートポリシリコン8、ポリシリコン抵抗9が形
成されまず片面に形成される。
ングによりゲートポリシリコン8およびポリシリコン抵
抗9を形成してからこのゲートポリシリコン8およびポ
リシリコン抵抗9をマスクにしてゲートSi3 N4 6、
上部SiO2 7を形成してもよい。
図8に示すように両面にゲートSi 3 N4 6、上部Si
O2 7、ゲートポリシリコン8、ポリシリコン抵抗9が
形成される。ここでレジストの除去は特に注意が必要で
ある。
のために形成したレジストに装置の支持機構などから異
物が付着しこれがイオン注入を経たレジストを除去する
ために行う酸素プラズマ処理により基板に強固に固着し
これが欠陥の原因となり耐圧低下、逆バイアスリーク増
の原因となる。
の混合溶媒あるいは硝酸などの溶媒によりレジストの除
去を行いついで酸素プラズマ処理により完全にレジスト
を除去することが効果がある。そのあと図9に示すよう
に層間絶縁膜10が形成されこれにコンタクトを形成し
たとえばAlなどを形成したあと所定の形状にエッチン
グすることにより図10に示すように読出し電極11、
Al電極12、逆電圧印加電極13が形成される。
フィーの工程が減る利点があり、かつセルフアライメン
トであるから、ゲートSi3 N4 6はゲートポリシリコ
ン8と同じ形になる。もし、ゲートポリシリコン8、上
部SiO2 7、ゲートSi3 N4 6をそれぞれフォトリ
ソグラフィーで別々に形成する場合には、マスクの合わ
せ精度の分はどうしてもゲートSi3 N4 6をゲートポ
リシリコン8より大きくせざるを得ず、そうすると、ジ
ャンクションの逆バイアスリークは増加してしまう。
とN+ 型不純物領域の読出しは互いに直交する方向から
行うことになり不都合な場合がある。そのときは図11
にN+ 型不純物領域の配置を模式平面図で示すようなN
+ 型不純物領域に直交して読出しライン19を形成すれ
ばよい。
であり図11のN+ 型不純物領域4をストリップ1本に
つき短尺方向に点線B1からB2を1部途中を省略して
みたものでP+ 型不純物領域ある面については省略して
ある。図12に示すように図10に引き続きN+ 型不純
物領域のある面に層間絶縁膜10を形成しつぎに図13
に示すように読出し電極11にコンタクトしてAlによ
り読出しライン19をN+ 型不純物領域長手方向に直交
して形成する。
5を形成する。ところで読出し電極11と読出ライン1
9の層間絶縁膜として低静電容量のポリイミドを使用す
ると読出しの性能が向上するがAlとポリイミドの接着
力が弱くワイヤボンディングなどを行うと剥がれやす
い。
に示すN+ 型不純物領域の読出しラインの配置模式平面
図に点線で領域をポリイミド非形成部29として示すよ
うに、あるいは図29にN+ 型不純物領域のある面を模
式断面図に示すように読出し電極11と読出ライン19
の層間絶縁膜としてポリイミド層間絶縁膜27を形成し
ワイヤボンディング等を行うパッド部28のある部分に
はポリイミド層間絶縁膜27がない構造とする。
Al電極がポリイミド層に形成されないため接着力が向
上し、かつ読出しラインとしての第2金属電極などと読
出し電極の層間絶縁膜として静電容量の小さなポリイミ
ドが問題なく使用できる。
によれば、少ない製造工程でPNジャンクションの逆バ
イアスリークが少ない光電変換半導体装置を得ることが
できる。
面図である。
面図である。
純物領域の配置を示す模式的平面図である。
域の配置を示す模式的平面図である。
不純物領域の読出しラインの配置を示す模式平面図であ
る。
不純物領域のある面の模式断面図である。
不純物領域の読出しラインの配置を示す模式平面図であ
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 第1導電型半導体基板の一方の面に第2
導電型不純物領域と前記第2不純物領域に離間したガー
ドリングを有し、 前記第2導電型不純物領域上にゲートSiO 2 、誘電体
層、ゲート電極をこの面順に有し、 前記誘電体層は前記ゲート電極と同一形状であることを
特徴とする光電変換装置。 - 【請求項2】 誘電層がゲートSi3N4、上部SiO
2より形成されていることを特徴とする請求項1記載の
光電変換半導体装置。 - 【請求項3】 第2導電型不純物領域を形成された面と
反対の面に基板より不純物濃度の高い第1導電型不純物
領域が形成されており、その第1導電型不純物領域上に
もゲートSiO2、誘電体層、ゲート電極がこの順に形
成され、その誘電体層はゲート電極と同一形状に形成さ
れていることを特徴とする請求項1記載の光電変換装
置。 - 【請求項4】 第1導電型半導体基板の一方の面に第2
導電型不純物領域と前記第2不純物領域に離間したガー
ドリングを有し、 前記第2導電型不純物領域上にゲートSiO2、誘電体
層、ゲート電極をこの面順に有する光電変換半導体装置
の製造方法において、 前記誘電体層を、前記ゲート電極形成時のレジストまた
は前記ゲート電極をマスクとして形成する光電変換素子
の製造方法。 - 【請求項5】 第2導電型不純物領域が形成された面と
反対側の面に基板より不純物濃度の高い第1導電型不純
物領域が形成されており、その第1導電型不純物領域の
上にもにゲートSiO2、誘電体層、ゲート電極がこの
面に形成されている光電変換半導体装置の製造方法にお
いて、誘電体層はゲート電極形成時のレジスト、または
ゲート電極をマスクにして形成することを特徴とする請
求項4記載の光電変換半導体装置の製造方法。 - 【請求項6】 第1導電型半導体基板の一方の面に第2
導電型不純物領域が形成され、反対測の面に基板より不
純物濃度の高い第1導電型不純物形成領域が形成され、
その画方の不純物領域の上のゲートSiO 2 、誘電体
層、ポリシリ コンよりなるゲート電極、金属電極が形成
され、一方の面に更に金属電極とポリイミド層間絶縁膜
を隔てて第2金属電極が形成されている光電変換装置に
おいて、第2金属電極の外部開口部(パシベーション膜
のない部分)あるいはワイヤボンディング等による外部
接続部つまりパット部の周辺が部分的にポリイミド層間
絶縁間膜が形成されていないことを特徴とする光電変換
半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7081592A JP2867227B2 (ja) | 1994-12-20 | 1995-04-06 | 光電変換半導体装置およびその製造方法 |
EP95309317A EP0718896A3 (en) | 1994-12-20 | 1995-12-20 | Semiconductor photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6-317202 | 1994-12-20 | ||
JP31720294 | 1994-12-20 | ||
JP7081592A JP2867227B2 (ja) | 1994-12-20 | 1995-04-06 | 光電変換半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08228020A JPH08228020A (ja) | 1996-09-03 |
JP2867227B2 true JP2867227B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=26422606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7081592A Expired - Fee Related JP2867227B2 (ja) | 1994-12-20 | 1995-04-06 | 光電変換半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0718896A3 (ja) |
JP (1) | JP2867227B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61242058A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 多結晶シリコン抵抗の製造方法 |
JPS62148953A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-02 | Seiko Epson Corp | レジストの除去方法 |
JPH04286361A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP3356816B2 (ja) * | 1992-03-24 | 2002-12-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体光電気変換装置 |
JPH05283668A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
-
1995
- 1995-04-06 JP JP7081592A patent/JP2867227B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-12-20 EP EP95309317A patent/EP0718896A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0718896A3 (en) | 1997-09-10 |
EP0718896A2 (en) | 1996-06-26 |
JPH08228020A (ja) | 1996-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4285116A (en) | Method of manufacturing high voltage MIS type semiconductor device | |
US4707720A (en) | Semiconductor memory device | |
JP2867227B2 (ja) | 光電変換半導体装置およびその製造方法 | |
US5136348A (en) | Structure and manufacturing method for thin-film semiconductor diode device | |
JPH06101547B2 (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
JP2919757B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
US4060827A (en) | Semiconductor device and a method of making the same | |
JP3057792B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JPH08172135A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体集積回路装置 | |
JPS6359257B2 (ja) | ||
JP2886183B2 (ja) | フィールド分離絶縁膜の製造方法 | |
JP2785792B2 (ja) | 電力用半導体素子 | |
JP2773739B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPS58216439A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0243766A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
JPH0710499Y2 (ja) | 可変容量ダイオ−ド装置 | |
KR100199345B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
CN115000177A (zh) | 阵列基板的制备方法及阵列基板、显示面板 | |
JPS6346992B2 (ja) | ||
JPS61198774A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH07273181A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPH0199261A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH05175238A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ | |
JPS62183163A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP3992817B2 (ja) | 半導体光電変換装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081225 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091225 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101225 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101225 Year of fee payment: 12 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101225 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111225 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111225 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121225 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131225 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |