DE69125584T2 - Eine dünne Supraleiterschicht und ein Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Eine dünne Supraleiterschicht und ein Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
- Die Erfindung betrifft eine verbesserte Dünnschicht aus supraleitendem Oxid sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben, und bezieht sich insbesondere auf eine verbesserte Dünnschicht aus kupferhaltigem Verbundoxid wie etwa auf einem Substrat aus einem Siliziumplättchen abgeschiedenes YBCO mit gesteuerter Kristallorientierung sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.
- Das Phänomen der Supraleitung wurde als ein einzigartiges Phänomen erklärt, welches nur bei extrem niedrigen, mit flüssigem Hehum darstellbaren Temperaturen beobachtet werden kann. Jedoch berichteten 1986 Bednorz und Müller von einem neuen Typ eines supraleitenden Verbundoxids aus (La,Sr)&sub2;CuO&sub4;, der Supraleitfähigkeit bei 30 K zeigte (Z. Phys. B64, 1986, 189). Sodann berichteten 1987 C. W. Chu et al. (Physical Review Letters, Band 58, Nr. 9, S. 908) von einem anderen supraleitenden Material aus YBa&sub2;Cu&sub3;Oy mit einer höheren kritischen Temperatur von etwa 90 K, und dann berichteten 1988 Maeda et al. von einem sogenannten Verbundoxid-Supraleiter auf Wismutbasis mit der kritischen Temperatur von etwa 100 K (Japanese Journal of Applied Physics, Band 27, Nr. 2, S. 1209 bis 1210).
- Von diesen supraleitenden Verbundoxiden wird erwartet, daß sie praktische Anwendung finden, weil das pHänomen der Supraleitung mit einer verhältnismäßig billigen Kältemischung aus flüssigem Stickstoff herbeigeführt werden kann. In einer frühen Phase der Entwicklung wurden diese supraleitenden Verbundoxide in einer gesinterten Körperform durch Festreaktion hergestellt, und es ist nun möglich geworden, aus diesen su praleitenden Verbundoxid-Materialien Dünnschichten hoher Qualität herzustellen.
- Wenn Dünnschichten aus supraleitendem Oxid in der Elektronik eingesetzt werden, so muß dort der Dünnfilm so hergestellt werden, daß seine Kristalle geeignet orientiert sind. Tatsächlich zeigen oxidische Supraleiter eine starke Anisotropie ihrer Supraleitungseigenschaften, so daß es daher notwendig ist, zur Anpassung an Anwendungen die Kristallorientierung in der Phase der Schichterzeugung zu steuern. In den Dünnschichten oxidischer Supraleiter fließt ein höherer Strom in einer zur c-Achse senkrechten Richtung. Beispielsweise ist es dann, wenn die Dünnschicht aus supraleitendem Oxid in einer Schaltung als supraleitende Verdrahtungsleitungen verwendet wird, erforderlich, einen Supraleitungsstrom in einer Richtung zu leiten, die parallel zu der Substratoberfläche verläuft. In diesem Fall muß die c-Achse von Kristallen der Dünnschicht senkrecht zu der Substratoberfläche verlaufen. Mit anderen Worten sind in diesen Anwendungen (001)-orientierte Dünnschichten aus supraleitendem Oxid erforderlich. In einer anderen Anwendung, wie etwa einer Einrichtung mit geschichtetem SIS (Supraleiter-Isolator-Supraleiter), ist es erforderlich, Supraleitungsstrom in einer zu der Substratoberfläche senkrechten Richtung zu leiten. In diesem Fall muß die c-Achse von Kristallen der erzeugten Dünnschicht parallel zu der Substratoberfläche liegen. Mit anderen Worten ist in diesen Anwendungen eine (100)-orientierte Dünnschicht oder eine (110)-orientierte Dünnschicht aus supraleitendem Oxid erforderlich.
- Über die Bedeutung der Auswahl einer Abscheidungsfläche in Substrat oder der Optimierung von Abscheidungsbedingungen, insbesondere der Substrattemperatur, zum Erzeugen einer gewünschten Kristallorientierung in einer Dünnschicht aus supraleitendem Oxid wurde in vielen Arbeiten einschließlich Enomoto et al., Japanese Journal of Applied Physics, Band 26, Nr. 7, Juli 1987, Seiten L1248 - L1250, Asano et al. in Japanese Journal of Applied Physics, Band 28, Nr. 6, Juni 1989, Seiten L981 - L983 oder dergleichen berichtet.
- Ebenfalls bekannt ist, daß oxidische Supraleiter eine komplizierte Kristallstruktur aufweisen, so daß daher eine gewünschte Kristallorientierung nur unter einer speziellen Abscheidungsbedingung erzeugt werden kann. Tatsächlich muß das Substrat, auf dem eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid abgeschieden wird, aus solchen Substraten ausgewählt werden, die gut zu oxidischen Supraleitern passende Gitterkonstanten aufweisen und nicht in den Supraleiter diffundieren oder wandem. Von daher gesehen werden ein MgO (100)-Einkristall oder SrTiO&sub3; (100) oder ein (110)-Einkristall als Substrat verwendet.
- Die Verwendung dieser Substrate jedoch hat einen Nachteil bei industriellen Anwendungen oxidischer Supraleiter, weil diese teures Material sind und nicht in Massenproduktion hergestellt werden. Weil die Durchmesser dieser oxidischen Einkristallsubstrate begrenzt sind, ist es darüber hinaus unmöglich, eine großflächige Dünnschicht aus supraleitendem Oxid herzustellen. Ebenfalls vorgeschlagen wurde, ein Silizium- Einkristallsubstrat (Si-Plättchen), welches preiswerter und auf dem Markt stabil verfügbar ist, als Substrat zu verwenden, um auf diesem eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid herzustellen.
- Es ist jedoch bekannt, daß sich dann, wenn eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid auf dem Silizium-Einkristallsubstrat abgeschieden wird, die Supraleitungseigenschaften der abgeschiedenen Dünnschicht aufgrund chemischer Reaktion zwischen dem Oxid, aus dem die supraleitende Dünnschicht besteht, und Silizium, aus dem das Substrat besteht, stark verschlechtern oder verlorengehen.
- Zur Lösung dieses Problems wird vorgeschlagen, zur Vermeidung der Diffusion eine Pufferschicht zwischen dem Substrat und der Dünnschicht aus supraleitendem Oxid anzuordnen. Sämtliche der bekannten Pufferschichten stellen jedoch im Hinblick auf die Steuerung oder Einstellung der Kristallorientierung einer auf einem Siliziumplättchen abgeschiedenen Dünnschicht aus supraleitendem Oxid nicht zufrieden.
- MYOREN et al. haben in Japanese Journal of Applied Physics, Band 29, Nr. 6, Juni 1990, Seiten L955 - L957 eine auf einem Einkristall- (100) -Siliziumplättchen abgeschiedene Dünnschicht aus Ba&sub2;YCu&sub3;Ox (c-Achsen-orientiert) mit einer dazwischenliegenden Pufferschicht beschrieben. Diese Pufferschicht besteht aus einer auf eine YSZ (Yttrium-stabilisiertes Zirkonium)- Schicht aufgewachsenen Y&sub2;O&sub3;-Schicht, wobei die Y&sub2;O&sub3;-Schicht (100)-orientiert ist.
- Es wird ein gutes Verhalten erzielt, aber die Anwendbarkeit der Ba&sub2;YCu&sub3;Ox-Schicht ist durch die Orientierung der Schicht begrenzt.
- Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die vorstehend aufgezeigten Probleme zu lösen und ein Verfahren bereitzustellen, welches erlaubt, eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid mit einer gewünschten Kristallorientierung auf einem Substrat aus einem Siliziumplättchen herzustellen.
- Erfindungsgemäß wird eine Dünnschicht aus einem supraleiten den Y-Ba-Cu Oxid mit (110)-Orientierung bereitgestellt, die auf einem Einkristall-Substrat aus einem Siliziumplättchen abgeschieden ist, wobei eine Pufferschicht aus (110)-orientiertem Ln&sub2;O&sub3;, in dem Ln für Y oder Lanthaniden-Elemente steht, zwischen dem Dünnfilm aus supraleitendem Oxid und dem Siliziumplättchen abgeschieden ist.
- Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform gehören die Lanthaniden-Elemente zu einer Gruppe, welche La und Er aufweist.
- Bevorzugt wird eine Unterschicht als zusätzliche Pufferschicht zwischen der Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; und dem Siliziumplättchen angeordnet. In jedem Fall wird die Dünnschicht aus supraleitendem Oxid direkt auf der Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; und in direkter Berührung mit ihr abgeschieden. Die Unterschicht kann aus einem Metalloxid wie beispielsweise ZrO&sub2; oder Yttrium-stabilisiertem Zirkonium (YSZ) oder einem Metall wie beispielsweise Y und Lanthaniden-Elementen bestehen.
- Erfindungsgemäß wird auch ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus supraleitendem Y-Ba-Cu-Oxid auf einem Einkristallsubstrat aus einem Siliziumplättchen bereitgestellt, umfassend die Schritte des ausreichenden Reinigens einer Oberfläche des Siliziumplättchens, des Abscheidens einer Pufferschicht aus (110)-orientiertem Ln&sub2;O&sub3;, in welchem Ln für Y oder Lanthaniden-Elemente steht, auf dem gereinigten Siliziumplättchen und des anschließenden Abscheidens der genannten Dünnschicht aus supraleitendem Oxid auf der Pufferschicht.
- Das Reinigen der Oberfläche des Siliziumplättchens kann durch eine wärmebehandlung im Vakuum erfolgen, die bei einem Druck von weniger als 1,4 x 10&sup4; Pa (1 x 10&supmin;&sup6; Torr) und bei einer Temperatur oberhalb 900 ºC durchgeführt wird. Die vorstehend erwähnte Unterschicht wird bevorzugt auf dem Siliziumplätt chen abgeschieden, bevor die Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; abgeschieden wird. Die Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; und die Unterschicht aus einem Metalloxid wie beispielsweise ZrO&sub2; oder YSZ oder einem Metall wie beispielsweise Y und Lanthaniden- Elementen können durch ein Vakuumabscheideverfahren hergestellt werden, während die Dünnschicht aus supraleitendem Oxid bevorzugt durch ein Zerstäubungsverfahren hergestellt wird. Die aufeinanderfolgenden Schritte des Abscheidens von sowohl der Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3;, (der Unterschicht, falls notwendig) als auch der Dünnschicht aus supraleitendem Oxid werden bevorzugt in der gleichen Vakuumkammer durchgeführt. Ein wesentliches Merkmal der Erfindung besteht darin, daß eine Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; mit einer Schichtstruktur auf einem Silizium-Einkristallsubstrat abgeschieden wird, bevor eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid abgeschieden wird. Der Begriff "Pufferschicht" bedeutet eine Schicht aus Ln&sub2;O&sub3;, auf der direkt eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid abgeschieden wird.
- Wie vorstehend beschrieben, ist es bekannt, daß die wirksamen Dünnschichten aller oxidischen Supraleiter nur auf vorbestimmten kristallinen Oberflächen abgeschieden werden können, und daß die Diffusion von Silizium in die Dünnschicht aus supraleitendem Oxid in einer Verschlechterung und einem Verlust von Supraleitungseigenschaften resultiert. Es sind verschiedene Materialien für die Pufferschicht vorgeschlagen worden. Die bekannten Materialien für die Pufferschicht werden aus denjenigen ausgewählt, die kristalline Oberflächen erzeugen können, die zur Herstellung von Dünnschichten aus supraleitendem Oxid darauf geeignet sind und die als Diffusionsbarriere für Silizium und bestandteilbildende Elemente von supraleitenden Oxiden wirken. Tatsächlich sind die bekannten Pufferschichten zufriedenstellend dahingehend, daß sie die Diffusion von Silizium verhindern, tragen aber wenig zum Kristallwachstum der direkt darauf abzuscheidenden Dünnschicht aus supraleitendem Oxid bei.
- Erfindungsgemäß besteht die Pufferschicht, auf der eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid abgeschieden wird, aus einem Material, welches nicht oder kaum mit dem Supraleiter reagiert, welches gut zu den Kristallen des Supraleiters passende Gitterkonstanten hat und welches auch eine vorbestimmte Kristallorientierung aufweist, so daß die auf der Pufferschicht abgeschiedene Dünnschicht aus supraleitendem Oxid epitaxial wächst und eine gut geordnete Kristallorientierung aufweist. Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben gefunden, daß ein solches epitaxiales Wachstum dadurch herbeigeführt werden kann, daß Ln&sub2;O&sub3; als Pufferschicht ausgewählt wird, worin "Ln" für Y oder Lanthaniden-Elemente wie La, Er steht.
- Als Substrat, auf dem Dünnschichten wachsen, wird aufgrund der Kosten und der leichten Übereinstimmung der Gitterkonstanten üblicherweise ein (100)-Einkristall-Siliziumplättchen verwendet. Von einer auf diesem (100)-Einkristall-Siliziumplättchen abgeschiedenen Dünnschicht wird erwartet, daß sie die gleiche Kristallorientierung (100) hat. Mittels bekannter Verfahren praktisch erzielte Dünnschichten besitzen jedoch nicht die Kristallorientierung (100), sondern die Kristallorientierung (111). über diese Tatsache wird durch Fukomoto et al. in Appl. Phys. Lett. 55(4) 24, Juli 1989, Seiten 360 - 361 berichtet. Diese (111)-orientierte Dünnschicht ist jedoch nicht geeignet, ein epitaxiales Wachstum von oxidischen Supraleitern zu bewirken, weil in praktischen Anwendungen von Dünnschichten aus supraleitendem Oxid (100)- oder (110)- orientierte Dünnschichten verlangt werden.
- Die als Pufferschicht dienende (110)-orientierte Dünnschicht kann erfindungsgemäß aus Ln&sub2;O&sub3; hergestellt werden.
- In dem erfindungsgemäßen Prozeß wird bevorzugt eines der nachstehenden Verfahren angewandt, um die (110)-orientierte Dünnscliicht zu erzeugen:
- Gemäß einem ersten Verfahren wird die Oberfläche eines zu verwendenden Siliziumplättchens ausreichend gereinigt. In der Praxis kann dieser Reinigungsvorgang beispielsweise durch eine Wärmebehandlung in einer Hochvakuumkammer unter überwachung des Oberflächenzustands des Siliziumplättchens erfolgen. Diese Wärmebehandlung kann durchgeführt werden, bis eine charakteristische "2 x 1"-Struktur, welche bedeutet, daß die Oberfläche sauber wird, von einem Reflektions-Hochenergie- Elektronen-Diffraktionsanalysator (RHEED-Analysator) erkannt wird. In der Praxis wird die Wärmebehandlung bevorzugt bei einem Druck von weniger als 1,4 x 10&supmin;&sup4; Pa (1 x 10&supmin;&sup6; Torr) und bei einer Temperatur oberhalb 900 ºC durchgeführt.
- Gemäß dem zweiten Verfahren wird eine zusätzliche Pufferschicht (nachstehend als Puffer-Unterschicht bezeichnet) zwischen der Ln&sub2;O&sub3;- Pufferschicht, auf der eine Dünnschicht aus supraleitendem Oxid direkt abgeschieden wird, und dem Siliziumplättchen angeordnet, so daß, anders ausgedrückt, die Pufferschicht eine Doppelschichtstruktur aufweist. Die als zusätzliche Pufferschicht verwendete Puffer-Unterschicht wird so gewählt, daß sie die folgenden beiden Anforderungen erfüllt: daß die Unterschicht gut zu der (100)-Kristallorientierung des Siliziumplättchens paßt, und daß die Unterschicht eine (100)- oder (110)-Ebene besitzt. Diese Puffer-Unterschicht kann aus einem Oxid wie etwa ZrO&sub2;, Yttrium-stabilisiertem Zirkonium (YSZ) oder metallischen Elementen wie beispielsweise Y, Er, Pr, Dy, Ho, Yb, Gd, Sm oder dergleichen bestehen.
- Die Kristallorientierung der Unterschicht, auf der die Ln&sub2;O&sub3;- Pufferschicht direkt abgeschieden wird, kann durch Verwenden eines oder beider der vorstehend erwähnten Verfahren gesteuert werden.
- Schlußfolgernd können in Übereinstimmung der Erfindung Dünnschichten von Y-Ba-Cu-Oxid-Supraleitern mit gesteuerter (110)-Kristallorientierung auf einem Substrat aus einem Siliziumplättchen hergestellt werden. Erfindungsgemäße Dünnschichten aus oxidischen Supraleitern besilzen eine wirksame kristalline Struktur, die genau an dem übergang zur Pufferschicht beginnt und eine verbesserte kritische Stromdichte (Jc) aufweist.
- Die Verwendung eines Silizium-Einkristall-Plättchens als Substrat ist auf dem Gebiet der elektronischen Einrichtungen sehr vorteilhaft, weil zusätzlich zu Vorteilen wie denen, daß Einkristallplättchen preiswerter und auf dem Markt stabil verfügbar sind, eine Vielzahl von Verfahren zur Feinbearbeitung von Siliziumplättchen bekannt und anwendbar sind. Ferner kann auch eine großflächige Dünnschicht hergestellt werden, weil ein Siliziumplättchen mit großem Durchmesser auf dem Markt erhältlich ist.
- Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben, wobei jedoch der Rahmen der Erfindung nicht auf diese beschränkt werden soll.
- Es wurden sechs Siliziumplättchen mit jeweils einem Durchmesser von 3 inch (1 inch = 2,54 cm) verwendet. Drei Siliziumplättchen wurden einer Reinigungsbehandlung unterzogen, die bei 900 ºC unter 6,7 x 10&supmin;&sup5; Pa (5 x 10&supmin;&sup7; Torr) für die Dauer von 10 Minuten durchgeführt wurde, bis die charakteristische "2 x 1"-Struktur mittels einer RHEED-Analyse auf dem Siliziumplättchen beobachtet wurde.
- Sodann wurde eine Puffer-Unterschicht aus ZrO&sub2; und Y auf zwei nicht wärmebehandelten Siliziumplättchen und auf zwei durch Wärmebehandlung gereinigten Siliziumplättchen abgeschieden.
- Die Puffer-Unterschichten aus ZrO&sub2; und Y wurden mittels einem Vakuumabscheideverfahren abgeschieden. Bei den beiden gereinigten Siliziumplättchen erfolgte die Vakuumabscheidung kontinuierlich in derselben Kammer, die auch Reinigungskammer war, ohne die wärmebehandelten Siliziumplättchen der Luft auszusetzen. Die Schichtbildungsbedingungen für die Puffer- Unterschichten sind in Tabelle 1 zusammengefaßt. Tabelle 1
- Die Ergebnisse von sechs Siliziumplättchen sind in Tabelle 2 zusammengefaßt, in der auch Schichtwachstumsebenen erhaltener Pufferschichten dargestellt sind. Tabelle 2
- Sodann wurde unter den in Tabelle 3 gezeigten Bedingungen eine obere Pufferschicht aus Y&sub2;O&sub3; mittels einem Vakuumdampfverfahren auf die sechs Plättchen abgeschieden. Tabelle 3
- Die unter den vorstehenden Bedingungen erhaltene Kristallorientierung der oberen Pufferschichten aus Y&sub2;O&sub3; wurde mittels einem Röntgen-Diffraktionsanalysator untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 zusammengefaßt. Die Proben Nr. 1, 2 und 5 weisen nicht die gewünschte (110)-Orientierung auf und dienen nur zur Veranschaulichung. Tabelle 4
- Schließlich wurde mittels einem Zerstäubungsverfahren unter den in Tabelle 5 gezeigten Bedingungen eine Dünnschicht aus supraleitendem Y-Ba-Cu-Oxid auf der sich ergebenden oberen Pufferschicht abgeschieden: Tabelle 5
- Die Supraleitungseigenschaften und die Kristallorientierung der resultierenden sechs Dünnschichten aus supraleitendem Oxid sind in Tabelle 6 zusammengefaßt. Die kritische Stromdichte (Jc) wurde bei der Temperatur flüssigen Stickstoffs ermittelt, wobei der Strom in einer Richtung floß, die senkrecht zu der c-Achse des Kristalls verläuft, aus dem die Dünnschicht besteht. Tabelle 6
Claims (17)
1. Dünnschicht aus einem supraleitenden Y-Ba-Cu-Oxid, die
auf einem Einkristall-Substrat aus einem
Siliziumplättchen abgeschieden ist, wobei eine Pufferschicht
zwischen diesem Dünnfilm aus supraleitendem Oxid und dem
Siliziumplättchen angeordnet ist, dadurch
gekennzeichnet, daß die Pufferschicht Ln&sub2;O&sub3; mit (110)-Orientierung
enthält, wobei Ln für Y oder eines der Lanthaniden-
Elemente steht und daß die Schicht aus dem
supraleitenden Y-Ba-Cu-Oxid eine (110)-Orientierung aufweist.
2. Dünnschicht nach Anspruch 1, bei der das Lanthaniden-
Element zu einer Gruppe, welche La und Er aufweist,
gehört.
3. Dünnschicht nach Anspruch 1 oder 2, bei der die
Dünnschicht aus supraleitendem Oxid direkt auf der
Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; und in direkter Berührung mit ihr
abgeschieden ist.
4. Dünnschicht nach Anspruch 1 oder 2, bei der eine
Unterschicht als zusätzliche Pufferschicht zwischen der
genannten Pufferschicht aus Ln&sub2;0&sub3; und dem
Siliziumplättchen angeordnet ist.
5. Dünnschicht nach Anspruch 4, bei der die Unterschicht
aus einem Metalloxid oder Metall besteht.
6. Dünnschicht nach Anspruch 5, bei der das Metalloxid
ZrO&sub2; oder yttrium-stabilisiertes Zirkoniumdioxid (YSZ)
ist.
7. Dünnschicht nach Anspruch 5, bei dem das Metall
ausgewählt ist aus einer Gruppe umfassend Y und die
Lanthaniden-Elemente.
8. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschicht aus
supraleitendem Y-Ba-Cu-Oxid auf einem Einkristallsubstrat
aus einem Siliziumplättchen, umfassend die Schritte des
ausreichenden Reinigens einer Oberfläche des
Siliziumplättchens, des Abscheidens einer Pufferschicht auf dem
gereinigten Siliziumplättchen und des anschließenden
Abscheidens der genannten Dünnschicht aus
supraleitendem Oxid auf der Pufferschicht, dadurch gekennzeichnet,
daß die Pufferschicht Ln&sub2;O&sub3; mit (110)-Orientierung
enthält, wobei Ln für Y oder ein Lanthaniden-Element steht
und daß die supraleitende Schicht aus Y-Ba-Cu-Oxid eine
(110)-Orientierung aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem das Reinigen der
Oberfläche des Siliziumplättchens durch eine
Wärmebehandlung im Vakuum erfolgt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Wärmebehandlung
bei einem Druck von weniger als 1,4 x 10&supmin;&sup4;Pa (1 x 10&supmin;&sup6;
Torr) und bei einer Temperatur oberhalb 900ºC erfolgt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem
eine Unterschicht als zusätzliche Pufferschicht auf dem
Siliziumplättchen abgeschieden wird und bei dem die
Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; auf der Unterschicht
abgeschieden wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem die Unterschicht
eine Schicht aus Metalloxid oder Metall ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Metallschicht
ZrO&sub2; oder ytrium-stabilisiertes Zirkoniumdioxid (YSZ)
ist.
14. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem das Metall
ausgewählt ist aus der Gruppe umfassend Y und die
Lanthaniden-Elemente.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, bei dem
die Pufferschicht aus Ln&sub2;O&sub3; und die genannte
Unterschicht durch ein Vakuumabscheideverfahren hergestellt
werden.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 15, bei dem
die Dünnschicht aus supraleitendem Oxid durch ein
Zerstäubungsverfahren hergestellt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 16, bei dem
die Schritte des Abscheidens der Pufferschicht aus
Ln&sub2;O&sub3;, der Unterschicht und der Dünnschicht aus
supraleitendem Oxid in der gleichen Vakuumkammer
nacheinander durchgeführt werden.
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